專利名稱：發(fā)光二極管裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及發(fā)光二極管裝置，尤其是涉及一種抗靜電能力強(qiáng)，光通量大的發(fā)
光二極管裝置。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)由于其功率小，耗電低，壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)而廣受人們關(guān)注。隨著LED技術(shù)的發(fā)展，LED發(fā)光裝置被用于越來(lái)越多的領(lǐng)域，其光通量和可靠性也越來(lái)越受到人 \ 3的關(guān)注。LED裝置通常在靜電或反向電壓下是很脆弱的，如附圖I所示，傳統(tǒng)技術(shù)的發(fā)光二極管裝置，為了保護(hù)發(fā)光二極管芯片3不被靜電或反向電壓擊穿，通常設(shè)計(jì)穩(wěn)壓二極管4，·使電流可以反向流動(dòng)。穩(wěn)壓二極管4通常采用齊納二極管，齊納二極管與發(fā)光二極管芯片3平行固定于發(fā)光二極管基板I上。這種結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管裝置，齊納二極管4雖然降低了LED芯片3被靜電擊穿的風(fēng)險(xiǎn)，但是吸收了部分LED芯片3的出光，同時(shí)也遮擋了部分光線的傳播通路，從而在保護(hù)LED避免靜電擊穿的同時(shí)，也降低了產(chǎn)品的光通量，光強(qiáng)等指標(biāo)。因此，有必要提出一種新的發(fā)光二極管裝置以克服上述缺陷。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種抗靜電能力強(qiáng)，光通量大的發(fā)光二極
管裝置。為了實(shí)現(xiàn)上述目的本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案—種發(fā)光二極管裝置，包括基板，所述基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層；支架，所述支架形成內(nèi)凹開(kāi)口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口 ；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述基板上并電連接所述導(dǎo)電層；發(fā)光二極管芯片保護(hù)件，所述發(fā)光二極管芯片保護(hù)件與所述發(fā)光二極管芯片采用并聯(lián)方式電連接；并且所述基板上設(shè)有凹槽，所述發(fā)光二極管芯片保護(hù)件置于所述凹槽中。作為一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述發(fā)光二極管芯片保護(hù)件為穩(wěn)壓二極管。作為進(jìn)一步優(yōu)選，所述穩(wěn)壓二極管包括從齊納二極管、雪崩二極管、開(kāi)關(guān)二極管和肖特基二極管所組成的組中選取的二極管。本實(shí)用新型的發(fā)光二極管裝置，由于發(fā)光二極管芯片保護(hù)件的設(shè)計(jì)，可以有效提高發(fā)光二極管的抗靜電和抗反向電流能力，并且，由于所述發(fā)光二極管芯片保護(hù)件置于基板凹槽中，可以避免芯片保護(hù)件吸收LED芯片的出光以及對(duì)光線傳播通路的阻擋，在保證發(fā)光二極管抗靜電能力的基礎(chǔ)上，提高了發(fā)光二極管裝置的光通量。

圖I為傳統(tǒng)技術(shù)發(fā)光二極管裝置的剖面圖。[0012]圖2為本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置實(shí)施例剖面圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖，詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置。請(qǐng)參閱圖2，發(fā)光二極管裝置包括，基板1，基板I包括絕緣層和設(shè)置于絕緣層上方的導(dǎo)電層，導(dǎo)電層與外部電路電連接；支架2，支架2形成內(nèi)凹開(kāi)口并與基板I配合形成發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口 ；發(fā)光二極管芯片3，發(fā)光二極管芯片3設(shè)置在基板I上，并與基板I導(dǎo)電層電連接；發(fā)光二極管芯片保護(hù)件4，發(fā)光二極管芯片保護(hù)件4與基板I導(dǎo)電層電連接，為了起到保護(hù)發(fā)光二極管芯片3的作用，芯片保護(hù)件4通常與發(fā)光二極管芯片3并聯(lián)；硅膠層6，硅膠層6填充支架2與基板I形成的碗杯結(jié)構(gòu)，并涂覆發(fā)光二極管芯片3和發(fā)光二極管芯片保護(hù)件4,娃膠層6根據(jù)發(fā)光二極管發(fā)光要求,混合有突光粉。如圖2所示，基板I上設(shè)有凹槽5，上述發(fā)光二極管芯片保護(hù)件4設(shè)置于凹槽5內(nèi)，凹槽5可以完全容納發(fā)光二極管芯片保護(hù)件4，從而保證發(fā)光二極管芯片保護(hù)件4不吸收發(fā) 光二極管芯片3發(fā)出的光線，亦不阻擋光線傳播路線。本實(shí)用新型發(fā)光二級(jí)管裝置，采用了芯片保護(hù)件4來(lái)保護(hù)發(fā)光二級(jí)管芯片3，避免發(fā)光二極管芯片3被靜電或反向電流擊穿，提高了發(fā)光二極管裝置抗靜電能力，同時(shí)，芯片保護(hù)件4置于基板凹槽5內(nèi)，避免了芯片保護(hù)件4對(duì)光線的吸收和阻擋，提高了發(fā)光二極管裝置的光通量。本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置所述芯片保護(hù)件4通常采用穩(wěn)壓二極管；齊納二極管、雪崩二極管、開(kāi)關(guān)二極管和肖特基二極管作為幾種常見(jiàn)的穩(wěn)壓二極管，皆可應(yīng)用于本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置，不影響本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置優(yōu)點(diǎn)體現(xiàn)。以上僅為本實(shí)用新型實(shí)施案例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，但凡本領(lǐng)域普通技術(shù)人員根據(jù)本實(shí)用新型所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應(yīng)納入權(quán)利要求書(shū)中記載的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管裝置，包括 基板，所述基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層； 支架，所述支架形成內(nèi)凹開(kāi)口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口 ； 發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述基板上并電連接所述導(dǎo)電層； 發(fā)光二極管芯片保護(hù)件，所述發(fā)光二極管芯片保護(hù)件與所述發(fā)光二極管芯片采用并聯(lián)方式電連接； 其特征在于所述基板上設(shè)有凹槽，所述發(fā)光二極管芯片保護(hù)件置于所述凹槽中。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片保護(hù)件為穩(wěn)壓二極管。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于所述穩(wěn)壓二極管包括從齊納二極管、雪崩二極管、開(kāi)關(guān)二極管和肖特基二極管所組成的組中選取的二極管。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種發(fā)光二極管裝置，包括基板，所述基板上設(shè)置有絕緣層以及設(shè)置在所述絕緣層上的導(dǎo)電層；支架，所述支架形成內(nèi)凹開(kāi)口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結(jié)構(gòu)的投光口；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設(shè)置在所述基板上并電連接所述導(dǎo)電層；發(fā)光二極管芯片保護(hù)件，所述發(fā)光二極管芯片保護(hù)件與所述發(fā)光二極管芯片采用并聯(lián)方式電連接；并且所述基板上設(shè)有凹槽，所述發(fā)光二極管芯片保護(hù)件置于所述凹槽中。本實(shí)用新型發(fā)光二極管裝置具有抗靜電能力強(qiáng)，光通量大的優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L33/62GK202721177SQ20122024192
公開(kāi)日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月28日
發(fā)明者安國(guó)順, 張道峰 申請(qǐng)人:歌爾聲學(xué)股份有限公司