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      工作性能好的單晶硅太陽(yáng)能電池的制作方法

      文檔序號(hào):7123830閱讀:264來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):工作性能好的單晶硅太陽(yáng)能電池的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及一種太陽(yáng)能電池,尤其涉及一種單晶硅太陽(yáng)能電池。
      背景技術(shù)
      太陽(yáng)能電池推廣應(yīng)用的主要障礙是發(fā)電成本與火力發(fā)電成本相比較成本過(guò)高。聚光電池則是通過(guò)薄片,聚光等手段,可以大大降低發(fā)電成本。同時(shí),工作性能不好,效率不聞。

      實(shí)用新型內(nèi)容為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足,本實(shí)用新型提供一種結(jié)構(gòu)合理,工作性能良好的單晶硅太陽(yáng)能電池。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型采樣的技術(shù)方案為一種單晶硅太陽(yáng)能電池,包括P型硅片,在P型硅片的正面設(shè)有作為負(fù)極的NP結(jié),在NP結(jié)的正面設(shè)有氧化硅減反射膜,正極金屬電極穿過(guò)氧化硅減反射膜與NP結(jié)形成歐姆接觸;在P型硅片的反面設(shè)置P+層,在P+層的反面設(shè)置鋁背場(chǎng),在鋁背場(chǎng)中設(shè)有背電極;正面柵線包括主柵線和細(xì)柵線,正面柵線的陰影面積占正面總面積的15% 16%,其中細(xì)柵線的陰影面積占正面總面積的10% 11%。所述細(xì)柵線寬度為O. 09mm O. Imm,細(xì)柵線的中心內(nèi)距為Imm I. 1mm。所述P型硅片為165單晶硅片。有益效果本實(shí)用新型提供的單晶硅太陽(yáng)能電池,結(jié)構(gòu)合理,工作性能良好,且制造成本低,效率高。

      圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實(shí)施方式
      圖I所示為165單晶硅太陽(yáng)能電池,包括P型硅片1,在P型硅片I的正面設(shè)有作為負(fù)極的NP結(jié)2,在NP結(jié)2的正面設(shè)有氧化硅減反射膜3,正極金屬電極4穿過(guò)氧化硅減反射膜3與NP結(jié)2形成歐姆接觸;在P型硅片I的反面設(shè)置P+層5,在P+層5的反面設(shè)置鋁背場(chǎng)6,在鋁背場(chǎng)6中設(shè)有背電極7;正面柵線包括主柵線和細(xì)柵線,正面柵線的陰影面積占正面總面積的15% 16%,其中細(xì)柵線的陰影面積占正面總面積的10% 11% ;所述細(xì)柵線寬度為O. 09mm O. 095mm,細(xì)柵線的中心內(nèi)距為I. 1mm。
      權(quán)利要求1.一種工作性能好的單晶硅太陽(yáng)能電池,其特征在于該太陽(yáng)能電池包括P型硅片(I),在P型硅片(I)的正面設(shè)有作為負(fù)極的NP結(jié)(2),在NP結(jié)(2)的正面設(shè)有氧化硅減反射膜(3),正極金屬電極(4)穿過(guò)氧化硅減反射膜(3)與NP結(jié)(2)形成歐姆接觸;在戸型硅片(I)的反面設(shè)置P+層(5),在P+層(5)的反面設(shè)置鋁背場(chǎng)(6),在鋁背場(chǎng)(6)中設(shè)有背電極(7)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的工作性能好的單晶硅太陽(yáng)能電池,其特征在于正面柵線包括主柵線和細(xì)柵線,正面柵線的陰影面積占正面總面積的15% 16%,其中細(xì)柵線的陰影面積占正面總面積的10% 11%,細(xì)柵線寬度為O. 09mm O. 095mm,細(xì)柵線的中心內(nèi)距為Imm I. Imm0
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的工作性能好的單晶硅太陽(yáng)能電池,其特征在于所述P型硅片⑴為165單晶娃片。
      專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種單晶硅太陽(yáng)能電池,包括P型硅片,在P型硅片的正面設(shè)有作為負(fù)極的NP結(jié),在NP結(jié)的正面設(shè)有氧化硅減反射膜,正極金屬電極穿過(guò)氧化硅減反射膜與NP結(jié)形成歐姆接觸;在P型硅片的反面設(shè)置P+層,在P+層的反面設(shè)置鋁背場(chǎng),在鋁背場(chǎng)中設(shè)有背電極。本實(shí)用新型提供的單晶硅太陽(yáng)能電池,結(jié)構(gòu)合理,工作性能良好,且制造成本低,效率高。
      文檔編號(hào)H01L31/0216GK202736929SQ201220320988
      公開(kāi)日2013年2月13日 申請(qǐng)日期2012年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月2日
      發(fā)明者曹永杰, 何干坤, 曹永祥, 王紹林, 張良春, 許龍光 申請(qǐng)人:溫州宏陽(yáng)銅業(yè)有限公司
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