專利名稱：一種帶雙層保護膜的太陽能組件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及太陽能電池技術領域，特別涉及一種帶雙層保護膜的太陽能組件。
背景技術：
太陽能電池組件，也叫太陽能電池板，是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分，也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中最重要的部分。太陽能電池是通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉化成電能的裝置。太陽能電池作為綠色能源，越來越受到人們的關注。晶體硅材料質量對太陽電池的效率起至關重要的作用，晶體硅基體材料表面缺陷密度很高，如大量的懸掛鍵、雜質和斷鍵等，導致硅片表面少子壽命大大降低，復合速率較低。
實用新型內容本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術存在的缺陷，提供一種轉換效率高的帶雙層保護膜的太陽能組件。實現(xiàn)本實用新型目的的技術方案是一種帶雙層保護膜的太陽能組件，具有依次層疊的負極層、N型硅層、P型硅層和正極層；還具有減反射膜層和鈍化膜層；所述減反射膜層設置在負極層和N型硅層之間；所述鈍化膜層設置在減反射膜層和N型硅層之間。上述技術方案所述減反射膜層為氮化硅層。上述技術方案所述鈍化膜層為二氧化硅層。上述技術方案所述負極層和正電極均為銀層。上述技術方案所述負極層的表面上設有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵以及與主柵垂直且等間距分布的副柵。上述技術方案所述正極層上具有背電極和背電場。采用上述技術方案后，本實用新型具有以下積極的效果(I)本實用新型采用PECVD沉積氮化硅膜作為太陽能組件的減反射膜層，主要作用是減少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氫，可以很好的鈍化硅中的表面懸掛鍵，從而提高了載流子遷移率；同時，在氮化硅膜與N型硅之間沉積二氧化硅膜，可以更有效的減少入射光在太陽能電池表面的反射損失，大大提高太陽能組件吸收陽光的量，并能讓這些太陽能組件可以吸收來自各個角度的全部陽光光譜，從而使太陽能電站的經(jīng)濟效益大為改
盡
口 ο(2)本實用新型應用銀漿料制作電極和背電場，優(yōu)化圖形設計，不僅確保了電極良好的導電性、可焊性以及背電場的平整性，更具有優(yōu)異的印刷性能、附著力高、彎曲度低和轉換效率高的優(yōu)點。

為了使本實用新型的內容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結合附圖，對本實用新型作進一步詳細的說明，其中圖I為本實用新型的結構示意圖；圖中I.負極層，11.主柵，12.副柵，2.N型硅層，3.P型硅層，4.正極層，41.背電極，42.背電場，5.減反射膜層，6.鈍化膜層。
具體實施方式
(實施例I) 見圖1，本實用新型具有依次層疊的負極層1、N型硅層2、P型硅層3、正極層4、減反射膜層5和鈍化膜層6 ;負極層I和正電極4均為銀層，負極層I的表面上設有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵11以及與主柵11垂直且等間距分布的副柵12 ;正極層4上具有背電極41和背電場42。減反射膜層5為氮化硅層，減反射膜層5設置在負極層I和N型硅層2之間；鈍化膜層6為二氧化硅層，鈍化膜層6設置在減反射膜層5和N型硅層2之間。以上所述的具體實施例，對本實用新型的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已，并不用于限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
權利要求1.一種帶雙層保護膜的太陽能組件，具有依次層疊的負極層(I )、N型硅層(2)、P型硅層(3)和正極層(4);其特征在于還具有減反射膜層(5)和鈍化膜層(6);所述減反射膜層(5)設置在負極層(I)和N型硅層(2)之間；所述鈍化膜層(6)設置在減反射膜層(5)和N型硅層(2)之間。
2.根據(jù)權利要求I所述的帶雙層保護膜的太陽能組件，其特征在于所述減反射膜層(5)為氮化娃層。
3.根據(jù)權利要求I所述的帶雙層保護膜的太陽能組件，其特征在于所述鈍化膜層(6)為二氧化硅層。
4.根據(jù)權利要求I至3任一所述的帶雙層保護膜的太陽能組件，其特征在于所述負極層(I)和正電極(4)均為銀層。
5.根據(jù)權利要求4所述的帶雙層保護膜的太陽能組件，其特征在于所述負極層(I)的表面上設有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵(11)以及與主柵(11)垂直且等間距分布的副柵(12)。
6.根據(jù)權利要求5所述的帶雙層保護膜的太陽能組件，其特征在于所述正極層(4)上具有背電極(41)和背電場(42 )。
專利摘要本實用新型涉及一種帶雙層保護膜的太陽能組件，具有依次層疊的負極層、N型硅層、P型硅層和正極層；還具有減反射膜層和鈍化膜層；所述減反射膜層設置在負極層和N型硅層之間；所述鈍化膜層設置在減反射膜層和N型硅層之間。本實用新型采用PECVD沉積氮化硅膜作為太陽能組件的減反射膜層, 可以減少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氫，可以很好的鈍化硅中的表面懸掛鍵，提高載流子遷移率；同時，在氮化硅膜與N型硅之間沉積二氧化硅膜，可以更有效的減少入射光在太陽能電池表面的反射損失，大大提高太陽能組件吸收陽光的量，并能讓這些太陽能組件可以吸收來自各個角度的全部陽光光譜，從而使太陽能電站的經(jīng)濟效益大為改善。
文檔編號H01L31/0224GK202695461SQ20122041480
公開日2013年1月23日 申請日期2012年8月20日 優(yōu)先權日2012年8月20日
發(fā)明者金劉 申請人:江蘇格林保爾光伏有限公司