專利名稱：功率mosfet的器件結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及MOSFET芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種功率MOSFET的器件結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著電子制造技術(shù)的快速發(fā)展，消費(fèi)電子產(chǎn)品越來(lái)越向小型、便攜的趨勢(shì)發(fā)展，這也導(dǎo)致了這些電子產(chǎn)品的內(nèi)部能夠用于布置電學(xué)元件的空間變得越來(lái)越有限。在此情況下，采用的電學(xué)元件勢(shì)必越薄越好，這也成為了目前電子元件制造也的發(fā)展趨勢(shì)。四方扁平無(wú)引腳封裝(QFN)工藝恰好可以滿足這一需求。附圖I所示是現(xiàn)有技術(shù)中一種典型的QFN封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，包括芯片900，散熱片920、引線框架930、多個(gè)導(dǎo)線940，以及包裹上述結(jié)構(gòu)的絕緣膠950。芯片900粘附在散熱片920上，引線框架930具有多個(gè)相互絕緣的管腳，芯片900表面的焊盤通過(guò)導(dǎo)線940連接在引線框架93。相應(yīng)的管腳上。絕緣膠950將上述結(jié)構(gòu)全部包裹起來(lái)，以將其同外界 隔離，僅將引線框架930的各個(gè)管腳和散熱片920與芯片900相對(duì)的表面暴露在空氣中。引線框架930暴露出來(lái)的管腳用于實(shí)現(xiàn)被封裝的芯片900同外界的電學(xué)連接，而散熱片920暴露出來(lái)的作用在于將芯片900工作時(shí)產(chǎn)生的熱量通過(guò)暴露的表面散發(fā)到環(huán)境中去。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型目的是提供一種功率MOSFET的器件結(jié)構(gòu)，此器件結(jié)構(gòu)有效避免了由于連接?xùn)艠O的金屬線較細(xì)在使用中容易斷的技術(shù)缺陷，從而延長(zhǎng)了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種功率MOSFET的器件結(jié)構(gòu)，包括MOSFET芯片、環(huán)氧樹脂層，所述MOSFET芯片上表面設(shè)有源極和柵極，下表面設(shè)有漏極，還包括導(dǎo)電基盤、第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤，所述導(dǎo)電基盤由散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)組成，所述散熱區(qū)位于MOSFET芯片正下方且與MOSFET芯片下表面之間通過(guò)導(dǎo)電焊料層電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤位于MOSFET芯片另一側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤均包括焊接區(qū)和引腳區(qū)，焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)；若干根第一金屬線跨接于所述MOSFET芯片的源極與第一導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間，第二金屬線跨接于所述MOSFET芯片的柵極與第二導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間。上述技術(shù)方案中進(jìn)一步改進(jìn)的方案如下I、上述方案中，所述第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤各自的焊接區(qū)與MOSFET芯片位于同一水平面。2、上述方案中，所述第一金屬線的數(shù)目為至少四根。3、上述方案中，所述第一導(dǎo)電焊盤的引腳區(qū)由至少四根源極引腳組成。4、上述方案中，所述第二導(dǎo)電焊盤的引腳區(qū)由一根柵極引腳組成。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)和效果I、本實(shí)用新型功率MOSFET的器件結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電基盤，其同時(shí)兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電焊盤、散熱片和基島三個(gè)部件功能，既有利于進(jìn)一步縮小器件的體積，也減少器件中部件的數(shù)目，同時(shí)由于散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)為一個(gè)整體，提高了電性能的穩(wěn)定性。2、本實(shí)用新型功率MOSFET的器件結(jié)構(gòu)中焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)，并保證了第一、第二導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)與MOSFET芯片的柵極在同一水平面，從而有效避免了由于連接?xùn)艠O的第二金屬線較細(xì)在使用中容易斷的技術(shù)缺陷，從而延長(zhǎng)了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性。

圖I為現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型功率MOSFET芯片的封裝體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為附圖2中沿A-A線的剖視圖。以上附圖中I、MOSFET芯片；2、環(huán)氧樹脂層；3、導(dǎo)電基盤；31、散熱區(qū)；32、基盤引腳區(qū)；4、第一導(dǎo)電焊盤；5、第二導(dǎo)電焊盤；6、導(dǎo)電焊料層；7、焊接區(qū)；8、引腳區(qū)；9、折彎部；10、第一金屬線；11、第二金屬線。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述實(shí)施例I :一種功率MOSFET的器件結(jié)構(gòu)，包括MOSFET芯片I、環(huán)氧樹脂層2，所述MOSFET芯片上表面I設(shè)有源極和柵極，下表面設(shè)有漏極，還包括導(dǎo)電基盤3、第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤5，所述導(dǎo)電基盤3由散熱區(qū)31和基盤引腳區(qū)32組成，所述散熱區(qū)31位于MOSFET芯片I正下方且與MOSFET芯片I下表面之間通過(guò)導(dǎo)電焊料層6電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤5位于MOSFET芯片I另一側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤5均包括焊接區(qū)7和引腳區(qū)8，焊接區(qū)7與引腳區(qū)8的連接處具有一折彎部9，從而使得焊接區(qū)7高于引腳區(qū)8 ;若干根第一金屬線10跨接于所述MOSFET芯片I的源極與第一導(dǎo)電焊盤4的焊接區(qū)7之間，第二金屬線11跨接于所述MOSFET芯片I的柵極與第二導(dǎo)電焊盤5的焊接區(qū)7之間。上述第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤5各自的焊接區(qū)7與MOSFET芯片位于同一水平面。上述第一金屬線10的數(shù)目為至少四根。上述第一導(dǎo)電焊盤4的引腳區(qū)由至少四根源極引腳組成。上述第二導(dǎo)電焊盤5的引腳區(qū)由一根柵極引腳組成。上述實(shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種功率MOSFET的器件結(jié)構(gòu)，包括MOSFET芯片(I )、環(huán)氧樹脂層(2)，所述MOSFET芯片上表面(I)設(shè)有源極和柵極，下表面設(shè)有漏極，其特征在于還包括導(dǎo)電基盤(3)、第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二 導(dǎo)電焊盤(5)，所述導(dǎo)電基盤(3)由散熱區(qū)(31)和基盤引腳區(qū)(32)組成，所述散熱區(qū)(31)位于MOSFET芯片(I)正下方且與MOSFET芯片(I)下表面之間通過(guò)導(dǎo)電焊料層(6)電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二導(dǎo)電焊盤(5)位于MOSFET芯片(I)另一側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二導(dǎo)電焊盤(5)均包括焊接區(qū)(7)和引腳區(qū)(8)，焊接區(qū)(7)與引腳區(qū)(8)的連接處具有一折彎部(9)，從而使得焊接區(qū)(7)高于引腳區(qū)(8);若干根第一金屬線(10)跨接于所述MOSFET芯片(I)的源極與第一導(dǎo)電焊盤(4)的焊接區(qū)(7)之間，第二金屬線(11)跨接于所述MOSFET芯片(I)的柵極與第二導(dǎo)電焊盤(5 )的焊接區(qū)(7 )之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二導(dǎo)電焊盤(5)各自的焊接區(qū)(7)與MOSFET芯片位于同一水平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一金屬線(10)的數(shù)目為至少四根。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一導(dǎo)電焊盤(4)的引腳區(qū)由至少四根源極引腳組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第二導(dǎo)電焊盤(5)的引腳區(qū)由一根柵極引腳組成。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種功率MOSFET的器件結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)電基盤、第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤，所述導(dǎo)電基盤由散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)組成，所述散熱區(qū)位于MOSFET芯片正下方且與MOSFET芯片下表面之間通過(guò)導(dǎo)電焊料層電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤位于MOSFET芯片另一側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤均包括焊接區(qū)和引腳區(qū)，焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)；若干根第一金屬線跨接于所述MOSFET芯片的源極與第一導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間，第二金屬線跨接于所述MOSFET芯片的柵極與第二導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間。本實(shí)用新型器件結(jié)構(gòu)有效避免了由于連接?xùn)艠O的金屬線較細(xì)在使用中容易斷的技術(shù)缺陷，從而延長(zhǎng)了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性。
文檔編號(hào)H01L29/78GK202796931SQ201220421198
公開日2013年3月13日 申請(qǐng)日期2012年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月23日
發(fā)明者胡乃仁, 楊小平, 李國(guó)發(fā), 鐘利強(qiáng) 申請(qǐng)人:蘇州固锝電子股份有限公司