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      頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件及顯示裝置的制作方法

      文檔序號:7141135閱讀:159來源:國知局
      專利名稱:頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件及顯示裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件及顯示
      >J-U ρ α裝直。
      背景技術(shù)
      在光電顯示技術(shù)領(lǐng)域,有機電致發(fā)光器件(Organic Light Emitting Diode,OLED)具有主動發(fā)光、高亮度、高對比度、超薄、低功耗、大視角以及工作溫度范圍寬等諸多優(yōu)點,是一種先進的新型平板顯示裝置。OLED是一種多膜層疊合結(jié)構(gòu),在一對電極中夾設(shè)若干層有機材料層,當施以適當?shù)碾妷簳r,電子和空穴從相應(yīng)的電極注入到有機材料層中,在傳輸中的相應(yīng)位置處相遇復(fù)合,釋放能量并發(fā)光。主動型AM-OLED是在每個像素單元內(nèi)均設(shè)置薄膜晶體管來控制像素單元的開關(guān)。OLED為電流型器件,其亮度與電流的關(guān)系接近線性,要得到高亮度的顯示效果,單個薄膜晶體管無法滿足其所需的高電流,就必須要設(shè)置補償電路來進行補償。這樣,每個像素單元需要更多的薄膜晶體管和補償電路來驅(qū)動,而幾乎不透光的薄膜晶體管和補償電路將占據(jù)基板的大部分面積,這會降低底發(fā)光型AM-OLED器件的分辨率和開口率,而頂發(fā)光型AM-OLED器件則可有效解決這一問題。為了實現(xiàn)頂發(fā)光型AM-OLED器件,需要半透明的頂電極作為陰極,一般采用超薄的合金材料制備,但超薄的合金材料具有較大的方阻,不利于電子注入,會降低電流的傳導(dǎo)能力。

      實用新型內(nèi)容本實用新型實施例提供了一種頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件及顯示裝置,用以提高頂發(fā)光型OLED中陰極的電流傳導(dǎo)能力。本實用新型實施例提供了一種頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件,包括基板,在所述基板上由下到上依次具有作為陽極的第一電極、有機材料層、作為陰極的第二電極以及密封層,所述第二電極具體包括:半透明電極層,以及與所述半透明電極層電性相連的至少一層非透明電極層;所述非透明電極層的圖案與所述有機材料層確定的像素單元之間的間隙處相對。本實用新型實施例提供了一種顯示裝置,所述顯示裝置包括本實用新型實施例提供的上述頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件。本實用新型實施例的有益效果包括:本實用新型實施例提供的一種頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件及顯示裝置,OLED器件中作為陰極的第二電極由半透明電極層,以及與半透明電極層電性相連的至少一層非透明電極層組成。由于非透明電極層具有的圖案與有機材料層確定的像素單元之間的間隙處相對,因此,不會影響器件的開口率,并且,與半透明電極層電性相連的至少一層非透明電極層可以減小半透明電極層的方阻,提高OLED器件陰極的電流傳導(dǎo)能力。此外,還可以通過設(shè)計非透明電極層的圖案有效地控制OLED器件的顯示視角,實現(xiàn)在特定角度才能觀看到畫面,以保證顯示的保密性。

      圖1為本實用新型實施例提供的頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖之一;圖2為本實用新型實施例提供的頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ;圖3為本實用新型實施例提供的頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖。
      具體實施方式
      以下結(jié)合附圖,對本實用新型實施例提供的頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件及顯示裝置的具體實施方式
      進行詳細地說明。附圖中各層薄膜厚度和形狀不反映OLED器件的真實比例,目的只是示意說明本實用新型內(nèi)容。本實用新型實施例提供的一種頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件,如圖1所示,包括基板01,在基板01上由下到上依次具有作為陽極的第一電極02、有機材料層03、作為陰極的第二電極04以及密封層05,其中,第二電極04具體包括:半透明電極層041,以及與半透明電極層041電性相連的至少一層非透明電極層042 ;
      非透明電極層042的圖案與有機材料層03確定的像素單元之間的間隙處相對。在具體實施時,可以在像素單元之間的間隙處設(shè)置絕緣層06,利用絕緣層06的圖案在基板01上劃分各像素單元的區(qū)域。本實用新型實施例提供的上述頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件中,作為陰極的第二電極04由半透明電極層041,以及與半透明電極層041電性相連的至少一層非透明電極層042組成。由于非透明電極層042具有的圖案與有機材料層03確定的像素單元之間的間隙處相對,因此,不會影響器件的開口率,并且,與半透明電極層041電性相連的至少一層非透明電極層042可以減小第二電極04的方阻,提高OLED器件陰極的電流傳導(dǎo)能力。此外,還可以通過設(shè)計非透明電極層042的圖案有效地控制OLED器件的顯示視角,實現(xiàn)在特定角度才能觀看到畫面,以保證顯示的保密性。在具體實施時,可以根據(jù)器件的尺寸和亮度需求,設(shè)置多層非透明電極層042,也可以僅設(shè)置一層非透明電極層042,在此不做限定。具體地,非透明電極層042可以僅位于半透明電極層041與有機材料層03之間,也可以如圖1所示僅位于半透明電極層041與密封層05之間,還可以在半透明電極層041與有機材料層03之間以及半透明電極層041與密封層05之間同時設(shè)置非透明電極層042,在此不做限定。具體地,各非透明電極層042都是由多個條狀電極組成的,各條狀電極可以位于相鄰列的像素單元之間的間隙處,也可以位于相鄰行的像素單元之間的間隙處,還可以同時位于相鄰行的像素單元之間的間隙處以及位于相鄰列的像素單元之間的間隙處,即組成網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)。位于相鄰列的像素單元之間的間隙處的條狀電極可以限制器件左右兩邊的視角,增強顯示的保密性;而位于相鄰行的像素單元之間的間隙處的條狀電極可以限制器件上下兩邊的視角,增強顯示的保密性。具體地,為了有效地控制OLED器件的顯示視角,實現(xiàn)在特定角度才能觀看到畫面,以保證顯示的保密性,非透明電極層042的厚度不能太薄,一般控制在1-2微米為佳。具體地,制備半透明電極層041的材料可以為Ag、Mg、Al、AgMg合金、AgAl合金、ITO或ZnSnO等;制備非透明電極層042的材料可以為Ag、Mg、Al、Mo、Cr、Au、Cu、MgAg合金或AlAg合金等。進一步地,為了增加OLED器件的透光性,如圖2所示,第二電極04還可以包括:光學(xué)增透層043,該光學(xué)增透層043位于第二電極04的膜層結(jié)構(gòu)的頂層,即光學(xué)增透層043位于半透明電極層041和非透明電極層042之上。在具體實施時,光學(xué)增透層043的厚度一般在IO-1OOnm之間為佳?;谕粚嵱眯滦蜆?gòu)思,本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置,包括本實用新型實施例提供的上述頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件,該顯示裝置的實施可以參見上述頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件的實施例,重復(fù)之處不再贅述。基于同一實用新型構(gòu)思,本實用新型實施例還提供了一種上述頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件的制備方法,如圖3所示,具體包括如下步驟: SlOl、在基板上形成作為陽極的第一電極以及與第一電極電性相連的補償電路。具體地,第一電極的材料可以是金屬、合金或金屬氧化物、石墨烯、碳納米管等材料,在此不做限定。在具體實施時,步驟SlOl中形成的第一電極可以采用濺射、熱蒸鍍或化學(xué)氣相沉積等方法,通過顯影 和刻蝕等工藝實現(xiàn),由于這些工藝屬于現(xiàn)有技術(shù),在此不做詳述。S102、在第一電極上的各像素單元之間的間隙處形成絕緣層的圖案,以分隔各像
      素單元。具體地,絕緣層的材料可以是不導(dǎo)電的無機、無機氧化物、有機絕緣膠等絕緣材料,在此不做限定。在具體實施時,步驟S102中形成的絕緣層可以采用濺射、熱蒸鍍或化學(xué)氣相沉積等方法,通過顯影和刻蝕等工藝實現(xiàn),由于這些工藝屬于現(xiàn)有技術(shù),在此不做詳述。S103、在第一電極上的各像素單元內(nèi)形成有機材料層。具體地,有機材料層具體可以包括:空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層等膜層結(jié)構(gòu),其中,發(fā)光層具體可以為發(fā)紅、綠、藍光的發(fā)光層,也可以為發(fā)白光的發(fā)光層,且在其上增加彩色濾光片,在此不做詳述。在具體實施時,有機材料層的具體膜層結(jié)構(gòu)可以根據(jù)具體器件參數(shù)進行變化,在此不做限定。在具體實施時,步驟S103中形成的有機材料層可以采用熱蒸鍍或旋涂等方式實現(xiàn),由于這些工藝屬于現(xiàn)有技術(shù),在此不做詳述。S104、在有機材料層上形成半透明電極層,以及與半透明電極層電性相連的至少一層非透明電極層;半透明電極層和至少一層非透明電極層組成作為陰極的第二電極。具體地,可以先在有機材料層上制備半透明電極層,然后在半透明電極層上制備非透明電極層;也可以先在有機材料層上制備非透明電極層,然后在非透明電極層上制備半透明電極層;還可以先在有機材料層上制備非透明電極層,然后在非透明電極層上制備半透明電極層,接著在半透明電極層上再次制備一層非透明電極層??梢愿鶕?jù)器件的具體需要,設(shè)計第二電極的膜層結(jié)構(gòu),在此不做詳述。進一步地,在步驟S104之后,還可以在半透明電極層和非透明電極層上形成光學(xué)增透層,以增強OLED器件的出光效率。具體地,光學(xué)增透層的材料可以為八羥基奎啉鋁,并五苯等,在此不做限定。S105、在第二電極上形成密封層。具體地,可以采用封裝蓋板、薄膜封裝、面封裝(Face Seal)等方法實現(xiàn)密封層的制備,再不做贅述。本實用新型實施例提供的一種頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件及顯示裝置,OLED器件中作為陰極的第二電極由半透明電極層,以及與半透明電極層電性相連的至少一層非透明電極層組成。由于非透明電極層具有的圖案與有機材料層確定的像素單元之間的間隙處相對,因此,不會影響器件的開口率,并且,與半透明電極層電性相連的至少一層非透明電極層可以減小半透明電極層的方阻,提高OLED器件陰極的電流傳導(dǎo)能力。此外,還可以通過設(shè)計非透明電極層的圖案有效地控制OLED器件的顯示視角,實現(xiàn)在特定角度才能觀看到畫面,以保證顯示的保密性。顯然,本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本實用新型進行各種改動和變型而不脫離本實用新型的精神和范圍。這樣,倘若本實用新型的這些修改和變型屬于本實用新型權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi) ,則本實用新型也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
      權(quán)利要求1.一種頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件,包括基板,在所述基板上由下到上依次具有作為陽極的第一電極、有機材料層、作為陰極的第二電極以及密封層,其特征在于,所述第二電極具體包括: 半透明電極層,以及與所述半透明電極層電性相連的至少一層非透明電極層; 所述非透明電極層的圖案與所述有機材料層確定的像素單元之間的間隙處相對。
      2.如權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,所述非透明電極層由多個條狀電極組成,各所述條狀電極位于相鄰列的像素單元之間的間隙處,和/或位于相鄰行的像素單元之間的間隙處。
      3.如權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,所述非透明電極層位于所述半透明電極層與所述有機材料層之間,和/或位于所述半透明電極層與所述密封層之間。
      4.如權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,所述非透明電極層的厚度為1-2微米。
      5.如權(quán)利要求1所述的器件,其特征在于,所述半透明電極層的材料為Ag、Mg、Al、AgMg合金、AgAl合金、ITO或ZnSnO ; 所述非透明電極層的材料為Ag、Mg、Al、Mo、Cr、Au、Cu、MgAg合金或AlAg合金。
      6.如權(quán)利要求1-5任一項所述的器件,其特征在于,所述第二電極還包括:光學(xué)增透層,所述光學(xué)增透層位于所述第二電極的膜層結(jié)構(gòu)的頂層。
      7.如權(quán)利要求6所述的器件,其特征在于,所述光學(xué)增透層的厚度在IO-1OOnm之間。
      8.—種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權(quán)利要求1-7任一項所述的頂發(fā)光型有機電致發(fā)光 器件。
      專利摘要本實用新型公開了一種頂發(fā)光型有機電致發(fā)光器件及顯示裝置,OLED器件中作為陰極的第二電極由半透明電極層,以及與半透明電極層電性相連的至少一層非透明電極層組成。由于非透明電極層具有的圖案與有機材料層確定的像素單元之間的間隙處相對,因此,不會影響器件的開口率,并且,與半透明電極層電性相連的至少一層非透明電極層可以減小半透明電極層的方阻,提高OLED器件陰極的電流傳導(dǎo)能力。此外,還可以通過設(shè)計非透明電極層的圖案有效地控制OLED器件的顯示視角,實現(xiàn)在特定角度才能觀看到畫面,以保證顯示的保密性。
      文檔編號H01L27/32GK203085650SQ20122065252
      公開日2013年7月24日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
      發(fā)明者王玉林, 于軍勝 申請人:京東方科技集團股份有限公司
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