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      交流1100kV高強(qiáng)度空心瓷絕緣子的制作方法

      文檔序號(hào):6785846閱讀:454來源:國知局
      專利名稱:交流1100kV高強(qiáng)度空心瓷絕緣子的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型屬于瓷絕緣子制備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種交流IlOOkV高強(qiáng)度空心瓷絕緣子。
      背景技術(shù)
      我國特高壓輸電工程日趨龐大,其設(shè)備的安全可靠性是十分重要的。在特高壓輸電系統(tǒng)中,絕緣子的使用量非常大,其具體使用在很大程度上決定了輸電系統(tǒng)的絕緣水平和安全可靠性。所以有必要大力研究絕緣子的材料結(jié)構(gòu)、電氣性能、機(jī)械性能、長期運(yùn)行的可靠性,以及提高各種絕緣子生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)制作能力。隨著特高壓所用部件國產(chǎn)化進(jìn)程的推進(jìn),交流IlOOkV空心瓷絕緣子也需要進(jìn)行大量的技術(shù)研究,以滿足特高壓輸電工程的迅速發(fā)展?,F(xiàn)在,國內(nèi)低電壓等級(jí)的空心瓷絕緣子大多采用濕法成型工藝,但由于采用該工藝成型的絕緣子存在產(chǎn)品抗彎強(qiáng)度低和產(chǎn)品變形量大的缺點(diǎn),再加之國內(nèi)未見采用等靜壓干法成型制造的交流IlOOkV高強(qiáng)度的空心瓷絕緣子,因此彎曲破壞力矩達(dá)到200 600kN m的交流IlOOkV空心瓷絕緣子的結(jié)構(gòu)及制備技術(shù)是本領(lǐng)域科技人員攻關(guān)的課題。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種適用于交流IlOOkV特高壓輸電工程的高強(qiáng)度空心瓷絕緣子,該絕緣子具有空心結(jié)構(gòu),保持了瓷絕緣子的強(qiáng)度高、絕緣性能好、不易老化的特點(diǎn),其總高度為9000 11000mm,抗彎破壞力矩達(dá)200 600kN *m,內(nèi)水壓破壞應(yīng)力不小于
      4.25MPa。本實(shí)用新型所述的交流IlOOkV高強(qiáng)度空心瓷絕緣子,為5節(jié)空心瓷元件結(jié)構(gòu),每個(gè)瓷元件均由瓷件和上、下法蘭通過高強(qiáng)度水泥膠合劑膠裝而成,各瓷元件之間通過高強(qiáng)度螺栓緊固連接;空心瓷元件中間`設(shè)置內(nèi)孔作為空心通道,各個(gè)空心瓷元件具有相同的同;L、度。所述的瓷元件中單個(gè)瓷件不同傘裙的外徑按照一定的規(guī)律相互間隔排列,均采用一大傘一小傘、傘下無棱的耐污型光傘結(jié)構(gòu)。所述的大傘伸出值為70 85mm ;小傘伸出值為55 70mm ;其傘間距為70 90mmo所述的空心瓷絕緣子的總長度為9000 11000mm,內(nèi)孔直徑為280 400mm。所述的瓷元件采用高強(qiáng)度瓷、等靜壓干法成型工藝、數(shù)控修坯技術(shù)、膠裝工藝技術(shù)、燒成制作而成。其中數(shù)控修坯技術(shù)、膠裝工藝技術(shù)、燒成按照現(xiàn)有技術(shù)中進(jìn)行即可。各個(gè)瓷元件的長度可以為等長或者長度不等,根據(jù)實(shí)際情況生產(chǎn)即可。高強(qiáng)度瓷配料百分組成如下:煅燒鋁礬土 47 55%、長石9 13%、伊利石粘土 5 12%、合成莫來石10 15%和紫木節(jié)粘土 15 20%。等靜壓干法成型工藝采用兩步法:第一步是先第一次加料、再抽真空后,初次預(yù)加壓至12 18MPa,加壓所用時(shí)間(從加壓開始至停止加壓)共計(jì)8 10分鐘,進(jìn)行粉料預(yù)收縮;第二步是先卸壓后進(jìn)行第二次加料,再抽真空后,第二次加壓至80 115MPa,加壓所用時(shí)間(從加壓開始至停止加壓)共計(jì)30 35分鐘。兩次抽真空的真空度均為- 0.094 -0.098MPa。采用上述等靜壓方法比傳統(tǒng)等靜壓成型的坯件,收縮減小約10%,體密增加約8%,坯件在后續(xù)的燒成過程中收縮減小,體密增加,提高了產(chǎn)品的規(guī)整度和機(jī)械強(qiáng)度。數(shù)控修坯技術(shù)采用多工位自動(dòng)修坯,保證內(nèi)孔(即空心通道)與傘裙同時(shí)成型,確保空心瓷絕緣子的同心度,防止空心瓷絕緣子燒成后出現(xiàn)偏心現(xiàn)象,從而降低空心瓷絕緣子的強(qiáng)度;膠裝工藝技術(shù)采用高標(biāo)號(hào)水泥(P II 52.5)作為膠合劑,在滿足空心瓷絕緣子的形位公差的前提下,提高絕緣子的水泥強(qiáng)度,從而保證其高抗彎性。本實(shí)用新型具有如下有益效果:本實(shí)用新型高強(qiáng)度空心瓷絕緣子產(chǎn)品設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)好,工藝性能獨(dú)特,耐受防污能力優(yōu)異,生產(chǎn)制作周期短,產(chǎn)品性能好,外形美觀,絕緣子總高度為9000 11000mm,內(nèi)孔直徑為280 400mm,抗彎破壞力矩達(dá)200 600kN m且內(nèi)水壓破壞應(yīng)力不小于4.25MPa。本實(shí)用新型主要用于國家電網(wǎng)公司交流IlOOkV特高壓輸電工程。本實(shí)用新型保持了瓷絕緣子強(qiáng)度高、絕緣性能好、不易老化的特性,保證了輸電系統(tǒng)的安全可靠性以及絕緣子長期運(yùn)行的可靠性,是交流IlOOkV特高壓輸電工程中最好的絕緣和機(jī)械支撐材料。

      ·圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例1的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為圖1的傘形結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例2的結(jié)構(gòu)示意圖;圖4為圖3的傘形結(jié)構(gòu)示意圖;圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例3的結(jié)構(gòu)示意圖;圖6為圖3的傘形結(jié)構(gòu)示意圖;圖中:1、實(shí)施例1的第一節(jié)瓷元件;2、實(shí)施例1的第二節(jié)瓷元件;3、實(shí)施例1的第三節(jié)瓷元件;4、實(shí)施例1的第四節(jié)瓷元件;5、實(shí)施例1的第五節(jié)瓷元件;6、實(shí)施例2的瓷元件;7、實(shí)施例3的第一節(jié)瓷元件;8、實(shí)施例3的第二節(jié)瓷元件;9、實(shí)施例3的第三節(jié)瓷元件;10、實(shí)施例3的第四節(jié)瓷元件;11、實(shí)施例3的第五節(jié)瓷元件。
      具體實(shí)施方式
      以下結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。各個(gè)實(shí)施例中高強(qiáng)度瓷配料百分組成如下表I所示:表I高強(qiáng)度瓷配料表
      權(quán)利要求1.一種交流IlOOkV高強(qiáng)度空心瓷絕緣子,其特征在于:該空心瓷絕緣子為5節(jié)空心瓷元件結(jié)構(gòu),每個(gè)瓷元件均由瓷件和上、下法蘭通過水泥膠合劑膠裝而成,各瓷元件之間通過螺栓緊固連接;空心瓷元件中間設(shè)置內(nèi)孔作為空心通道,各個(gè)空心瓷元件具有相同的同心度。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的交流IlOOkV高強(qiáng)度空心瓷絕緣子,其特征在于:瓷元件中單個(gè)瓷件不同傘裙的外徑相互間隔排列,均采用一大傘一小傘、傘下無棱的耐污型光傘結(jié)構(gòu)。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的交流IlOOkV高強(qiáng)度空心瓷絕緣子,其特征在于:大傘伸出值為70 85mm ;小傘伸出值為55 70mm ;其傘間距為70 90mm。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的交流IlOOkV高強(qiáng)度空心瓷絕緣子,其特征在于:所述空心瓷絕緣子的總長度為9000 11000mm,內(nèi)孔直徑為280 400mm。
      專利摘要本實(shí)用新型屬于瓷絕緣子技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種交流1100kV高強(qiáng)度空心瓷絕緣子。該空心瓷絕緣子為5節(jié)空心瓷元件結(jié)構(gòu),每個(gè)瓷元件均由瓷件和上、下法蘭通過高強(qiáng)度水泥膠合劑膠裝而成,各瓷元件之間通過高強(qiáng)度螺栓緊固連接;空心瓷元件中間設(shè)置內(nèi)孔作為空心通道,各個(gè)空心瓷元件具有相同的同心度。本實(shí)用新型高強(qiáng)度空心瓷絕緣子產(chǎn)品設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)好,工藝性能獨(dú)特,耐受防污能力優(yōu)異,生產(chǎn)制作周期短,產(chǎn)品性能好,外形美觀,絕緣子總高度為9000~11000mm,內(nèi)孔直徑為280~400mm,抗彎破壞力矩達(dá)200~600kN·m且內(nèi)水壓破壞應(yīng)力不小于4.25MPa。
      文檔編號(hào)H01B17/14GK203055563SQ201220738670
      公開日2013年7月10日 申請(qǐng)日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
      發(fā)明者張旭昌, 閆法強(qiáng), 郭志軍, 楊海, 桑建華, 尚超峰, 歐陽勝林, 楊曉明, 楊山, 宮云霞, 王菁, 王源, 馬成良, 孫鐵勇 申請(qǐng)人:中材高新材料股份有限公司, 山東工業(yè)陶瓷研究設(shè)計(jì)院有限公司
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