具有納米粒子和周期性結(jié)構(gòu)的oled光提取膜的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種光提取膜，所述光提取膜具有納米粒子以及設(shè)計(jì)的周期性結(jié)構(gòu)。所述光提取膜包括基本上透明的基底、位于所述基底上的低折射率一維或二維周期性結(jié)構(gòu)、和施用到所述周期性結(jié)構(gòu)上的高折射率平面化回填層。光散射納米粒子以層的形式施用到所述周期性結(jié)構(gòu)上，或者包含在所述回填層中。
【專利說明】具有納米粒子和周期性結(jié)構(gòu)的OLED光提取膜
【背景技術(shù)】
[0001]有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置包括夾在陰極與陽極之間的電致發(fā)光有機(jī)材料薄膜，并且這些電極中的一者或兩者均為透明導(dǎo)體。當(dāng)在裝置兩端施加電壓時(shí)，電子和空穴從它們各自的電極注入，并通過中間形成發(fā)光激子而在電致發(fā)光有機(jī)材料中復(fù)合。
[0002]在OLED裝置中，所產(chǎn)生的光通常由于裝置結(jié)構(gòu)內(nèi)的工藝而損失掉70%以上。折射率較高的有機(jī)層和銦錫氧化物(ITO)層與折射率較低的基底層之間的界面處的陷光是提取效率低下的主要原因。只有相對(duì)少量的發(fā)射光作為“可用”光穿過透明電極。大部分光會(huì)發(fā)生內(nèi)反射，這導(dǎo)致這些光從裝置邊緣發(fā)出，或陷在裝置內(nèi)并在反復(fù)穿行之后最終因吸收到裝置內(nèi)而損失掉。
[0003]光提取膜使用內(nèi)部納米結(jié)構(gòu)來避免裝置內(nèi)發(fā)生波導(dǎo)損耗。盡管能夠提供強(qiáng)效光提取，但包括規(guī)則排列特征(例如光子晶體或線性光柵)的內(nèi)部納米結(jié)構(gòu)往往會(huì)在所發(fā)射光的角度和光譜分布中產(chǎn)生衍射相關(guān)的變型形式，這在最終應(yīng)用中可為不可取的。因此，需要如下光提取膜，所述光提取膜經(jīng)由納米結(jié)構(gòu)來提高光提取效率，同時(shí)還能夠降低輸出光中不可取的亮度和色角的不均勻度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]符合本發(fā)明的光提取膜包括基本上透明的基底、位于基底上的低折射率周期性結(jié)構(gòu)、和施用到周期性結(jié)構(gòu)上的高折射率平面化回填層。光散射納米粒子以單層或亞單層施用到周期性結(jié)構(gòu)上，或者包含在回填層內(nèi)。
[0005]周期性結(jié)構(gòu)與光散射納米粒子的組合提供具有較均一亮度和光譜分布的增強(qiáng)的光提取。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]附圖并入本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，而且它們結(jié)合【具體實(shí)施方式】闡明本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和原理。在這些附圖中，
[0007]圖1為具有以亞單層施用到周期性結(jié)構(gòu)上的納米粒子的光提取膜的示意圖；
[0008]圖2為具有分布在整個(gè)回填層中的納米粒子的光提取膜的示意圖；
[0009]圖3為一維周期性結(jié)構(gòu)的透視圖；
[0010]圖4為二維周期性結(jié)構(gòu)的透視圖；
[0011]圖5為示出將光提取膜層合到OLED裝置的示意圖；
[0012]圖6為示出將光提取膜層合到OLED裝置的示意圖；
[0013]圖7為涂布在ID結(jié)構(gòu)化膜上的納米粒子的圖像；
[0014]圖8為涂布在2D結(jié)構(gòu)化膜上的納米粒子的圖像；
[0015]圖9A為ID結(jié)構(gòu)化膜上的納米粒子的頂視圖的圖像；
[0016]圖9B為ID結(jié)構(gòu)化膜上的納米粒子的剖視圖的圖像；
[0017]圖10為2D結(jié)構(gòu)化膜上的納米粒子的圖像；[0018]圖1lA示出了對(duì)于具有存在和不存在納米粒子的2D結(jié)構(gòu)化膜的樣品而言的隨極角變化的亮度；
[0019]圖1lB示出了對(duì)于采用平膜上的納米粒子制備的樣品而言的隨極角變化的亮度；
[0020]圖12示出了對(duì)于具有存在和不存在納米粒子的ID結(jié)構(gòu)化膜的樣品以及對(duì)于采用不存在納米粒子或納米結(jié)構(gòu)的玻璃基底制備的樣品而言的隨極角變化的亮度；并且
[0021]圖13為通過ID結(jié)構(gòu)而部分有序的納米粒子的圖像。
【具體實(shí)施方式】
[0022]本發(fā)明的實(shí)施例涉及光提取膜以及它們對(duì)OLED裝置的使用。光提取膜的實(shí)例在美國(guó)專利申請(qǐng)公布N0.2009/0015757和N0.2009/0015142中有所描述，這兩個(gè)專利申請(qǐng)公布均如同全文陳述一樣以引用方式并入本文。
[0023]圖1為具有周期性結(jié)構(gòu)的光提取膜10的構(gòu)造的示意圖，其中所述周期性結(jié)構(gòu)上設(shè)置有納米粒子。光提取膜10包括基本上透明的基底12 (柔性的、剛性的、或位于窗口層內(nèi)的)、低折射率周期性結(jié)構(gòu)14、以表面層方式分散在周期性結(jié)構(gòu)14上的納米粒子16、以及在周期性結(jié)構(gòu)14和納米粒子16上形成大體平的表面19的高折射率平面化回填層18。術(shù)語“大體平的表面”是指回填層使下層平面化，但在大體平的表面中可存在輕微的表面變化。
[0024]圖2為具有周期性結(jié)構(gòu)和納米粒子另一個(gè)光提取膜20的構(gòu)造的示意圖。光提取膜20包括基本上透明的基底22 (柔性的、剛性的、或者位于窗口層內(nèi)的)、低折射率周期性結(jié)構(gòu)24、納米粒子26、以及在周期性結(jié)構(gòu)24和納米粒子26上形成大體平的表面29的高折射率平面化回填層28。在此實(shí)施例中，納米粒子26 (例如)以體積分布方式而非以針對(duì)光提取膜10所示的表面層方式分布在整個(gè)回填層28中。
[0025]光提取膜10和20的周期性結(jié)構(gòu)可如實(shí)例中所示與基底一體地形成，或者以層的形式施用到基底上。例如，可通過將低折射率材料涂覆至基底并且隨后圖案化該材料來在基底上形成周期性結(jié)構(gòu)。另外，周期性結(jié)構(gòu)可以納米結(jié)構(gòu)或微結(jié)構(gòu)來實(shí)施。納米結(jié)構(gòu)為具有至少一個(gè)小于I微米的維度(例如寬度)的結(jié)構(gòu)。微米結(jié)構(gòu)為具有至少一個(gè)介于I微米和I毫米之間的維度(例如寬度)的結(jié)構(gòu)。光提取膜10和20的周期性結(jié)構(gòu)可為一維(ID)的，這意味著它們沿僅一個(gè)維度為周期性的，即，最近鄰特征在沿表面的一個(gè)方向上為等距間隔開，但在正交方向上并非為等距間隔開的。就ID周期性納米結(jié)構(gòu)而言，相鄰周期性特征之間的間距小于I微米。一維結(jié)構(gòu)包括(例如)連續(xù)的或細(xì)長(zhǎng)的棱柱或脊、或者線性光柵。圖3為示出位于基底30上的ID周期性結(jié)構(gòu)32 (在此實(shí)施例中為線性棱柱)的透視圖。
[0026]光提取膜10和20的周期性結(jié)構(gòu)也可為二維(2D)的，這意味著它們沿兩個(gè)維度為周期性的，即，最近鄰特征在沿表面的兩個(gè)不同方向上為等距間隔開的。就2D納米結(jié)構(gòu)而言，沿兩個(gè)方向的間距均小于I微米。應(yīng)該指出的是，沿兩個(gè)不同方向的間距可為不同的。二維結(jié)構(gòu)包括(例如)小透鏡、棱錐、梯形、圓形或方形柱、或者光子晶體結(jié)構(gòu)。二維結(jié)構(gòu)的其他實(shí)例包括如美國(guó)專利申請(qǐng)公布N0.2010/0128351中所述的曲面錐體結(jié)構(gòu)，該專利申請(qǐng)公布如同全文陳述一樣以引用方式并入本文。圖4為示出位于基底34上的2D周期性結(jié)構(gòu)36(在此實(shí)施例中為棱錐)的透視圖。
[0027]用于光提取膜10和20的納米粒子(也稱為亞微米粒子)具有納米結(jié)構(gòu)范圍內(nèi)的粒度并且可具有介于特定膜的這種范圍內(nèi)的相同粒度或不同粒度。當(dāng)納米粒子位于特定粒度范圍內(nèi)并且與回填層具有不同的折射率時(shí)，納米粒子還為光散射的，如在下文進(jìn)一步說明以及在實(shí)例中所示。例如，納米粒子可具有在IOOnm至1，OOOnm范圍內(nèi)的直徑,或者納米粒子可具有在IOnm至300nm范圍內(nèi)的直徑并且形成具有IOOnm至1，OOOnm范圍內(nèi)的粒度的團(tuán)聚體。此外，納米粒子可以混合粒度(將大納米粒子與小納米粒子混合在一起，例如，將300nm的納米粒子與440nm或500nm的納米粒子混合在一起)來實(shí)施,這可導(dǎo)致相應(yīng)光提取膜的增強(qiáng)的光譜響應(yīng)。納米粒子可根據(jù)具體應(yīng)用而可能具有位于納米結(jié)構(gòu)范圍之外的粒度。例如，如果將光提取膜用于OLED照明(相對(duì)于顯示屏)，則納米粒子可具有最高達(dá)若干微米的直徑。納米粒子可由有機(jī)材料或其他材料構(gòu)成，并且它們可具有任何規(guī)則或不規(guī)則的粒子形狀。作為另外一種選擇，納米粒子可以多孔粒子來實(shí)施。用于光提取膜中的納米粒子的實(shí)例在美國(guó)專利申請(qǐng)公布N0.2010/0150513中有所描述，該專利申請(qǐng)公布如同全文陳述一樣以引用方式并入本文。
[0028]對(duì)于具有以表面層方式分布的納米粒子16的光提取膜10，納米粒子層可以單層(具有納米粒子的團(tuán)聚體的層)或以多層的納米粒子來實(shí)施。納米粒子可在不使用粘結(jié)劑的情況下進(jìn)行涂布，所述粘結(jié)劑可導(dǎo)致納米粒子團(tuán)聚。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，納米粒子16具有基本上等于或略小于周期性結(jié)構(gòu)14的間距(例如，間距的四分之一至一倍)的粒度(例如直徑)，周期性結(jié)構(gòu)使納米粒子成為至少部分有序的，如實(shí)例中所示?？赏ㄟ^在周期性結(jié)構(gòu)內(nèi)變?yōu)閷?duì)齊或集合的粒子來產(chǎn)生至少部分的有序性，如在實(shí)例中所示。周期性結(jié)構(gòu)的間距是指相鄰結(jié)構(gòu)之間的距離，例如相鄰棱柱的頂點(diǎn)之間的距離?？墒褂贸叽缙ヅ?例如，440nm的納米粒子與600nm間距的周期性結(jié)構(gòu)或者300nm的納米粒子與500nm間距的周期性結(jié)構(gòu)的尺寸匹配)來實(shí)現(xiàn)至少部分的有序性。此外，周期性結(jié)構(gòu)的形狀和縱橫比可為決定納米粒子的尺寸匹配和部分有序性的因素。
[0029]將用于光提取膜10和20的平面化回填層施用到周期性結(jié)構(gòu)和粒子涂層上，以使它們平面化并且提供折射率反差。具有高折射率回填層的低折射率周期性結(jié)構(gòu)是指回填層具有比周期性結(jié)構(gòu)高的折射率并且回填層和周期性結(jié)構(gòu)具有足夠的折射率差值(優(yōu)選地，
0.2或更大)，以增強(qiáng)與光提取膜光學(xué)連通的OLED裝置的光提取?？赏ㄟ^將回填層的平面化表面直接地或者經(jīng)由另一層設(shè)置在OLED裝置的光輸出表面上來使光提取膜與OLED裝置光學(xué)連通。平面化回填層可任選地以用于將光提取膜粘結(jié)至OLED裝置的光輸出表面的粘合劑來實(shí)施。用于光提取膜的高折射率回填層的實(shí)例在美國(guó)專利申請(qǐng)公布N0.2010/0110551中有所描述，該專利申請(qǐng)公布如同全文陳述一樣以引用方式并入本文。
[0030]用于光提取膜10和20的基底、低折射率周期性結(jié)構(gòu)、高折射率回填層、和納米粒子的材料在上文提及的公開專利申請(qǐng)中提供。例如，基底可以玻璃、PET、聚酰亞胺、TAC、PC、聚氨酯、PVC、或柔性玻璃來實(shí)施。用于制備光提取膜10和20的工藝也在上文提及的公開專利申請(qǐng)中提供。任選地，基底可以阻擋膜來實(shí)施，以保護(hù)包括光提取膜的裝置免于經(jīng)受水分或氧氣。阻擋膜的實(shí)例在美國(guó)專利申請(qǐng)公布N0.2007/0020451和美國(guó)專利N0.7，468，211中有所公開，這兩個(gè)專利均如同全文陳述一樣以引用方式并入本文。
[0031]圖5和6示出了光學(xué)耦合層的使用，以便將光提取膜光學(xué)耦合并且可能地粘附至OLED裝置。如圖5所示，將光學(xué)耦合層42施用至光提取膜44中的回填層的平表面48，然后可將所述平表面48層合至OLED裝置40的光輸出表面46。光學(xué)耦合層可以粘合劑來實(shí)施，所述粘合劑提供OLED裝置的光輸出表面與光提取膜的回填層之間的光學(xué)耦合。將粘合劑用作光學(xué)耦合層連同層合工藝一起也可用于將光提取膜粘附至OLED裝置并且移除它們之間的空氣隙。OLED裝置的底板形態(tài)通常為非平面的(如通過像素阱47所示)，并且期望光學(xué)耦合層42適形于像素阱的幾何形狀或者延伸到像素阱的幾何形狀內(nèi)，以填充光提取膜44與OLED裝置40之間的間隙。
[0032]作為另外一種選擇，如圖6所示，將光學(xué)耦合層52施用至OLED裝置50的光輸出表面56，并且隨后將光提取膜54中的回填層的平表面58層合至OLED裝置50。如果在光提取膜的層合之前來將粘合劑光學(xué)耦合層施用至OLED裝置(如圖6所示)，則光學(xué)耦合層還可用于平面化OLED裝置的光輸出表面。例如，頂部發(fā)射型有源矩陣OLED顯示器底板不必具有高度平面性，如通過像素阱57所示，在這種情況下，可將光學(xué)耦合層在光提取膜的層合之前預(yù)沉積到OLED疊堆的陰極或任何其它頂層上。光學(xué)耦合層的這種預(yù)沉積可降低底板和裝置的非平面度，以允許光提取膜的后續(xù)層合。在這種情況下，可利用溶液沉積方法來將光學(xué)耦合層涂布到OLED顯示器上。例如，可將其從液體制劑涂覆到OLED的整個(gè)區(qū)域上，在這種情況下，在光提取膜的層合之后可任選地利用UV或熱固化方法來使其固化。其也可作為單獨(dú)地提供在兩個(gè)襯片之間的光學(xué)耦合膜來進(jìn)行層合，且首先移除面向OLED裝置的襯片，在這種情況下，期望其適形于像素阱或者延伸到像素阱內(nèi)。在施用光學(xué)耦合層之后，產(chǎn)生底板形態(tài)上的足夠平面化，如圖6所示。
[0033]由于底板形態(tài)決定提取元件(納米粒子和周期性結(jié)構(gòu))和OLED裝置之間的距離，則需要用于光學(xué)耦合層的材料具有與OLED有機(jī)和無機(jī)層(例如，ΙΤ0)相當(dāng)?shù)母哒凵渎?例如，
1.6-2.2)。此類材料包括無機(jī)氧化物和氮化物(例如，TiO2和SiN)、有機(jī)材料(例如，三芳基胺(例如，得自日本保土谷化學(xué)公司(Hodogaya Chemical C0., Japan)的EL022T)、以及包含無機(jī)和有機(jī)成分的制劑(例如，分散在熱或UV可固化樹脂內(nèi)的TiO2納米粒子)。
[0034]作為單獨(dú)光學(xué)耦合層的替代形式，高折射率回填層本身可由高折射率粘合劑構(gòu)成，使得回填層的光學(xué)和平面化功能以及粘合劑光學(xué)耦合層的粘附功能由同一層來實(shí)現(xiàn)。
[0035]實(shí)M
[0036]除非另外指明，否則這些實(shí)施例中的所有份數(shù)、百分?jǐn)?shù)、比率等均按重量計(jì)。除非另外指明，否則所用溶劑和其他試劑均可購(gòu)自美國(guó)威斯康星州密爾沃基市的西格瑪奧德里奇化學(xué)公司(Sigma-Aldrich Chemical Company, Milwaukee, WI)。
[0037]材料
[0038]
【權(quán)利要求】
1.一種具有納米粒子和周期性結(jié)構(gòu)的光提取膜，包括: 基本上透明的基底； 位于所述基本上透明的基底上的周期性結(jié)構(gòu)； 以表面層方式施用到所述周期性結(jié)構(gòu)上的光散射納米粒子；和平面化回填層，所述平面化回填層施用到所述周期性結(jié)構(gòu)和所述光散射納米粒子上以形成所述平面化回填層的大體平的表面， 其中所述平面化回填層的折射率高于所述周期性結(jié)構(gòu)的折射率。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)為一維的。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)包括線性棱柱。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)為二維的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)包括棱錐。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)包括光子晶體結(jié)構(gòu)或線性光柵。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)使所述光散射納米粒子成為至少部分有序的。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取膜，其中所述光散射納米粒子具有在IOOnm至I,OOOnm范圍內(nèi)的直徑。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)與所述基底一體地形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取膜，還包括施用至所述平面化回填層的大體平的表面上的粘合劑光學(xué)耦合層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取膜，其中所述平面化回填層包括用于將所述光提取膜粘結(jié)至OLED裝置的光輸出表面的粘合劑。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)使所述光散射納米粒子對(duì)齊。
13.一種具有納米粒子和周期性結(jié)構(gòu)的光提取膜，包括: 基本上透明的基底； 位于所述基本上透明的基底上的周期性結(jié)構(gòu)； 平面化回填層，所述平面化回填層施用到所述周期性結(jié)構(gòu)上以形成所述平面化回填層的大體平的表面；和 分布在整個(gè)所述平面化回填層中的光散射納米粒子， 其中所述平面化回填層的折射率高于所述周期性結(jié)構(gòu)的折射率。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)為一維的。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)包括線性棱柱。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)為二維的。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)包括棱錐。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)包括光子晶體結(jié)構(gòu)或線性光柵。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光提取膜，其中所述光散射納米粒子具有在IOOnm至I,OOOnm范圍內(nèi)的直徑。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光提取膜，其中所述光散射納米粒子具有在IOnm至300nm范圍內(nèi)的直徑，并且形成具有在IOOnm至1，OOOnm范圍內(nèi)的粒度的團(tuán)聚體。
21.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光提取膜，其中所述周期性結(jié)構(gòu)與所述基底一體地形成。
22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光提取膜，還包括施用至所述平面化回填層的大體平的表面上的粘合劑光學(xué)耦合層。
23.根據(jù)權(quán)利要求13所述的光提取膜，其中所述平面化回填層包括用于將所述光提取膜粘結(jié)至OLED裝置的光輸出表面的粘合劑。
24.—種用于在具有光輸出表面的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置上提供光提取膜的方法，包括: 提供光提取膜，所述光提取膜包括: 基本上透明的基底； 位于所述基本上透明的基底上的周期性結(jié)構(gòu)； 以表面層方式施用到所述周期性結(jié)構(gòu)上的光散射納米粒子；和平面化回填層，所述平面化回填層施用到所述周期性結(jié)構(gòu)和所述光散射納米粒子上以形成所述平面化回填層的大體平的表面， 其中所述平面化回填層的折射率高于所述周期性結(jié)構(gòu)的折射率； 將粘合劑施用至所述平面化回填層的大體平的表面；以及 將所述光提取膜層合至所述.OLED裝置，使得所述平面化回填層的大體平的表面設(shè)置為緊靠所述OLED裝置的光輸出表面， 其中所述粘合劑提供所述OLED裝置的光輸出表面與所述平面化回填層之間的光學(xué)耦口 ο
25.—種用于在具有光輸出表面的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置上提供光提取膜的方法，包括: 提供光提取膜，所述光提取膜包括: 基本上透明的基底； 位于所述基本上透明的基底上的周期性結(jié)構(gòu)； 以表面層方式施用到所述周期性結(jié)構(gòu)上的光散射納米粒子；和平面化回填層，所述平面化回填層施用到所述周期性結(jié)構(gòu)和所述光散射納米粒子上以形成所述平面化回填層的大體平的表面， 其中所述平面化回填層的折射率高于所述周期性結(jié)構(gòu)的折射率； 將粘合劑施用至所述OLED裝置的光輸出表面；以及 將所述光提取膜層合至所述OLED裝置，使得所述平面化回填層的大體平的表面設(shè)置為緊靠所述OLED裝置的光輸出表面， 其中所述粘合劑提供所述OLED裝置的光輸出表面與所述平面化回填層之間的光學(xué)耦入口 ο
26.—種用于在具有光輸出表面的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置上提供光提取膜的方法，包括: 提供光提取膜，所述光提取膜包括: 基本上透明的基底；位于所述基本上透明的基底上的周期性結(jié)構(gòu)； 平面化回填層，所述平面化回填層施用到所述周期性結(jié)構(gòu)上以形成所述平面化回填層的大體平的表面；和 分布在整個(gè)所述平面化回填層中的光散射納米粒子， 其中所述平面化回填層的折射率高于所述周期性結(jié)構(gòu)的折射率； 將粘合劑施用至所述平面化回填層的大體平的表面；以及 將所述光提取膜層合至所述OLED裝置，使得所述平面化回填層的大體平的表面設(shè)置為緊靠所述OLED裝置的光輸出表面， 其中所述粘合劑提供所述OLED裝置的光輸出表面與所述平面化回填層之間的光學(xué)耦口 ο
27.—種用于在具有光輸出表面的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)裝置上提供光提取膜的方法，包括: 提供光提取膜，所述光提取膜包括: 基本上透明的基底； 位于所述基本上透明的基底上的周期性結(jié)構(gòu)； 平面化回填層，所述平面化回填層施用到所述周期性結(jié)構(gòu)上以形成所述平面化回填層的大體平的表面；和 分布在整個(gè)所述平面化回填層中的光散射納米粒子， 其中所述平面化回填層的折射率高于所述周期性結(jié)構(gòu)的折射率； 將粘合劑施用至所述OLED裝置的光輸出表面；以及 將所述光提取膜層合至所述OLED裝置，使得所述平面化回填層的大體平的表面設(shè)置為緊靠所述OLED裝置的光輸出表面， 其中所述粘合劑提供所述OLED裝置的光輸出表面與所述平面化回填層之間的光學(xué)耦入口 ο
【文檔編號(hào)】H01L51/52GK103443952SQ201280013109
【公開日】2013年12月11日 申請(qǐng)日期:2012年3月5日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月17日
【發(fā)明者】張俊穎, 郝恩才, 維維安·W·瓊斯, 特里·L·史密斯, 謝爾蓋·拉曼斯基, 哈·T·勒, 道恩·N·邱, 威廉·布雷克·科爾布, 詹姆斯·M·巴蒂亞托, 戴維·B·斯特格爾 申請(qǐng)人:3M創(chuàng)新有限公司