磁性片和使用其的非接觸受電裝置、電子設(shè)備及非接觸充電裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施方式的磁性片（1）具備多個(gè)磁性薄帶（2）和樹(shù)脂薄膜部（3）的層疊體。層疊體具備在5～25張的范圍內(nèi)層疊的磁性薄帶（2）。在磁性薄帶上設(shè)置有具備1mm以下（包含0）的寬度的切口部。在設(shè)一個(gè)樹(shù)脂薄膜部（3）上配置的磁性薄帶（2）的外周區(qū)域的合計(jì)外周長(zhǎng)為A、磁性薄帶（2）上所設(shè)置的切口部的合計(jì)長(zhǎng)度為B時(shí)，切口部的合計(jì)長(zhǎng)度B相對(duì)于磁性薄帶（2）的合計(jì)外周長(zhǎng)A之比（B/A）為2以上25以下的范圍。
【專利說(shuō)明】磁性片和使用其的非接觸受電裝置、電子設(shè)備及非接觸充電裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及磁性片和使用其的非接觸受電裝置、電子設(shè)備及非接觸充電裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年，便攜式通信設(shè)備的發(fā)展顯著，因此移動(dòng)電話機(jī)的小型薄型化迅速發(fā)展。除了移動(dòng)電話機(jī)以外，視頻攝像機(jī)(手持?jǐn)z像機(jī)等)、無(wú)繩電話機(jī)、膝上型個(gè)人計(jì)算機(jī)(筆記本電腦)等電子設(shè)備的小型薄型化也發(fā)展。在這些情況下，通過(guò)在電子設(shè)備主體中搭載二次電池，由此不與插座連接就能夠使用，使攜帶性、便利性提高。在當(dāng)前，二次電池的容量存在極限，必須每隔數(shù)日?數(shù)周進(jìn)行I次充電。
[0003]充電方法存在接觸充電方式和非接觸充電方式。接觸充電方式為使受電裝置的電極與供電裝置的電極直接接觸而進(jìn)行充電的方式。接觸充電方式由于其裝置構(gòu)造簡(jiǎn)單，因此被普遍使用。但是，隨著近年的電子設(shè)備的小型薄型化，電子設(shè)備的重量變輕，受電裝置的電極與供電裝置的電極之間的接觸壓力不足，存在產(chǎn)生充電不良這種問(wèn)題。并且，二次電池不耐熱，為了防止電池的溫度上升，而需要以不產(chǎn)生過(guò)放電、過(guò)充電的方式設(shè)計(jì)電路。根據(jù)這一點(diǎn)研究了非接觸充電方式的應(yīng)用。
[0004]非接觸充電方式是在受電裝置和供電裝置的雙方設(shè)置線圈，利用電磁感應(yīng)進(jìn)行充電的方式。非接觸充電方式不需要考慮電極彼此的接觸壓力，因此能夠不被電極彼此的接觸狀態(tài)左右而穩(wěn)定地供給充電電壓。作為非接觸充電裝置的線圈，已知在鐵氧體磁芯的周?chē)砝@線圈的構(gòu)造、在將鐵氧體粉、非晶體粉混合而成的樹(shù)脂基板上安裝線圈的構(gòu)造等。然而，當(dāng)將鐵氧體較薄地加工時(shí)其變脆，因此具有耐沖擊性較弱、由于設(shè)備的落下等而受電裝置容易產(chǎn)生故障這種問(wèn)題。
[0005]并且，為了與設(shè)備的薄型化相對(duì)應(yīng)地將受電部分薄型化，而研究了采用在基板上將金屬粉糊料印刷為螺旋狀而形成的平面線圈。然而，通過(guò)平面線圈的磁通與設(shè)備內(nèi)部的基板等鏈接，因此存在由于通過(guò)電磁感應(yīng)而產(chǎn)生的渦流而裝置內(nèi)發(fā)熱這種問(wèn)題。因此，不能夠發(fā)送較大的電力，而充電時(shí)間會(huì)變長(zhǎng)。具體地說(shuō)，在移動(dòng)電話機(jī)的充電中如果是接觸充電裝置則為90分鐘左右，與此相對(duì)，通過(guò)非接觸充電裝置要花費(fèi)120分鐘左右。
[0006]以往的應(yīng)用了非接觸充電方式的受電裝置，對(duì)于通過(guò)電磁感應(yīng)而產(chǎn)生的渦流的對(duì)策不充分。受電裝置具備二次電池，因此要求極力抑制熱的產(chǎn)生。受電裝置安裝于電子設(shè)備主體，因此熱的產(chǎn)生對(duì)電路元件等產(chǎn)生負(fù)面影響。由于這些情況，在充電時(shí)不能夠發(fā)送較大的電力，充電時(shí)間會(huì)變長(zhǎng)。并且，渦流的產(chǎn)生導(dǎo)致噪聲的產(chǎn)生，成為充電效率降低的重要因素。對(duì)于這一點(diǎn)，提出將磁性薄帶設(shè)置在受電裝置的規(guī)定位置。通過(guò)對(duì)磁性薄帶的導(dǎo)磁率和板厚、或磁性薄帶的飽和磁通密度和板厚進(jìn)行控制，由此抑制渦流導(dǎo)致的發(fā)熱、噪聲產(chǎn)生、受電效率的降低等。
[0007]提出有在非接觸充電裝置的供電側(cè)配置磁體、并進(jìn)行受電側(cè)的設(shè)備的對(duì)位的非接觸充電方式。例如，在國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)的WPC (Wireless Power Consortium)中，在“SystemDescription Wireless Power Transfer volume I:Low Power Partl:interfaceDefinition versionl.0 July 2010”中記載有通過(guò)磁體進(jìn)行定位的非接觸充電裝置。
[0008]在通過(guò)磁體進(jìn)行定位的情況下，在以往的磁性薄帶中會(huì)磁飽和，磁屏蔽效果大幅度降低。因此，導(dǎo)致充電時(shí)的二次電池的溫度上升，擔(dān)心二次電池的循環(huán)壽命的降低。以往的磁屏蔽例如具有飽和磁通密度為0.55?2T (5.5?20kG)的磁性薄帶，在I張或3張以下的范圍內(nèi)層疊這種磁性薄帶。將磁性薄帶的層疊體用作為磁屏蔽，通過(guò)從配置于供電裝置的磁體產(chǎn)生的磁場(chǎng)，磁屏蔽容易產(chǎn)生磁飽和，可能不能夠起到作為磁屏蔽的作用。
[0009]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)
[0011]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)平11-265814號(hào)公報(bào)
[0012]專利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2000-23393號(hào)公報(bào)
[0013]專利文獻(xiàn)3:日本特開(kāi)平9-190938號(hào)公報(bào)
[0014]專利文獻(xiàn)4:日本國(guó)際公開(kāi)第2007/111019號(hào)小冊(cè)子
[0015]專利文獻(xiàn)5:日本國(guó)際公開(kāi)第2007/122788號(hào)小冊(cè)子

【發(fā)明內(nèi)容】

[0016]本發(fā)明要解決的課題為，提供一種磁性片和使用其的非接觸受電裝置、電子設(shè)備以及非接觸充電裝置，在供電側(cè)配置了磁體的非接觸充電方式中，通過(guò)抑制由于電磁感應(yīng)而在受電側(cè)產(chǎn)生的渦流，能夠抑制由渦流引起的二次電池的發(fā)熱、充電效率的降低。
[0017]實(shí)施方式的磁性片具備多個(gè)磁性薄帶和樹(shù)脂薄膜部的層疊體。層疊體具備在5?25張的范圍內(nèi)層疊的磁性薄帶。在磁性薄帶上設(shè)置有具有Imm以下(包含0)的寬度的切口部。在設(shè)一個(gè)樹(shù)脂薄膜部上所配置的磁性薄帶的外周區(qū)域的合計(jì)外周長(zhǎng)為A、磁性薄帶上所設(shè)置的切口部的合計(jì)長(zhǎng)度為B時(shí)，切口部的合計(jì)長(zhǎng)度B相對(duì)于磁性薄帶的合計(jì)外周長(zhǎng)A之比(B/A)為2以上25以下的范圍。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是表示實(shí)施方式的磁性片的截面圖。
[0019]圖2是表示實(shí)施方式的磁性片的磁性薄帶的切口部的第一例和磁性薄帶的外周長(zhǎng)A的測(cè)量例的平面圖。
[0020]圖3是表示實(shí)施方式的磁性片的磁性薄帶的切口部的合計(jì)長(zhǎng)度B的測(cè)量例的平面圖。
[0021]圖4是表示實(shí)施方式的磁性片的磁性薄帶的切口部的第二例的平面圖。
[0022]圖5是表示實(shí)施方式的磁性片的磁性薄帶的切口部的第三例的平面圖。
[0023]圖6是表示實(shí)施方式的磁性片的磁性薄帶的切口部的第四例的平面圖。
[0024]圖7是表示實(shí)施方式的磁性片的磁性薄帶的切口部的第五例的平面圖。
[0025]圖8是表示實(shí)施方式的磁性片的磁性薄帶的切口部的第六例的平面圖。
[0026]圖9是表示實(shí)施方式的磁性片的磁性薄帶的切口部的第七例的平面圖。
[0027]圖10是表示第一實(shí)施方式的電子設(shè)備的概略結(jié)構(gòu)的圖。[0028]圖11是表示第二實(shí)施方式的電子設(shè)備的概略結(jié)構(gòu)的圖。
[0029]圖12是表示實(shí)施方式的非接觸充電裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]以下，對(duì)實(shí)施方式的磁性片和使用其的非接觸受電裝置、電子設(shè)備以及非接觸充電裝置進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)施方式的磁性片具備多個(gè)磁性薄帶和樹(shù)脂薄膜部的層疊體。層疊體具備在5?25張的范圍內(nèi)層疊的磁性薄帶。在磁性薄帶上設(shè)置有具有Imm以下(包含O)的寬度的切口部。在設(shè)一個(gè)樹(shù)脂薄膜部上所配置的磁性薄帶的外周區(qū)域的合計(jì)外周長(zhǎng)為A、磁性薄帶上所設(shè)置的切口部的合計(jì)長(zhǎng)度為B時(shí)，切口部的合計(jì)長(zhǎng)度B相對(duì)于磁性薄帶的合計(jì)外周長(zhǎng)A之比(B/A)為2以上25以下的范圍。
[0031]圖1是表示實(shí)施方式的磁性片的截面圖。在圖1中，I為磁性片，2為磁性薄帶，3為樹(shù)脂薄膜部。磁性薄帶2與樹(shù)脂薄膜部3層疊的構(gòu)造，如圖1所示那樣，表示相對(duì)于磁性片I的厚度T層疊了多個(gè)磁性薄帶2的構(gòu)造。磁性薄帶2相對(duì)于磁性片I的厚度T在5?25張的范圍內(nèi)層疊。在層疊數(shù)為4張以下的磁性薄帶2中，通過(guò)在供電裝置中配置的磁體不能夠磁飽和而得不到屏蔽效果。當(dāng)磁性薄帶2的層疊數(shù)超過(guò)25張時(shí)，磁性片I的厚度T變厚而達(dá)到必要以上，因此有可能不能夠搭載到受電裝置或電子設(shè)備上。磁性片I的厚度T優(yōu)選為0.1?Imm的范圍。
[0032]磁性片I優(yōu)選具備I張以上板厚為5?30 μ m的磁性薄帶2。在磁性薄帶2的板厚不足5μπι的情況下，難以通過(guò)輥式淬火法等來(lái)制造，成為成本提高的重要因素。當(dāng)磁性薄帶2的板厚超過(guò)30 μ m時(shí)，IOOkHz以上的情況下的L值會(huì)降低。進(jìn)一步優(yōu)選構(gòu)成磁性片I的多個(gè)磁性薄帶2全部具有5?30 μ m的范圍的板厚。磁性薄帶2的更優(yōu)選的板厚為10?25 μ m的范圍。
[0033]作為樹(shù)脂薄膜部3，能夠舉出將預(yù)先加工為薄膜狀的樹(shù)脂、將粘合劑凝固為薄膜狀而成的薄膜部、設(shè)置了粘合層的樹(shù)脂薄膜等。樹(shù)脂薄膜部3優(yōu)選具有以磁性薄帶2不露出的方式覆蓋磁性薄帶2整體的形狀。如后述那樣，在作為磁性薄帶2而使用Fe系非晶體合金薄帶的情況下，為了防止銹蝕，而優(yōu)選將磁性薄帶2整體用樹(shù)脂薄膜部3覆蓋。并且，通過(guò)將磁性薄帶2整體用樹(shù)脂薄膜部3覆蓋，由此磁性片I的強(qiáng)度提高，能夠提高磁性片I的操作性。
[0034]樹(shù)脂薄膜部3能夠使用聚對(duì)苯二甲酸乙二醇脂(PET)薄膜、聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚苯硫醚(PPS)薄膜、聚丙烯(PP)薄膜、聚四氟乙烯(PTFE)薄膜等。在樹(shù)脂薄膜部3由粘合劑樹(shù)脂構(gòu)成的情況下，作為粘合劑能夠舉出環(huán)氧類(lèi)粘合劑、硅系粘合劑、丙烯酸類(lèi)粘著劑等。
[0035]磁性薄帶2與樹(shù)脂薄膜部3優(yōu)選交替層疊。在將磁性薄帶2在5?25張的范圍內(nèi)層疊的情況下，優(yōu)選將磁性薄帶2與樹(shù)脂薄膜部3交替層疊。磁性片I具備將磁性薄帶2與樹(shù)脂薄膜部3交替層疊的構(gòu)造，由此能夠?qū)⒋判员?可靠地固定。并且，容易將后述的切口部的寬度調(diào)整為Imm以下。
[0036]磁性片I優(yōu)選具備I個(gè)以上飽和磁致伸縮常數(shù)為15ppm以上的磁性薄帶2。在磁性薄帶2的飽和磁致伸縮常數(shù)為15ppm以上的情況下，例如通過(guò)與在非晶體合金薄帶的制成時(shí)導(dǎo)入的淬火應(yīng)變之間的相互作用而產(chǎn)生磁各向異性，由于通過(guò)該效果而從相鄰接的磁體泄漏的磁場(chǎng)而產(chǎn)生的磁飽和被抑制。即，能夠更有效地確保需要的L值。當(dāng)磁性薄帶2的飽和磁致伸縮常數(shù)不足15ppm時(shí)，在供電裝置具有磁體的情況下容易磁飽和，L值變小。飽和磁致伸縮常數(shù)的上限不特別限定，但從制造性的觀點(diǎn)出發(fā)優(yōu)選為50ppm以下。
[0037]飽和磁致伸縮常數(shù)例如根據(jù)組成控制、輥式淬火法的淬火時(shí)的應(yīng)變來(lái)調(diào)整。在使飽和磁致伸縮常數(shù)增大的情況下，磁性薄帶2難以磁飽和。作為使磁性薄帶2的飽和磁致伸縮常數(shù)增大的方法，能夠舉出在Fe基非晶體合金的情況下提高飽和磁通密度、微量添加稀土類(lèi)元素等方法。在后者的情況下，當(dāng)添加量太多時(shí)，難以應(yīng)用大氣中的輥式淬火法，成為使磁性薄帶2的制造成本增加的重要因素。因此，磁性薄帶2的飽和磁致伸縮常數(shù)優(yōu)選為15~50ppm的范圍，更優(yōu)選為20~50ppm的范圍，進(jìn)一步優(yōu)選為25~35ppm的范圍。更優(yōu)選構(gòu)成磁性片I的多個(gè)磁性薄帶2全部具有15ppm以上的飽和磁致伸縮常數(shù)。
[0038]磁性片I優(yōu)選具備I張以上的飽和磁通密度為1.2T (12kG)以上2.1T (21kG)以下的磁性薄帶2。當(dāng)磁性薄帶2的飽和磁通密度不足1.2T時(shí)，在供電裝置具有磁體的情況下容易磁飽和。當(dāng)磁性薄帶2的飽和磁通密度超過(guò)2.1T時(shí)，難以形成非晶體相，難以進(jìn)行飽和磁致伸縮常數(shù)、板厚等的控制。磁性薄帶2的飽和磁通密度更優(yōu)選為1.3T以上2.0T以下。更優(yōu)選構(gòu)成磁性片I的多個(gè)磁性薄帶2全部具有1.2~2.1T的飽和磁通密度。
[0039]磁性薄帶2優(yōu)選具備I個(gè)以上具有由以下的一般式表示的組成的非晶體合金薄帶，
[0040]—般式=Fe1HMaXbTc...(I)
[0041](式中，M是從Ni以及Co中選出的至少I(mǎi)種元素，T是從Mn、Cr、T1、Zr、Hf、Mo、V、Nb、W、Ta、Cu、Sn以及稀土類(lèi)元素中選出的至少I(mǎi)種元素，X是從B、S1、C以及P中選出的至少I(mǎi)種元素，a、b 以及c是滿足O≤a ^ 25原子％、10≤b≤35原子％、0≤c≤5原子％的數(shù))。
[0042]在式(I)中，M元素用于滿足飽和磁通密度、飽和磁致伸縮常數(shù)等特性。為了提高熱穩(wěn)定性、耐腐蝕性、淬火狀態(tài)下的電感值等而添加T元素。在作為M元素而選擇Co的情況下，飽和磁致伸縮常數(shù)以及飽和磁通密度變高，因此是優(yōu)選的。M元素的添加量a優(yōu)選為25原子％以下。當(dāng)添加量超過(guò)25原子％時(shí)，飽和磁通密度、飽和磁致伸縮常數(shù)降低。T元素的添加量c優(yōu)選為5原子％以下。當(dāng)添加量c超過(guò)5原子％時(shí)，飽和磁通密度、飽和磁致伸縮常數(shù)降低，在淬火狀態(tài)下不能夠得到需要的特性(電感)。
[0043]X元素是為了得到非晶體相而必須的元素。B (硼)、P (磷)能夠單獨(dú)使磁性合金非晶體化，特別是B在熱穩(wěn)定性、機(jī)械式的特性的方面是優(yōu)選的。Si (硅)、C (碳)是促進(jìn)非晶體相的形成、或?qū)Y(jié)晶化溫度的上升即非晶體相的穩(wěn)定化有效的元素。當(dāng)X元素的含有量過(guò)多時(shí)，飽和磁通密度、飽和磁致伸縮常數(shù)容易降低。當(dāng)X元素的含有量過(guò)少時(shí)，非晶體化難以進(jìn)行，非晶體合金薄帶的導(dǎo)磁率降低。由此，X元素的含有量?jī)?yōu)選為10~35原子％的范圍。X元素的含有量更優(yōu)選為12~30原子％的范圍。
[0044]從防銹效果的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選同時(shí)使用P和Cr。在使用了具有防銹效果的磁性薄帶2的情況下，也可以通過(guò)樹(shù)脂薄膜部3不是完全覆蓋到磁性薄帶2的端部。在長(zhǎng)期觀察的情況下，根據(jù)樹(shù)脂薄膜部3的材料，水分有可能透過(guò)。因此，使用具有防銹效果的非晶體磁性薄帶是有效的。非晶體合金薄帶優(yōu)選具有式(I)的(100-a-b-c)的值為50以上的富Fe的組成。[0045]作為磁性薄帶2使用的非晶體合金薄帶，例如通過(guò)輥式淬火法(熔融金屬淬火法)來(lái)制成。具體地說(shuō)，將調(diào)整為規(guī)定組成比的合金材料熔融，將該合金熔融金屬向高速旋轉(zhuǎn)的冷卻輥的表面噴出而進(jìn)行淬火，由此制成作為磁性薄帶2使用的非晶體合金薄帶。
[0046]磁性片I優(yōu)選具備I張以上的在進(jìn)行了 180度密著折彎時(shí)不破壞的磁性薄帶2。通過(guò)使用在進(jìn)行了密著折彎時(shí)不破壞的磁性薄帶2，能夠制成具有柔軟性的磁性片I。具有柔軟性的磁性片1，能夠在彎曲的狀態(tài)或折彎的狀態(tài)下配置到后述的受電裝置中，因此磁性片I的使用便利性提高。作為這種磁性薄帶2，能夠舉出對(duì)具有由式(I)表示的組成的非晶體合金薄帶未實(shí)施熱處理而成的磁性薄帶。
[0047]通過(guò)對(duì)非晶體合金薄帶進(jìn)行熱處理，能夠調(diào)整磁致伸縮常數(shù)等磁特性。但是，當(dāng)進(jìn)行350°C以上的熱處理時(shí)，在薄帶內(nèi)部產(chǎn)生微小的結(jié)晶排列而變脆，并且在薄帶制成時(shí)導(dǎo)入的淬火應(yīng)變?nèi)菀拙徍汀Ｒ虼?，在磁體相鄰接的情況下容易產(chǎn)生磁飽和。所得到的電感值變小，磁屏蔽效果降低。并且，當(dāng)磁性薄帶2容易破裂時(shí)，在作為磁性片I使用時(shí)容易產(chǎn)生破損。當(dāng)磁性薄帶2破損時(shí)，切口部的量變化，之后詳述的B/A比可能超過(guò)25。
[0048]磁性片I優(yōu)選具有將非晶體合金薄帶重疊5?25張而成的構(gòu)造。但是，也可以在整體的層疊張數(shù)的20%以下的張數(shù)中，使用飽和磁致伸縮常數(shù)幾乎為零的Co基非晶體合金薄帶或Fe基微結(jié)晶合金薄帶(平均結(jié)晶顆粒直徑為10?50nm)。在該情況下，優(yōu)選配置在與供電裝置的磁體分離的位置。飽和磁致伸縮常數(shù)幾乎為零的磁性薄帶也可以不具有切口部。
[0049]在具有磁性薄帶2與樹(shù)脂薄膜部3的層疊體的磁性片I中，在磁性薄帶2上設(shè)置有寬度為1_以下(包含O)的切口部。圖2表示在一個(gè)樹(shù)脂薄膜部3上所配置的磁性薄帶2的第一例。在圖2至圖9中，2為磁性薄帶，3為樹(shù)脂薄膜，4為切口部。S為切口部4的寬度。切口部4的形狀可以為圖2所示的將磁性薄帶2彼此切開(kāi)的形狀、或者圖4所示的將磁性薄帶2的一部分切斷的狹縫形狀的任一個(gè)。
[0050]如在圖2中可知的那樣，表示在磁性薄帶2之間設(shè)置了間隙的狀態(tài)，但相鄰的磁性薄帶2也可以接觸配置(切口部4的寬度S:0mm)。在具有寬度S超過(guò)Imm的部分的情況下，這種切口部4優(yōu)選為整體的10%以下，更優(yōu)選全部的寬度S為Imm以下(包含O)。當(dāng)切口部4的寬度S過(guò)大時(shí)，磁性片I的磁屏蔽效果降低，例如在二次電池的殼體表面產(chǎn)生的渦流變大。作為其結(jié)果，對(duì)電池特性產(chǎn)生負(fù)面影響。切口部4的寬度S優(yōu)選為0.5mm以下。切口部4優(yōu)選具有從磁性薄帶2的表面貫通到背面的形狀，由此能夠得到較高的Q值。例如，在凹陷、槽那樣的不貫通的切口中，不能夠得到足夠的特性。本實(shí)施方式的切口部4不包括凹陷、槽那樣的不貫通的切口。
[0051]在實(shí)施方式的磁性片I中，使在磁性薄帶2上設(shè)置的切口部4的合計(jì)長(zhǎng)度B相對(duì)于在一個(gè)樹(shù)脂薄膜3上所配置的磁性薄帶2的外周區(qū)域的合計(jì)外周長(zhǎng)A之比(B/A)為2以上25以下的范圍。磁性薄帶2的外周區(qū)域的合計(jì)外周長(zhǎng)A，是在磁性片I的某一面上配置的磁性薄帶2 (無(wú)論分割的情況還是未分割的情況)的最外周長(zhǎng)度。磁性薄帶2的外周區(qū)域的合計(jì)外周長(zhǎng)A，如圖2所示那樣通過(guò)“Al + A2 + A3 + A4”來(lái)求出。在圖2中表示將磁性薄帶2配置為四邊形狀的例子，但在其他形狀的情況下也同樣使外周的長(zhǎng)度為外周長(zhǎng)A。成為磁性薄帶2之間的間隙的切口部4的寬度為Imm以下，較小，因此通過(guò)上述的求出方法來(lái)求出磁性薄帶2的外周區(qū)域的合計(jì)外周長(zhǎng)A。[0052]在磁性薄帶2上設(shè)置的切口部4的合計(jì)長(zhǎng)度B的求出方法如圖3所示。在圖3所示的切口部4的寬度全部為Imm以下的情況下，切口部4的合計(jì)長(zhǎng)度B通過(guò)“BI + B2 +B3 + B4 + B5 + B6 + B7 + B8 + B9”來(lái)求出。假設(shè)在BI?B8的寬度為0.5mm、B9的寬度為2_的情況下，切口部4的合計(jì)長(zhǎng)度B成為“BI + B2 + B3 + B4 + B5 + B6 + B7 +B8”。如圖4所示那樣，在具有將磁性薄帶2之間切開(kāi)的間隙狀的切口部4和在磁性薄帶2本身上形成的狹縫狀的切口部4的情況下，將間隙以及狹縫中、寬度S為Imm以下(包含O)的切口部4的合計(jì)長(zhǎng)度設(shè)為B。狹縫從表面貫通到背面。
[0053]如圖4所示那樣，具有狹縫狀的切口部4的磁性薄帶2的操作性較好。通過(guò)將磁性薄帶2彼此隔開(kāi)間隙配置而形成的切口部4，容易將寬度S調(diào)整為O?Imm的范圍。在將一個(gè)磁性薄帶2分割為多個(gè)片而使用的情況下，一片的大小優(yōu)選為0.5mmX0.5mm以上。當(dāng)磁性薄帶2的I邊的長(zhǎng)度不足0.5mm時(shí)，操作性變差，難以排列成切口部4的寬度S為O?Imm的范圍。雖然未圖示，但可以將I張磁性薄帶2配置在樹(shù)脂薄膜部3的整面上，并在磁性薄帶2上設(shè)置多個(gè)狹縫。切口部4的形狀并不局限于直線狀，也可以為曲線狀、鋸齒形狀。
[0054]切口部的其他例子如圖5至圖9所示。圖5是在I張磁性薄帶2上設(shè)置多個(gè)狹縫(切口部4)的例子。圖5是未將狹縫(切口部4)形成到磁性薄帶2的端部的例子。在該情況下，能夠在I張磁性薄帶2上設(shè)置全部的切口部4，因此僅在樹(shù)脂薄膜部3上載放磁性薄帶2即可。因此，容易形成磁性薄帶2與樹(shù)脂薄膜部3的層疊體。
[0055]圖6是從磁性薄帶2的一方的端部到相反一側(cè)的端部為止設(shè)置多個(gè)狹縫(切口部4)的例子。在該情況下，預(yù)先在樹(shù)脂薄膜部3上粘貼形成切口部4之前的磁性薄帶2，接著對(duì)磁性薄帶2進(jìn)行狹縫加工，由此能夠一次形成多個(gè)寬度S —定的切口部4，容易形成切口部4。圖7是在磁性薄帶2上設(shè)置多個(gè)十字形狀的切口部4的例子。切口部4的形狀不限定于圖5、圖6所示那樣的直線狀的形狀，也可以是圖7所示那樣的十字形狀。十字形狀的切口部4能夠通過(guò)蝕刻法來(lái)形成。
[0056]圖5至圖7是在I張磁性薄帶2上設(shè)置多個(gè)切口部4的例子。圖4表示將多張?jiān)O(shè)置了切口部4的磁性薄帶2排列在樹(shù)脂薄膜部3上的例子，但除此以外，也可以為圖8、圖9所示的形狀。圖8是使用4張?jiān)O(shè)置了多個(gè)狹縫(切口部4)的三角形狀的磁性薄帶2，配置為四邊形狀的例子。根據(jù)在一個(gè)樹(shù)脂薄膜部3上配置多個(gè)磁性薄帶2的構(gòu)造，能夠通過(guò)狹縫寬度和相鄰接的磁性薄帶2間的間隙雙方來(lái)控制切口部4的寬度S。圖9是在磁性薄帶2上設(shè)置傾斜的狹縫(切口部4)的例子。狹縫也可以傾斜地形成。
[0057]切口部4的形成方法不特別限定，但例如能夠舉出將長(zhǎng)條的磁性薄帶通過(guò)切斷刀切斷為目標(biāo)尺寸的方法、通過(guò)蝕刻形成狹縫的方法、通過(guò)激光加工形成狹縫的方法等。也可以將這些方法組合來(lái)形成切口部4。也可以在樹(shù)脂薄膜部3上配置了磁性薄帶2之后形成切口部4，也可以將預(yù)先形成了切口部4的磁性薄帶2配置到樹(shù)脂薄膜部3上。切口部4可以在磁性薄帶2整體上均勻地形成，也可以例如以磁性薄帶2的中心附近成為較密的方式以疏密狀態(tài)形成。在層疊構(gòu)造中，在各個(gè)磁性薄帶2上形成的切口部4的形狀也可以不同。
[0058]本實(shí)施方式的磁性片I的B/A比被控制為2?25的范圍，因此能夠使磁性片I的L值以及Q值提高。例如，能夠得到在125kHz下L值為11 μ H以上、Q值為10以上的磁性片。在Β/Α比不足2時(shí)Q值不提高，當(dāng)Β/Α比超過(guò)25時(shí)L值降低。在Β/Α比不足2時(shí)，不能夠抑制渦流的產(chǎn)生，當(dāng)Β/Α比超過(guò)25時(shí)受電效率降低。受電效率的降低是使充電時(shí)間長(zhǎng)時(shí)間化的重要因素。在磁性片I具有將磁性薄帶2與樹(shù)脂薄膜部3交替層疊而成的層疊構(gòu)造的情況下，各個(gè)樹(shù)脂薄膜部3上的B/A比優(yōu)選成為2?25的范圍。各個(gè)樹(shù)脂薄膜部3上的B/A比可以全部相同，也可以按照每個(gè)樹(shù)脂薄膜部來(lái)改變B/A比。
[0059]在非接觸充電裝置中，在受電裝置(被充電的電子設(shè)備)中為了提高受電效率而使用有共振電路。將L (電感器)和C (電容器)串聯(lián)或者并聯(lián)地連接而構(gòu)成的共振電路，使按照確定的共振頻率在電路中流動(dòng)的電流成為最大或者最小。作為用于得到共振電路的尖銳化(頻率選擇性)的重要特性，存在共振的Q值。Q值由Q = 2JifL/R表示。Ji為圓周率
3.14，f為頻率，L為L(zhǎng)值(電感)，R為損耗。在使Q值提高時(shí)將頻率f增大，將L增大，將損耗R減小。頻率f能夠通過(guò)電路設(shè)計(jì)而增大，但當(dāng)頻率f變大時(shí)，渦流損耗變大，損耗R變大。
[0060]因此，在本實(shí)施方式中，使用具有磁性薄帶2的磁性片1，該磁性薄帶2形成有規(guī)定量(B/A為2?25)的切口部4，由此防止渦流損耗的增大。渦流是指，在對(duì)導(dǎo)體施加的磁場(chǎng)的大小變化的情況下，由于電磁感應(yīng)而在導(dǎo)體中激勵(lì)的環(huán)狀電流，隨此產(chǎn)生的損耗為渦流損耗。由于伴隨有電磁感應(yīng)，因此當(dāng)渦流變大時(shí)，產(chǎn)生發(fā)熱。例如，在搭載了二次電池的受電裝置中，由于渦流而二次電池的殼體發(fā)熱，充放電循環(huán)壽命變短，或促進(jìn)放電容量的惡化。當(dāng)必要以上地發(fā)熱時(shí)，也成為電子器件的故障的原因。
[0061]為了抑制渦流的產(chǎn)生，需要提高磁性片I的磁屏蔽效果。在向具有高磁致伸縮的磁性薄帶2導(dǎo)入應(yīng)變、而在5?25張的范圍進(jìn)行層疊的情況下，即使在存在外部磁場(chǎng)的狀態(tài)下也不能夠磁飽和，而得到較高的L。因此，能夠得到優(yōu)良的磁屏蔽效果。在磁性薄帶2上如上所述地形成切口部4是有效的。通過(guò)使切口部4的寬度S成為O?Imm以下，能夠防止磁通穿過(guò)磁性薄帶2的間隙而在二次電池的殼體表面等產(chǎn)生渦流。
[0062]接下來(lái)，對(duì)實(shí)施方式的受電裝置、電子設(shè)備以及非接觸充電裝置進(jìn)行說(shuō)明。圖10以及圖11表示第一以及第二實(shí)施方式的電子設(shè)備的構(gòu)成。圖10以及圖11所示的電子設(shè)備10具有應(yīng)用了非接觸充電方式的受電裝置11和電子設(shè)備主體12。電子設(shè)備12主體具備電路基板13和其上所搭載的電子器件14。受電裝置11、電子設(shè)備主體12配置在殼體15內(nèi)，由這些構(gòu)成電子設(shè)備10。
[0063]受電裝置11具備:具有螺旋線圈的受電線圈16 ;對(duì)在受電線圈16中產(chǎn)生的交流電壓進(jìn)行整流的整流器17 ;以及被充電由整流器17整流后的直流電壓的二次電池18。電子設(shè)備主體12具備被供給在受電裝置11的二次電池18中充電的直流電壓而動(dòng)作的電子器件14。電子設(shè)備主體12除了電子器件14、電路基板13以外，也可以具備與電子設(shè)備10的功能、動(dòng)作等相對(duì)應(yīng)的部件、裝置等。
[0064]作為構(gòu)成受電線圈16的螺旋線圈，使用將銅線等金屬線以平面狀態(tài)卷繞的平面線圈、將金屬粉糊料印刷為螺旋狀而形成的平面線圈等。螺旋線圈的卷繞形狀為圓形、橢圓、四邊形、多邊形等，不特別限定。螺旋線圈的卷繞數(shù)也能夠根據(jù)要求特性而適當(dāng)?shù)卦O(shè)定。
[0065]作為整流器17，能夠舉出晶體管、二極管等半導(dǎo)體元件。整流器17的個(gè)數(shù)是任意的，根據(jù)需要使用一個(gè)或者2個(gè)以上的整流器17。整流器17也可以通過(guò)TFT等成膜技術(shù)形成。在圖10以及圖11中，整流器17設(shè)置在電路基板13的受電線圈16側(cè)。整流器17也可以設(shè)置在電路基板13的與受電線圈16相反一側(cè)的面上。二次電池18能夠進(jìn)行充放電，能夠使用平板型或按鈕型等各種形狀的二次電池。[0066]電子器件14包括電阻元件、電容元件、電感元件、控制元件、存儲(chǔ)元件等構(gòu)成電路的各種元件、部件。并且，也可以是這些以外的部件、裝置。電路基板13是在樹(shù)脂基板、陶瓷基板等絕緣基板的表面或內(nèi)部形成了電路的電路基板。電子器件14安裝在電路基板13上。電子器件14也可以含有未安裝在電路基板13上的電子器件。
[0067]圖10所示那樣，第一實(shí)施方式的電子設(shè)備10具備設(shè)置在螺旋線圈(受電線圈)16與二次電池18之間的磁性片I。即，螺旋線圈16與二次電池18夾著磁性片I配置。螺旋線圈16為，作為其至少一部分具有平面部，該平面部沿著磁性片I的表面配置。在看作受電裝置11的情況下，在構(gòu)成其的螺旋線圈16與二次電池18之間配置有磁性片I。
[0068]如圖11所示那樣，第二實(shí)施方式的電子設(shè)備10具備配置在二次電池18與電路基板13之間的磁性片I。并且，磁性片I也可以配置在螺旋線圈16與整流器17之間、或螺旋線圈16與電子器件14之間。磁性片I配置在這些各位置中的I個(gè)位置以上。磁性片I也可以配置在2個(gè)位置或其以上的位置。
[0069]電子設(shè)備10的構(gòu)成不限于圖10至圖11。螺旋線圈16、二次電池18以及電路基板13的配置能夠進(jìn)行各種變更。例如，也可以從上側(cè)按順序配置二次電池、電路基板以及螺旋線圈。磁性片I例如配置在電路基板與螺旋線圈之間。在螺旋線圈16與電路基板13之間配置磁性片I的情況下，也可以僅簡(jiǎn)單重疊螺旋線圈16/磁性片I/電路基板13，也可以將它們之間通過(guò)粘合劑、釬料來(lái)固定。其他情況也同樣，也可以僅重疊各構(gòu)成要素，也可以將它們之間通過(guò)粘合劑、釬料來(lái)固定。
[0070]如上所述，通過(guò)在螺旋線圈16與二次電池18之間、螺旋線圈16與整流器17之間、螺旋線圈16與電子器件14之間、螺旋線圈16與電路基板13之間的至少I(mǎi)個(gè)位置上配置磁性片1，由此能夠通過(guò)磁性片I屏蔽在充電時(shí)通過(guò)螺旋線圈16的磁通。因此，與電子設(shè)備10內(nèi)部的電路基板13等鏈接的磁通減少，因此能夠抑制基于電磁感應(yīng)的渦流的產(chǎn)生。磁性片I的厚度考慮設(shè)置性、磁通的遮擋性等而優(yōu)選成為1_以下的范圍。
[0071]通過(guò)抑制渦流的影響，能夠抑制電路基板13上安裝的電子器件14、整流器17的發(fā)熱、電路基板13的電路的發(fā)熱、以及渦流導(dǎo)致的噪聲的產(chǎn)生。電子設(shè)備10內(nèi)部的發(fā)熱的抑制有助于二次電池18的性能及可靠性的提高。通過(guò)抑制基于渦流損耗的Q值的降低，能夠使向受電裝置11供給的電力增大。磁性片I還作為相對(duì)于螺旋線圈16的磁芯起作用，因此能夠提高受電效率、充電效率。這些有助于對(duì)電子設(shè)備10充電的充電時(shí)間的縮短。并且，還能夠抑制在二次電池18的殼體上產(chǎn)生的渦流，因此充電時(shí)的二次電池的溫度上升較少，不會(huì)導(dǎo)致壽命特性的惡化。
[0072]上述實(shí)施方式的磁性片I例如作為電感器用磁性體或磁屏蔽用磁性體(包括噪聲對(duì)策片)使用。特別是，對(duì)于在IOOkHz以上的頻帶下使用的磁性片是優(yōu)選的。S卩，在IOOkHz以上的頻帶下能夠更良好地發(fā)揮基于具有切口部4的磁性薄帶2的Q值的提高效果或渦流損耗的減少效果。因此，磁性片I作為在IOOkHz以上的頻帶下使用的電感器用磁性體或磁屏蔽用磁性體是優(yōu)選的。
[0073]在實(shí)施方式的受電裝置11和使用其的電子設(shè)備10中，由于將螺旋線圈16鏈接的磁通而引起的渦流被抑制，能夠使設(shè)備內(nèi)部的發(fā)熱降低，并且能夠使受電效率提高。由此，能夠增大供電時(shí)的電力，能夠?qū)崿F(xiàn)充電時(shí)間的縮短。本實(shí)施方式的電子設(shè)備10對(duì)于移動(dòng)電話機(jī)、便攜式音頻設(shè)備、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、游戲機(jī)等來(lái)說(shuō)是優(yōu)選的。這種電子設(shè)備10放置于供電裝置而進(jìn)行非接觸充電。
[0074]圖12表示實(shí)施方式的非接觸充電裝置的構(gòu)成。非接觸充電裝置20具備電子設(shè)備10和供電裝置30。在非接觸充電裝置20中，電子設(shè)備10是在上述實(shí)施方式中表示的電子設(shè)備。供電裝置30具有進(jìn)行供電線圈31和受電裝置11的對(duì)位的磁體32以及未圖示但向供電線圈31施加交流電壓的電源等。在將電子設(shè)備10放置到供電裝置30上時(shí)，供電線圈31與受電線圈11非接觸地配置。
[0075]如以下那樣地進(jìn)行基于非接觸充電裝置20的充電。從電源向供電裝置30的供電線圈31施加交流電壓，使供電線圈31產(chǎn)生磁通。在供電線圈31中產(chǎn)生的磁通，向與供電線圈31非接觸地配置的受電線圈16傳遞。受電線圈16接受磁通而通過(guò)電磁感應(yīng)產(chǎn)生交流電壓。該交流電壓由整流器17整流。由整流器17整流后的直流電壓向二次電池18充電。
[0076]在非接觸充電裝置20中，非接觸地進(jìn)行電力的傳送。圖12所示的供電裝置30具備用于進(jìn)行受電裝置11的定位的磁體32。磁體32在供電線圈31的中心配置了一個(gè)，但不限定于此。磁體32只要是永久磁體則不特別限定，但優(yōu)選為Nd-Fe-B基磁體。作為永久磁體，已知Sm-Co基磁體、Sm-Fe-N基磁體等各種磁體，Nd-Fe-B基磁體比較低價(jià)，因此通用性較高。Nd-Fe-B基磁體可以是燒結(jié)體、也可以是粘結(jié)磁體(Nd-Fe-Β基磁體粉末與樹(shù)脂的混合物)。作為實(shí)施方式的磁性片1，即使在供電裝置30中搭載磁體32也不會(huì)磁飽和，而作為磁屏蔽、電感器起作用。在此基礎(chǔ)上，能夠使受電裝置11的受電效率提高。供電裝置30也可以搭載有用于控制磁通的磁芯等未圖示的元件。
[0077]實(shí)施例
[0078]接下來(lái)，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例以及其評(píng)價(jià)結(jié)果進(jìn)行說(shuō)明。
[0079](非接觸充電裝置)
[0080]作為非接觸充電裝置而準(zhǔn)備了移動(dòng)電話機(jī)用的充電系統(tǒng)。供電裝置為，將來(lái)自AC電源的電力通過(guò)控制電路變換為一定的電磁波，將發(fā)送該電磁波的一次線圈(供電線圈)配置到放置臺(tái)附近。此外，在一次線圈的中心部配置了直徑15mm、厚度0.5mm的NdFeB系粘結(jié)磁體(殘留磁通密度(Br):0.75T，矯磁力(Hc):760kA/m)。移動(dòng)電話機(jī)作為受電裝置而具備由螺旋線圈構(gòu)成的二次線圈(受電線圈)、安裝有對(duì)二次線圈中產(chǎn)生的交流電力進(jìn)行整流的整流器的電路基板、以及二次電池。二次線圈為，將銅線卷繞為外周30mm、內(nèi)周23mm的平面狀。
[0081](比較例A)
[0082]在上述移動(dòng)電話機(jī)中，未使用磁性片地構(gòu)成受電裝置。將使用其的移動(dòng)電話機(jī)和非接觸充電裝置作為比較例A。
[0083](實(shí)施例1?7、比較例I?3)
[0084]通過(guò)單輥法制作了具有Fe66Co18Si1B15組成、厚度為20 μ m、寬度為50mm的長(zhǎng)條的非晶體合金薄帶(磁性薄帶)。該磁性薄帶的飽和磁化為1.8T,飽和磁致伸縮常數(shù)為32ppm。所得到的磁性薄帶未進(jìn)行熱處理地使用，因此能夠折彎180°。
[0085]接下來(lái),在將長(zhǎng)條的磁性薄帶切斷為42mmX 42mm之后,通過(guò)蝕刻法形成各種個(gè)數(shù)的在磁性薄帶的厚度方向上貫通的30?40mm長(zhǎng)的狹縫(切口部)而制作了磁性薄帶。然后，粘貼到涂覆了丙烯酸類(lèi)粘合劑(厚度10 μ m)的PET薄膜(厚度80 μ m)上。狹縫(切口部)的寬度全部為0.1~0.5mm的范圍內(nèi)。A (相同樹(shù)脂薄膜部上所配置的磁性薄帶的外周區(qū)域的合計(jì)外周長(zhǎng))與B (磁性薄帶上設(shè)置的寬度為1mm以下(包含O)的切口部的合計(jì)長(zhǎng)度)之比(B/A)為表1所示的范圍。將這些層疊12張而制作了實(shí)施例的磁性片。磁性片成為由樹(shù)脂薄膜部將磁性薄帶完全覆蓋的形狀。磁性片的厚度均為0.54~0.56mm的范圍。
[0086]對(duì)于相同的磁性薄帶，將未形成狹縫(切口部)的磁性薄帶作為比較例1，將B/A比為I的磁性薄帶作為比較例2，將B/A比為28的磁性薄帶作為比較例3，制成了將這些與實(shí)施例同樣地層疊12張而成的磁性片。磁性片成為由樹(shù)脂薄膜部將磁性薄帶完全覆蓋的形狀。
[0087](實(shí)施例8~12、比較例4~9)
[0088]通過(guò)單輥法制作了具有Fe66Co18Si1B15組成、厚度為22 μ m、寬度為50mm的長(zhǎng)條的非晶體合金薄帶(磁性薄帶)。該磁性薄帶的飽和磁化為1.8T,飽和磁致伸縮常數(shù)為32ppm。所得到的磁性薄帶未進(jìn)行熱處理地使用，因此能夠折彎180°。
[0089]接下來(lái)，在將長(zhǎng)條的磁性薄帶切斷為20mmX 20mm之后，通過(guò)蝕刻法使寬度統(tǒng)一為
0.1mm地形成了在磁性薄帶的厚度方向上貫通的10~15mm長(zhǎng)的狹縫(切口部)。然后,在涂敷了丙烯酸類(lèi)粘合劑(厚度?ο μ m)的PET薄膜(厚度80 μ m)上如圖4所示那樣粘貼4張。此時(shí)，間隔設(shè)為0.5mm。B/A比統(tǒng)一為15。從該試料剝離PET薄膜，經(jīng)由粘合層層疊磁性薄帶而制作了磁性片。磁性薄帶的層疊張數(shù)如表2所示。成為由樹(shù)脂薄膜部將磁性薄帶完全覆蓋的形狀，上下面由PET薄膜保護(hù)。磁性片的厚度如表2所示。[0090]作為比較例，制作了飽和磁致伸縮常數(shù)為零的具有Co68Fe45Ci^5Si15Bici組成的非晶體合金薄帶(板厚17 μ m)。在其上形成B/A比成為I的切口部(寬度統(tǒng)一為0.5mm)。將該磁性薄帶按照表2所示的張數(shù)來(lái)層疊，制作了比較例4~9的磁性片。磁性片的厚度如表2所示。
[0091](實(shí)施例13~38、比較例10~28)
[0092]通過(guò)單輥法制作了具有表3所示的組成、寬度為50mm的非晶體合金薄帶。各薄帶的飽和磁化、飽和磁致伸縮常數(shù)、板厚如表3所示。所得到的磁性薄帶不進(jìn)行熱處理地使用，因此能夠折彎180°。
[0093]接下來(lái),在將磁性薄帶切斷為20mmX 20mm之后,通過(guò)蝕刻法形成各種個(gè)數(shù)的在磁性薄帶的厚度方向上貫通的10~15mm長(zhǎng)的狹縫(切口部)而制作了磁性薄帶。通過(guò)蝕刻形成的狹縫(切口部)的寬度統(tǒng)一為0.1mm。然后，在涂敷了丙烯酸類(lèi)粘合劑(厚度ΙΟμπι)的PET薄膜(厚度80 μ m)上，如圖4所示那樣粘貼4張。此時(shí)，間隔為O (接觸配置)~1mm。B/A比如表3所示。從該試料剝離PET薄膜，經(jīng)由粘合層層疊10張磁性薄帶，制作了實(shí)施例13~38的磁性片。磁性片的厚度如表3所示。
[0094]使用具有表4所示的組成的磁性薄帶，制作了比較例10~28的磁性片。在比較例26~28中，使用由Fe74Cu1Nb3Si14B8構(gòu)成的微小結(jié)晶合金薄帶(平均結(jié)晶顆粒直徑30nm)。磁性片的厚度如表4所示。
[0095](實(shí)施例39)
[0096]通過(guò)單輥法制成了具有Fe66Co18Si1B15組成、板厚為16 μ m、寬度為50mm的非晶體合金薄帶(磁性薄帶)。磁性薄帶的飽和磁化、飽和磁致伸縮常數(shù)如表3所示。所得到的磁性薄帶不進(jìn)行熱處理地使用，因此能夠折彎180°。接下來(lái)，將磁性薄帶切斷為縱41mmX橫1_。將切斷后的41個(gè)磁性薄帶以間隙成為Omm(接觸配置)方式在涂敷了丙烯酸類(lèi)粘合劑(厚度10 μ m)的PET薄膜(厚度25 μ m)上排列。將其層疊10張而制作了實(shí)施例39的磁性片。磁性薄帶的表面成為全部由樹(shù)脂薄膜部覆蓋的構(gòu)造。磁性片的厚度為0.34mm。
[0097]對(duì)于實(shí)施例1~39以及比較例I~28的磁性片，使用阻抗分析儀(HP4192A)測(cè)量了 Q值和L值。為了對(duì)非接觸充電裝置的特性進(jìn)行評(píng)價(jià)，而測(cè)量了耦合效率(受電效率)和發(fā)熱量。根據(jù)在從一次線圈(供電線圈)發(fā)送了一定電力(IW)時(shí)、多少電力被傳遞到二次線圈(受電線圈)，來(lái)評(píng)價(jià)了耦合效率。在將比較例A (未使用磁性片的構(gòu)造)的耦合效率(向二次線圈傳遞的電力量)設(shè)為100時(shí)，將提高了 20%以上不足40%的耦合效率(120以上不足140)由〇表示，將提高了 40%以上的耦合效率(140以上)由◎表示，將不足20%的耦合效率(120未滿)由X表示。耦合效率較高意味著受電效率較好。
[0098]發(fā)熱量為，進(jìn)行2個(gè)小時(shí)基于送電速度0.4W/h、l.5ff/h的送電，測(cè)量2個(gè)小時(shí)后的溫度上升。將溫度上升為25°C以下的發(fā)熱量由◎表示，將溫度上升超過(guò)25°C而為40°C以下的發(fā)熱量由〇表示，將溫度上升超過(guò)40°C的發(fā)熱量由X表示。此外，在送電前使室溫統(tǒng)一為25°C。溫度上升較小意味著防止了渦流的產(chǎn)生。測(cè)量結(jié)果如表1至表4所示。
[0099]【表1】
[0100]
【權(quán)利要求】
1.一種磁性片，具備多個(gè)磁性薄帶和樹(shù)脂薄膜部的層疊體，其特征在于， 上述層疊體具備在5~25張的范圍內(nèi)層疊的上述磁性薄帶，在上述磁性薄帶上設(shè)置有具有Imm以下(包含O)的寬度的切口部， 在設(shè)一個(gè)上述樹(shù)脂薄膜部上所配置的上述磁性薄帶的外周區(qū)域的合計(jì)外周長(zhǎng)為A、上述磁性薄帶上所設(shè)置的上述切口部的合計(jì)長(zhǎng)度為B時(shí)，上述切口部的合計(jì)長(zhǎng)度B相對(duì)于上述磁性薄帶的合計(jì)外周長(zhǎng)A之比(B/A)為2以上25以下的范圍。
2.如權(quán)利要求1記載的磁性片，其特征在于， 上述磁性薄帶和上述樹(shù)脂薄膜部交替地層疊。
3.如權(quán)利要求1記載的磁性片，其特征在于， 上述層疊體具備I張以上的、上述切口部的寬度全部為1mm以下(包含O)的上述磁性薄帶。
4.如權(quán)利要求1記載的磁性片，其特征在于， 上述層疊體為，作為上述磁性薄帶，具備I張以上的具有由如下一般式表示的組成的非晶體合金薄帶，
一般式:Fe1(l(l_a_b_cMaXbTc (式中，M是從Ni以及Co中選出的至少I(mǎi)種元素，T是從Mn、Cr、T1、Zr、Hf、Mo、V、Nb、W、Ta、Cu、Sn以及稀土 類(lèi)元素中選出的至少I(mǎi)種元素，X是從B、S1、C以及P中選出的至少I(mǎi)種元素，a、b以及c是滿足O≤a ^ 25原子％、10≤b≤35原子％、0≤c≤5原子％的數(shù))。
5.如權(quán)利要求1記載的磁性片，其特征在于， 上述切口部具有將上述磁性薄帶切開(kāi)的形狀。
6.如權(quán)利要求1記載的磁性片，其特征在于， 上述切口部具有將上述磁性薄帶的一部分切斷的形狀。
7.如權(quán)利要求1記載的磁性片，其特征在于， 上述層疊體具備I張以上的具有5~30 μ m的范圍的板厚的上述磁性薄帶。
8.如權(quán)利要求1記載的磁性片，其特征在于， 上述層疊體具備I張以上的在進(jìn)行了 180度密著折彎時(shí)不破壞的上述磁性薄帶。
9.如權(quán)利要求1記載的磁性片，其特征在于， 上述層疊體具備I張以上的具有15ppm以上的飽和磁致伸縮常數(shù)的上述磁性薄帶。
10.如權(quán)利要求1記載的磁性片，其特征在于， 上述層疊體具備I張以上的具有1.2T以上2.1T以下的范圍的飽和磁通密度的上述磁性薄帶。
11.一種非接觸受電裝置，其特征在于，具備: 受電線圈，具有螺旋線圈； 整流器，對(duì)在上述受電線圈中產(chǎn)生的交流電壓進(jìn)行整流； 二次電池，被充電由上述整流器整流后 的直流電壓；以及 權(quán)利要求1記載的磁性片，配置在上述螺旋線圈與上述二次電池之間、以及上述螺旋線圈與上述整流器之間中的至少I(mǎi)個(gè)位置。
12.—種電子設(shè)備,其特征在于,具備:非接觸受電裝置，具備具有螺旋線圈的受電線圈、對(duì)在上述受電線圈中產(chǎn)生的交流電壓進(jìn)行整流的整流器、以及被充電由上述整流器整流后的直流電壓的二次電池； 電子設(shè)備主體，具備被從上述二次電池供給上述直流電壓而動(dòng)作的電子器件和安裝有上述電子器件的電路基板；以及 權(quán)利要求1記載的磁性片，配置在上述螺旋線圈與上述二次電池之間、上述螺旋線圈與上述整流器之間、上述螺旋線圈與上述電子器件之間以及上述螺旋線圈與上述電路基板之間中的至少I(mǎi)個(gè)位置。
13.一種非接觸充電裝置，其特征在于，具備: 權(quán)利要求12記載的電子設(shè)備；以及 供電裝置，具備與上述電子設(shè)備的上述受電線圈非接觸地配置的供電線圈、向上述供電線圈施加交流電壓的電源以及對(duì)位用的磁體， 上述非接觸充電裝置在通過(guò)上述磁體將上述電子設(shè)備進(jìn)行了對(duì)位的基礎(chǔ)上，將在上述供電線圈中產(chǎn)生的磁通向上述受電線圈傳遞而非接觸地傳送電力。
14.如權(quán)利要求13記載的非接觸充電裝置，其特征在于， 上述磁體為Nd-Fe-B基磁體。
15.如權(quán)利要求13記載的非接觸充電裝置，其特征在于， 上述磁性片作為磁屏蔽 或者電感器而配置。
【文檔編號(hào)】H01F1/16GK103493158SQ201280020139
【公開(kāi)日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2012年4月24日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月25日
【發(fā)明者】澤孝雄, 山田勝?gòu)? 齊藤忠雄 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝, 東芝高新材料公司