低旁瓣反射器天線的制作方法
【專利摘要】帶有盤式反射器的前饋反射器天線具有反射器焦距與反射器直徑的比值小于0.25。波導(dǎo)被連接到所述盤式反射器的近端，沿著縱軸突出到所述盤式反射器中。電介質(zhì)塊連接到波導(dǎo)的遠(yuǎn)端并且副反射器連接到電介質(zhì)塊的遠(yuǎn)端。屏蔽件連接到盤式反射器的周邊。副反射器直徑的尺寸為期望運(yùn)行頻率的2.5倍波長(zhǎng)或更多。
【專利說(shuō)明】低旁瓣反射器天線
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)是當(dāng)前待批準(zhǔn)的、RonaldJ.Brandau 和 Christopher D.Hills 于 2011年 9 月 I 日提交的標(biāo)題為 “Controlled Illumination Dielectric Cone Radiator forReflector Antenna”的共同擁有的待批準(zhǔn)美國(guó)實(shí)用專利申請(qǐng)序列號(hào)13/224,066的部分延續(xù)，其全部?jī)?nèi)容在此引用作為參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及微波雙反射器天線。更確切地說(shuō)，本發(fā)明提供了具有低旁瓣信號(hào)輻射圖特征的低成本、自支持的前饋反射器天線，可配置為滿足嚴(yán)格輻射圖包絡(luò)標(biāo)準(zhǔn)比如歐洲電信標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)(ETSI) 4類的反射器天線。
【背景技術(shù)】
[0004]前饋雙反射器天線把主反射器上入射的信號(hào)指引到鄰近主反射器的聚焦區(qū)安裝的副反射器上，它又把信號(hào)指引到波導(dǎo)傳輸線中，典型情況下經(jīng)由喇叭天線或孔徑，去往接收機(jī)的第一級(jí)。使用雙反射器天線發(fā)送信號(hào)時(shí)，信號(hào)傳播從發(fā)射機(jī)系統(tǒng)的最后級(jí)經(jīng)由波導(dǎo)到饋入孔、副反射器和主反射器到自由空間。
[0005]典型情況下，反射器天線的電氣性能以其增益、輻射圖包絡(luò)、交叉極化和回波損耗性能為特征一一高效的增益、輻射圖包絡(luò)和交叉極化特征是高效微波鏈規(guī)劃和協(xié)調(diào)的根本，而良好的回波損耗對(duì)高效無(wú)線電操作必不可少。
[0006]具有窄輻射圖包絡(luò)的反射器天線實(shí)現(xiàn)了在公共支持結(jié)構(gòu)比如無(wú)線電塔上分離反射器天線的更高密度安裝，而在分開的點(diǎn)到點(diǎn)通信鏈接之間不產(chǎn)生RF干擾。窄輻射圖包絡(luò)的通信鏈接還提供了實(shí)現(xiàn)無(wú)線電頻譜分配在同一位置被重復(fù)地再使用的優(yōu)點(diǎn)，從而增加了給定信道數(shù)量的可用鏈接數(shù)量。
[0007]例如由ETSI提供了天線的輻射圖包絡(luò)(RPE)的業(yè)內(nèi)接受的標(biāo)準(zhǔn)度量。ETSI提供了四個(gè)RPE類別，被指定為I類至4類，其中4類的規(guī)格最嚴(yán)格。ETSI4類RPE規(guī)格要求在ETSI3類RPE規(guī)格之上進(jìn)行重大改進(jìn)。正如圖1a和圖1b所示，ETSI4類RPE要求在ETSI3類RPE要求之上的旁瓣水平中大約10-12dB的改進(jìn)，在不使用附加頻譜的情況下使能夠被分配的鏈接數(shù)量引起35-40%的增加。
[0008]以前，滿足ETSI4類規(guī)格的反射器天線一直是Gregorian偏離雙反射器天線類型的反射器天線，例如，如圖1c所示，偏離雙配置把副反射器15整體地放置在從主反射器50到自由空間的信號(hào)路徑之外，這需要大范圍的附加結(jié)構(gòu)以對(duì)準(zhǔn)以及/或者完全封閉大的光系統(tǒng)。另外，由于偏離雙配置的非對(duì)稱性質(zhì)，所以需要提高制造和/或裝配的精度等級(jí)以避免引入交叉極化鑒別干擾。這些附加結(jié)構(gòu)和/或路徑對(duì)準(zhǔn)調(diào)諧需求顯著增加了最終天線組成的整體尺寸和復(fù)雜度，從而增加了制造、安裝和運(yùn)行維護(hù)成本。
[0009]深盤式反射器是使得反射器焦距(F)與反射器直徑(D)的比值小于或等于0.25的盤式反射器(與在更常規(guī)的“扁平”盤式設(shè)計(jì)中典型情況下發(fā)現(xiàn)的0.35的F/D相反)。被配置為與深盤式反射器一起使用的電介質(zhì)錐形饋管副反射器的實(shí)例公開在2005年7月19日授予 Hills 的標(biāo)題為 “Tuned Perturbation Cone Feed for Reflector Antenna” 的共同擁有的美國(guó)專利6,919,855 (US6919855)中，其全部?jī)?nèi)容在此引用作為參考。US6919855采用的電介質(zhì)塊錐形饋管具有副反射器表面和前導(dǎo)錐形表面，具有圍繞電介質(zhì)塊縱軸的同心的多個(gè)向下成角的非周期擾動(dòng)。錐形饋管和副反射器直徑在可能時(shí)被最小化，以防止從反射器盤到自由空間的信號(hào)路徑受到阻塞。盡管在先前設(shè)計(jì)上進(jìn)行了顯著的改進(jìn)，但是在這樣的配置具有的信號(hào)圖中，副反射器邊緣和饋管末梢邊緣把一部分信號(hào)廣泛地輻射到橫跨反射器盤表面，包括鄰近反射器盤周邊的區(qū)域和/或副反射器的陰影區(qū)域，此處可能產(chǎn)生饋管和/或副反射器的次級(jí)反射，惡化了電氣性能。另外，在電介質(zhì)塊中的多個(gè)成角特征和/或臺(tái)階需要復(fù)雜的制造過程，它提高了整體制造成本。
[0010]深盤式反射器盤(沿著瞄準(zhǔn)線軸)延伸了最終反射器天線的長(zhǎng)度，使反射器盤的遠(yuǎn)端傾向于用作柱面屏蔽件。所以，盡管在非深盤式反射器天線中常見，但是常規(guī)的深盤式反射器天線配置比如US6919855典型情況下不采用分開的前伸柱面屏蔽件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]所以，本發(fā)明的目的是提供簡(jiǎn)化的反射器天線裝置，它克服了現(xiàn)有技術(shù)的限制，并且在如此做時(shí)呈現(xiàn)的解決方案實(shí)現(xiàn)了自支持的副反射器前饋的反射器天線，在典型的微波通信鏈接使用的整個(gè)運(yùn)行頻帶上滿足了最嚴(yán)格的輻射圖包絡(luò)電氣性能。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0012]在本說(shuō)明書中加入并構(gòu)成其一部分的附圖，展示了本發(fā)明的若干實(shí)施例，附圖中相同的附圖標(biāo)記指相同的特征或元件并對(duì)于它們出現(xiàn)的每幅圖可能不詳細(xì)說(shuō)明，并且連同上面給出的本發(fā)明的一般說(shuō)明和下面給出的實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明，用于講解本發(fā)明的原理。
[0013]圖1a是示意圖，演示了 ETSI3類與ETSI4類共同極化輻射圖包絡(luò)需求之間的差
巳
升；
[0014]圖1b是示意圖，演示了 ETSI3類與ETSI4類交叉極化輻射圖包絡(luò)需求之間的差
巳
升；
[0015]圖1c是典型的現(xiàn)有技術(shù)Gregorian偏離雙反射器類型反射器天線的信號(hào)路徑示意圖；
[0016]圖2a是示范副反射器總成的示意側(cè)視剖面圖；
[0017]圖2b是以分開的金屬盤類型的副反射器演示的圖2a的副反射器總成的分解的示意側(cè)視剖面圖；
[0018]圖3是在0.167F/D深盤式反射器內(nèi)安裝的圖2b的副反射器總成的示意側(cè)視剖面圖；
[0019]圖4是現(xiàn)有技術(shù)的電介質(zhì)錐形副反射器總成的示意側(cè)視剖面圖；
[0020]圖5是對(duì)于以22.4GHz運(yùn)行的圖2a和圖2b的副反射器總成的E和H平面的主輻射振幅圖的模擬對(duì)比圖；
[0021]圖6是對(duì)于在根據(jù)圖10的0.167F/D盤式反射器內(nèi)安裝的圖2a的副反射器總成與ETSI4類RPE和US6919855相比的E平面的輻射圖范圍數(shù)據(jù)對(duì)比圖；[0022]圖7是對(duì)于在根據(jù)圖10的0.167F/D盤式反射器內(nèi)安裝的圖2a的副反射器總成與ETSI4類RPE和US6919855相比的H平面的輻射圖范圍數(shù)據(jù)對(duì)比圖；
[0023]圖8是對(duì)于圖4的副反射器總成的E (上半部)和H (下半部)平面主能量場(chǎng)分布模型；
[0024]圖9是對(duì)于圖2a的副反射器總成的E (上半部)和H (下半部)平面主能量場(chǎng)分布模型；
[0025]圖10是帶有柱面屏蔽件的示范反射器天線的示意等距視圖；
[0026]圖11是圖10的反射器天線的示意分解剖面圖；
[0027]圖12是圖10的反射器天線的示意剖面圖；
[0028]圖13是帶有向外逐漸變細(xì)的柱面屏蔽件的示范反射器天線的示意剖面圖；
[0029]圖14是帶有5°向內(nèi)逐漸變細(xì)的柱面屏蔽件的示范反射器天線的示意等距視圖；
[0030]圖15是圖14的反射器天線的示意分解剖面圖；
[0031]圖16是圖14的反射器天線的示意剖面圖；
[0032]圖17是圖16的區(qū)域A的特寫圖；
[0033]圖18是帶有10°向內(nèi)逐漸變細(xì)的柱面屏蔽件的示范反射器天線的示意剖面圖；
[0034]圖19是圖18的區(qū)域B的特寫圖；
[0035]圖20是關(guān)于頻率和應(yīng)用到柱面屏蔽件的錐角所算出的天線效率的數(shù)據(jù)圖；
[0036]圖21是對(duì)于在根據(jù)圖10帶有柱面屏蔽件的0.167F/D盤式反射器內(nèi)安裝的圖2a的副反射器總成與帶有5°向內(nèi)逐漸變細(xì)的柱面屏蔽件的相同天線總成和ETSI4類RPE相比的H平面的輻射圖范圍數(shù)據(jù)對(duì)比圖。
【具體實(shí)施方式】
[0037]本發(fā)明人已經(jīng)認(rèn)識(shí)到，從尺寸為把信號(hào)能量集中在深盤式反射器盤的中壁區(qū)的電介質(zhì)錐形副反射器總成獲得的對(duì)主輻射圖控制的改進(jìn)與反射器周邊的改進(jìn)的屏蔽件配對(duì)，實(shí)現(xiàn)了有成本效益的自支持的副反射器前饋型反射器天線，以滿足極窄輻射圖包絡(luò)的電氣性能規(guī)格，比如ETSI4類RPE。
[0038]正如圖2a、2b和3所示，錐形輻射體副反射器總成I被配置為在支撐著副反射器的遠(yuǎn)端20的單體電介質(zhì)塊10的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位5與饋管波導(dǎo)3的端部相連。副反射器總成I采用了擴(kuò)大的副反射器直徑以減少副反射器的溢出。副反射器15的尺寸可以為，例如，期望運(yùn)行頻率比如期望微波頻帶的中間頻率的2.5倍波長(zhǎng)或更長(zhǎng)的直徑。示范實(shí)施例的尺寸為39.34毫米的外徑和26.08毫米的最小電介質(zhì)輻射體部分直徑，在22.4GHz微波帶中的期望運(yùn)行頻率處它分別對(duì)應(yīng)于2.94和1.95倍波長(zhǎng)。
[0039]位于電介質(zhì)塊10的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位5與副反射器支持部位30之間的電介質(zhì)輻射體部位25也增大了尺寸。電介質(zhì)輻射體部位25的尺寸可以為例如副反射器直徑至少3/5的最小直徑。被放大的電介質(zhì)輻射體部位25用于把信號(hào)能量從波導(dǎo)3的端部向外拉出，從而使在例如圖4所示的常規(guī)電介質(zhì)錐形副反射器配置中觀察到的這個(gè)區(qū)域的衍射最小。常規(guī)的電介質(zhì)維形具有28暈米的外徑和在11.2暈米“福射體區(qū)”中的最小直徑，在22.4GHz微波帶中的期望運(yùn)行頻率處它分別對(duì)應(yīng)于對(duì)應(yīng)2.09和0.84倍波長(zhǎng)。
[0040]沿著電介質(zhì)福射體部位的外徑提供了多道溝紋作為縮徑槽(radical inwardgroove)350在本實(shí)施例中，這多道槽是兩道槽35 (見圖2a和2b)。電介質(zhì)輻射體部位25的遠(yuǎn)端槽40可以提供為成角的遠(yuǎn)端側(cè)壁45，它開啟了副反射器支持部位30。遠(yuǎn)端側(cè)壁45可以與遠(yuǎn)端20的縱向鄰近部位基本平行；也就是，遠(yuǎn)端側(cè)壁45可以形成錐形表面，與支持副反射器15的遠(yuǎn)端20的縱向鄰近的錐形表面平行，以便使沿著這個(gè)表面的電介質(zhì)厚度關(guān)于副反射器15不變。
[0041]副反射器總成I的波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位5可以適于匹配所期望圓形波導(dǎo)的內(nèi)徑，使得副反射器總成I可以被裝入和保留在波導(dǎo)3中，它支持反射器天線的盤式反射器50內(nèi)的副反射器總成I接近盤式反射器50的焦點(diǎn)，例如圖3所示。波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位5可以插入波導(dǎo)3中，直到波導(dǎo)的端部毗鄰波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位5的肩部55。
[0042]肩部55的尺寸可以為把電介質(zhì)輻射體部位25從波導(dǎo)的端部隔開以及/或者進(jìn)一步定位遠(yuǎn)端20的周邊(副反射器信號(hào)表面離波導(dǎo)端部的最遠(yuǎn)縱向距離)為所期望運(yùn)行頻率的至少0.75倍波長(zhǎng)。示范實(shí)施例的尺寸為14.48毫米的縱向長(zhǎng)度，在22.4GHz微波帶中的期望運(yùn)行頻率處它對(duì)應(yīng)于1.08倍波長(zhǎng)。為了對(duì)比，圖3中常規(guī)的電介質(zhì)錐形的尺寸為8.83毫米縱向長(zhǎng)度即以相同的期望運(yùn)行頻率的0.66倍波長(zhǎng)。
[0043]在波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位5的近端65的一個(gè)或多個(gè)臺(tái)階60以及/或者一個(gè)或多道槽可以用于波導(dǎo)3與電介質(zhì)塊10的電介質(zhì)材料之間的阻抗匹配目的。
[0044]副反射器15被展示為具有接近錐形表面70，它平移到遠(yuǎn)錐形表面75，關(guān)于副反射器總成I的縱軸，遠(yuǎn)錐形表面75配備的角低于接近錐形表面70的角。
[0045]正如圖2a中最好的顯示，通過把金屬沉積、膜、薄片或其他RF反射涂層施加到電介質(zhì)塊10的遠(yuǎn)端，可以形成副反射器15。作為替代，正如圖2b和圖3所示，可以分開地形成副反射器15,例如作為金屬盤80,它坐落在電介質(zhì)塊10的遠(yuǎn)端上。
[0046]以例如圖10所示的0.167F/D盤式反射器50和屏蔽件90應(yīng)用時(shí)，副反射器總成I能夠提供令人吃驚的信號(hào)圖改進(jìn)，尤其是在20度與60度之間的區(qū)域中。例如圖6和圖7所示，在20度至60度區(qū)域中，在E和H平面中的輻射都被顯著降低了。
[0047]圖8演示了常規(guī)副反射器總成的輻射能量圖仿真的時(shí)間切片，顯示了輻射圖朝向盤式反射器表面的寬角分布，尤其是波導(dǎo)端部的衍射效應(yīng)，沿著瞄準(zhǔn)線把信號(hào)能量拉回，它使得對(duì)副反射器直徑的限制成為必要，以防止顯著的信號(hào)阻塞和/或引入使電氣性能降低的次級(jí)反射/干擾。
[0048]相反，圖9顯示了示范受控照度錐形輻射器副反射器總成I的輻射能量圖仿真，演示了由副反射器總成I控制的盤式反射器50的照度，此時(shí)輻射圖被指引到主要朝向盤式反射器50的中部區(qū)域，它與副反射器陰影區(qū)和盤式反射器50的周邊都隔開。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，通過應(yīng)用深盤型盤式反射器50，輻射圖大部分投往向外擴(kuò)大的角。而不是向下朝向副反射器總成I遮掩的區(qū)域，允許輻射圖沖擊盤式反射器50的中間部分，而不要求盤式反射器50的直徑大到無(wú)法接受。不過，隨著F/D比值下降，盤式反射器50的中間部分變得越來(lái)越窄，開始無(wú)法接受地限制天線的整體增益。本文示范實(shí)施例中演示的F/D比值是
0.167。
[0049]在沿著單體電介質(zhì)塊的外徑形成的肩部55、臺(tái)階60和槽35每一個(gè)都縮徑地提供時(shí)，可以簡(jiǎn)化電介質(zhì)塊的制作，降低整體制作成本。使遠(yuǎn)端表面的周邊垂直于總成的縱軸提供了已備的制作參考表面85，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了電介質(zhì)塊10的制作過程，例如通過機(jī)器加工和/或注模。[0050]通過對(duì)盤式反射器50的周邊應(yīng)用附加的屏蔽件和/或輻射吸收材料，以與最終天線效率折衷的方案，可以獲得輻射圖關(guān)于瞄準(zhǔn)線和/或副反射器溢出區(qū)的進(jìn)一步校正。范圍測(cè)量結(jié)果已經(jīng)展示出，柱面屏蔽件的符合ETSI4類的反射器天線的天線效率改進(jìn)(主焦點(diǎn))超過US6919855ETSI3類類型反射器天線配置的6_14%，取決于運(yùn)行頻率。
[0051]正如圖10-12所示，屏蔽件可以應(yīng)用為連接到盤式反射器50周邊的一般柱面屏蔽件90。RF吸收材料95可以連接到屏蔽件90的內(nèi)徑。可以關(guān)于盤式反射器50的F/D和輻射圖，與最終反射器天線總長(zhǎng)度折衷地選擇屏蔽件的長(zhǎng)度。對(duì)于較小的F/D反射器，由于饋送位置所以可能要求較短的縱向長(zhǎng)度。對(duì)于2英尺和4英尺直徑的0.167F/D的盤式反射器50，盤式反射器聚焦點(diǎn)與盤式反射器周邊之間的對(duì)向角在40° -50°的范圍內(nèi)。同時(shí)，根據(jù)從選定的副反射器總成I的配置產(chǎn)生的來(lái)自主輻射圖的不希望的溢出能量的等級(jí)，選擇屏蔽件長(zhǎng)度。保留這種準(zhǔn)則，對(duì)于2英尺和4英尺的實(shí)例，例如可以選擇屏蔽件長(zhǎng)度為盤式反射器50焦距的2到3倍。作為替代，屏蔽件90可以應(yīng)用向外的逐漸變細(xì)，例如圖13所
/Jn ο
[0052]如圖14-19所示，在輻射圖達(dá)到所期望輻射圖包絡(luò)的所關(guān)注區(qū)域與輻射圖明顯低于所要求輻射圖包絡(luò)的區(qū)域之間的輻射圖折衷方案中，進(jìn)一步調(diào)整輻射圖的方式可以為應(yīng)用縮徑的逐漸變細(xì)，以便使屏蔽件10變?yōu)橹饾u地錐形，例如以關(guān)于反射器天線的縱軸大于零并最大到10度的角(見圖18和圖19)。
[0053]屏蔽件10的向內(nèi)逐漸變細(xì)的最大角度可以選擇在屏蔽件10的縮小的遠(yuǎn)端直徑開始阻塞信號(hào)，從而無(wú)法接受地降低天線的整體增益的點(diǎn)。例如，圖20顯示了對(duì)比2英尺直徑18GHz天線的多個(gè)屏蔽件幾何形態(tài)(直的柱狀屏蔽件，5°向內(nèi)逐漸變細(xì)和10°向內(nèi)逐漸變細(xì))算出的效率(％)。平均來(lái)說(shuō)，與直線屏蔽件的2英尺18GHz的天線相比，具有10°向內(nèi)逐漸變細(xì)屏蔽件的2英尺直徑18GHz天線存在著7%的效率下降。按照輻射圖改進(jìn)和天線效率，大約5°的向內(nèi)逐漸變細(xì)屏蔽件可以提供天線性能的平衡，正如圖21所演示，其中當(dāng)運(yùn)行頻率是18.7GHz時(shí)在水平平面中獲得了 30-50°區(qū)域中的信號(hào)圖改進(jìn)，而沒有無(wú)法接受地影響其他受關(guān)注角。
[0054]綜上所述，顯而易見，本發(fā)明給本領(lǐng)域帶來(lái)的反射器天線可以帶有改進(jìn)的電氣性能和/或顯著的制造成本效益。因?yàn)榍梆佔(zhàn)灾С指狈瓷淦骺偝煞瓷淦魈炀€具有軸對(duì)稱的天線結(jié)構(gòu)，所以可以完全避免偏離雙反射器天線結(jié)構(gòu)的成本和復(fù)雜性。根據(jù)本發(fā)明的反射器天線可以堅(jiān)固而輕便，并且可以用非常高的精度等級(jí)重復(fù)地高性價(jià)比地制作。
[0055]部件表
[0056]
? j副反射器總成
3
5 波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位
10 電介質(zhì)塊
【權(quán)利要求】
1.一種前饋反射器天線，包括: 盤式反射器，反射器焦距與反射器直徑的比值小于0.25 ； 波導(dǎo)，連接到所述盤式反射器的近端，沿著縱軸突出到所述盤式反射器中； 電介質(zhì)塊，連接到所述波導(dǎo)的遠(yuǎn)端； 副反射器，連接到所述電介質(zhì)塊的遠(yuǎn)端；以及 一般柱面屏蔽件，連接到所述盤式反射器的周邊； 所述副反射器直徑尺寸為期望運(yùn)行頻率的2.5倍波長(zhǎng)或更多。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的天線，其中，所述波導(dǎo)的所述遠(yuǎn)端與所述副反射器周邊的所述遠(yuǎn)端之間的縱向距離為期望運(yùn)行頻率的至少0.75倍波長(zhǎng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的天線，其中，所述電介質(zhì)塊是單體電介質(zhì)塊，配備了波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位、電介質(zhì)輻射體部位和副反射器支持部位； 所述電介質(zhì)塊在所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位連接到所述波導(dǎo)； 所述電介質(zhì)輻射體部位位于所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位與所述副反射器支持部位之間；所述電介質(zhì)輻射體部位的外徑配備了多道縮徑槽；所述電介質(zhì)輻射體部位的最小直徑大于所述副反射器直徑的3/5。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的天線，其中，所述多道槽是兩道槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的天線，其中，所述多道槽的底部寬度朝向所述遠(yuǎn)端減小。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的天線，其中，所述副反射器支持部位從所述電介質(zhì)輻射體部位的遠(yuǎn)端槽延伸為所述遠(yuǎn)端槽的成角遠(yuǎn)端側(cè)壁。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的天線，其中，所述成角遠(yuǎn)端側(cè)壁基本平行于所述遠(yuǎn)端的縱向鄰近部位。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的天線，其中，所述電介質(zhì)塊的所述遠(yuǎn)端配備了轉(zhuǎn)變到遠(yuǎn)錐形表面的近錐形表面；所述遠(yuǎn)錐形表面配備的關(guān)于縱軸的角小于所述近錐形表面的角。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的天線，其中，所述副反射器支持部位從所述電介質(zhì)輻射體部位的遠(yuǎn)端槽延伸為所述遠(yuǎn)端槽的成角遠(yuǎn)端側(cè)壁；所述成角遠(yuǎn)端側(cè)壁基本平行于所述遠(yuǎn)錐形表面。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的天線，其中，所述屏蔽件是向內(nèi)逐漸變細(xì)的。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的天線，其中，所述一般柱面屏蔽件是錐形的并是以關(guān)于所述縱軸大于零并最大到10度的角向內(nèi)逐漸變細(xì)的。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的天線，其中，所述柱面屏蔽件的內(nèi)徑配備了RF吸收材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的天線，其中，所述屏蔽件的長(zhǎng)度是所述盤式反射器50的所述反射器焦距與反射器直徑比值的2到3倍。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的天線，其中，所述副反射器是在所述電介質(zhì)塊的所述遠(yuǎn)端上的金屬涂層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1的天線，其中，所述一般柱面屏蔽件是錐形的并是以關(guān)于所述縱軸5度的角向內(nèi)逐漸變細(xì)的。
16.根據(jù)權(quán)利要求1的天線，其中，所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位的尺寸用于插入到所述波導(dǎo)的端部直到所述波導(dǎo)的所述端部毗鄰所述波導(dǎo)轉(zhuǎn)換部位的肩部。
17.根據(jù)權(quán)利要求1的天線，其中，所述反射器焦距與反射器直徑的比值是0.167或更小。
18.—種制造前饋反射器天線的方法，包括以下步驟: 把波導(dǎo)連接到盤式反射器的近端，所述盤式反射器的尺寸使反射器焦距與反射器直徑比值小于0.25 ； 把電介質(zhì)塊連接到所述波導(dǎo)的遠(yuǎn)端，直徑尺寸為期望運(yùn)行頻率的2.5倍波長(zhǎng)或更多的副反射器被連接到所述電介質(zhì)塊的遠(yuǎn)端；以及 把一般柱面屏蔽件連接到所述盤式反射器的周邊。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中，所述波導(dǎo)的遠(yuǎn)端與所述副反射器周邊的所述電介質(zhì)塊的遠(yuǎn)端之間的縱向距離為期望運(yùn)行頻率的至少0.75倍波長(zhǎng)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，其中，所述屏蔽件是錐形的，以關(guān)于所述反射器天線的縱軸大于零并最大 到10度錐形向內(nèi)逐漸變細(xì)的。
【文檔編號(hào)】H01Q15/16GK103548204SQ201280024187
【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2012年6月11日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月1日
【發(fā)明者】S·希姆斯, R·布蘭朵, J·薩伊德, D·J·科爾, C·希爾斯 申請(qǐng)人:安德魯有限責(zé)任公司