混雜雙極性tft的制作方法【專利摘要】本發(fā)明尤其涉及包含具有n型和p型半導(dǎo)體材料的層的電子器件，優(yōu)選為薄膜晶體管（TFT），其中p型層包含至少一種有機(jī)空穴傳輸材料。此外，本發(fā)明涉及根據(jù)本發(fā)明的電子器件在選自RFID和顯示器、電子書和電子紙的背板的電子設(shè)備中的用途，以及包括根據(jù)本發(fā)明的電子器件的電子設(shè)備?！緦＠f明】混雜雙極性TFT[0001]本發(fā)明涉及電子器件，優(yōu)選為混雜雙極性薄膜晶體管(TFT)，其包括設(shè)置在基板(5)上的半導(dǎo)體主體、第一電極(4)、插在半導(dǎo)體主體和第一電極之間的絕緣層A(6)、與半導(dǎo)體主體接觸的第二電極(3)以及與半導(dǎo)體主體接觸但與第二電極(3)分開的第三電極(7)的，所述半導(dǎo)體主體包含η型層((I)或(2))和包含有機(jī)ρ型材料的P型層((2)或(I))。根據(jù)本發(fā)明的電子器件的特征在于半導(dǎo)體主體還包括插在η型層和ρ型材料層之間的絕緣層B(8)，和/或在于η型層包含無機(jī)η型材料且ρ型層包含具有能量水平高于_2.7eV的最低未占分子軌道(LUMO)的有機(jī)ρ型材料。此外，本發(fā)明涉及制造根據(jù)本發(fā)明的電子器件的方法，其中有機(jī)P型材料層由溶液涂覆。本發(fā)明的另一實(shí)施方案為根據(jù)本發(fā)明的電子器件在選自RFID(射頻識別)和顯示器(如IXD(液晶顯示器)、0LED、電子書和電子紙)的背板的電子設(shè)備中的用途，包括根據(jù)本發(fā)明的電子器件的電子設(shè)備。[0002]自過去十年來，印刷電子學(xué)如有機(jī)光伏電池(0PV)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和有機(jī)薄膜晶體管(TFT)已經(jīng)引起了很多關(guān)注，原因在于它們可以通過印刷技術(shù)生產(chǎn)，這顯著地降低了大規(guī)模生產(chǎn)的成本。經(jīng)印刷的TFT具有特別的經(jīng)濟(jì)利益，因?yàn)樗鼈兡軌蛴迷陲@示器中，RFID(射頻識別器件)中，用于顯示器應(yīng)用、電子書和電子紙的背板中。[0003]在TFT中，雙極性TFT是引人注目的，因?yàn)椴煌趩螛O性TFT，它們獨(dú)立于柵電壓信號工作(Meijer,E.J.;deLeeuw,D.Μ.;Setayesh,S.;vanVeenendaal,E.;Huisman,B._H.;BlomjP.W.M.;HummelenjJ.C.;ScherfjU.;KlapwijkjT.M.Solution-processedambipolarorganicfield-effecttransistorsandinverters(NatMater2003，2(10)，678-682)。當(dāng)用在互補(bǔ)電路中時(shí)，該本質(zhì)特性可以I)通過減少控制線的數(shù)量和使電路能夠進(jìn)行多功能操作來簡化電路設(shè)計(jì)，以及2)減小顯示器中TFT的面積，由此增大顯示器的口徑。例如，取決于輸入信號的極性，起邏輯門作用的單一信號電路可以相應(yīng)地像兩個(gè)邏輯門(即NOR和NAND)那樣工作(Yu，W.J.;Kim,U.J.;Kang,B.R.;Lee,1.H.;Lee,E.H.;Lee,Y.H.AdaptiveLogicCircuitswithDoping-FreeAmbipolarCarbonNanotubeTransistors.NanoLetterdOOl9(4)，1401-1405)。到目前為止，已經(jīng)開發(fā)了不同的方法來實(shí)現(xiàn)雙極性TFT:[0004](I)在第一方法中，使用了能夠傳輸空穴和電子的整潔的半導(dǎo)體單M(Anthopoulos,T.D.;Setayesh,S.;Smits,E.;ColIejM.;CantatorejE.;deBoerjB.;Blom,P.W.M.;deLeeuwjD.M.Air-stablecomplementary-likecircuitsbasedonorganicambipolartransistors.Adv.Mater.(Weinheim，Ger.)18[14]，1900-1904，2006)；[0005](2)在第二方法中，使用p和n型半導(dǎo)體的共混物(Zaumsei1，J.;SirringhausjH.ElectronandAmbipolarTransportinOrganicField-EffectTransistors.ChemicalReviews2007,107(4)，1296-1323);或者[0006](3)在第三方法中，使用了兩個(gè)垂直堆疊的半導(dǎo)體雙層(Zaumseil,J.;SirringhausjH.ElectronandAmbipolarTransportinOrganicField-EffectTransistors,ChemicalReviews2007,107(4)，1296-1323;Dhananjay;0u，C.W.;Yang,C.Y.;WujM.C.;ChujC.W.Ambipolartransportbehaviorinln203/pentacenehybridheterostructureandtheircomplementarycircuits,AppliedPhysicsLetters2008,93(3),033306-1-033306/3;PaI,B.N.;TrottmanjP.;Sun,J.;Katz,H.E.Solution-depositedzincoxideandzincoxide/pentacenebilayertransistors:highmobilityn—channel，ambipolar,andnonvolatiledevices.Adv.Funct.Mater.2008，18(12)，1832-1839;Nakanotani，H.;YahirojM.;AdachijC.;YanojK.Ambipolarfield-effecttransistorbasedonorganic-1norganichybridstructure.AppliedPhysicsLetters2007，90(26)，262104)。[0007]然而，與它們的單極性對應(yīng)體相比，由于電荷注入不平衡，或由于在共混層和雙層中都存在p-n異質(zhì)結(jié)而引起的不良影響，因此所有那些雙極性TFT都表現(xiàn)出低性能。[0008]還熟知的是存在大量穩(wěn)定的無機(jī)η型材料(例如ZnO和In2O3),以及許多穩(wěn)定的P型有機(jī)材料，例如三芳基胺衍生物。自幾十年以來，兩者都被獨(dú)立地包含在靜電復(fù)印系統(tǒng)中。因此，非常希望利用兩種系統(tǒng)的優(yōu)勢。到目前為止，已經(jīng)開發(fā)了幾類混合雙極性TFT。[0009]Dhananjay等報(bào)道了包含In2O3/并五苯的混雜雙極性TFT(Dhananjay;0u,C.ff.;Yang,C.Y.;ffu,M.C.;Chu,C.ff.Ambipolartransportbehaviorinln203/pentacenehybridheterostructureandtheircomplementarycircuits.AppliedPhysicsLetters2008,93(3)，033306-1-033306/3)，其中In2O3和并五苯層都被蒸發(fā)并且In2O3層在750°C下經(jīng)熱處理，其不適合于柔性基板。[0010]Pal等報(bào)道了氧化鋅/并五苯雙層雙極性晶體管，其中ZnO層是通過在500°C下加熱乙酸鋅前體[Zn(OAc)2]15分鐘獲得的，鑒于通常用作柔性基板的有機(jī)聚合的基板的分解溫度，其也不適合于柔性基板。[0011]Adachi小組公開了基于氧化銦鋅/并五苯的相似的混雜雙極性TFT。[0012]所有這些雙極性TFT使用并五苯衍生物作為ρ-型材料，并顯示出相當(dāng)?shù)偷拈_/關(guān)率。在理想的情況下，P溝道不能獲得和傳輸電子，而η溝道不能獲得和傳輸空穴。并五苯衍生物雖是典型的P型材料，但具有相當(dāng)?shù)偷腖UM0，如例如Kim等所顯不的(Kim，C.;Huang,P.Y.;Jhuang,J.ff.;Chen,M.C.;Ho,J.C.;Hu,T.S.;Yan,J.Y.;Chen,L.H.;Lee,G.H.;Facchetti,A.;Marks,T.J.Novelsolublepentaceneandanthradithiophenederivativesfororganicthin-filmtransistors.0rganicElectronics2010,11(8)，1363-1375)，其使得電子被注入p溝道成為可能。[0013]因此，本發(fā)明的目的是提供電子器件，特別是雙極性TFT，其利用混合雙極性器件的優(yōu)勢并能顯示出比本領(lǐng)域已知的混雜雙極性器件更高的開/關(guān)率。[0014]本發(fā)明的發(fā)明人已經(jīng)驚奇地發(fā)現(xiàn)，前文提及的目的可以通過使用具有高最低未占分子軌道(LUMO)的ρ型材料或通過在η型層和ρ型層之間使用絕緣層來實(shí)現(xiàn)。在第一種情況下，所謂的η型層的η溝道不會或較少被可能的電子傳輸進(jìn)入所謂的ρ型層的ρ溝道而影響。在第二種情況下，分離用絕緣層將η和ρ溝道進(jìn)行物理分離，從而給出了單獨(dú)地使P溝道最優(yōu)化并減少電子漏入P溝道的可能性。兩種實(shí)施方案都獲得具有改善的開/關(guān)率的電子器件。[0015]本發(fā)明提供了包括設(shè)置在基板(5)上的電子器件:[0016](a)包括η型層(1，2)和ρ型層(1，2)的半導(dǎo)體主體，其中層(I)或(2)之一為η型層，另一個(gè)為P型層，并且其中所述P型層包含至少一種有機(jī)空穴傳輸材料(HTM)；[0017](b)第一電極(4);[0018](C)插入半導(dǎo)體主體與第一電極之間的絕緣層A(6)；[0019](d)與半導(dǎo)體主體接觸的第二電極(3);以及[0020](e)與半導(dǎo)體主體接觸但與第二電極分開的第三電極(7)。[0021]在本發(fā)明的第一實(shí)施方案中，η型層包含無機(jī)η型半導(dǎo)體材料，而P型層包含具有高于-2.7eV,優(yōu)選高于-2.6eV且更優(yōu)選高于_2.5eV的LUMO的有機(jī)p型材料。[0022]在此，術(shù)語如“高于……的LUM0”在本文應(yīng)被理解為絕對能量差的含義，而不是距真空水平的距離。因此，例如-2.2eV的LUMO水平被認(rèn)為是比-2.7eV的LUMO水平高。[0023]在本申請的上下文中，傳導(dǎo)帶(conductband)具有與LUMO相同的含義,而前者優(yōu)選用于無機(jī)半導(dǎo)體，后者優(yōu)選用于有機(jī)材料；價(jià)帶具有與HOMO(最高占據(jù)分子軌道)相同的含義，而前者優(yōu)選用于無機(jī)半導(dǎo)體，后者優(yōu)選用于有機(jī)材料。無論如何，傳導(dǎo)帶還可以被用于描述LUMO水平并且價(jià)帶還可以被用于描述HOMO水平。[0024]在本發(fā)明的第二實(shí)施方案中，根據(jù)本發(fā)明的電子器件的半導(dǎo)體主體還包含插入η型層和P型層之間的絕緣層B(S)0[0025]本發(fā)明的另外的實(shí)施方案的特征在于將第一和第二實(shí)施方案結(jié)合在一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的電子器件中。[0026]此外，除非另外指出，本發(fā)明所有優(yōu)選的實(shí)施方案均參考第一和第二實(shí)施方案或其組合。[0027]優(yōu)選地，本發(fā)明的半導(dǎo)體主體為包含至少兩層的主體，即有機(jī)P型層和η型層。在本發(fā)明的第一實(shí)施方案中，優(yōu)選的是半導(dǎo)體主體由有機(jī)P型層和η型層組成。在第二實(shí)施方案中，半導(dǎo)體主體還包含絕緣層B(8);甚至更優(yōu)選的是半導(dǎo)體主體由有機(jī)P型層、η型層和絕緣層B(8)組成。[0028]在本文描述的實(shí)施方案中，基板可以是剛性的或柔性的。它可以是透明的、半透明的、不透明的或反射的。使用的材料可以是玻璃、塑料、陶瓷或金屬箔，其中塑料和金屬箔優(yōu)選用于柔性基板。然而，半導(dǎo)體材料(例如硅晶片)或印刷電路板(PCB)材料也可以使用以簡化導(dǎo)電帶的形成。也可以使用其它基板。[0029]使用的玻璃可以是例如鈉鈣玻璃、含Ba或Sr的玻璃、鉛玻璃、鋁硅酸鹽玻璃、硼硅酸鹽玻璃、鋇硼硅酸鹽玻璃或石英。[0030]基板優(yōu)選為柔性基板，這意味它可以彎曲至一定程度而不破壞基板?；鍍?yōu)選為透明材料制成的薄膜形式。適合的基板優(yōu)選選自基于聚合物或塑料的膜或箔。聚合物或塑料的選擇標(biāo)準(zhǔn)為I)衛(wèi)生性能和2)玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。聚合物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)可以在普通的手冊，例如在“PolymerHandbook”,Eds.J.Brandrup,E.H.1mmergut,andE.A.Grulke,Johnffilley&Sons,Inc.，1999，VI/193-VI/276”中找到。優(yōu)選地，聚合物的Tg在100°C以上，非常優(yōu)選在150°C以上，特別是在180°C以上。非常優(yōu)選的基板為例如聚(對苯二甲酸乙二酯)(PET)和聚(2，6-萘二甲酸乙二酯)(PEN)。[0031]透明膜的另外的實(shí)例為，但不限于聚乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-乙烯醇共聚物、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、PVC、聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛、尼龍、聚醚醚酮、聚砜、聚醚砜、四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚物、聚氟乙烯、四氟乙烯-乙烯共聚物、四氟乙烯六氟丙烯共聚物、聚氯三氟乙烯、聚偏氟乙烯、聚酯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚酰亞胺或聚醚酰亞胺。[0032]根據(jù)本發(fā)明的第一和第二實(shí)施方案的電子器件可以是所謂的底柵器件或所謂的頂柵器件。[0033]在底柵器件中，第一電極(4)優(yōu)選以層形式直接位于的基板(5)上。然后優(yōu)選地，絕緣層A(6)位于第一電極層(4)上。然后優(yōu)選地，半導(dǎo)體主體((1)、(2))位于絕緣層A(6)上。第二(3)和第三電極(7)優(yōu)選位于半導(dǎo)體主體((I)、(2))的兩個(gè)不同側(cè)面上。圖1和3中顯示了這樣的底柵器件。[0034]在頂柵器件中，半導(dǎo)體主體((I)、(2))優(yōu)選位于基板(5)上。然后優(yōu)選地，絕緣層A(6)位于半導(dǎo)體主體((1)、(2))上。然后優(yōu)選地，層形式的第一電極(4)位于該絕緣層上。第二(3)和第三(7)電極優(yōu)選位于半導(dǎo)體主體((I)、(2))的兩個(gè)另外相對的外側(cè)面上。圖2和4中顯示了這樣的頂柵器件。[0035]η型層是能夠傳輸電子的層。η型層包含至少一種η型材料。該材料可以選自η型無機(jī)半導(dǎo)體和有機(jī)電子傳輸材料(ΕΤΜ)。在本申請的上下文中，η型材料具有與電子傳輸材料相同的含義。適合的η型材料和它們的性質(zhì)如下文所述。[0036]P型層是能夠傳輸空穴的層。P型層包含至少一種P型材料。該材料可以選自P型無機(jī)半導(dǎo)體和有機(jī)空穴傳輸材料(ΗΤΜ)。在本發(fā)明的上下文中，P型材料具有與空穴傳輸材料相同的含義。適合的P型材料和它們的性質(zhì)如下文所述。[0037]第一(4)、第二(3)和第三(7)電極可以是任何種類適合于電子器件目的的電極。電極可以以本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的柵電極、漏電極或源電極工作。在本發(fā)明中，第一電極(4)由此通常為柵電極，而第二(3)和第三(7)電極通常分別為源電極和漏電極。電極的具體材料如下文所述。[0038]在本發(fā)明的電子器件中，P型層優(yōu)選由溶液涂覆。由溶液涂覆膜的技術(shù)是本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的。優(yōu)選的由溶液沉積的技術(shù)包括但不限于浸涂、旋涂、噴墨印刷、凸版印刷、絲網(wǎng)印刷、刮刀涂布、輥印、反向輥印刷、平板膠印、柔性版印刷、卷筒紙印刷、噴涂、刷涂或移印、狹縫涂布。噴墨印刷是特別優(yōu)選的，因?yàn)樗軌驘o需掩膜而制備高分辨率的圖案。因此，將材料溶解于溶劑，然后通過上述方法之一施用至基板，或沉積在基板上的上述層之一。適合于有機(jī)P型材料的溶劑包括但不限于二氯甲烷、三氯甲烷、一氯苯、鄰二氯苯、四氫呋喃、苯甲醚、嗎啉、甲苯、鄰二甲苯、間二甲苯、對二甲苯、1，4-二氧六環(huán)、丙酮、甲乙酮、1，2-二氯乙烷、1，1，1-三氯乙烷、1，1，2，2-四氯乙烷、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、二甲基亞砜、四氫化萘、十氫化萘、二氫化茚和/或其混合物。[0039]為了通過噴墨印刷或微分配來施用，有機(jī)P型材料應(yīng)首選溶解在適合的溶劑中。溶劑必須滿足上文所述要求且必須不對選擇的印刷頭有任何有害影響。此外，溶劑沸點(diǎn)應(yīng)>100°C，優(yōu)選>140°C，特別優(yōu)選>150°C，以避免印刷頭內(nèi)的溶液干透造成的操作性問題。除了上文提及的溶劑，適合的溶劑包括取代的和未取代的二甲苯衍生物，二-CV2-烷基甲酰胺，取代的和未取代的苯甲醚和其它苯酚-醚衍生物，取代的雜化化合物如取代的吡啶、批嗪、吡咯烷酮，取代和未取代的N，N-二-CV2-烷基苯胺和其它氟取代的或氯取代的芳族化合物。[0040]與P型層可以由溶液涂覆的方式相同，η型層也可以由溶液涂覆。在本發(fā)明中，可能僅是層之一，優(yōu)選為P型層，或者P和η型層都可以由溶液涂覆。特別優(yōu)選的是兩層都由溶液涂覆。適合用于制備施用于η型材料以形成層的溶劑如上文所述。[0041]由溶液涂覆η和P型層的主要優(yōu)點(diǎn)是這種方法成本很低，使得可以降低電子器件大規(guī)模生產(chǎn)的成本。[0042]優(yōu)選的是有機(jī)P型材料是聚合物(包括樹狀大分子和低聚物)或分子量范圍為100至3000g/mol，優(yōu)選范圍為200至2000g/mol的小分子。[0043]如果P型材料為聚合物，進(jìn)一步優(yōu)選的是聚合物為骨架單體單元和空穴傳輸單體單元的共聚物。[0044]原則上，OLED領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的任何空穴傳輸材料(HTM)都可以用作本發(fā)明的半導(dǎo)體主體((1)、(2))中的有機(jī)P型材料。除本申請其它部分提及的HTM之外，HTM優(yōu)選包含選自胺、三芳基胺、酞菁、紫菜堿、噻吩、咔唑、茚并咔唑、吲哚咔唑，其異構(gòu)體和衍生物的基團(tuán)。特別優(yōu)選地，HTM包含選自胺、三芳基胺的基團(tuán)。[0045]優(yōu)選地，本發(fā)明的有機(jī)P型層包含三種，特別優(yōu)選為兩種，非常特別優(yōu)選一種HTM。HTM可以是小分子(單一化合物)或可以是處于主鏈或側(cè)鏈中的聚合物的一部分。[0046]適合的HTM為苯二胺衍生物(US3615404)，芳基胺衍生物(US3567450)，氨基取代的查耳酮衍生物(US3526501)，苯乙烯基蒽衍生物(JPA56-46234)，多環(huán)芳族化合物(EP1009041)，多芳基烷烴衍生物(US3615402)，芴酮衍生物(JPA54-110837)，腙衍生物(US3717462)，芪衍生物(JPA61-210363)，硅氮烷衍生物(US4950950)，聚硅烷(JPA2-204996)，苯胺共聚物(JPA2-282263)，噻吩低聚物，聚噻吩，PVK，聚吡咯，聚苯胺和另外的共聚物，葉啉化合物(JPA63-2956965)，芳香亞甲基型化合物，咔唑化合物，例如⑶BP、CBP、mCP，芳香叔胺和苯乙烯胺化合物(US4127412)，以及單體的三芳基胺(US3180730)。分子中也可以存在甚至更多的三芳基氨基基團(tuán)。[0047]就有機(jī)P型材料而言，優(yōu)選包含至少兩個(gè)叔胺單元的芳香族叔胺(US4720432和US5061569)，例如4，4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯氨基]聯(lián)苯(NPD)(US5061569)或MTDATA(JPΑ4_308688)、Ν,Ν,Ν’，N’-四(4-聯(lián)苯基)二氨基亞聯(lián)苯(TBDB)、1，1-雙(4-二對甲苯基氨基苯基)環(huán)己烷(TAPC)、1，1-雙(4-二對甲苯基氨基苯基)-3-苯基丙烷(TAPPP)、1，4-雙[2-[4-[N，N-二(對甲苯基)氨基]苯基]乙烯基]苯(BDTAPVB)、Ν,Ν,Ν’，N’-四對甲苯基-4,4’-二氨基聯(lián)苯(TTB)、TPD、N,N,N’，N’-四苯基_4，4’’’-二氨基-1，I’:4’，I’’:4’’，I’’’-四聯(lián)苯，還有包含咔唑單元的叔胺，例如4-(9Η-咔唑-9-基)-N,N-雙[4-(9Η-咔唑-9-基)苯基]苯胺(TCTA)。同樣地，優(yōu)選根據(jù)US2007/0092755A1的六氮雜苯并菲化合物。特別優(yōu)選式以下式(I)至(15)所示的三芳基胺化合物，它們也可以被取代，如ΕΡ1162193Α1、ΕΡ650955Α1、Synth.Metalsl997,91(1-3)，209、DE19646119A1、W02006/122630A1、EP1860097A1、EP1834945A1、JP08053397A,US6251531B1和W02009/041635中公開的。[0048]【權(quán)利要求】1.電子器件，其包括設(shè)置在基板(5)上的:(a)包含作為η型層或P型層的層(I)和作為η型層或ρ型層的層(2)的半導(dǎo)體主體，其中層(I)和(2)之一為η型層，另一個(gè)為P型層，其中所述P型層((I)或(2))包含至少一種有機(jī)空穴傳輸材料(HTM);和(b)第一電極(4);和(c)插在所述半導(dǎo)體主體和所述第一電極之間的絕緣層A(6)；Cd)與所述半導(dǎo)體主體接觸的第二電極(3)和Ce)與所述半導(dǎo)體主體接觸但與所述第二電極分開的第三電極(7)；其特征在于(1)所述η型層包含無機(jī)η型半導(dǎo)體材料，所述至少一種有機(jī)空穴傳輸材料具有能量水平高于-2，7eV的最低未占分子軌道(LUMO);和/或(2)所述半導(dǎo)體主體還包含插在所述η型層和所述ρ型層之間的絕緣層B(S)02.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電子器件，其特征在于，有機(jī)P型層和/或有機(jī)η型層由溶液涂覆。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子器件，其特征在于，所述η型層包含無機(jī)η型半導(dǎo)體材料。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子器件，其特征在于，所述無機(jī)η型半導(dǎo)體材料選自金屬氧化物，IV族、II1-V族、IV-VI族和I1-VI族半導(dǎo)體。5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的電子器件，其特征在于，所述無機(jī)η型半導(dǎo)體材料為選自ZnO,ln203、SnO2、TiO2、Ga203、MoO3及其合金或混合物的金屬氧化物。6.根據(jù)權(quán)利要求3至5中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于，無機(jī)η型層通過在基板上涂覆金屬氧化物的前體化合物并將前體加熱用以在基板上得到金屬氧化物膜來形成。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于，所述η型層的厚度為I至200nm。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于，有機(jī)ρ型材料包含選自胺、三芳基胺、噻吩、咔唑、茚并咔唑、吲哚咔唑、酞菁、紫菜堿及其衍生物的基團(tuán)。9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于，所述絕緣層B(8)包含介電常數(shù)為1.0至5.0的材料。10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于，所述絕緣層B(S)包含氟聚合物、全氟聚合物和/或金屬氧化物。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電子器件，其特征在于，所述金屬氧化物選自SiOx、SiNx,A10x、Zr0x、Hf0x、Ti0x，其中χ為I至4之間的整數(shù)。12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電子器件，其特征在于，所述絕緣層B(8)的厚度為Inm至Iμm。13.制造根據(jù)權(quán)利要求1至12中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電子器件的方法，其特征在于，有機(jī)P型材料由溶液涂覆以形成有機(jī)P型層。14.制造根據(jù)權(quán)利要求1至12中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電子器件的方法，其特征在于，無機(jī)η型層由溶液涂覆，所述方法包括給定順序的以下步驟:.1)將溶液涂覆至基板，其中所述溶液包含η型無機(jī)半導(dǎo)體材料的前體化合物以形成前體層；.2)通過加熱和/或通過施用UV光將前體層轉(zhuǎn)化為無機(jī)η型層。15.根據(jù)權(quán)利要求1至12中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電子器件在選自RFID和顯示器背板的電子設(shè)備中的用途。16.包括根據(jù)權(quán)利要求1至12中一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的電子器件的電子設(shè)備。【文檔編號】H01L51/05GK103563113SQ201280025217【公開日】2014年2月5日申請日期:2012年5月5日優(yōu)先權(quán)日:2011年6月1日【發(fā)明者】潘君友,A·克呂斯克茲,S·倫克爾申請人:默克專利股份有限公司