光伏裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種光伏裝置，其具備：半導(dǎo)體基板（10）、形成在半導(dǎo)體基板（10）的表面或背面的i型非晶質(zhì)層（12i）或i型非晶質(zhì)層（16i）、和形成在i型非晶質(zhì)層（12i）或i型非晶質(zhì)層（16i）上的p型非晶質(zhì)層（12p）或n型非晶質(zhì)層（16n），i型非晶質(zhì)層（12i）或i型非晶質(zhì)層（16i）中，具有從與半導(dǎo)體基板（10）的界面附近沿著膜厚方向濃度呈臺(tái)階狀地減少的氧濃度分布。
【專(zhuān)利說(shuō)明】光伏裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及光伏裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]公知在結(jié)晶類(lèi)硅基板和被摻雜的非晶硅層之間實(shí)質(zhì)上形成有本征的非晶硅層的光伏裝置。
[0003]作為提高具有這種結(jié)構(gòu)的光伏裝置的輸出特性的方法，公開(kāi)有提高了硅基板與本征非晶硅層的界面部分的氧濃度的結(jié)構(gòu)(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。另外，公開(kāi)有在本征非晶硅層中對(duì)于氧濃度設(shè)置有梯度，提高了被摻雜的非晶硅層側(cè)的氧濃度的結(jié)構(gòu)(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2 )。
[0004]另一方面,在由本征非晶娃層形成的娃基板的表面的鈍化(inactivation)技術(shù)中，報(bào)告了使本征非晶硅層整體含有適當(dāng)量的氧，在層內(nèi)形成有微小的非晶氧化硅區(qū)域，由此促進(jìn)鈍化(參照非專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。并且，報(bào)告了使本征非晶硅層整體含有適當(dāng)量的氧時(shí)，光伏裝置的輸出特性提高(參照非專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0007]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:專(zhuān)利第4070483號(hào)公報(bào)
[0008]專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2008 - 235400號(hào)公報(bào)
[0009]非專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0010]非專(zhuān)利文獻(xiàn)I:J.Appl.Phys.107,014504 (2010)
[0011]非專(zhuān)利文獻(xiàn)I:Appl.Phys.Lett.91，133508 (2007)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]發(fā)明想要解決的課題
[0013]但是，當(dāng)非晶硅層中進(jìn)入過(guò)度的氧時(shí)，該氧作為雜質(zhì)起作用而形成缺陷，有時(shí)形成高電阻區(qū)域，期待使所含有的氧濃度最佳化。但是，對(duì)于本征非晶硅層內(nèi)的最佳的氧濃度分布(profile)、特別是在硅基板與本征非晶硅層的界面?zhèn)鹊难鯘舛炔](méi)有充分研究。
[0014]用于解決技術(shù)問(wèn)題的技術(shù)方案
[0015]本發(fā)明包括第一導(dǎo)電型的結(jié)晶類(lèi)半導(dǎo)體基板、形成在半導(dǎo)體基板的第一表面上的本征的第一非晶質(zhì)半導(dǎo)體層、和形成在第一非晶質(zhì)半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電型或與第一導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型的第二非晶質(zhì)半導(dǎo)體層，在第一非晶質(zhì)半導(dǎo)體層中，具有從與半導(dǎo)體基板的界面附近沿著膜厚方向濃度呈臺(tái)階狀地減少的氧濃度分布。
[0016]發(fā)明效果
[0017]根據(jù)本發(fā)明，能夠提高光伏裝置的光電轉(zhuǎn)換效率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的光伏裝置的截面圖。[0019]圖2是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的光伏裝置的氧濃度分布的圖。
[0020]圖3是表示本發(fā)明的實(shí)施方式中的光伏裝置的氧濃度的對(duì)數(shù)表示的梯度分布的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]本發(fā)明的實(shí)施方式中的光伏裝置(光生伏特裝置)100，如圖1的截面圖所示，包括半導(dǎo)體基板10、i型非晶質(zhì)層121、P型非晶質(zhì)層12p、透明導(dǎo)電層14、i型非晶質(zhì)層161、n型非晶質(zhì)層16n、透明導(dǎo)電層18和集電極20、22。
[0022]以下，表示光伏裝置100的制造方法，并說(shuō)明光伏裝置100的構(gòu)造。表1表示光伏裝置100中的、各非晶質(zhì)層的形成條件的例。此外，本實(shí)施方式中使用的各種成膜條件是一個(gè)例子，應(yīng)根據(jù)使用的裝置適當(dāng)變更，進(jìn)行最優(yōu)化。
[0023]表1
【權(quán)利要求】
1.一種光伏裝置，其特征在于，包括: 第一導(dǎo)電型的結(jié)晶類(lèi)半導(dǎo)體基板； 形成在所述半導(dǎo)體基板的第一表面上的本征的第一非晶質(zhì)半導(dǎo)體層；和 形成在所述第一非晶質(zhì)半導(dǎo)體層上的、第一導(dǎo)電型或與第一導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型的第二非晶質(zhì)半導(dǎo)體層， 在所述第一非晶質(zhì)半導(dǎo)體層中，具有從與所述半導(dǎo)體基板的界面附近沿著膜厚方向濃度呈臺(tái)階狀地減少的氧濃度分布。
2.如權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其特征在于: 所述半導(dǎo)體基板與所述第一非晶質(zhì)半導(dǎo)體層的界面附近的5nm以?xún)?nèi)的高濃度氧區(qū)域中的氧濃度為I X IO2Vcm3以上I X IO2Vcm3以下。
3.如權(quán)利要求2所述的光伏裝置，其特征在于: 所述第一非晶質(zhì)半導(dǎo)體層的所述高濃度氧區(qū)域以外的區(qū)域中的氧濃度小于IXio2ci/3cm ο
4.如權(quán)利要求1所述的光伏裝置，其特征在于，包括: 形成在所述半導(dǎo)體基板的與所述第一表面相反側(cè)的第二表面上的本征的第三非晶質(zhì)半導(dǎo)體層；和 形成在所述第三非晶質(zhì)半導(dǎo)體層上的與所述第二非晶質(zhì)半導(dǎo)體層相反的導(dǎo)電型的第四非晶質(zhì)半導(dǎo)體層， 在所述第三非晶質(zhì)半導(dǎo)體層中，具有從與所述半導(dǎo)體基板的界面附近沿著膜厚方向濃度呈臺(tái)階狀地減少的氧濃度分布。
5.如權(quán)利要求2所述的光伏裝置，其特征在于，包括: 形成在所述半導(dǎo)體基板的與所述第一表面相反側(cè)的第二表面上的本征的第三非晶質(zhì)半導(dǎo)體層；和 形成在所述第三非晶質(zhì)半導(dǎo)體層上的與所述第二非晶質(zhì)半導(dǎo)體層相反的導(dǎo)電型的第四非晶質(zhì)半導(dǎo)體層， 在所述第三非晶質(zhì)半導(dǎo)體層中，具有從與所述半導(dǎo)體基板的界面附近沿著膜厚方向濃度呈臺(tái)階狀地減少的氧濃度分布。
6.如權(quán)利要求3所述的光伏裝置，其特征在于，包括: 形成在所述半導(dǎo)體基板的與所述第一表面相反側(cè)的第二表面上的本征的第三非晶質(zhì)半導(dǎo)體層；和 形成在所述第三非晶質(zhì)半導(dǎo)體層上的與所述第二非晶質(zhì)半導(dǎo)體層相反的導(dǎo)電型的第四非晶質(zhì)半導(dǎo)體層， 在所述第三非晶質(zhì)半導(dǎo)體層中，具有從與所述半導(dǎo)體基板的界面附近沿著膜厚方向濃度呈臺(tái)階狀地減少的氧濃度分布。
【文檔編號(hào)】H01L31/0747GK103608933SQ201280029337
【公開(kāi)日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2012年3月21日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月30日
【發(fā)明者】大鐘章義, 角村泰史 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社