電容器、包含電容器的設(shè)備及用于形成電容器的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供電容器、包含電容器的設(shè)備及用于形成電容器的方法。一個此種電容器可包含第一導(dǎo)體、在所述第一導(dǎo)體上面的第二導(dǎo)體及在所述第一導(dǎo)體與所述第二導(dǎo)體之間的電介質(zhì)。所述電介質(zhì)不覆蓋所述第一導(dǎo)體的一部分；且所述第二導(dǎo)體不覆蓋所述第一導(dǎo)體的未被所述電介質(zhì)覆蓋的所述部分。
【專利說明】電容器、包含電容器的設(shè)備及用于形成電容器的方法
[0001]優(yōu)先權(quán)申請
[0002]本申請案主張2011年8月22日申請的第13/214，902號美國申請案的優(yōu)先權(quán)權(quán)益，所述美國申請案以全文引用的方式并入本文中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明大體來說涉及電容器，且在特定實施例中，涉及一種用于存儲電能并向多種裝置(包含半導(dǎo)體裝置)提供電能的平行板電容器。
【背景技術(shù)】
[0004]電容器為用于存儲電能并向其它電元件提供電能的基本電元件。其用于當(dāng)今大多數(shù)的電裝置及/或電子裝置中且隨著技術(shù)快速演進(jìn)不斷地將其應(yīng)用范圍擴(kuò)展到新型高科技裝置(例如半導(dǎo)體裝置)中。盡管存在大量可供在此些半導(dǎo)體裝置中使用的電容器(例如，金屬氧化物場效應(yīng)晶體管(MOSFET)電容器)，但隨著多年以來半導(dǎo)體裝置的密度已迅猛且穩(wěn)定地增加，對在大小上更小且在存儲容量上更大的電容器的需求一直不斷且日益增加。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]圖1A展示電容器的一個說明性實施例的透視圖。
[0006]圖1B展示圖1A中所展示的電容器沿著線A-A'截取的橫截面圖。
[0007]圖1C展示圖1A中所展示的電容器的平面圖。
[0008]圖2A展示電容器的另一說明性實施例的透視圖。
[0009]圖2B展示圖2A中所展示的電容器沿著線B-B'截取的橫截面圖。
[0010]圖2C展示圖2A中所展示的電容器的平面圖。
[0011]圖2D展示圖2A中所展示的電容器的示意性電路圖。
[0012]圖3A展示電容器的又一說明性實施例的透視圖。
[0013]圖3B展示圖3A中所展示的電容器沿著線C-C'截取的橫截面圖。
[0014]圖3C展示圖3A中所展示的電容器沿著線D-D'截取的橫截面圖。
[0015]圖3D展示圖3A中所展示的電容器的平面圖。
[0016]圖4A及4B展示包含四個接觸電極的電容器的說明性實施例的平面圖。
[0017]圖5展示包含電容器的快閃存儲器裝置的說明性實施例的橫截面圖。
[0018]圖6展示包含多個電容器的電荷泵的說明性實施例。
[0019]圖7展示用于制作電容器的方法的說明性實施例的實例流程圖。
[0020]圖8A-8G是圖解說明圖7中所展示的實例方法及通過所述實例方法制作的結(jié)構(gòu)的一系列圖式。
[0021]圖9展示包含非易失性存儲器裝置的系統(tǒng)的說明性實施例的示意圖?！揪唧w實施方式】
[0022]本發(fā)明提供與電容器相關(guān)的技術(shù)。在一個實施例中，所述電容器可包含第一導(dǎo)體、在所述第一導(dǎo)體上面的第二導(dǎo)體及在所述第一導(dǎo)體與所述第二導(dǎo)體之間的電介質(zhì)。所述電介質(zhì)不覆蓋所述第一導(dǎo)體的一部分；且所述第二導(dǎo)體不覆蓋所述第一導(dǎo)體的未被所述電介質(zhì)覆蓋的所述部分。
[0023]在另一實施例中，一種電容器可包含彼此上下安置的N個平面導(dǎo)體，所述平面導(dǎo)體中的每一者包含未被安置于其上面的平面導(dǎo)體覆蓋的至少一個第一部分，其中N為等于或大于2的自然數(shù)。
[0024]前述實施例僅為說明性且決不打算為限制性。除上述說明性方面、實施例及特征之外，參考圖式及以下詳細(xì)描述，其它方面、實施例及特征也將變得顯而易見。
[0025]在以下詳細(xì)描述中，參考形成本文的一部分的附圖。在圖式中，除非上下文另有規(guī)定，否則類似符號通常識別類似組件。在詳細(xì)描述、圖式及權(quán)利要求書中所描述的說明性實施例并非意在為限制性。在不背離本文中所呈現(xiàn)的標(biāo)的物的精神或范圍的情況下可利用其它實施例且可做出其它改變。將容易理解，可以各種各樣的不同配置來布置、替代、組合、分離及設(shè)計如本文中大體描述且在圖中圖解說明的本發(fā)明方面，所有所述配置均明確地涵蓋于本文中。
[0026]圖1A展示電容器的一個說明性實施例的透視圖。圖1B展示圖1A中所展示的電容器沿著線A-A'截取的橫截面圖。圖1C展示圖1A中所展示的電容器的平面圖。參考圖1A-1C，電容器100可包含襯底110及提供于襯底110上的堆疊式主體120。盡管為簡單起見圖1A-1C中未明確圖解說明，但電介質(zhì)材料(例如氧化硅)可插置于襯底110與堆疊式主體120之間。堆疊式主體120可包含彼此上下安置且彼此實質(zhì)上平行的第一及第二平面導(dǎo)體(例如，第一平面導(dǎo)電層121a及第二平面導(dǎo)電層121b ;下文中可統(tǒng)稱為平面導(dǎo)電層121)以及插置于其之間的電介質(zhì)(例如，電介質(zhì)層122)。在一個實施例中，第二平面導(dǎo)電層121b及電介質(zhì)層122可安置于第一導(dǎo)電層121a上以分別僅覆蓋下伏第一導(dǎo)電層121a的上表面的一(若干)部分，使得第一導(dǎo)電層121a可包含未被上覆第二平面導(dǎo)電層121b及電介質(zhì)層122覆蓋的一個或一個以上上表面部分(例如,第一上表面部分12a及第二上表面部分12b)。以非限制性實例的方式，一個或一個以上上表面部分12a及12b可為第一平面導(dǎo)電層121a的端部，使得其可與第二平面導(dǎo)電層121b及第一電介質(zhì)層122 —起形成在電容器100的一個或一個以上側(cè)處的一個或一個以上階梯。
[0027]在一個實施例中，如圖1A-1C中所展示，第二平面導(dǎo)電層121b可在其兩個延伸維度中的至少一者上小于其下伏第一平面導(dǎo)電層121a。為方便描述，圖1A中展示了 xyz坐標(biāo)系統(tǒng)。此坐標(biāo)系統(tǒng)中的X及z軸分別指示平面導(dǎo)電層121可沿著其延伸的兩個正交方向，且z軸指示正交于X及y軸的方向。在以上坐標(biāo)系統(tǒng)中，第二平面導(dǎo)電層121b可在沿圖1A中所展示的X及y軸的方向的兩個維度中的至少一者上小于其下伏第一平面導(dǎo)電層121a。此夕卜，在以上實施例中，第二平面導(dǎo)電層121b可在其兩個延伸維度(例如，沿圖1A中所展示的X及y軸的方向上的兩個維度)中的至少一者上等于或小于其下伏電介質(zhì)層122。然而，應(yīng)了解，根據(jù)本發(fā)明的堆疊式主體并不限于此，且取決于特定實施例，第二平面導(dǎo)電層可在其兩個延伸維度中的至少一者上在大小上等于或大于其下伏第一平面電介質(zhì)層及/或電介質(zhì)層中的至少一些層，且仍可以僅覆蓋第一導(dǎo)電層的上表面的一(若干)部分的方式布置。
[0028]在一個實施例中，電容器100可進(jìn)一步包含分別耦合到第一平面導(dǎo)電層121a及第二平面導(dǎo)電層121b的上表面的第一觸點130a及第二觸點130b (其在下文中可統(tǒng)稱為(例如)金屬線130)(例如,金屬觸點、多晶娃觸點等)以及分別安置于第一金屬線130a及第二金屬線130b上且稱合到第一金屬線130a及第二金屬線130b的第一接觸電極140a及第二接觸電極140b (下文中可統(tǒng)稱為接觸電極140)。第一金屬線130a及第二金屬線130b可掩埋于層間電介質(zhì)層150內(nèi)部，且第一接觸電極140a及第二接觸電極140b可安置于層間電介質(zhì)層150上以分別稱合到第一金屬線130a及第二金屬線130b。
[0029]以非限制性實例的方式，金屬線130可分別沿實質(zhì)上垂直于平面導(dǎo)電層120的上表面的方向(例如，沿圖1A中所展示的z軸所指示的方向)延伸。應(yīng)了解，如本文中所使用的術(shù)語“實質(zhì)上垂直”包含但不限于圍繞垂直方向從-30度到+30度的范圍。盡管將金屬線130圖解說明為伸長的矩形結(jié)構(gòu)，但其可采取多種不同形狀中的一者。舉例來說，金屬線130可為但不限于圓柱體或錐形柱。
[0030]電容器100的前述元件可分別由各種不同材料制成。舉例來說，襯底110可由一種或一種以上材料制作，所述材料包含但不限于:藍(lán)寶石、玻璃或半導(dǎo)體材料(例如，硅(Si)、鍺(Ge)及砷化鎵(GaAs))。平面導(dǎo)電層121及電介質(zhì)層122可分別以任何可用方式由導(dǎo)電材料(例如，多晶硅)及所述導(dǎo)電材料的氧化物(例如，氧化硅)制成。金屬線130及接觸電極140可分別由鎢及鋁制成。層間電介質(zhì)層150可由硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)制成。然而，應(yīng)了解，僅出于說明性目的而給出前述材料，且取決于每一實施方案可視情況使用其它材料。
[0031]在參考圖1A-1C所描述的實施例中，平面導(dǎo)電層121及電介質(zhì)層122以一方式布置使得第一導(dǎo)電層121a包含未被上覆第二導(dǎo)電層121b及電介質(zhì)層122覆蓋的一個或一個以上部分(例如，第一上表面部分12a及第二上表面部分12b)，以便允許從上而下形成一個或一個以上觸點(例如，第一金屬線130a)及一個或一個以上接觸電極(例如，第一接觸電極140a)。前述布置不僅允許使用現(xiàn)有半導(dǎo)體制作技術(shù)中的一者或一者以上來容易地制作(例如，與其它半導(dǎo)體裝置同時地，例如三維非易失性存儲器單元陣列)，而且允許通過(舉例來說)在其中堆疊類似配置的額外平面導(dǎo)電層及電介質(zhì)層而獲得迄今為止不可能達(dá)到的水平的高電容。
[0032]關(guān)于這一點，圖2A-2D展不電容器的另一說明性實施例。圖2A展不電容器的另一說明性實施例的透視圖。圖2B展示圖2A中所展示的電容器沿著線B-B'截取的橫截面圖。圖2C展示圖2A中所展示的電容器的平面圖。圖2D展示圖2A中所展示的電容器的示意性電路圖。參考圖2A-2D，電容器200可包含襯底210、堆疊式主體220、多個觸點230a_230d(其在下文中可統(tǒng)稱為(例如)金屬線230)、第一接觸電極240a及第二接觸電極240b(其在下文中可統(tǒng)稱為接觸電極240)及層間電介質(zhì)層250。盡管為簡單起見圖2A-2D中未明確圖解說明，但電介質(zhì)材料(例如氧化硅)可插置于襯底210與堆疊式主體220之間。堆疊式主體220可包含分別彼此上下安置的N個平面導(dǎo)體(例如，N個平面導(dǎo)電層221a-221d，其在下文中可統(tǒng)稱為平面導(dǎo)電層221)及分別插置于兩個鄰近導(dǎo)電層221之間的N-1個電介質(zhì)(例如，N-1個電介質(zhì)層222a-222c，其在下文中可統(tǒng)稱為電介質(zhì)層222)。盡管圖2A-2D中所展示的說明性實施例的堆疊式主體220包含四個平面導(dǎo)電層221及三個電介質(zhì)層222( S卩，N等于4)，但根據(jù)本發(fā)明的堆疊式主體并不限于此且可包含任何數(shù)目個平面導(dǎo)電層及電介質(zhì)層(例如，N可等于等于或大于2的自然數(shù))。應(yīng)注意，圖2A-2D中類似于圖1A-1C中的編號的編號一般識別類似的組件，且除非上下文另有規(guī)定，否則參考圖1A-1C所提供的描述一般適用于圖2A-2D中的對應(yīng)組件。
[0033]平面導(dǎo)電層221及電介質(zhì)層222可交替地彼此上下安置以分別僅覆蓋其下伏平面導(dǎo)電層221的上表面的一(若干)部分，使得平面導(dǎo)電層221中的每一者可包含未被其上覆平面導(dǎo)電層221及電介質(zhì)層222覆蓋的至少一個部分(例如上表面部分22a-22f)。以非限制性實例的方式，所述至少一個上表面部分可為平面導(dǎo)電層221中的一者的端部分，使得所述上表面部分共同地形成在電容器200的堆疊式主體220的一個或一個以上側(cè)處的一個或一個以上階梯(例如，沿圖2A中所展示的y軸的方向觀看的分別在堆疊式主體220的左側(cè)及右側(cè)處的兩個臺階)。
[0034]在一個實施例中，如圖2A-2C中所展示，平面導(dǎo)電層221中的每一者可在其兩個延伸維度(例如，沿圖2A中所展示的X及y軸的方向的兩個維度)中的至少一者上小于所有其下伏平面導(dǎo)電層221。此外，在以上實施例中，平面導(dǎo)電層221中的每一者可在其兩個延伸維度(例如，沿圖2A中所展示的X及y軸的方向的兩個維度)中的至少一者上等于或小于所有其下伏平面電介質(zhì)層222。然而，應(yīng)了解，根據(jù)本發(fā)明的堆疊式主體并不限于此，且取決于特定實施例，可包含在其兩個延伸維度中的至少一者上在大小上等于或大于其下伏平面電介質(zhì)層及/或電介質(zhì)層中的所有或一些層的一個或一個以上平面導(dǎo)電層。
[0035]一組多個觸點230 (例如，金屬線230a及230c)可安置于電容器200的堆疊式主體220的一側(cè)(例如，沿圖2A中所展示的y軸的方向觀看的堆疊式主體220的左側(cè))處且可分別耦合到平面導(dǎo)電層221中的交替導(dǎo)電層(例如，奇數(shù)編號的平面導(dǎo)電層221)的未被相應(yīng)上覆平面導(dǎo)電層221及電介質(zhì)層222覆蓋的上表面部分(例如，平面導(dǎo)電層221a及221c的上表面部分22a及22e)。此外，另一組多個觸點230 (例如，金屬線230b及230d)可安置于電容器200的堆疊式主體220的另一側(cè)(例如，沿圖2A中所展示的y軸的方向觀看的堆疊式主體220的右側(cè))處且可分別耦合到所述平面導(dǎo)電層中的剩余導(dǎo)電層(例如，偶數(shù)編號的平面導(dǎo)電層221)的上表面部分中的一者，所述上表面部分中的一些部分未被相應(yīng)上覆平面導(dǎo)電層221及電介質(zhì)層222覆蓋(例如，平面導(dǎo)電層221b的上表面部分22d)。第一接觸電極240a可安置于一組多個觸點線230上且耦合到所述一組，而第二接觸電極240b可安置于另一組多個觸點230上且耦合到所述另一組。觸點230可掩埋于層間電介質(zhì)層250內(nèi)部，且接觸電極240可安置于層間電介質(zhì)層250上以耦合到觸點230。
[0036]如從圖2D可見，堆疊式主體220的前述布置等效于并聯(lián)連接于分別對應(yīng)于接觸電極240a及240b的兩個節(jié)點A及B之間的N-1個電容器。在圖2D中所展示的實例中，Cl、C2及C3分別表示在平面導(dǎo)電層221a與221b、平面導(dǎo)電層221b與221c及平面導(dǎo)電層221c與221d之間提供的電容。在每一對導(dǎo)電層之間，在所述平面導(dǎo)電層對的中心部分處提供一個電容且在所述平面導(dǎo)電層對的端部分處提供另一電容。在一些實施例中，由堆疊式主體220提供的總電容可由下文所展示的方程式I表達(dá)。
[0037][方程式I]
[0038]Ctotal 一 Ccenter+Cside
[0039]= β *(W*L*Pn+W*a *(S_2)* (S-1))[0040]其中，Ctotal為由堆疊式主體220提供的總電容，Ccenter為在堆疊式主體220中的平面導(dǎo)電層221的中心部分之間提供的電容，且Cside為在堆疊式主體220中的平面導(dǎo)電層221的端部分之間提供的電容，β為平面導(dǎo)電層對之間的單位電容，W為平面導(dǎo)電層221沿著圖2Α中所展示的y軸的長度，L為平面導(dǎo)電層221d沿著圖2A中所展示的x軸的長度，Pn為電介質(zhì)層222的數(shù)目(即，N-l)，S為平面導(dǎo)電層221的數(shù)目(8卩，吣，且0為上表面部分22a-22d沿著圖2A中所展示的x軸的長度。如從圖2D及上文所展示的方程式I可了解，由電容器200提供的總電容與其堆疊式主體220中類似配置的額外平面導(dǎo)電層及電介質(zhì)層成比例且因此可通過堆疊所述平面導(dǎo)電層及電介質(zhì)層來增加。
[0041]在圖2A-2D中所展示的說明性實施例中，接觸電極240a及240b安置于位于電容器200的兩個相對端處的兩個階梯上面。此對于圖1A-1C中所展示的說明性實施例來說為相同的。然而，應(yīng)了解，根據(jù)本發(fā)明的接觸電極(及將耦合到其的觸點)可以多種不同方式來安置。
[0042]關(guān)于這一點，圖3A-3D展示電容器的另一說明性實施例。圖3A展示電容器的又一說明性實施例的透視圖。圖3B展示圖3A中所展示的電容器沿著線C-C'截取的橫截面圖。圖3C展示圖3A中所展示的電容器沿著線D-D'截取的橫截面圖。圖3D展示圖3A中所展示的電容器的平面圖。參考圖3A-3D，電容器300可包含襯底310、堆疊式主體320、多個觸點330a-330d(其在下文中可統(tǒng)稱為(例如)金屬線330)、第一接觸電極340a及第二接觸電極340d(其在下文中可統(tǒng)稱為接觸電極340)及層間電介質(zhì)層350。堆疊式主體320可包含分別彼此上下安置的N個平面導(dǎo)體(例如N個平面導(dǎo)電層321a-321d，其在下文中可統(tǒng)稱為平面導(dǎo)電層321，其中N為大于或等于2的自然數(shù))及分別插置于兩個鄰近導(dǎo)電層321a-321d之間的N-1個電介質(zhì)(例如N-1個電介質(zhì)層322a_322c，其在下文中可統(tǒng)稱為電介質(zhì)層322)。盡管為簡單起見圖3A-3D中未明確圖解說明，但電介質(zhì)材料(例如氧化硅)可插置于襯底310與堆疊式主體320之間。圖3A-3D中類似于圖1A-1C及2A-2D中的編號的編號一般識別類似的組件，且除非上下文另有規(guī)定，否則參考圖1A-1C及2A-2D所提供的描述一般適用于圖3A-3D中的對應(yīng)組件。為簡單起見，在隨后的描述中可不描述電容器300的特征中類似于電容器100及200的特征的一些特征。
[0043]在一個實施例中，平面導(dǎo)電層321及電介質(zhì)層322可交替地彼此上下安置以分別覆蓋其下伏平面導(dǎo)電層321的每一上表面的一側(cè)處的端部分，使得平面導(dǎo)電層321中的每一者可在其上表面的相對側(cè)處包含未被其上覆平面導(dǎo)電層221及電介質(zhì)層322覆蓋的端部分(例如上表面部分32a-32c)，而其上表面的所述一側(cè)上的端部分完全由其上覆平面導(dǎo)電層321及電介質(zhì)層322覆蓋。在以上實施例中，平面導(dǎo)電層321及電介質(zhì)層322共同地僅形成在電容器300的堆疊式主體320的一側(cè)處的一個階梯(例如，沿圖3A中所展示的y軸的方向觀看在電容器300的左側(cè)處的臺階)，而非沿著圖1A-1C及2A-2D的電容器100及200中的堆疊式主體120及220中的每一者的兩側(cè)的兩個階梯。
[0044]在以上實施例中，一組多個觸點330 (例如，金屬線330a及330c)可鄰近于由堆疊式主體320形成的臺階的一個橫向側(cè)安置(例如，沿著圖3A中所展示的X軸的方向)且耦合到第一組導(dǎo)體(例如奇數(shù)編號的平面導(dǎo)電層321)的上表面部分(例如，平面導(dǎo)電層321a及321c的上表面部分32a及32c)。此外，另一組多個觸點330 (例如，金屬線330b及330d)可鄰近于由堆疊式主體320形成的臺階的另一橫向側(cè)安置(例如，沿著圖3A中所展示的X軸的方向)且耦合到第二組導(dǎo)體(例如偶數(shù)編號的平面導(dǎo)電層321)的上表面部分，所述上表面部分中的一些部分未被其上覆平面導(dǎo)電層321及電介質(zhì)層322覆蓋(例如，平面導(dǎo)電層321b的上表面部分32d)。
[0045]此外，第一接觸電極340a及第二接觸電極340b兩者可沿著大致平行于形成于堆疊式主體320上的臺階的橫向側(cè)的方向(例如，沿著圖3A中所展示的X軸的方向)安置且沿垂直于形成于堆疊式主體320上的臺階的橫向側(cè)的方向(例如，沿著圖3A中所展示的y軸的方向)彼此間隔開所規(guī)定距離，使得第一接觸電極340a可耦合至耦合到奇數(shù)編號的平面導(dǎo)電層321的上表面部分的一組觸點，而第二接觸電極340b可耦合至耦合到偶數(shù)編號的平面導(dǎo)電層321的上表面部分的另一組觸點。觸點330可掩埋于側(cè)層間電介質(zhì)層350內(nèi)部，且接觸電極340可安置于層間電介質(zhì)層350上以耦合到觸點330。
[0046]在圖1A-1C、2A_2D及3A-3D中所展示的說明性實施例中，電容器100-300各自包含兩個接觸電極。然而，應(yīng)了解，根據(jù)本發(fā)明的電容器可包含三個或三個以上接觸電極。
[0047]關(guān)于這一點，圖4A及4B展示包含四個接觸電極的電容器的說明性實施例的平面圖。參考圖4A及4B，電容器401及402中的每一者包含沿垂直于形成于電容器401及402中的臺階的橫向側(cè)的方向(例如，沿著圖4A及4B中所展示的X軸的方向)安置的四個接觸電極(即，接觸電極441a-441d及442a_442d)。安置于耦合到第一組平面導(dǎo)體(例如奇數(shù)編號的平面導(dǎo)電層)的觸點上的兩個接觸電極(例如，圖4A中耦合到觸點431a的接觸電極441a及441c，以及圖4B中耦合到觸點432a的接觸電極442a及442c)與安置于耦合到第二組平面導(dǎo)體(例如偶數(shù)編號的平面導(dǎo)電層)的觸點上的另兩個接觸電極(例如，圖4A中耦合到觸點431b的接觸電極441b及441d，以及圖4B中耦合到觸點432b的接觸電極442b及442d)交替地布置。在圖4A中，觸點431a及431b安置于沿垂直于形成于電容器401上的臺階的橫向側(cè)的方向觀看電容器401的兩側(cè)中的僅一者(例如，沿圖4A中所展示的y軸的方向觀看電容器401的左側(cè)及右側(cè)中的每一者)上。然而，在圖4B中，觸點432a及432b安置于沿垂直于形成于電容器402上的臺階的橫向側(cè)的方向觀看電容器402的兩側(cè)(例如，沿圖4B中所展示的y軸的方向觀看電容器402的兩側(cè))上。圖4A及4B中所展示的接觸電極的布置可進(jìn)一步將接觸電極之間的額外電容提供由其堆疊式主體提供的電容。
[0048]可將結(jié)合前面各圖所描述的電容器制作到多種半導(dǎo)體裝置中以用作其中的無源電路元件。尤其，根據(jù)本發(fā)明的電容器可憑借其至今所描述的結(jié)構(gòu)配置與其它半導(dǎo)體元件(例如快閃存儲器裝置的三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu))同時制作。關(guān)于這一點，圖5展示包含根據(jù)本發(fā)明的電容器的快閃存儲器裝置的說明性實施例的橫截面圖。參考圖5，快閃存儲器裝置500可包含存儲器單元陣列區(qū)51及外圍區(qū)52。
[0049]存儲器單元陣列區(qū)51可包含三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)501。三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)501可包含襯底560、位于襯底560上的電介質(zhì)層561及位于電介質(zhì)層561上且用平面導(dǎo)體(例如平面導(dǎo)電層571a-571d)與電介質(zhì)(例如電介質(zhì)層572a_572c)交替堆疊的堆疊式主體570。堆疊式主體570可包含可分別用作三維快閃存儲器單元串的一個或一個以上柱形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(例如，柱形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)56)。舉例來說，每一柱形存儲器結(jié)構(gòu)可包含硅柱(例如，硅柱57)及圍繞所述硅柱的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)膜(例如，ONO膜58)。每一平面導(dǎo)電層571a-571d用作用于控制其所圍繞的柱形存儲器結(jié)構(gòu)56部分的字線。舉例來說，由平面導(dǎo)電層571a環(huán)繞的ONO膜57部分可用作取決于由用作字線的平面導(dǎo)電層571a施加到其的電壓而接通及關(guān)斷的晶體管。每一平面導(dǎo)電層571a-571c分別通過形成于電介質(zhì)層599中的觸點580a-580c連接到接觸電極590a_590c以被供應(yīng)編程電壓及其它類型的電壓。三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)的具體配置在相關(guān)技術(shù)中是眾所周知的且為簡單起見不進(jìn)一步加以描述。
[0050]外圍區(qū)52可形成有用于操作三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)501的多種結(jié)構(gòu)/電路。舉例來說，外圍區(qū)52可包含一個或一個以上根據(jù)本發(fā)明的電容器以向三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)501及/或快閃存儲器裝置500的其它部分供應(yīng)必需電壓。關(guān)于這一點，圖5展示此電容器的一部分502。所述電容器可包含襯底510、位于襯底510上的電介質(zhì)層511及位于電介質(zhì)層511上且用平面導(dǎo)體(例如平面導(dǎo)電層521a-521d)與電介質(zhì)(例如電介質(zhì)層522a-522c)交替堆疊的堆疊式主體520。每一平面導(dǎo)電層521a_521c分別通過形成于電介質(zhì)層550中的觸點530(例如，觸點530a及530b)中的一者連接到多個接觸電極(例如，接觸電極540)中的一者以被供應(yīng)充電電壓。如從圖5可了解，三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)及電容器的配置具有類似的結(jié)構(gòu)配置，因此電容器可結(jié)合存儲器單元陣列區(qū)中的三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)及/或與所述三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)同時制作。此外，以上相似性允許(舉例來說)通過使用在制作存儲器單元陣列區(qū)中的三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)期間自然形成于外圍區(qū)中的結(jié)構(gòu)來制作電容器。在關(guān)于圖7及8A-8G描述根據(jù)本發(fā)明的電容器的實例制作工藝時，此將變得更清楚。
[0051]結(jié)合前面的圖所描述的電容器可用于形成于半導(dǎo)體裝置的外圍區(qū)中的多種裝置。以非限制性實例的方式，根據(jù)本發(fā)明的電容器可用作用于向(舉例來說)圖5中所展示的三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)501的接觸電極590a-590c提供電壓的電荷泵中的電容性元件。關(guān)于這一點，圖6展示包含多個根據(jù)本發(fā)明的電容器的電荷泵的說明性實施例。參考圖6，電荷泵600可包含分別耦合到電容器611及612、621及622以及631及632的多個泵級610-630?？山o電容器611、621及631提供時鐘脈沖CLKa，同時可給電容器611、621及631提供與時鐘信號CLKa相同量值但被相移180度的時鐘信號CLKb。以上電容器可在時鐘脈沖CLKa或CLKb處于Vcc [V]時存儲能量，且在時鐘脈沖CLKa或CLKb處于O [V]時將存儲于其中的能量放電。每一泵級610-630由一個或一個以上晶體管制成，所述一個或一個以上晶體管在被提供從電容器放電的電壓信號時接通并輸送提供到其的電壓信號作出輸出。與常規(guī)電容器(例如，MOSFET電容器)相比，圖6中的電容器可提供更大的電容且存儲更多的能量，同時在大小上更小。此允許增加電荷泵600的電壓輸出，而不給其添加額外泵級(即，不增加電荷泵600的大小及成本)。
[0052]下文參考圖7及8A-8G解釋用于制作電容器的方法。圖7展示用于制作電容器的方法的說明性實施例的實例流程圖。參考圖7，可制備襯底(框710)。舉例來說，可通過使用上文參考圖1A-1C所描述的材料(例如，在段落[0028]中所描述的材料)中的任一者來制備所述襯底。在一個實施例中，所述襯底可為用于包含存儲器單元陣列區(qū)及外圍區(qū)的快閃存儲器裝置的襯底。在框720中，在襯底上交替地堆疊N個平面導(dǎo)體(例如平面導(dǎo)電層)與N-1個電介質(zhì)(例如N-1個電介質(zhì)層)以在其上形成堆疊式主體。在其中所述襯底為用于快閃存儲器裝置的襯底的實施例中，可在存儲器單元陣列區(qū)及外圍區(qū)兩者中交替地堆疊平面導(dǎo)電層及電介質(zhì)層。關(guān)于這一點，圖8A展不分別形成于位于襯底860及810上的外圍區(qū)82及存儲器單元陣列區(qū)81中的堆疊式主體部分819及869的說明性實施例的橫截面圖。在圖8A中，平面導(dǎo)電層及電介質(zhì)層分別以編號821a-821d及822a_822c (針對堆疊式主體部分820)以及871a-871d及872a-872c(針對堆疊式主體部分870)來指代。此外，在一些實施例中，如圖8A中所展示，電介質(zhì)層861及811可分別位于襯底860及810上。
[0053]在框730中，移除堆疊式主體的一個或一個以上部分以展露平面導(dǎo)電層中的每一者的先前由其上覆平面導(dǎo)電層及/或電介質(zhì)層覆蓋的一個或一個以上部分。以非限制性實例的方式，可借助具有隨著每一反復(fù)減小的寬度的掩模(即，隨著每一反復(fù)變細(xì)的掩模)來蝕刻堆疊式主體以在堆疊式主體的一個或一個以上側(cè)處形成階梯。在與快閃存儲器裝置有關(guān)的實施例中，舉例來說，可同時蝕刻存儲器單元陣列區(qū)及外圍區(qū)兩者中的堆疊式主體部分以便在相應(yīng)區(qū)中提供兩個單獨的堆疊式主體。圖8B展示分別借助具有隨著每一反復(fù)減小的寬度(即，W1、W2及W3)的掩模(未展示)反復(fù)蝕刻以形成為各自具有階梯的兩個單獨堆疊式主體820及860的堆疊式主體部分820及870的說明性實施例的橫截面圖。存在此項技術(shù)中已知的用于在堆疊式主體中制作前述階梯式結(jié)構(gòu)的各種技術(shù)，包含前述掩模變細(xì)技術(shù)，所有所述技術(shù)均可應(yīng)用于本發(fā)明的堆疊式主體。為簡單起見，不進(jìn)一步描述關(guān)于其的技術(shù)細(xì)節(jié)。
[0054]在與快閃存儲器裝置有關(guān)的實施例中，在框730之前或之后，可處理存儲器單元陣列區(qū)中的堆疊式主體以在其中形成可分別用作三維快閃存儲器單元串的一個或一個以上柱形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。舉例來說，每一柱形存儲器結(jié)構(gòu)可包含硅柱(例如，外延硅或多晶硅)及圍繞所述硅柱的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)膜。關(guān)于這一點，圖8C展示包含硅柱87及ONO膜88的柱形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)86的說明性實施例的橫截面圖。用于制作前述柱形半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的技術(shù)在相關(guān)技術(shù)中是眾所周知的且為簡單起見不進(jìn)一步加以描述。
[0055]在框740中，在堆疊式主體上形成一個或一個以上觸點。所述一個或一個以上觸點可實質(zhì)上垂直于堆疊式主體的上表面。一組觸點可耦合到第一組平面導(dǎo)體(例如奇數(shù)編號的平面導(dǎo)電層)的經(jīng)展露部分，而另一組觸點可耦合到第二組平面導(dǎo)體(例如偶數(shù)編號的平面導(dǎo)電層)的經(jīng)展露部分。
[0056]在一個實施例中，可通過以下操作來形成所述觸點:在堆疊式主體上方形成層間電介質(zhì)層，并移除所述層間電介質(zhì)層的在平面導(dǎo)電層的一個或一個以上第二部分中的至少一些部分上面的一個或一個以上部分以界定穿過其的一個或一個以上開口(例如，孔)，且將導(dǎo)電材料沉積到所述一個或一個以上開口中以在其中形成觸點。在與快閃存儲器裝置有關(guān)的實施例中，還可在存儲器單元區(qū)中形成一個或一個以上觸點。舉例來說，所述存儲器單元區(qū)中的一個或一個以上觸點也可通過以下操作與外圍區(qū)中的觸點同時形成:在存儲器單元區(qū)中沉積層間電介質(zhì)層，在所述層間電介質(zhì)層中形成一個或一個以上開口并將導(dǎo)電材料沉積到所述開口中以在其中形成一個或一個以上觸點。關(guān)于這一點，圖8D展示分別形成于外圍區(qū)82及存儲器單元陣列區(qū)81中的層間電介質(zhì)層850及899的說明性實施例的橫截面圖。圖8E展示形成于位于襯底810上的外圍區(qū)82中的開口 829a及829b以及形成于位于襯底860上的存儲器單元陣列區(qū)81中的開口 879a-879c的說明性實施例的橫截面圖。此夕卜，圖8F展示分別形成于外圍區(qū)82及存儲器單元陣列區(qū)81中的觸點830a及830b以及觸點880a-880c的說明性實施例的橫截面圖。
[0057]在框750中，在所述觸點上形成兩個或兩個以上接觸電極。舉例來說，第一接觸電極可形成于耦合到奇數(shù)編號的平面導(dǎo)電層的第一組觸點上且第二接觸電極可耦合至耦合到偶數(shù)編號的平面導(dǎo)電層的第二組觸點。在一個實施例中，第一及第二電極可形成于堆疊式主體的其處分別形成階梯的第一及第二側(cè)。在另一實施例中，第一及第二接觸電極可形成于階梯上面分別鄰近于所述階梯的第一及第二橫向側(cè)。此外，在又一實施例中，除第一及第二電極之外，還可形成額外接觸電極。舉例來說，第三及第四接觸電極可分別形成為安置于第一組觸點中的至少一些觸點及第二組觸點中的至少一些觸點上且耦合到第一組觸點中的所述至少一些觸點及第二組觸點中的所述至少一些觸點。第三接觸電極可插置于第二與第四接觸電極之間且鄰近于第二與第四接觸電極以在至少第二與第三接觸電極或第三與第四接觸電極之間提供電容。
[0058]在與快閃存儲器裝置有關(guān)的實施例中，一個或一個以上接觸電極也可形成于存儲器單元區(qū)中。關(guān)于這一點，圖8G展示形成于外圍區(qū)82中的用于根據(jù)本發(fā)明的電容器的接觸電極840及形成于存儲器單元陣列區(qū)81中的用于三維存儲器單元陣列的接觸電極890a-890c的說明性實施例的橫截面圖。
[0059]如從圖8A-8G可了解，可通過使用在制作快閃存儲器裝置的工藝期間自然形成于外圍區(qū)以及存儲器單元陣列區(qū)中的交替平面導(dǎo)電層與電介質(zhì)層的堆疊式主體的一部分來形成電容器。此外，根據(jù)本發(fā)明的電容器可憑借其結(jié)構(gòu)配置而結(jié)合存儲器單元陣列區(qū)中的存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)(例如，三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu))及/或與所述存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)同時地形成。
[0060]圖9展示包含非易失性存儲器裝置(例如，圖5的快閃存儲器裝置500)的系統(tǒng)的說明性實施例的示意圖。系統(tǒng)900可用于例如以下各項的裝置中:個人數(shù)字助理(PDA)、具有無線能力的膝上型或便攜式計算機、web平板計算機、無線電話、尋呼機、即時消息接發(fā)裝置、數(shù)字音樂播放器、數(shù)碼相機或可適于無線地或經(jīng)由有線連接發(fā)射及/或接收信息的其它裝置。系統(tǒng)900可用于以下系統(tǒng)中的任一者中:無線局域網(wǎng)(WLAN)系統(tǒng)、無線個域網(wǎng)(WPAN)系統(tǒng)或蜂窩式網(wǎng)絡(luò)。
[0061]系統(tǒng)900可包含經(jīng)由總線950彼此耦合的控制器910、輸入/輸出(I/O)裝置920(例如，小鍵盤、顯示器)、圖5的快閃存儲器裝置500、無線接口 940及靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)960。在一個實施例中，電池980可向系統(tǒng)900供應(yīng)電力。所述存儲器裝置可包含NAND存儲器、快閃存儲器、NOR存儲器等。
[0062]舉例來說，控制器910可包含一個或一個以上微處理器、數(shù)字信號處理器、微控制器等?？扉W存儲器裝置500可用于存儲發(fā)射到系統(tǒng)900或由系統(tǒng)900發(fā)射的消息?？扉W存儲器裝置500還可任選地用于存儲由控制器920在系統(tǒng)900的操作期間執(zhí)行的指令且可用于存儲由系統(tǒng)900產(chǎn)生、收集或接收的用戶數(shù)據(jù)(例如圖像數(shù)據(jù))。所述指令可存儲為數(shù)字信息，且如本文中所揭示，用戶數(shù)據(jù)可作為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)存儲于存儲器的一個區(qū)段中及作為模擬存儲器的另一區(qū)段中。作為另一實例，給定區(qū)段可一度經(jīng)如此標(biāo)記且存儲數(shù)字信息，且接著稍后可被重新標(biāo)記并經(jīng)重新配置以存儲模擬信息。
[0063]I/O裝置920可用于產(chǎn)生消息。系統(tǒng)900可使用無線接口 940而借助射頻(RF)信號向無線通信網(wǎng)絡(luò)發(fā)射及從其接收消息。無線接口 940的實例可包含天線或無線收發(fā)器，例如偶極天線，但本發(fā)明的范圍在此方面并不受限制。而且，I/O裝置920可遞送反映存儲為數(shù)字輸出(在存儲數(shù)字信息的情況下)或存儲為模擬信息(在存儲模擬信息的情況下)的信息的電壓。盡管上文提供了在無線應(yīng)用中的實例，但本發(fā)明的實施例也可用于非無線應(yīng)用中。
[0064]應(yīng)了解，結(jié)合圖1A-9所描述的電容器、半導(dǎo)體裝置及/或系統(tǒng)以及其元件的結(jié)構(gòu)及功能配置指示可實施電容器、半導(dǎo)體裝置及/或系統(tǒng)的幾種方式。應(yīng)了解，根據(jù)本發(fā)明的電容器可應(yīng)用于任何類型的裝置及系統(tǒng)，包含除快閃存儲器之外的存儲器類型。
[0065]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，對于本文中所揭示的此及其它過程及方法，可以不同次序來實施在所述過程及方法中執(zhí)行的功能。此外，所概述的步驟及操作僅作為實例而提供且所述步驟及操作中的一些步驟及操作可為任選的、組合為較少的步驟及操作或擴(kuò)展為額外的步驟及操作，此并不背離所揭示實施例的本質(zhì)。
[0066]就在本申請案中所描述的特定實施例來說，本發(fā)明并不受限制，所述特定實施例打算作為對各種方面的圖解說明。可在不背離本發(fā)明的精神及范圍的情況下做出各種修改及變化形式，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將明了。除本文中枚舉的方法及設(shè)備之外，所屬領(lǐng)域的其它技術(shù)人員依據(jù)前文描述還將明了在本發(fā)明的范圍內(nèi)的功能上等效的方法及設(shè)備。此些修改及變化形式打算歸屬于所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)。本發(fā)明僅受所附權(quán)利要求書的條款連同授權(quán)此權(quán)利要求書的全部等效范圍的限制。應(yīng)理解，本發(fā)明并不限于特定方法、試劑、復(fù)合物組成或生物系統(tǒng)，這些當(dāng)然可變化。還應(yīng)理解，本文中所使用的術(shù)語僅是出于描述特定實施例的目的，而非打算為限制性。
[0067]關(guān)于本文中的實質(zhì)上任何復(fù)數(shù)及/或單數(shù)術(shù)語的使用，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可視背景及/或應(yīng)用的情況而從復(fù)數(shù)變換為單數(shù)及/或從單數(shù)變換為復(fù)數(shù)。為清晰起見，可明確地陳述各種單數(shù)/復(fù)數(shù)排列。
[0068]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，一般來說本文中所使用且尤其在所附權(quán)利要求書(例如，所附權(quán)利要求書的主體)中所使用的術(shù)語通常打算為“開放式”術(shù)語(例如，術(shù)語“包含(including)”應(yīng)解釋為“包含但不限于”，術(shù)語“具有(having)”應(yīng)解釋為“至少具有”，術(shù)語“包含(includes)”應(yīng)解釋為“包含但不限于”等)。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將進(jìn)一步理解，如果有意圖將所介紹權(quán)利要求敘述物表述為特定數(shù)目，那么將在權(quán)利要求中明確地敘述此意圖，且在無此敘述的情況下，不存在此意圖。舉例來說，作為理解的輔助，所附權(quán)利要求書可含有使用介紹性短語“至少一個(at least one) ”及“一個或一個以上(one ormore) ”來介紹權(quán)利要求敘述物。然而，此些短語的使用不應(yīng)理解為暗示通過不定冠詞“一(a或an) ”對權(quán)利要求敘述物的介紹將含有此所介紹權(quán)利要求敘述物的任何特定權(quán)利要求限制于含有僅一個此敘述物的實施例，甚至當(dāng)同一權(quán)利要求包含介紹性短語“一個或一個以上(one or more)”或“至少一個(at least one)”及例如“一(a或an) ”等不定冠詞時(例如，“一(a及/或an)”應(yīng)解釋為意指“至少一個”或“一個或一個以上”)；對于用于介紹權(quán)利要求敘述物的定冠詞的使用此同樣成立。另外，即使明確地敘述了所介紹權(quán)利要求敘述物的特定數(shù)目，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員也將認(rèn)識到，此敘述應(yīng)解釋為意指至少所敘述的數(shù)目(例如，“兩個敘述物”的無修飾敘述，而無其它修飾語，通常意指至少兩個敘述物，或兩個或兩個以上敘述物)。此外，在其中使用類似于“A、B及C等中的至少一者”的慣例的那些實例中，一般來說，此構(gòu)造打算是在所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解所述慣例的意義上(例如，“具有A、B及C中的至少一者的系統(tǒng)”將包含但不限于僅具有A、僅具有B、僅具有C、共同具有A及B、共同具有A及C、共同具有B及C及/或共同具有A、B及C等等的系統(tǒng))。在其中使用類似于“A、B或C等中的至少一者”的慣例的那些實例中，一般來說此構(gòu)造打算是在所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解所述慣例的意義上(例如，“具有A、B或C中的至少一者的系統(tǒng)”將包含但不限于僅具有A、僅具有B、僅具有C、共同具有A及B、共同具有A及C、共同具有B及C，及/或共同具有A、B及C等的系統(tǒng))。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將進(jìn)一步理解，呈現(xiàn)兩個或兩個以上替代術(shù)語的幾乎任何轉(zhuǎn)折詞語及/或短語(無論是在說明書中、權(quán)利要求書中還是在圖式中)均應(yīng)被理解為涵蓋包含所述術(shù)語中的一者、所述術(shù)語中的任一者或兩個術(shù)語的可能性。舉例來說，短語“A或B”應(yīng)被理解為包含“A”或“B”或“A及B”的可能性。
[0069]另外，當(dāng)依據(jù)Markush群組描述本發(fā)明的特征或方面時，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識到，借此還可依據(jù)所述Markush群組的任何個別成員或成員子群組描述本發(fā)明。
[0070]如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，出于任何及所有目的(例如就提供書面描述的目的來說)，本文中所揭示的所有范圍還囊括其任何及所有可能子范圍及子范圍的組合。可容易地將任何所列范圍識別為充分地描述及實現(xiàn)分解成至少相等的二分之一、三分之一、四分之一、五分之一、十分之一等的相同范圍。作為非限制性實例，可容易地將本文中所論述的每一范圍分解成下部三分之一、中間三分之一及上部三分之一等。如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員還將理解，例如“最多”、“至少”等所有語言包含所敘述的數(shù)目且指代可隨后分解成如上文所論述的子范圍的范圍。最后，如所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解，一范圍包含每一個別成員。因此，舉例來說，具有1-3個單元的群組指代具有1、2或3個單元的群組。類似地，具有1-5個單元的群組指代具有1、2、3、4或5個單元的群組，等等。
[0071]依據(jù)上文，將了解，本文中已出于圖解說明的目的描述了本發(fā)明的各種實施例，且可在不背離本發(fā)明的范圍的情況下做出各種修改。因此，本文中所揭示的各種實施例不打算為限制性，其中真實范圍及精神由所附權(quán)利要求書指示。
【權(quán)利要求】
1.一種電容器，其包括: 第一導(dǎo)體； 第二導(dǎo)體，其在所述第一導(dǎo)體上面 '及 電介質(zhì)，其在所述第一導(dǎo)體與所述第二導(dǎo)體之間，其中所述電介質(zhì)不覆蓋所述第一導(dǎo)體的一部分，且所述第二導(dǎo)體不覆蓋所述第一導(dǎo)體的未被所述電介質(zhì)覆蓋的所述部分。
2.一種電容器，其包括彼此上下安置的N個平面導(dǎo)體，所述平面導(dǎo)體中的每一者包含未被安置于其上面的所述平面導(dǎo)體覆蓋的相應(yīng)部分，其中N為等于或大于2的自然數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容器，其中所述部分中的每一者為所述平面導(dǎo)體中的相應(yīng)一者的端部分，且所述端部分與所述平面導(dǎo)體中的另一者一起形成階梯。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容器，其中所述平面導(dǎo)體中的每一者包含未被安置于其上面的所述平面導(dǎo)體覆蓋的相應(yīng)部分包括:所述平面導(dǎo)體中的每一者包含未被安置于其上面的所述平面導(dǎo)體覆蓋的至少兩個相應(yīng)部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容器，其中所述平面導(dǎo)體分別在兩個維度上延伸，且 其中所述平面導(dǎo)體中的每一者在所述兩個維度中的至少一者上小于其下伏平面導(dǎo)體。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容器,其進(jìn)一步包括一個或一個以上電介質(zhì)，所述一個或一個以上電介質(zhì)中的每一者插置于所述平面導(dǎo)體中的相應(yīng)兩個鄰近者之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電容器，其中所述平面導(dǎo)體及所述一個或一個以上電介質(zhì)分別在兩個維度上延伸，且 其中所述平面導(dǎo)體中的每一者在所述兩個維度中的至少一者上等于或小于其下伏平面導(dǎo)體。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電容器， 其中所述平面導(dǎo)體中的交替者構(gòu)成第一組，且所述平面導(dǎo)體中的剩余者構(gòu)成第二組，且 其中所述電容器進(jìn)一步包括耦合到所述第一組中的所述平面導(dǎo)體的所述部分中的每一者的相應(yīng)觸點，所述觸點中的每一者沿實質(zhì)上垂直于所述平面導(dǎo)體的對應(yīng)觸點所稱合到的表面的方向延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電容器，其中所述觸點包括第一觸點，且所述電容器進(jìn)一步包括耦合到所述第二組中的所述平面導(dǎo)體的所述部分中的每一者的相應(yīng)第二觸點，所述第二觸點中的每一者沿實質(zhì)上垂直于所述平面導(dǎo)體的所述對應(yīng)第二觸點所耦合到的表面的方向延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容器，其中所述平面導(dǎo)體共同地形成堆疊式主體， 其中所述部分共同地形成在所述堆疊式主體的第一側(cè)處的階梯及在所述堆疊式主體的第二側(cè)處的階梯， 其中所述第一觸點中的每一者安置于所述堆疊式主體的所述第一側(cè)處，且 其中所述第二觸點中的每一者安置于所述堆疊式主體的所述第二側(cè)處。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容器，其中所述部分共同地形成階梯，且 其中所述第一觸點中的每一者安置于所述階梯上鄰近于所述階梯的第一橫向側(cè)，且 其中所述第二觸點中的每一者安置于所述階梯上鄰近于所述階梯的相對第二橫向側(cè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電容器，其進(jìn)一步包括分別耦合到所述第一觸點中的至少一些觸點及所述第二觸點中的至少一些觸點的第一及第二接觸電極。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電容器，其中所述平面導(dǎo)體共同地形成堆疊式主體， 其中所述部分中的至少一些部分共同地形成在所述堆疊式主體的第一側(cè)處的階梯及在所述堆疊式主體的第二側(cè)處的階梯，且 其中所述第一及第二接觸電極分別安置于所述堆疊式主體的所述第一及第二側(cè)上面。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電容器，其中所述部分中的至少一些部分共同地形成在所述電容器的一側(cè)處的階梯，且 其中所述第一接觸電極安置于所述階梯上面鄰近于所述階梯的第一橫向側(cè)，且 其中所述第二接觸電極安置于所述階梯上面鄰近于所述階梯的相對第二橫向側(cè)。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電容器，其進(jìn)一步分別包括分別耦合到所述第一觸點中的至少一些觸點及所述第二觸點中的至少一些觸點的第三及第四接觸電極。
16.—種設(shè)備,其包括， 存儲器單元區(qū) '及 外圍區(qū)，其鄰近于所述存儲器單元區(qū)，所述外圍區(qū)包括電容器，所述電容器包含彼此上下安置的N個平面導(dǎo)體，所述平面導(dǎo)體中的每一者包含未被安置于其上面的所述平面導(dǎo)體覆蓋的相應(yīng)部分，其中N為等于或大于2的自然數(shù)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述存儲器單元區(qū)包括堆疊式主體，所述堆疊式主體包括:多個字線層，其由導(dǎo)電材料制成且分別彼此上下安置；及多個電介質(zhì)層，所述電介質(zhì)層中的每一者插置于所述多個字線層中的相應(yīng)兩個鄰近字線層之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述存儲器單元區(qū)包括穿過所述堆疊式主體形成的一個或一個以上存儲器單元串。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備包括存儲器裝置。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述設(shè)備包括系統(tǒng)，其中所述系統(tǒng)包括耦合到存儲器裝置的控制器，其中所述存儲器裝置包括所述存儲器單元區(qū)及所述外圍區(qū)。
21.—種用于制作電容器的方法,所述方法包括: 在襯底上交替地堆疊N個平面導(dǎo)體與N-1個電介質(zhì)以在其上形成堆疊式主體，其中N為大于或等于2的自然數(shù)； 移除所述堆疊式主體的一部分以展露所述平面導(dǎo)體中的每一者的相應(yīng)部分。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中移除所述堆疊式主體的一部分包括: 借助具有隨著每一反復(fù)而減小的寬度的掩模反復(fù)地蝕刻所述堆疊式主體以形成在所述堆疊式主體的一側(cè)處的階梯。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法， 其中所述平面導(dǎo)體中的交替者構(gòu)成第一組，且所述平面導(dǎo)體中的剩余者構(gòu)成第二組，且 其中所述方法進(jìn)一步包括形成第一觸點及第二觸點，所述第一觸點耦合到所述第一組中的平面導(dǎo)體的所述相 應(yīng)部分，所述第二觸點耦合到所述第二組中的平面導(dǎo)體的所述相應(yīng)部分。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其中形成第一觸點及第二觸點包括: 在所述堆疊式主體上方形成層間電介質(zhì)層；在所述層間電介質(zhì)層中形成開口 ；及 將導(dǎo)電材料沉積到所述開口中以在其中形成所述第一觸點及所述第二觸點。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的方法，其進(jìn)一步包括分別在所述第一及第二觸點上面形成第一及第二接觸電極。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中移除所述堆疊式主體的一部分包括移除所述堆疊式主體的部分以形成在所述堆疊式主體的第一側(cè)處的階梯及在所述堆疊式主體的第二側(cè)處的階梯，且 其中形成第一及第二接觸電極包括分別在所述堆疊式主體的所述第一及第二側(cè)上面形成所述第一及第二接觸電極。
27.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中移除所述堆疊式主體的一部分包括移除所述堆疊式主體的部分以形成在所述堆疊式主體的一側(cè)處的階梯，且 其中形成第一及第二接觸電極包括在所述階梯上面分別鄰近于所述階梯的第一及第二橫向側(cè)而形成所述第一及第二接觸電極。
28.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其中形成第一及第二觸點包括形成多個第一觸點及多個第二觸點，且其中形成第一及第二接觸電極進(jìn)一步包括分別形成分別安置于所述第一觸點中的至少一些觸點及所述第二觸點中的至少一些觸點上且耦合到所述第一觸點中的所述至少一些觸點及所述第二觸點中的所述至少一些觸點的第三及第四接觸電極。
29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中交替地堆疊N個平面導(dǎo)體包括在存儲器單元陣列區(qū)及外圍區(qū)中交替地堆疊N個平面導(dǎo)體與N-1個電介質(zhì)以形成所述堆疊式主體，目 其中移除所述堆疊式主體的一部分包括在所述存儲器單元陣列區(qū)中移除所述堆疊式主體的部分以形成三維存儲器單元陣列結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L27/108GK103843137SQ201280048397
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2012年8月21日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月22日
【發(fā)明者】權(quán)兌輝 申請人:美光科技公司