氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其具備：氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件(3)；保持氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件(3)且以第一金屬為主成分的基臺(11)；固著于基臺(11)的帽(30)；形成于基臺(11)的開口部(11c)；通過開口部(11c)的引針(14a、14b)，并且，引針(14a、14b)以從該引針(14a、14b)側(cè)順次將絕緣構(gòu)件(18a、18b)和緩沖構(gòu)件(20a，20b)夾在該引針(14a、14b)與開口部(11c)的內(nèi)壁之間的方式被固定于開口部(11c)的內(nèi)壁，絕緣構(gòu)件(18a、18b)成分中含有硅氧化物。緩沖構(gòu)件(20a、20b)由比第一金屬的標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位小的第二金屬或含有該第二金屬的合金構(gòu)成。
【專利說明】氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是涉及在投影機(jī)等的顯示器和激光加工裝置所使用的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的發(fā)明。特別是涉及使用了發(fā)出出射光的波長為從紫外光到藍(lán)色光的光、且出射光強(qiáng)度大的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的發(fā)明。
【背景技術(shù)】
[0002]作為激光顯示器和投影機(jī)等的圖像顯示裝置的光源，和激光劃片裝置、薄膜的退火裝置等的工業(yè)用加工裝置的光源用途，半導(dǎo)體激光器等使用了氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置得到積極開發(fā)。這些氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的出射光，其波長從紫外光到藍(lán)色光，另外也有光輸出功率超過I瓦特的能量非常大的情況。因此，對于裝配有氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的封裝也需要進(jìn)行各種籌劃。
[0003]面對這樣的背景，在現(xiàn)有的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，例如，如專利文獻(xiàn)I中說明的，使用搭載有出射光的波長為紅外和紅色的半導(dǎo)體激光器的半導(dǎo)體發(fā)光裝置同樣的封裝構(gòu)造。具體來說，半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，將半導(dǎo)體發(fā)光元件裝配在金屬制的基臺上，其后，用安裝有透光窗的帽構(gòu)件密封。利用此構(gòu)成，不僅從外部對于半導(dǎo)體發(fā)光元件進(jìn)行密封，而且實(shí)現(xiàn)了來自半導(dǎo)體發(fā)光元件的散熱和使來自半導(dǎo)體發(fā)光元件的光引出到外部的并立。以下，首先，利用圖11對于現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說明。[0004]現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1000，由半導(dǎo)體激光器元件1030、次基臺(寸> 卜:sub-mount) 1010、封裝1040、帽構(gòu)件1100構(gòu)成，封裝1040由如下構(gòu)成:由鐵系材料構(gòu)成的芯柱(^ r A:stem)1001 ;安裝在芯柱1001上的由無氧銅構(gòu)成的臺座部1002 ;經(jīng)由以玻璃構(gòu)成的絕緣環(huán)1020而安裝于芯柱1001的貫通孔1001a、IOOlb的引針1004、1005和直接安裝在芯柱1001上的引針1003。半導(dǎo)體激光器元件1030經(jīng)由次基臺1010而裝配在臺座部1002上，通過2條導(dǎo)線1008、1009而與引針1004、1005電連接。另外，帽構(gòu)件1100，由科伐合金(〕〃一& =Kovar)構(gòu)成的金屬帽1103和被低熔點(diǎn)玻璃1105固定的由玻璃構(gòu)成的透光窗1104構(gòu)成。金屬帽1103具備如下:圓筒狀的側(cè)壁部1101 ;閉合側(cè)壁部1101的一端，且形成有將來自半導(dǎo)體激光器元件1030的激光引出到外部的出射孔1102a的頂面部1102 ；配設(shè)于側(cè)壁部1101的另一端，且用于在設(shè)置有半導(dǎo)體激光器元件1030的芯柱1001的上表面通過電阻焊而使帽構(gòu)件1100密接的凸緣部1103a。另外，在出射孔1102a，透光窗1104以堵塞開口部的方式被安裝于頂面部1102。
[0005]另一方面，對于這樣的封裝構(gòu)成，在專利文獻(xiàn)2中提出有一種散熱性和氣密性兼顧的封裝構(gòu)造。以下，使用圖12對于現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光裝置2000的構(gòu)成進(jìn)行說明。在半導(dǎo)體發(fā)光裝置2000中，在固定半導(dǎo)體激光器元件2030的封裝2040的芯柱2001上，在與帽2100焊接接合的部位通過銀釬焊固著形成焊接輔助構(gòu)件2015。在該焊接輔助構(gòu)件2015上焊接接合帽2100。由此，芯柱2001和帽2100經(jīng)由焊接輔助構(gòu)件2015接合，因此能夠不用考慮帽2100和芯柱2001的焊接性而選擇芯柱2001的構(gòu)成材料。其結(jié)果是，從半導(dǎo)體激光器元件2030發(fā)生的熱通過次基臺2010、元件固定臺座2002、芯柱2001的路徑而被高效率地釋放到外部，可以使半導(dǎo)體激光器元件2030的發(fā)生熱的散熱性提高。
[0006]先行技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:特開2009-135235號公報(bào)
[0009]專利文獻(xiàn)2:特開2001-358398號公報(bào)
[0010]在上述這樣的構(gòu)成中，使用了現(xiàn)有的封裝的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中可列舉如下課題。首先，在圖11所示的發(fā)明中，安裝有帽構(gòu)件的芯柱使用的是Fe系材料，因此熱傳導(dǎo)率不充分，半導(dǎo)體發(fā)光元件的高輸出功率化困難。
[0011]另一方面，在圖12所示這樣的發(fā)明中，雖然芯柱可以使用熱傳導(dǎo)率高的材料，但是根據(jù)本申請
【發(fā)明者】們的研究能夠確認(rèn)，基于用于芯柱的材料，會產(chǎn)生氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的特性劣化這一現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]本發(fā)明是解決上述課題的發(fā)明，其第一目的在于，在封裝有氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的特性劣化。此外，其第二目的在于，將由氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件發(fā)生的焦耳熱高效率地向封裝外部排放，從而實(shí)現(xiàn)使特性劣化的抑制和散熱性的提高得以兼顧的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
[0013]本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，具備如下:氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件；保持氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件、且以第一金屬為主成分的基臺；固著在基臺上的帽；形成于基臺的開口部；通過開口部的引針，并且，引針以從該引針側(cè)順次將絕緣構(gòu)件和緩沖構(gòu)件夾在該引針與開口部的內(nèi)壁之間的方式被固定于開口部的內(nèi)壁，絕緣構(gòu)件的成分中含有硅氧化物，緩沖構(gòu)件由比第一金屬的標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位小的第二金屬或含有該第二金屬的合金構(gòu)成。
[0014]據(jù)此構(gòu)成，基臺與成分中含有硅氧化物的絕緣構(gòu)件被緩沖構(gòu)件分離，因此能夠抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的特性劣化。
[0015]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，優(yōu)選基臺以Cu為主成分。
[0016]據(jù)此構(gòu)成，能夠?qū)牡锇雽?dǎo)體發(fā)光元件發(fā)生的焦耳熱高效率地排放到封裝外部，并且能夠抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的特性劣化。
[0017]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，優(yōu)選緩沖構(gòu)件由Fe、N1、Co、Cr、T1、Al、Mg、Mo、W的任意一種或含有這些金屬的任意一種的合金構(gòu)成。
[0018]據(jù)此構(gòu)成，能夠?qū)牡锇雽?dǎo)體發(fā)光元件發(fā)生的焦耳熱高效率地排放到封裝外部，并且能夠抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的特性劣化。
[0019]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，優(yōu)選緩沖構(gòu)件由Fe或Fe合金構(gòu)成。
[0020]據(jù)此構(gòu)成，能夠有效地抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的特性劣化。
[0021]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，優(yōu)選緩沖構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)是與絕緣構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)同等或較大。
[0022]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，優(yōu)選引針的熱膨脹系數(shù)是與絕緣構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)同等或較小。
[0023]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，優(yōu)選基臺的熱膨脹系數(shù)是與緩沖構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)同等或較大。
[0024]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，由基臺和帽所密封的氣氛含有氧也可。
[0025]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，優(yōu)選從氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件出射的光密度為100MW/cm2以上。
[0026]據(jù)此構(gòu)成，能夠使氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的光輸出功率達(dá)到瓦特以上，并且能夠抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的長期驅(qū)動中的特性劣化。
[0027]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，作為優(yōu)選，基臺具備:形成有開口部的底座、和與底座連接的柱，底座具有:面對氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的主面、和與該主面相反一側(cè)的固定面，柱具有相對于底座的主面垂直的元件固定面，底座和柱均以Cu為主成分。
[0028]據(jù)此構(gòu)成，能夠?qū)牡锇雽?dǎo)體發(fā)光元件發(fā)生的焦耳熱高效率地排熱到封裝外部。
[0029]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，優(yōu)選緩沖構(gòu)件的固定面?zhèn)鹊谋砻嫖挥陂_口部的內(nèi)部。
[0030]據(jù)此構(gòu)成，因?yàn)榫彌_構(gòu)件不會從開口部突出，所以底座的固定面與固定夾具的密接性提高，能夠使氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的散熱性提高。
[0031]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，作為優(yōu)選，還具備保持底座的固定夾具，與固定面接觸的這一側(cè)的固定夾具，覆蓋開口部的一部分。
[0032]據(jù)此構(gòu)成，能夠進(jìn)一步提高氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的散熱性。
[0033]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，具備多個(gè)引針，且開口部和緩沖構(gòu)件按多個(gè)引針設(shè)置也可。
[0034]在本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，具備多個(gè)引針，開口部和緩沖構(gòu)件相對于多個(gè)引針是通用的，在緩沖構(gòu)件上設(shè)置有多個(gè)引針通過的多個(gè)開口部也可。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，在引針以將絕緣膜夾在引針與基臺之間的方式被固定于基臺的封裝中，基臺與成分中含有硅氧化物的絕緣構(gòu)件被緩沖構(gòu)件分離，因此能夠抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的特性劣化。此外，基臺能夠使用熱傳導(dǎo)率高的材料，能夠?qū)⒌锇雽?dǎo)體發(fā)光元件所發(fā)生的熱高效率地釋放到封裝外部。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1A是第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的立體圖。
[0037]圖1B是第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的分解立體圖。
[0038]圖2A是圖1A的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的Ia-1a線的剖面圖。
[0039]圖2B是圖1A的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的Ib-1b線的剖面圖。
[0040]圖3是第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置所搭載的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面圖。
[0041]圖4A是說明第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的工作的圖。
[0042]圖4B是說明第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的工作的圖。
[0043]圖5是表示用于氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的材料的特性的圖。
[0044]圖6A是說明第一實(shí)施例中假定的氣體發(fā)生機(jī)理的圖。
[0045]圖6B是說明第一實(shí)施例中假定的氣體發(fā)生機(jī)理的圖。[0046]圖6C是說明第一實(shí)施例中假定的氣體發(fā)生機(jī)理的圖。
[0047]圖7A是說明第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置和比較例的比較結(jié)果的圖。
[0048]圖7B是說明比較例2的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的SiO2堆積量和光密度的關(guān)系的圖。
[0049]圖7C是表示第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的各零件的材料構(gòu)成例的圖。
[0050]圖7D是表示第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的各零件的材料構(gòu)成例的圖。
[0051]圖7E是表示第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的各零件的材料構(gòu)成例的圖。
[0052]圖8A是說明第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0053]圖SB是說明第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0054]圖SC是說明第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0055]圖8D是說明第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0056]圖SE是說明第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0057]圖8F是說明第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0058]圖9A是表示第二實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的剖面圖。
[0059]圖9B是表示第二實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的等效電路的圖。
[0060]圖10是第三實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的分解立體圖。
[0061]圖11是說明現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的構(gòu)成的圖。
[0062]圖12是說明現(xiàn)有的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的構(gòu)成的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0063]以下，使用附圖對于本發(fā)明的最佳的方式進(jìn)行說明。
[0064]實(shí)施例1
[0065]使用圖1?圖8對于第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖1A是本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的立體圖，圖1B是為了說明本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的構(gòu)成，而從封裝10上分解拆卸了帽30而成的立體圖。圖2A和圖2B是用于詳細(xì)地說明本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的構(gòu)成的模式化的剖面圖，圖2A是圖1A的Ia-1a線的剖面圖，圖2B是圖1A的Ib-1b線的剖面圖。圖3是本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置所搭載的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的模式化的剖面圖。圖4A和圖4B是用于說明本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的工作的模式化的剖面圖。圖5是用于半導(dǎo)體發(fā)光裝置的封裝的材料的一覽表。圖6A?圖6C是說明本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中假定的氣體的發(fā)生機(jī)理的圖。圖7A?圖7E是比較本實(shí)施例和比較例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的熱阻的圖、和表示本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置所使用的各零件的材料構(gòu)成的例子的圖。圖8是說明本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0066]首先，使用圖1A?圖3，對于本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的構(gòu)成進(jìn)行說明。如圖1A所示，本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置1，是被稱為所謂CAN型的封裝類型。具體來說，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的構(gòu)成，如圖1B所示，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3經(jīng)由次基臺6被固著在封裝10，其后，由帽30進(jìn)行氣密密封。
[0067]封裝10的基本的構(gòu)成中，例如在由無氧銅構(gòu)成的基臺11上安裝用于電連接的引針14a、14b?；_11，具體來說，例如由圓盤狀的底座11a、和柱Ilb構(gòu)成，該柱Ilb連接于底座Ila的面對氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的一側(cè)的面即主面He、且用于固定氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3。在底座Ila上形成有開口部11c，其用于固定將主面Ile側(cè)和相反側(cè)的固定面Ild側(cè)進(jìn)行電連接的引針。這時(shí)底座Ila和柱Ilb優(yōu)選由熱傳導(dǎo)率高的相同的材料一體成型。作為具體的材料，例如可列舉無氧銅、銅鎢、銅鑰等的銅合金(以銅為主成分的合金)。引針14a、14b，通過開口部11c，且以從引針側(cè)順次將絕緣構(gòu)件和緩沖構(gòu)件夾在引針和開口部的內(nèi)壁之間的方式被固定在開口部的內(nèi)壁。具體來說，就是在開口部Ilc中，例如由Fe或Fe合金(鋼鐵、不銹鋼等)構(gòu)成的環(huán)狀的緩沖構(gòu)件20a、20b，被例如作為銀釬料的粘接層19a、19b固著。弓丨針14a、14b在緩沖構(gòu)件20a、20b的內(nèi)側(cè)，經(jīng)由例如在硅氧化物(Si02或SiOx)中添加有改性氧化物(modified oxide)的作為軟質(zhì)玻璃的環(huán)狀的絕緣構(gòu)件18a、18b而被固定。這時(shí)，絕緣構(gòu)件18a、18b與基臺11(底座Ila)由位于其間的緩沖構(gòu)件20a、20b分離，因此以不直接接觸的方式被固定。另外，緩沖構(gòu)件20a、20b的固定面Ild側(cè)的表面，配置在相對于固定面Ild下降一段的位置，換言之就是配置在開口部Ilc的內(nèi)部。如后述，這是為了使固定面Ild和外部固定夾具有效地接觸之緣故。接地引針15通過焊接或由銀釬料固定在底座Ila上，接地引針15和底座Ila被電連接。此外在底座Ila的主面Ile上，例如通過使用了銀釬料等的粘接層13的釬焊，以包圍柱Ilb的方式固定有焊接臺12。焊接臺12由比底座Ila電阻率大的、適合電阻焊的材料，例如Fe:Ni合金(例如42合金)和科伐合金等構(gòu)成。
[0068]在如上述這樣構(gòu)成的基臺11的柱IIb上，如圖2B所示，在垂直于主面Ile的面上，經(jīng)由例如以AlN陶瓷構(gòu)成的次基臺6而固著有氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3。就氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的構(gòu)成而言，如圖3所示，是通過結(jié)晶生長技術(shù)在例如作為η型GaN的基板3a上層疊有如下層:譬如由η型的緩沖層、η型包層、η型引導(dǎo)層的層疊構(gòu)造所構(gòu)成的第一氮化物半導(dǎo)體層3b ;例如由InGaN和GaN的多重量子阱所構(gòu)成的發(fā)光層3c ;例如由p型的引導(dǎo)層和P型包層的層疊構(gòu)造所構(gòu)成的第二氮化物半導(dǎo)體層3d。此外，在其上下表面，還分別形成有例如由Pd、Pt、T1、N1、Al、W、Au等的任意一種金屬的金屬層疊膜所構(gòu)成的第一電極3e及第二電極3f，經(jīng)由第一和第二電極將來自外部的電力注入到發(fā)光層3c。在氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的前方方向和后方方向的端面，形成有由多層介質(zhì)膜構(gòu)成的后方端面膜3g、前方端面膜3h。該多層介質(zhì)膜，例如，由A1N、BN、SiN等的氮化膜，和Si02、Al203、ZrO2,AlON等的氧化膜或氧氮化膜形成。在此構(gòu)成中，從氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的前方端面膜3h側(cè)發(fā)射光，該光是例如波長390nm?500nm的紫外光?藍(lán)色光。
[0069]就帽30的構(gòu)成而言，如圖2A所示，例如在由科伐合金(Kovar)或Fe:Ni合金(例如42合金)或由鐵構(gòu)成的圓筒狀的金屬帽31上，通過粘接層33而固定有透光窗32。具體來說，金屬帽31具有圓筒部31a、用于固定透光窗32的窗固定部31b、光引出開口部31d。另一方面，在金屬帽31的封裝10側(cè)，形成有凸緣部31c，其以可容易與基臺11焊接的方式向外側(cè)展開。透光窗32例如是在BK7等的光學(xué)玻璃的表面形成防反射膜而成的，粘接層33例如由軟質(zhì)玻璃構(gòu)成。氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3，被帽30和封裝10密封，由該帽30和封裝10密封的氣氛含有密封氣體45，其是含氧氣體，例如是氧和氮的混合氣體。
[0070]接著，使用圖4A和圖4B說明本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的工作。就氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置I而言，在使其實(shí)際上在裝置內(nèi)發(fā)光時(shí)，在例如由鋁合金和銅等的熱傳導(dǎo)率高的材料制作的具有開口部的固定夾具50上，基臺11以密接的方式被固定，進(jìn)而以由保持夾具51夾緊的方式被固定。在此，為了使固定夾具50與引針14a、14b不發(fā)生接觸，以僅使基臺11的固定面Ild的外周側(cè)密接的方式進(jìn)行。這時(shí)，緩沖構(gòu)件20a、20b的固定面Ild側(cè)的表面，處在相對于固定面Ild下降一段的位置，換言之就是位于開口部Ilc的內(nèi)部，因此緩沖構(gòu)件20a、20b不會對于固定夾具50和底座Ila的接觸構(gòu)成障礙。因此，固定夾具50和底座Ila能夠在固定面Ild上以高密接性接合。此外，使固定夾具50的開口部的外徑D2，比基臺11上的緩沖構(gòu)件存在的外徑Dl小，從而可以使與固定面Ild接合一側(cè)的固定夾具50，以覆蓋開口部Ilc的一部分的方式被形成。由此能夠使接觸面積最大化，而使從基臺11向固定夾具50的散熱能力提高。
[0071]在如此配置的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置I中，從未圖示的外部電源通過引針14a、14b向氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3供給電力。外加到氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的電力被轉(zhuǎn)換成例如波長390nm?500nm的紫外光?藍(lán)色光的光,并從氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3向外部出射。從氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3出射的光，在從氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3朝向透光窗32的方向(主光線70a)上，成為擁有規(guī)定的發(fā)散角的出射光70，透過透光窗32出射到氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置I外部。另一方面，由氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3將外加的電力轉(zhuǎn)換成光時(shí)，一部分的電力未轉(zhuǎn)換成光，而是成為焦耳熱。由氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3發(fā)生的焦耳熱，如圖4B的散熱路徑80所不，在次基臺6、基臺11的柱Ilb和底座Ila傳遞，而被釋放到封裝外部。這時(shí)，底座Ila的固定面lld，經(jīng)由保持夾具51而與固定夾具50密接，因此焦耳熱能夠通過接觸面55而有效率地散熱。其結(jié)果是，能夠抑制由于焦耳熱的發(fā)生而引起的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的溫度上升。
[0072]接下來，為了驗(yàn)證本實(shí)施例的效果，說明對于本實(shí)施例和比較例進(jìn)行比較驗(yàn)證的結(jié)果。圖5是表示在研究本實(shí)施例的封裝10的構(gòu)成材料的基礎(chǔ)上使用的純金屬的熱傳導(dǎo)率等的特性一覽的圖。另外在圖7A中示出，本實(shí)施例的封裝10的構(gòu)成和作為比較例進(jìn)行研究的構(gòu)成。作為比較例I的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基臺11的材料，作為底座使用鋼(Steel)，作為柱使用無氧銅。在比較例2中，作為熱傳導(dǎo)率更高的構(gòu)成材料，底座和柱均使用無氧銅。在此，在比較例2的構(gòu)成中，在引針和底座之間不插入緩沖構(gòu)件，而是成為直接連接底座的無氧銅和含有硅氧化物(SiO2或SiOx)的絕緣構(gòu)件的構(gòu)成。于是，在比較例2中，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3工作，光密度非常高的光從前方端面膜放射時(shí)，長期驅(qū)動時(shí)有大量的SiO2堆積在出射部，而使氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的特性急劇劣化的現(xiàn)象就能夠確認(rèn)到。該SiO2的堆積物，如圖7B所示，在出射部的光密度為lOOMW/cm2以上時(shí)顯著呈現(xiàn)。另一方面，在本實(shí)施例的構(gòu)成中，不會發(fā)生這樣急劇的劣化。在比較例2中這樣急劇劣化發(fā)生的機(jī)理雖不清楚，但根據(jù)本申請
【發(fā)明者】們的考察，作為可能性之一認(rèn)為是以下這樣的機(jī)理。
[0073]S卩，在比較例2中，因?yàn)橐樦苓叺慕^緣構(gòu)件與底座的無氧銅直接接觸，所以，首先由于圖6A所示的硅氧化物(在此為SiO2)的還原反應(yīng)，從而有氣體的一氧化硅(SiO)微量發(fā)生，該SiO的一部分作為密封氣體45的一部分懸浮。該SiO的一部分，如圖6B所示，與封裝內(nèi)微小存在的碳(C)、水分(H2O)、有機(jī)物的任意一種反應(yīng)，作為Si有機(jī)化合物氣體SiO-R也懸浮。另一方面，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3在工作中，從前方出射端面膜放射光密度非常高的光，在光鑷效果(light pincette effect)下，SiO和SiO-R在光密度高的前方出射端面膜聚集，并且如圖6C所示，與O2發(fā)生反應(yīng)致使SiO2堆積。為了抑制上述反應(yīng)之中的圖6C的反應(yīng)，認(rèn)為作為密封氣體而不使氧混合，但這種情況下，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的后方端面膜3g、前方端面膜3h的氧脫離并使之劣化，因此由不同的現(xiàn)象使氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3發(fā)生特性劣化。從而，優(yōu)選密封氣體45含有氧。但是，有意識地不使氧混入時(shí)，密封氣體45中也會有自然混入的氧，由此能夠?qū)е峦瑯拥默F(xiàn)象發(fā)生。另一方面，在本實(shí)施例中，作為與絕緣構(gòu)件18a、18b接合的材料，使用比底座材料離子化傾向更高的鐵合金(鋼鐵等)。這些離子化傾向高的金屬或含有該金屬的合金因?yàn)樵诒砻嫘纬煞€(wěn)定的氧化皮膜，所以構(gòu)成絕緣構(gòu)件的硅氧化物(Si02*Si0x)和具有還原力的緩沖構(gòu)件的金屬不直接接觸。因此，通過將這樣的緩沖構(gòu)件配置在底座與絕緣構(gòu)件之間，認(rèn)為能夠抑制圖6A所示的反應(yīng)，抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的特性劣化。還有，離子化傾向能夠由標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位表示，所謂離子化傾向高的材料，就是標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位小的材料。即，通過將相比作為底座的主成分的金屬而標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位小的金屬或含有該金屬的合金用于緩沖構(gòu)件，能夠抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的特性劣化。作為驗(yàn)證這一機(jī)理的文獻(xiàn)，在特開2004-289010號公報(bào)中，公開的是CAN封裝內(nèi)的Si有機(jī)化合物氣體會引起半導(dǎo)體發(fā)光元件的特性劣化。但是，在該文獻(xiàn)中闡述，這樣的Si有機(jī)化合物氣體，源于封裝所使用的有機(jī)物粘接劑。
[0074]另外，圖7A是比較基于本實(shí)施例和比較例的材料構(gòu)成的熱阻的測量結(jié)果的圖。如圖7A所示，本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的熱阻，與比較例2所示的底座和柱均為無氧銅的同等。因此，能夠使氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置I的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3所發(fā)生的焦耳熱高效率地散熱，并且能夠抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的特性劣化。另一方面，在比較例I中，雖然不能確認(rèn)到比較例2這樣急劇的劣化，但是或者因?yàn)橛糜诘鬃匿撹F的熱傳導(dǎo)率低、熱阻大，所以劣化速度比本實(shí)施例快。另一方面，在本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，劣化速度比比較例I緩慢，并且即使氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的光出射部的光密度在lOOMW/cm2以上，也不會發(fā)生急劇的特性劣化，壽命提高一個(gè)數(shù)量級。即，在本實(shí)施例中判明，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的特性劣化的抑制、和氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3所發(fā)生的焦耳熱的有效率的排熱，能夠高水平地兼顧并立，此外可知，這一效果在半導(dǎo)體發(fā)光元件的光密度大時(shí)顯著。
[0075]圖7C?圖7E是表示能夠得到與圖7A的本實(shí)施例同等效果的封裝的零件的材料加以組合的圖。在圖5中表示，作為純金屬而在表面容易形成氧化皮膜的材料，但實(shí)際上作為零件的材料多使用合金。然而，合金的特性中，因?yàn)樗鶚?gòu)成的純金屬的特性產(chǎn)生影響，所以可以基于圖5的特性研究材料構(gòu)成。
[0076]圖7C表示封裝的零件的材料構(gòu)成例I。這種情況下，封裝是壓縮密封型，是在絕緣構(gòu)件使用軟質(zhì)玻璃時(shí)的構(gòu)成。在緩沖構(gòu)件，選擇了相比作為底座的主成分的金屬而標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位小的金屬或含有該金屬的合金。在本材料構(gòu)成例中，因?yàn)榈鬃闹鞒煞质荂u，所以基于圖5，緩沖構(gòu)件選擇比Cu的標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位小的金屬即可。在此，關(guān)于鑰(Mo)和鎢(W)，雖然標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位的準(zhǔn)確的值不清楚，不過是比Cu小的值。由以上可知，底座的主成分是Cu時(shí)，緩沖構(gòu)件優(yōu)選為Fe、N1、Co、Cr、T1、Al、Mg、Mo、W的任意一種或含有這些金屬的任意一種的合金。此外，作為緩沖構(gòu)件，為了使封裝的氣密性提高，優(yōu)選與軟質(zhì)玻璃比較，熱膨脹系數(shù)同等或較大的鋁合金、鎂合金、鋼鐵、不銹鋼、鎳，鈦等的材料或這些材料的合金。作為進(jìn)一步優(yōu)選，引針的構(gòu)成材料，可列舉為與軟質(zhì)玻璃比較而熱膨脹系數(shù)同等或較小的Fe:Ni合金、科伐合金等。作為進(jìn)一步優(yōu)選，緩沖構(gòu)件的構(gòu)成材料和底座的構(gòu)成材料，以構(gòu)成底座的材料一方的熱膨脹系數(shù)大的方法為宜。[0077]圖7D是絕緣構(gòu)件使用硬質(zhì)玻璃時(shí)的材料構(gòu)成例2。這種情況下，也優(yōu)選在各零件之間，使與材料構(gòu)成例I同樣的熱膨脹系數(shù)的關(guān)系成立。在此，以銅鑰和銅鎢為一例進(jìn)行列舉，但是在銅中使鑰和鎢混合，容易在表面形成氧化皮膜，能夠抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的劣化。
[0078]圖7E是整合密封封裝時(shí)的材料構(gòu)成例3。這種情況下，需要使引針和絕緣構(gòu)件和緩沖構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)一致同等，但在緩沖構(gòu)件能夠使用鑰和鎢等的熱膨脹系數(shù)的比較小的材料。還有，緩沖構(gòu)件和底座的熱膨脹系數(shù)的優(yōu)選關(guān)系，是與材料構(gòu)成例1、2同樣的。
[0079]還有，在上述的材料構(gòu)成例I?3中，底座的材料均使用無氧銅，但不限于此。優(yōu)選在底座使用比用于緩沖構(gòu)件的材料離子化傾向低(標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位大)的材料，特別優(yōu)選使用具有高熱傳導(dǎo)率的材料。除了銅以外，也能夠使用銀(Ag)、白金(Pt)、金(Au)。另夕卜，不限于純金屬，如果是比用于緩沖構(gòu)件的材料離子化傾向低的材料為主成分，則是合金也可。
[0080]接下來使用圖8A?圖8F說明本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法。圖8A是對于本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置I所使用的封裝10的零件進(jìn)行了拆卸分解的分解圖。首先，例如，利用具有基臺11的底座11a、柱Ilb和開口部Ilc的形狀的模具，使用無氧銅(OFCU)，一體成型底座Ila和柱lib。接著，制作環(huán)狀的焊接臺12后，例如使用作為銀釬料的粘接層13使焊接臺12固定在基臺11的主面Ile上。這時(shí)同時(shí)或連續(xù)地在開口部11c，使用規(guī)定的夾具，將例如作為FeNi合金的引針14a、14b，例如作為軟質(zhì)玻璃的環(huán)狀的絕緣構(gòu)件18a、18b，例如作為鐵或鐵合金的緩沖構(gòu)件20a、20b，例如作為環(huán)狀的銀釬料的粘接層19a、19b，從中心朝向外側(cè)地在開口部Ilc內(nèi)固定，且通過加熱，將引針14a、14b粘接/固定于開口部11c。接著如圖SB所示，將接地引針15例如通過電阻焊粘接于底座Ila的固定面Ild側(cè)。
[0081]接著，如圖8C所示，對于封裝10進(jìn)行未圖示的例如N1、Au的鍍覆，以防止表面氧化。
[0082]接著如圖8D所示，在封裝10的柱Ilb上經(jīng)由次基臺6而裝配氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3。其后，安裝導(dǎo)線40a、40b，將氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3和引針14a、14b進(jìn)行電連接。
[0083]接著如圖SE所示，將帽30配置于封裝10的上部。這時(shí)帽30通過以下的制造方法制作。首先，使用例如科伐合金等的熱膨脹系數(shù)接近于玻璃的材料，通過擠壓加工，在筒狀的金屬帽31上形成光引出開口部31d和凸緣部31c。同時(shí)在凸緣部31c上形成焊接用的突起部31e。其次，將透光窗32例如通過作為低熔點(diǎn)玻璃的粘接層33而固定在光引出開口部31d上。透光窗32例如是玻璃，且其表面形成有對于從氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3放射的光的波長而反射率低的防反射膜。
[0084]接著，如圖8F所示，使用固定臺91a和夾持件91b將封裝10和帽30固定，流通規(guī)定的電流，利用突起部31e使焊接臺12和帽30進(jìn)行焊接。
[0085]通過以上的制造方法，能夠容易地制造本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
[0086]實(shí)施例2
[0087]接著，使用圖9A和圖9B對于第二實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置進(jìn)行說明。圖9A是表示第二實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的構(gòu)成的剖面圖，圖9B是表示第二實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的等效電路的圖。對于與第一實(shí)施例共通的構(gòu)成要素，通過附加相同的編號而省略說明。
[0088]首先，在圖9A中，由第二實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置1A、1B、1C這3個(gè)，和用于固定它們的固定夾具50、保持夾具51、準(zhǔn)直透鏡53、透鏡夾持件52，以及電氣配線58構(gòu)成。
[0089]在本實(shí)施例中，如圖9B所示，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置1A、1B、1C經(jīng)由電氣配線58被串聯(lián)連接。這時(shí)本實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，相對于基臺11，氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3的陽極、陰極均電氣分離，因此能夠容易地使之串聯(lián)連接。特別是因?yàn)榛_11的固定面lid、與氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件3電氣分離，所以能夠使基臺11和固定夾具50以不在這兩者之間插入絕緣層的方式接觸，因此能夠使氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置所發(fā)生的熱經(jīng)由固定夾具50容易地散發(fā)到外部。另外，從氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置1A、1B、1C出射的出射光70，能夠通過準(zhǔn)直透鏡53成為平行光而使之放射。
[0090]實(shí)施例3
[0091]接著，使用圖10對于第三實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置201進(jìn)行說明。圖10是從第三實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置的封裝10上拆卸分解了帽30而成的立體圖。對于與第一實(shí)施例共通的構(gòu)成要素，通過附加相同編號而省略說明。氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置201與第一實(shí)施例的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置I比較，緩沖構(gòu)件的個(gè)數(shù)和形狀大不相同。在第一實(shí)施例中，對于多個(gè)引針，分別各自準(zhǔn)備環(huán)狀的緩沖構(gòu)件，但在本實(shí)施例中，對于多個(gè)引針配置通用的緩沖構(gòu)件。具體來說，在底座Ila上對于多個(gè)引針設(shè)有通用的開口部11c，在開口部11c，固著有用于固定多個(gè)引針的設(shè)有多個(gè)開口的緩沖構(gòu)件20。多個(gè)引針14a、14b在緩沖構(gòu)件20的開口部的內(nèi)側(cè)經(jīng)由環(huán)狀的絕緣構(gòu)件18a、18b而被固定。這樣的構(gòu)成，也與第一實(shí)施例同樣，絕緣構(gòu)件18a、18b和基臺11(底座Ila)由位于其間的緩沖構(gòu)件分離，因此以不直接接觸的方式被固定。由此，能夠減少構(gòu)成封裝10的零件件數(shù)，因此可以用更低成本實(shí)現(xiàn)氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置。
[0092]還有，在上述的實(shí)施例1?3中，并不是限于封裝的引針為兩根、接地引針為一根。例如在將底座固定在外部的固定夾具、且借助該固定夾具接地時(shí)，可以不需要接地引線。另夕卜，也可以使氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置所搭載的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件為具有多個(gè)波導(dǎo)管的陣列元件，使引針為三根以上，與各個(gè)波導(dǎo)管進(jìn)行導(dǎo)線連接。這種情況下，由于多根引針全部適用緩沖構(gòu)件環(huán)，從而能夠更有效地抑制氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的劣化。
[0093]還有，在上述的實(shí)施例1?3中，使氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件采用了例如為發(fā)光波長是380?500nm、且光輸出功率超過I瓦特的高輸出功率的氮化物半導(dǎo)體系半導(dǎo)體激光器或氮化物半導(dǎo)體系半導(dǎo)體激光器陣列，但也可以使用其他的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，此外，例如，也可以是適于圖像顯示裝置的散斑噪聲低的氮化物半導(dǎo)體系超發(fā)光二極管。
[0094]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0095]本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光裝置和光源，作為激光顯示器和投影機(jī)等的圖像顯示裝置、以及激光加工和激光退火等的工業(yè)用的激光設(shè)備這樣的需要比較高的光輸出功率的裝置的光源特別有用。
[0096]符號說明
[0097]I氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置
[0098]3氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件[0099]6次基臺
[0100]10 封裝
[0101]11 基臺
[0102]Ila 底座
[0103]Ilb 柱
[0104]Ilc 開口部
[0105]Ild固定面
[0106]Ile 主面
[0107]12焊接臺
[0108]13粘接層
[0109]14a、14b 引針
[0110]15接地引針
[0111]18a、18b 絕緣構(gòu)件
[0112]19a, 19b 粘接層
[0113]20a、20b 緩沖構(gòu)件
[0114]30 帽
[0115]31金屬帽
[0116]31a 圓筒部
[0117]31b窗固定部
[0118]31c凸緣部
[0119]31d光引出開口部
[0120]31e關(guān)起部
[0121]32透光窗
[0122]33粘接層
[0123]40a、40b 導(dǎo)線
[0124]45密封氣體
[0125]50固定夾具
[0126]51保持夾具
[0127]55接觸面
[0128]61輸入電流
[0129]62輸出電流
[0130]70出射光
[0131]70a主光線
[0132]80散熱路徑。
【權(quán)利要求】
1.一種氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于，具備: 氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件； 基臺，其保持所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件，且以第一金屬為主成分； 帽，其固著在所述基臺上； 開口部，其形成于所述基臺；和 引針，其通過所述開口部， 并且，所述引針以從該引針側(cè)順次將絕緣構(gòu)件和緩沖構(gòu)件夾在該引針和該開口部的內(nèi)壁之間的方式被固定于所述開口部的內(nèi)壁， 所述絕緣構(gòu)件的成分含有硅氧化物， 所述緩沖構(gòu)件由比所述第一金屬的標(biāo)準(zhǔn)氧化還原電位小的第二金屬、或含有該第二金屬的合金構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 所述基臺以Cu為主成分。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 所述緩沖構(gòu)件由Fe、N 1、Co、Cr、T1、Al、Mg、Mo、W的任意一種或含有這些金屬的任意一種的合金構(gòu)成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 所述緩沖構(gòu)件由Fe或Fe合金構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 所述緩沖構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)，與所述絕緣構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)同等或較大。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 所述引針的熱膨脹系數(shù)與所述絕緣構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)同等或較小。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 所述基臺的熱膨脹系數(shù)與所述緩沖構(gòu)件的熱膨脹系數(shù)同等或較大。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 由所述基臺和所述帽所密封的氣氛含有氧。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 從所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件出射的光密度為lOOMW/cm2以上。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 所述基臺具備:形成有所述開口部的底座、和與所述底座連接的柱， 所述底座具有:面對所述氮化物半導(dǎo)體發(fā)光元件的主面、和與該主面相反一側(cè)的固定面， 所述柱具有:相對于所述底座的主面垂直的元件固定面， 所述底座和所述柱均以Cu為主成分。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 所述緩沖構(gòu)件的所述固定面?zhèn)鹊谋砻?，位于所述開口部的內(nèi)部。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 還具備保持所述底座的固定夾具， 與所述固定面接觸一側(cè)的所述固定夾具，覆蓋所述開口部的一部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 具備多個(gè)所述引針，所述開口部和所述緩沖構(gòu)件按所述多個(gè)引針設(shè)置。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一 項(xiàng)所述的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其特征在于， 具備多個(gè)所述引針，所述開口部和緩沖構(gòu)件相對于所述多個(gè)引針通用，在所述緩沖構(gòu)件上設(shè)置有所述多個(gè)引針通過的多個(gè)開口部。
【文檔編號】H01S5/024GK103907249SQ201280052274
【公開日】2014年7月2日 申請日期:2012年5月1日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月30日
【發(fā)明者】山中一彥, 吉田真治 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社