顯示器的制造方法
【專利摘要】顯示器，其包含至少一個有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述至少一個有機(jī)發(fā)光二極管包含陽極、陰極、在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層和在所述陰極與所述發(fā)光層之間的至少一個包含式(I)化合物的層：其中A1和A2獨(dú)立地選自鹵素，CN，取代或未取代的C1至C20烷基或雜烷基，C6至C20芳基或C5至C20雜芳基，C1至C20烷氧基或C6至C20芳氧基，A3選自取代或未取代的C6至C40芳基或C5至C40雜芳基，m＝0、1或2，n＝0、1或2。
【專利說明】顯示器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種顯示器，其包含至少一個有機(jī)發(fā)光二極管，該有機(jī)發(fā)光二極管具 有增強(qiáng)的性能和較長的壽命，并涉及至少一個有機(jī)發(fā)光二極管在這樣的顯示器中的用途。

【背景技術(shù)】
[0002] 自從Tang等人在1987年證實(shí)了有效的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)以來（C. W. Tang 等人，Appl. Phys. Lett.(應(yīng)用物理快報）51 (12)，913 (1987))，0LED從有希望的備選者發(fā)展 成高端商業(yè)顯示器。0LED包含一系列基本上由有機(jī)材料制成的薄層。所述層通常具有l(wèi)nm 至5 μ m范圍內(nèi)的厚度。通常借助于蒸汽沉積在真空中形成或者例如借助于旋涂或印刷從 溶液中形成所述層。
[0003] 在載荷子以電子的形式從陰極和以空穴的形式從陽極注入到布置于其中的有機(jī) 層中之后，0LED發(fā)光?；谑┘拥耐獠侩妷簩?shí)現(xiàn)所述載荷子注入，隨后在發(fā)光區(qū)形成激子 和這些激子發(fā)生輻射性復(fù)合。所述電極中的至少一個是透明的或半透明的，在大部分情況 下形式為透明的氧化物，例如氧化銦錫（ΙΤ0)，或薄的金屬層。
[0004] 既可以作為無源矩陣實(shí)現(xiàn)又可以作為有源矩陣實(shí)現(xiàn)基于0LED的平板顯示器。在 無源矩陣顯示器的情況下，通過例如如下方式產(chǎn)生圖像：接連選擇行，和在所呈現(xiàn)列上選擇 圖像信息項(xiàng)。然而，這樣的顯示器出于技術(shù)構(gòu)造的原因被限制為尺寸為約100行。
[0005] 具有高信息內(nèi)容的顯示器需要子像素的有源驅(qū)動。為此目的，每個子像素被具 有晶體管的電路，一種驅(qū)動器電路所驅(qū)動。所述晶體管通常被設(shè)計為薄膜晶體管（TFT)。 全色顯示器是已知的并且通常用于mp3播放器、數(shù)字照相機(jī)和移動電話；最早的器件是由 Sanyo-Kodak (三洋-柯達(dá)）公司制造的。在這種情況下，將含有用于每個子像素的相應(yīng)驅(qū)動 器電路的由多晶硅制備的有源矩陣用于0LED顯示器。多晶硅的備選項(xiàng)的是無定形硅，如由 J.-J.Lih等人，SID 03 Digest，第 14頁及以后幾頁，2003 和 T.Tsujimura，SID 03 Digest， 第6頁及以后幾頁，2003所描述的。另一個備選項(xiàng)是使用基于有機(jī)半導(dǎo)體的晶體管。
[0006] 用于顯示器的0LED層堆疊體的實(shí)例由Duan等人（D01:10. 1002/adfm. 201100943) 描述。Duan說明了藍(lán)色0LED和白色0LED。他將具有一個發(fā)光層的器件改進(jìn)為兩個和三個 發(fā)光層，在付出了更復(fù)雜的器件堆疊體的代價下實(shí)現(xiàn)了更長的壽命。其它現(xiàn)有技術(shù)的堆疊 體公開在 US 6878469 B2、W0 2009/107596 A1 和 US 2008/0203905 中。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的是提供具有更好特性的，尤其具有較長壽命的0LED顯示器。本發(fā)明 的另一個目的是提供包含特定類別功能材料的顯示器，所述功能材料可以在所述顯示器的 層結(jié)構(gòu)中使用以克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷。所述顯示器還應(yīng)當(dāng)包含可以毫無困難地合成的材 料。
[0008] 通過包含至少一個如下有機(jī)發(fā)光二極管的顯示器實(shí)現(xiàn)所述目的，其中所述至少一 個有機(jī)發(fā)光二極管包含陽極、陰極、在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層和在所述陰極與 所述發(fā)光層之間的至少一個包含通式（I)化合物的層：
[0009]

【權(quán)利要求】
1. 顯示器，其包含至少一個有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述至少一個有機(jī)發(fā)光二極管包含 陽極、陰極、在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層和在所述陰極與所述發(fā)光層之間的至少 一個包含式（I)化合物的層：
其中A1和A2獨(dú)立地選自鹵素，CN，取代或未取代的C1至C2tl烷基或雜烷基，C6至C2tl芳 基或C5至C2tl雜芳基，C1至C2tl烷氧基或C6至C2tl芳氧基， A3選自取代或未取代的C6至C4tl芳基或C5至C4tl雜芳基，m= 0、1 或 2， n= 0、1 或 2。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其中所述式（I)的化合物具有以通式（II)為特征的 結(jié)構(gòu)
其中每個R1至R4獨(dú)立地選自H，鹵素，CN，取代或未取代的C1至C2tl烷基或雜烷基，C6 至C2tl芳基或C5至C2tl雜芳基，C1至C2tl烷氧基或C6至C2tl芳氧基， Ar是取代或未取代的C6至C24芳烴或者取代或未取代的C5至C24雜芳烴，j= 1或2,和 每個R5獨(dú)立地選自取代或未取代的C6至C2tl芳基或C5至C2tl雜芳基，H，F(xiàn)或
其中每個R1'至R4'獨(dú)立地選自H，鹵素，CN，取代或未取代的C1至C2tl烷基或雜烷基，C6 至C2tl芳基或C5至C2tl雜芳基，C1至C2tl烷氧基或C6至C2tl芳氧基。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示器，其中每個R1至R4獨(dú)立地選自H，取代或未取代的C6 至C2tl芳基和C5至C2tl雜芳基。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示器，其中A3包含至少一個選自氧化膦和硫化膦的基團(tuán)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1和4中任一項(xiàng)所述的顯示器，其中A3是
R6選自H，F(xiàn)，CN，取代或未取代的C6至C2tl芳基或C5至C2tl雜芳基，優(yōu)選選自

R7和R8中的每個獨(dú)立地選自C6至C2tl芳基或C5至C2tl雜芳基，其可以是未取代的或取 代的， R9是〇或S， r是 0，1，2,3 或 4， k是O或1，和 q是1，2或3。
6. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示器，其中所述包含式（I)化合物的層包含另 外的材料，該另外的材料選自氧化還原n-摻雜劑和選自堿金屬或堿土金屬絡(luò)合物。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的顯示器，其中所述包含式（I)化合物的層是激 子阻擋層。
8. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示器，其中所述至少一個有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射 白光。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的顯示器，其中第一有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射第一顏色 的光，和第二有機(jī)發(fā)光二極管發(fā)射第二顏色的光，所述第二顏色不同于所述第一顏色。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示器，其中包含在所述第一有機(jī)發(fā)光二極管中的式（I)化 合物和包含在所述第二有機(jī)發(fā)光二極管中的式（I)化合物是相同的化合物。
11. 至少一種有機(jī)發(fā)光二極管在顯示器中的用途，其中所述有機(jī)發(fā)光二極管包含陽極、 陰極、在所述陽極和所述陰極之間的發(fā)光層和在所述陰極與所述發(fā)光層之間的至少一個包 含式⑴化合物的層：
其中A1和A2獨(dú)立地選自鹵素，CN，取代或未取代的C1至C2tl烷基或雜烷基，C6至C2tl芳 基或C5至C2tl雜芳基，C1至C2tl烷氧基或C6至C2tl芳氧基，
A3選自取代或未取代的C6至C4tl芳基或C5至C4tl雜芳基，m= 0、1 或 2， n= 0、1 或 2。
12.式⑴化合物： 其中A1和A2獨(dú)立地選自鹵素，CN，取代或未取代的C1至C2tl烷基或雜烷基，C6至C2tl芳 基或C5至C2tl雜芳基，C1至C2tl烷氧基或C6至C2tl芳氧基， m和n獨(dú)立地選自0、1和2， A3是
其中R6選自H，鹵素，CN，取代或未取代的Cl至C20烷基或Cl至C20雜烷基，C6至C20 芳基或C5至C20雜芳基，Cl至C20烷氧基或C6至C20芳氧基； R7和R8中的每個獨(dú)立地選自取代或未取代的C6至C20芳基或C5至C20雜芳基；q選自1、2和3 ; k是0或1， r選自 0，1，2,3 或 4， R9是O或S; 其中排除以下化合物：
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的化合物，其具有式（IV):
其中R18至R22中的每個獨(dú)立地選自H，鹵素，CN，取代或未取代的Cl至C20烷基或Cl至C20雜烷基，C6至C20芳基或C5至C20雜芳基，Cl至C20烷氧基或C6至C20芳氧基； R23和R24中的每個獨(dú)立地選自取代或未取代的C6至C20芳基或C5至C20雜芳基，和 R25是〇或S。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的化合物，其中在式（IV)中的R18至R21中的每個獨(dú)立地選 自H，和選自，各自取代或未取代的，Cl至C20烷基，Cl至C20雜烷基，Cl至C20烷氧基和 C6至C20芳氧基； R22選自H和取代或未取代的C6至C20芳基或C5至C20雜芳基；R23和R24中的每個獨(dú) 立地選自取代或未取代的C6至C20芳基或C5至C20雜芳基，和 R25 是 0。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12至14中任一項(xiàng)所述的化合物，其具有下式中的一個：
【文檔編號】H01L51/50GK104247070SQ201280067206
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月30日
【發(fā)明者】歐姆萊恩·法德爾, 拉莫娜·普雷奇, 卡斯滕·洛特, 魯?shù)婪颉とR斯曼, 弗朗索瓦·卡爾迪納利 申請人:諾瓦爾德股份有限公司