后向發(fā)射的oled設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于一種OLED設(shè)備，包括：透明陽極（1），陽極呈給定方塊電阻R1，呈給定方塊電阻R2的陰極（3），比率r=R2/R1從0.1至5，第一被稱為適配的陽極接觸（41），和第二被稱為適配的陽極接觸（41’），其與第一適配接觸間隔并且相對，第一陰極電接觸（5），其為：被布置在活性區(qū)（20）之上，在接觸表面的任何點(diǎn)處自第一適配陽極接觸（41）和第二適配陽極接觸（41’）岔開。
【專利說明】后向發(fā)射的OLED設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的目的在于有機(jī)電致發(fā)光二極管的設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]已知的有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)或OLED (對于英語中的“Organic Light EmittingD1des (有機(jī)發(fā)光二極管)”)包括有機(jī)電致發(fā)光層的堆疊，所述有機(jī)電致發(fā)光層由以導(dǎo)電薄層的形式配備它的電極來供電。當(dāng)電壓被施加在兩個電極之間時，電流穿過有機(jī)層，于是通過電致發(fā)光而生成光。
[0003]在后向發(fā)射OLED設(shè)備(英語中bottom OLED (底部OLED))中，上電極或陰極是典型地具有小于或等于0.1 Ω /方塊的方塊電阻的反射金屬層，并且下電極或陽極是透明層，其被沉積在玻璃或塑料襯底上，讓所發(fā)射的光通過，其方塊電阻大多個數(shù)量級。
[0004]文檔W099/02017觀察到，在陽極和陰極之間方塊電阻的非常大差異同時導(dǎo)致亮度的非均質(zhì)性、持續(xù)時間和可靠性的減低，這對于大尺寸的設(shè)備尤其如此。同樣，其提出一種有機(jī)電致發(fā)光二極管的設(shè)備，其具有給定方塊電阻Rl的透明陽極和具有接近的給定方塊電阻R2的陰極，比率r=R2/Rl被包括在0.3和3之間。
[0005]作為示例，陽極是方塊電阻為10歐姆的ITO層并且陰極是方塊電阻為9.9歐姆的鐿薄層，即r在I附近。
[0006]然而，均質(zhì)性增益還不是最優(yōu)的，并且甚至并非對于所有OLED配置是確定的。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]同樣，本發(fā)明的目的在于一種有機(jī)電致發(fā)光二極管(稱作0LED)的設(shè)備,其包括具有第一主面的透明襯底，包括堆疊，所述堆疊以從所述第一面開始的該順序包括:
-(直接在第一面上或例如在亞層上)形成透明陽極的下電極，優(yōu)選地包括至少一個導(dǎo)電層，陽極呈給定方塊電阻R1，尤其是Rl小于30歐姆/方塊、甚至小于或等于15歐姆/方塊、或甚至10歐姆/方塊，所述陽極表面的特征尺寸優(yōu)選地為至少2cm、甚至5cm，
-在所述陽極上的有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)，
-形成陰極的上電極，其在有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)上(甚至直接在所述系統(tǒng)上)，優(yōu)選地包括導(dǎo)電層，陰極呈給定方塊電阻R2，陰極優(yōu)選地呈恒定的給定厚度，其中比率r=R2/Rl從0.1至5,
所述陽極、有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)和陰極于是限定了稱為活性的共同區(qū)(對應(yīng)于照明表面減去可能的內(nèi)部陽極接觸，如果其太不透明的話)。
[0008]OLED設(shè)備此外包括:
-第一適配陽極接觸，優(yōu)選為延伸類型的甚至以多個(靠近的)點(diǎn)狀接觸的形式，
-第二適配陽極接觸，優(yōu)選為延伸類型的甚至以多個(靠近的)點(diǎn)狀接觸的形式，其與第一適配接觸間隔并且相對，
第一和第二接觸形成被稱為第一陽極區(qū)域的陽極區(qū)域的兩條相對的邊(不相鄰)，所述第一陽極區(qū)域此外由活性區(qū)的被稱為自由的第一邊緣以及由活性區(qū)的相對于第一自由邊緣的被稱為自由的第二邊緣所劃定，
-第一陰極電接觸，其為:
-被布置在活性區(qū)之上，部分地覆蓋第一陽極區(qū)域之上的陰極區(qū)域，
-給定的表面，稱作接觸表面，其小于活性區(qū)的面積和小于第一陽極區(qū)域的面積，
-在接觸表面的任何點(diǎn)處，從第一適配陽極接觸以及第二適配陽極接觸岔開。
[0009]對于第一適配接觸的(至少多數(shù)，甚至80%并且優(yōu)選的對于)每個點(diǎn)BI，通過定義在所述點(diǎn)BI與接觸表面的最接近于所述點(diǎn)BI的點(diǎn)Cl之間的距離D1，以及通過定義在所述點(diǎn)BI與第二適配接觸的點(diǎn)Xl之間、經(jīng)過Cl的距離LI，因此定義以下準(zhǔn)則:
-如果 0.1 ^ r < 1.75,則 10% < D1/L1 < 50%,
-如果 1.75 ^ r < 2.5,則 10% < D1/L1 < 45%,
-如果 2.5 彡 r < 3，貝丨J 10% < D1/L1 < 40%,
-如果 3 彡 r 彡 5，則 10% < D1/L1 < 35%,
并且對于第二適配接觸的(至少多數(shù)，甚至80%并且優(yōu)選的對于)每個點(diǎn)B2，通過定義在所述點(diǎn)B2與接觸表面的最接近于所述點(diǎn)B2的點(diǎn)C2之間的距離D2，以及通過定義在所述點(diǎn)B2與第一適配接觸的點(diǎn)X2之間、經(jīng)過C2的距離L2，因此定義以下準(zhǔn)則:
-如果 0.1 ^ r < 1.75,則 10% < D2/L2 < 50%,
-如果 1.75 彡 r < 2.5，則 10% < D2/L2 < 45%,
-如果 2.5 彡 r < 3，則 10% < D2/L2 < 40%,
-如果 3 彡 r 彡 5，則 10% < D2/L2 < 35%。
[0010]OLED設(shè)備此外在有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)之上、遠(yuǎn)離第一面地包括覆蓋活性區(qū)的反射器。
[0011]更嚴(yán)格地，Dl (相應(yīng)地D2)是在BI (相應(yīng)地B2)與Cl (相應(yīng)地C2)在陽極上的或更好地在經(jīng)過BI (相應(yīng)地B2)而平行于陽極的平面中的(正)投影之間的距離，但是考慮到OLED的微小高度，這并不改變以上定義的準(zhǔn)則。
[0012]并且同樣更嚴(yán)格地，LI (相應(yīng)地L2)是在BI (相應(yīng)地B2)與Xl (相應(yīng)地X2)之間、經(jīng)過Cl (相應(yīng)地C2)在經(jīng)過BI (相應(yīng)地B2)而平行于陽極的平面中的正投影的距離。
[0013]因此可以優(yōu)選在經(jīng)過BI而平行于陽極的平面中定義Dl和LI并且在經(jīng)過B2而平行于陽極的平面中定義D2和L2。
[0014]根據(jù)本發(fā)明，適配的陽極接觸(第一適配陽極接觸以及第二適配陽極接觸)理解為一種電接觸，其具有足夠的傳導(dǎo)以使得當(dāng)OLED運(yùn)轉(zhuǎn)時，電壓在適配接觸的任何點(diǎn)處是相同的。由該傳導(dǎo)屬性導(dǎo)致，在適配接觸的兩點(diǎn)之間，在這兩點(diǎn)附近的亮度變化小于5%。適配的陽極接觸的作用因此是在其全部表面上分布相同的電勢。
[0015]根據(jù)本發(fā)明，第一陰極電接觸具有足夠的傳導(dǎo)以使得當(dāng)OLED運(yùn)轉(zhuǎn)時，電壓在第一陰極接觸的任何點(diǎn)處是相同的。由該傳導(dǎo)屬性導(dǎo)致，在該陰極接觸的兩點(diǎn)之間，在這兩點(diǎn)附近的亮度變化小于5%。該陰極接觸的作用因此是在其全部表面上分布相同的電勢。
[0016]本發(fā)明的目的在于制造滿足預(yù)先要求的亮度均質(zhì)性準(zhǔn)則的盡可能大的0LED，其具有給定Rl的陽極和給定rorg的有機(jī)層電阻、以具有兩個相對的陽極接觸的配置。
[0017] 申請人:觀察到，陽極和陰極的連接件的定位，尤其是其相對于彼此的定位，以及其形狀是關(guān)鍵的。為了均質(zhì)性的真正增益，于是至關(guān)重要的在于:
-合理地選擇陽極接觸，尤其是其電阻以使得其是適配的，
-正確地安置第一陰極接觸，
-并且使第一陰極接觸足夠遠(yuǎn)離相對的適配陽極接觸。
[0018]于是得到在整個照明表面上在陰極和陽極之間盡可能恒定的電勢差。
[0019]相對邊緣的命名在廣義上來理解并且結(jié)合圓形陽極區(qū)域(盤、卵形輪廓等)的兩個相對區(qū)，并且此外相對于術(shù)語相鄰。
[0020]無論點(diǎn)BI (或B2)如何，Dl (或D2)可以是恒定的，或者變化而同時保持有根據(jù)本發(fā)明的嚴(yán)格取決于比率r的選擇的比率D1/L1 (或D2/L2)。
[0021]陰極以電勢Vc來被供電，以使得在陽極和陰極之間的(多個)電勢的差適于照明，尤其Vc是接地的。
[0022]考慮傳統(tǒng)厚陰極是理想的，也就是說其自身形成陰極接觸(在陰極的任何點(diǎn)處等電勢)。本發(fā)明從陰極方塊電阻R2的增加和接觸表面上的準(zhǔn)則這方面而不同于這樣的陰極。
[0023]陰極優(yōu)選地呈恒定的給定厚度，尤其具有根據(jù)制造方法的容差，例如對于薄層類型的沉積為±10%。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的OLED特別是用于照明，而且特征尺寸，即最大尺寸，諸如第一陽極區(qū)域(或活性區(qū))的長度或直徑可以是至少1cm甚至15cm。
[0025]為了更好的均質(zhì)化，第一陰極接觸存在于最遠(yuǎn)離相對陽極接觸的區(qū)域中。
[0026]事實(shí)上，是在該遠(yuǎn)離的區(qū)域中，陽極電勢下降得最徹底。根據(jù)本發(fā)明，因此需要通過陰極中的電勢降來補(bǔ)償，該電勢降是由根據(jù)本發(fā)明的第一陰極接觸生成的。
[0027]對于陽極區(qū)域的平常形狀(多邊形、圓形等)，其自然地涉及第一陽極區(qū)域的中央?yún)^(qū)域，因此中心和其周圍。
[0028]于是，第一陰極接觸可以有利地自第一陽極區(qū)域的中央?yún)^(qū)域(換言之中心)延伸向第一和第二陽極接觸，甚至優(yōu)選地延伸向活性區(qū)的一個或多個自由邊緣。
[0029]術(shù)語自由邊緣在廣義上來理解，例如如果活性區(qū)具有許多邊，則為多個區(qū)段。在圓形、彎曲活性區(qū)的情況下，其還包含邊緣的區(qū)。
[0030]D1/L1 (或D2/L2)的上限提醒:根據(jù)本發(fā)明的第一陰極接觸偏離點(diǎn)狀(或無限細(xì))類型的接觸。
[0031]重要的是，第一陰極接觸因此呈現(xiàn)足夠的接觸表面。
[0032]例如，因此使中央?yún)^(qū)的一部分非均質(zhì)的陰極接觸不符合本發(fā)明?？梢砸米鳛榉蠢?
-在第一陽極區(qū)域的中央?yún)^(qū)中呈彼此間隔太開的多個片段的陰極接觸，
-形成太細(xì)的框架或環(huán)的空心陰極接觸。
[0033]陰極接觸的另一個反例(不符合本發(fā)明)將是在活性區(qū)外部的陰極接觸。
[0034]陰極接觸的另一個反例(不符合本發(fā)明)此外將是電阻性或甚至適配的接觸網(wǎng)，諸如柵格或平行帶，僅僅占據(jù)(寬度Dl或D2的)活性區(qū)的內(nèi)部周緣或整體活性區(qū)。
[0035]根據(jù)本發(fā)明的陰極接觸不一定再現(xiàn)活性區(qū)和/或第一陽極區(qū)域的對稱。
[0036]接觸表面可以是實(shí)心表面、呈柵格的表面(被布置用于維持等電勢)，所述表面如有必要則使之呈星狀(6toil6)。
[0037]事實(shí)上，即使是實(shí)心的接觸表面也可以呈星狀，并且尤其具有更加厚或不太厚的分支(尤其是可看作相似于線)。
[0038](基本上)實(shí)心的接觸表面(尤其是沉積在陽極上的層)可以呈現(xiàn)表面不連續(xù)性，但是不能擾亂其在最遠(yuǎn)離相對的適配陽極接觸的區(qū)域中的等電勢功能。
[0039]實(shí)心表面可以尤其是凸的，至少在與適配陽極接觸的相對處。并且，如已經(jīng)指示的，優(yōu)選地，實(shí)心接觸表面不是空心類型的。
[0040]此外優(yōu)選的是，活性區(qū)是實(shí)心類型的。在具有至少一個(強(qiáng)烈)窄處的活性區(qū)的情況下，可以優(yōu)選不在該窄處的相對處布置適配的陽極接觸。
[0041]第一陰極接觸可以相對于第一和第二陽極接觸(甚至優(yōu)選地相對于活性區(qū)的邊緣，如果是外部的適配陽極接觸的話)而被(基本上)定于中心。
[0042]第一陰極接觸例如具有接觸表面，其輪廓垂直于第一陽極區(qū)域中的電流線，尤其是在活性區(qū)的多邊形配置(方形、矩形)中。
[0043]尤其是定于中心的第一陰極接觸可以具有與第一陽極區(qū)域的表面(基本上)位似的表面。
[0044]至少，與第一陽極接觸相對的第一陰極接觸的輪廓可以沿著第一陽極接觸的輪廓。與第二陽極接觸相對的第一陰極接觸的輪廓可以沿著第二陽極接觸的輪廓。
[0045]尤其是定于中心的第一陰極接觸可以具有與活性區(qū)的表面(基本上)位似的表面，如果適配接觸在外部的話，這尤其是對于多邊形活性區(qū)。
[0046]陰極接觸可以自支撐和增添在陰極上，例如呈片層(nappe)狀的線集等。
[0047]優(yōu)選地，第一陰極接觸的厚度是恒定的。
[0048]第一陰極接觸可以優(yōu)選地在第一陽極區(qū)域中是連續(xù)的，尤其是金屬實(shí)心層(單或多層)，和/或優(yōu)選地接觸表面不是空心的(至少在中心處)。
[0049]對于還更好的均質(zhì)化，優(yōu)選:
-如果 0.1 彡 r < 1.75，則 20% ( D1/L1 < 50% 并且 20% ( D2/L2 < 50%,
-如果 1.75 < r < 2.5，則 20% ( D1/L1 ( 40%,并且 20% ( D2/L2 ( 40%,
-如果 2.5 彡 r < 3，則 20% ( D1/L1 ( 35%,并且 20% ( D2/L2 ( 35%,
-如果 3 彡 r 彡 5，則 15% ( D1/L1 ( 25% 并且 15% ( D2/L2 ( 25%。
[0050]尤其優(yōu)選以下準(zhǔn)則:
-如果 0.1 彡 r < 1.75，則 30% ( D1/L1 < 50% 并且 30% ( D2/L2 < 50%,
-如果 1.75 彡 r < 2.5，則 25% ( D1/L1 ( 35% 并且 25% ( D2/L2 ( 35%,
-如果 2.5 彡 r < 3，則 20% ( D1/L1 ( 30%,并且 20% ( D2/L2 ( 30%,
-如果 3 彡 r 彡 5，則 15% ( D1/L1 ( 25% 并且 15% ( D2/L2 ( 25%。
[0051]對于2.5 彡 r < 3 和 20% ( D1/L1 < 30%, 20% < D2/L2 < 30%,獲得最佳均質(zhì)化。
[0052]第一適配接觸至于其可以是實(shí)心或格網(wǎng)(被收緊的形成帶的柵格…)類型的層，甚至是足夠接近以用于分布電流的點(diǎn)狀陽極接觸的集合，例如遠(yuǎn)離少于數(shù)_。
[0053]第一適配陽極接觸可以沿著活性區(qū)的第一邊緣，在活性區(qū)的內(nèi)部和/或外部。其可以優(yōu)選地沿著第一邊緣的多數(shù)甚至基本上沿著第一邊緣的整體而延伸。當(dāng)然，第一邊緣不同于第一和第二自由邊緣。
[0054]并且如有必要則第二適配陽極接觸，在活性區(qū)的內(nèi)部和/或外部，沿著與第一邊緣相對的活性區(qū)的第二邊緣，這些第一和第二邊緣優(yōu)選是縱向的(活性區(qū)邊緣中最長的)。
[0055]第一邊緣可以重組呈多邊形的(尤其以η > 5邊)的活性區(qū)的多條邊。換言之，第一適配陽極接觸可以在多條邊上延伸。其對于第二適配陽極接觸是同樣的。
[0056]尤其是基本上直線的第一(以及第二)適配接觸可以因此是周緣的，周緣以廣義來理解，因此
-在自電致發(fā)光系統(tǒng)的邊緣(和其上的陰極的邊緣)超出的陽極的邊緣上，因此(至少部分地)在活性區(qū)外部的周緣處，并且尤其是通過鈍化而從有機(jī)層和陰極的邊緣分離，
-和/或在由電致發(fā)光系統(tǒng)(和由其上的陰極)覆蓋的陽極的邊緣，并且由鈍化層(諸如聚酰亞胺的)鈍化，因此(至少部分地)在活性區(qū)內(nèi)部的周緣處。
[0057]第一周緣的適配接觸優(yōu)選地處于自第一邊緣小于L/10甚至小于L/20的距離W處，其中L是第一和第二邊緣之間的最大距離。第二周緣的適配接觸優(yōu)選地處于自第二邊緣小于L/10甚至小于L/20的距離W處。
[0058]優(yōu)選地，周緣的適配接觸沿著周緣處于自活性區(qū)的周緣恒定距離(或近似恒定距離)處。
[0059]第一(外部和/或內(nèi)部)周緣適配接觸優(yōu)選地處于自活性區(qū)的最接近的邊緣小于10mm、甚至小于或等于5mm的距離處，并且甚至(部分地)在活性區(qū)的邊緣上(從兩側(cè)超出)。
[0060]第一和/或第二適配陽極接觸可以基本上是直線的、是彎曲的等等。
[0061]第一適配陽極接觸可以基本上是直線的，尤其是其中對于第一適配接觸的切線集合形成直線簇，其兩兩所取的角度小于30°，并且由第一中平面Ml限定。
[0062]第二適配陽極接觸可以基本上是直線的，尤其是其中對于第二適配接觸的切線集合形成直線簇，其兩兩所取的角度小于30°，并且由第二中平面M2限定。
[0063]優(yōu)選地，在(第一和第二)中平面、因此Ml和M2之間的角度α小于45°、甚至小于或等于30°，并且還更好地小于或等于10°，甚至值為0°。
[0064]優(yōu)選的是，第一和第二接觸是基本上平行的尤其當(dāng)活性區(qū)是至少四邊緣(或邊)的多邊形類型時，和/或沿最簡單的活性區(qū)輪廓(如果圓形輪廓的話)。
[0065]第一適配陽極接觸可以具有長度LG1。第二適配陽極接觸可以具有長度LG2，并且優(yōu)選地 0.8LG1 < LG2 < 1.2LG1。
[0066]這些適配陽極接觸可以各自在活性區(qū)不同的一半上。
[0067]優(yōu)選地:
-第一和第二陽極接觸是周緣的并且不存在另外的適配陽極接觸，
-第一陽極接觸是周緣的，第二陽極接觸在活性區(qū)的(更)內(nèi)部(尤其是直線的并且平行或至少沿所述角度α )并且因此存在第三適配陽極接觸，例如周緣的，相對于第二陽極接觸，與第二適配陽極接觸一起限定了第二陽極區(qū)域(鄰近于第一區(qū)域)。
[0068]在該第二陽極區(qū)域中，因此使用如對于第一陰極接觸那樣定義的第二陰極接觸，其中對于給定的r (自然地為陽極區(qū)域的整體所選)，比率D3/L3等同于比率D1/L1。
[0069]可以以相同方式利用活性區(qū)內(nèi)部的第一和第二適配陽極接觸來構(gòu)造陽極區(qū)域(其它接觸優(yōu)選地存在于周緣處)。
[0070]更廣泛地，可以通過多組相對的適配陽極接觸來接觸陽極，從而限定多個陽極區(qū)域。在每個陽極區(qū)域中，OLED設(shè)備可以包括被布置在所述陽極區(qū)域之上的陰極接觸(鄰近于可能的覆蓋元件或鄰近于如稍后詳述的布拉格鏡)，其給定表面小于陽極區(qū)域的面積，部分覆蓋了所述陽極區(qū)域之上的陰極區(qū)域并且在接觸表面的任何點(diǎn)C處自兩個適配陽極接觸岔開并且響應(yīng)于已經(jīng)描述的根據(jù)r (或稍后定義的r’ )的D/L (Dl/Ll，D2/L2)的準(zhǔn)則。
[0071]于是，陽極區(qū)域可以形成具有優(yōu)選為矩形、方形、蜂巢形等等之類的網(wǎng)格的陽極(因此活性區(qū))的鋪面。
[0072]陽極區(qū)域的尺寸相同或不同并且形狀相同或不同。
[0073]典型地，適配陽極接觸(延伸的甚至點(diǎn)狀)的寬度是cm級的?？赡軟]有光出自配備有第一適配陽極接觸的活性區(qū)，因?yàn)樵摻佑|是太不透明的。
[0074]此外，與上述現(xiàn)有技術(shù)相反，經(jīng)由反射器保留可接受的亮度水平。典型地，反射器可以具有至少80%的光反射RL (朝向有機(jī)系統(tǒng))。
[0075]有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)在陽極之上:
-尤其是直接在陽極上，在陽極功能中還集成了可能的導(dǎo)電平面化，
-或還直接在活性區(qū)內(nèi)部的適配陽極接觸的鈍化上(如稍后討論的)，
-尤其是直接在陽極上，在陽極功能中還集成了可能的導(dǎo)電平面化，
-或還直接在活性區(qū)內(nèi)部的電阻性陽極接觸的鈍化上(如稍后討論的)。
[0076]典型地，涂覆有陽極的襯底(陽極直接在襯底上或者通過例如用于提取光的層而分離)可以具有至少70%的光透射。
[0077]根據(jù)本發(fā)明，薄層理解為厚度小于微米、甚至小于500nm、甚至小于10nm的層(不明確為單或多層)。
[0078]根據(jù)本發(fā)明，層理解為單層或多層，這未明確指出。
[0079]OLED設(shè)備可以包括稱作電阻性的一個或多個陽極電接觸，尤其呈導(dǎo)電層狀，被布置在第一陽極區(qū)域中，連至第一適配陽極接觸甚至連至第二適配陽極接觸41’，電阻性接觸如有必要則互連。
[0080]并且自0.1和5之間變化的比率r=R2/Rl因此由被包括在自0.1和5之間的比率r’ =R2/R’ I取代，其中R’ I是第一陽極區(qū)域中的(多個)電阻性接觸和陽極整體的等效方塊電阻，并且保留對于D1/L1和D2/L2的準(zhǔn)則。
[0081]自然地，將優(yōu)選:
-如果 0.1 彡 r’ < 1.75，則 20% ( D1/L1 < 50% 并且 20% ( D2/L2 < 50%,
-如果 1.75 彡 r’ < 2.5，則 20% ( D1/L1 ( 40% 并且 20% ( D2/L2 ( 40%,
-如果 2.5 彡 r’ < 3 ;則 20% ( D1/L1 ( 35%,并且 20% ( D2/L2 ( 35%,
-如果 3 彡 r’ 彡 5，則 15% ( D1/L1 ( 25% 并且 15% ( D2/L2 ( 25%。
[0082]電阻性接觸為這樣的電阻以使得在運(yùn)轉(zhuǎn)時，電阻性接觸的某些點(diǎn)處于電勢Vr，其以絕對關(guān)系不同于適配陽極接觸的電勢多于5%、甚至至少10%或甚至20%。
[0083]陽極的全局電阻于是可以定義為電阻性接觸的電阻與透明陽極層的電阻的并聯(lián)。
[0084]電阻性接觸可以由與適配接觸相同的材料制成，但是細(xì)得多，例如少于1mm。
[0085]出于美學(xué)目的，可以優(yōu)選OLED設(shè)備在活性區(qū)中放棄一個或多個適配陽極接觸，甚至在活性區(qū)中放棄一個或多個電阻性陽極接觸(即便通常是足夠細(xì)的)。
[0086](適配或電阻性)陽極接觸可以呈厚度被包括在0.2至10 μ m之間的層的形式，并且優(yōu)選地呈單層的形式，所述單層由以下金屬中之一制成:Mo、Al、Cr、Nb或由諸如MoCr、AlNb之類的合金制成，或者呈多層的形式，諸如Mo/Al/Mo或Cr/Al/Cr。
[0087]其還可以涉及具有絲網(wǎng)印刷的或通過噴墨而沉積的銀(具有銀的琺瑯)的匯流條。
[0088]已知通過電阻性電接觸的足夠細(xì)的格網(wǎng)來降低陽極的R1，典型地通過陽極上的方形或蜂巢形的金屬網(wǎng)。
[0089]所述段大約為50至100 μ m寬，并且網(wǎng)的節(jié)距通常為l/5mm，這給出在I和5%之間的屏蔽率。
[0090]R，I例如可以自0.5變化至5歐姆。實(shí)際上，利用Mo或Cr (10nm) /Al (500nm至100nm) /Mo或Cr (10nm)的多層，其沉積在例如140nm的ITO上。該多層然后通常利用光刻(photolithographie)方法被化學(xué)蝕刻,用于形成電阻性接觸和如有必要則形成由相同材料制成但是更寬的適配陽極接觸。
[0091]于是在陽極區(qū)域中，一切進(jìn)行地就好似如果具有其電阻等效于陽極和一個或多個電阻性陽極接觸的并聯(lián)的陽極那樣。
[0092]因此在電阻性陽極接觸中具有隨著遠(yuǎn)離OLED的邊緣將逐漸減低的電壓。
[0093]可以優(yōu)選地將陽極連接件定位在活性區(qū)外，這是(連至周緣適配陽極接觸的)連接件被安置在超出活性區(qū)的陽極接觸區(qū)中的原因所在。
[0094]可以優(yōu)選地將陰極連接件定位在活性區(qū)外，這是連至陰極接觸的連接件被安置在超出活性區(qū)的“陰極接觸”區(qū)中的原因所在。
[0095]以相同方式，其中可以有一個或多個電阻性陰極接觸，例如呈導(dǎo)電層狀，連至第一陰極接觸，電阻性接觸如有必要則互連并且尤其是分布在第一陰極接觸與OLED邊緣之間的整體區(qū)上。
[0096]在該情況下，R2對應(yīng)于陰極和(多個)電阻性接觸整體的等效方塊電阻。
[0097]所述電阻性接觸例如為這樣的電阻以使得在運(yùn)轉(zhuǎn)時，電阻性接觸的某些點(diǎn)處于電勢Vr，其以絕對關(guān)系不同于第一陰極接觸的電勢V多于2%、甚至至少4%或甚至8%。
[0098]在陽極接觸的自由邊緣中，可以如此為陰極供電:
-通過使陰極接觸經(jīng)由其端部之一而突出活性區(qū)之外，該區(qū)不再被定義為陰極接觸區(qū)而是定義為陰極連接件區(qū)
-或者通過使反射器在一側(cè)上突出活性區(qū)之外。
[0099]此外，由于R2的適配，陰極可以是透明或半反射的，尤其是呈反射RL小于80%、甚至小于或等于60%、甚至50%。
[0100]陰極讓所發(fā)射的光通過，優(yōu)選地在沒有過度吸收的情況下。
[0101]在第一配置(具有透明或半透明的陰極)中，反射器可以包括金屬反射覆蓋元件，尤其呈((多個)薄)層狀，在陰極之上且遠(yuǎn)離第一主面，所述覆蓋元件通過電絕緣元件而與陰極分離，所述電絕緣元件尤其呈層狀，被稱為夾層(intercalaire)。
[0102]第一陰極接觸，鄰近于夾層(且至少部分地由所述夾層圍繞)，還可以構(gòu)成反射器的部分并且優(yōu)選地與反射覆蓋元件相接觸甚至電耦合。
[0103]所述反射覆蓋元件可以是:
-一層，通過氣相物理沉積而沉積在所述夾層上，或沉積在對著所述夾層而增添(優(yōu)選地呈光學(xué)接觸)的反元件(玻璃、塑料膜等等)的內(nèi)面上-金屬片材:Cu、不銹金屬、Alu、Ag等等優(yōu)選為層的反射覆蓋兀件例如基于選自Al、Ag、Cu、Mo、Cr之中的至少一種金屬。
[0104]所述夾層可以被選擇用于讓所發(fā)射的光通過，優(yōu)選地在沒有過度吸收的情況下。例如，夾層是透明的，優(yōu)選地TL>90%，并且不太吸收，尤其A〈3%。
[0105]夾層可以是:
-沉積在薄層陰極上的層，通過氣相物理沉積甚至如果反射器是板(不銹等等)則通過膠等等來沉積
-反射器通過間隔件而自空氣分開，所述間隔件在活性區(qū)周緣，
-所增添的膜，例如(PVB類型)分層夾層，并且反射器例如是具有反射層的玻璃襯底。
[0106]夾層優(yōu)選地包括(單)層(尤其是厚度小于lOOnm，厚度根據(jù)其吸收而被調(diào)整)甚至由其構(gòu)成，所述(單)層為:
?無機(jī)的，優(yōu)選地選自氮化物、氧化物、氮氧化物，例如氮化硅，
?或者樹脂，例如與OLED邊緣的鈍化樹脂相同，尤其由聚酰亞胺制成，
?和/或如有必要則為漫射的，例如通過以尤其無機(jī)的粘結(jié)劑而添加尤其無機(jī)的漫射粒子。
[0107]優(yōu)選地，在該第一配置中，第一陰極接觸包括一層，該層基于與金屬覆蓋元件相同的材料，優(yōu)選地其為基于鋁的層。
[0108]所述陰極接觸可以是:
-沉積在陰極上的層:導(dǎo)體膠、通過噴墨或絲網(wǎng)印刷根據(jù)所希望的形式而沉積的層、通過PVD沉積的并且如果必要則圖案化的薄層、焊劑甚至焊接等等-和/或以預(yù)定形式所增添的膜，所述預(yù)定形式:金屬箔片等等優(yōu)選為層的陰極接觸基于優(yōu)選選自Al、Ag、Cu、Mo、Cr之中的至少一種金屬。
[0109]尤其是，陰極接觸和反射覆蓋元件可以通過夾層(呈層狀)和陰極上的連續(xù)層形成，并且優(yōu)選地，陰極接觸、甚至連續(xù)層基于與陰極相同的材料，尤其是鋁。
[0110]以該方式，在關(guān)狀態(tài)下，所述連續(xù)層可以形成鏡面并且陰極接觸與覆蓋元件不進(jìn)行區(qū)分。
[0111]可以希望使用單一沉積技術(shù)(例如，氣相物理沉積PVD、尤其是陰極濺射或蒸發(fā))用于覆蓋元件和陰極接觸(并且甚至陰極又或夾層)，甚至還使用層沉積的單一步驟來用于覆蓋元件和陰極接觸。
[0112]更廣泛地，在用于陰極的可能材料之中，可以引用 -一些金屬:招、鈸、鎂、?丐、銀、鋇、鑭鉿、銦、秘，
-以及一些鑭族元素:鋪、鐠、釹、衫、銪、禮、鋪、鏑、欽、鉺、錢、鐿和镥。
[0113]特別地優(yōu)選鋁、銀、鋇、鈣、釤，它們經(jīng)常被用于其低輸出功。
[0114]以下的表I給出
鋁的R2 (其根據(jù)所選的厚度可以是透明或半透明的)，
釤的R2，其(單位質(zhì)量的)電阻率為900 n0hm.m，其根據(jù)所選厚度可以是透明或半透明的，以及
鋇的R2，其(單位質(zhì)量的)電阻率為332 n0hm.m，其根據(jù)所選厚度是透明或半透明的。
I—1
O
厚度(nm) |R2 (Ω/D) 針對 Al| 厚度(nm) |R2 ( Ω/ □) 針對 Ba| 厚
10~5~5 —66~~
20~2.5~10 —33~50~
K 50_1.30—11"TOO
100~Q.5~5Q —6~2QQ
200~Q.25~75 —4
500|θ.1|lQQ 丨3I
[0115]優(yōu)選的是，R2大于或等于I甚至大于或等于3歐姆/方塊，并且小于20歐姆/方塊。
[0116]陰極優(yōu)選地基于至少一種金屬，優(yōu)選地選自Al和Ag,可選地具有一層LiF,在金屬層下面并且例如厚度<3nm。
[0117]完全特別地，陰極可以包括基于鋁的層甚至由其構(gòu)成，并且陰極接觸是基于鋁的層，例如在鋁制成的陰極層上形成厚度余量。
[0118]在第二配置(具有透明或半透明的陰極)中，反射器為布拉格(Bragg)鏡，布拉格鏡被布置在陰極上并且鄰近于陰極接觸，并且陰極接觸構(gòu)成反射器的部分。
[0119]布拉格鏡已知為由高折射率nl的薄層(諸如Ti02、Zr02、A1203、Si3N4)和較低折射率n2的薄層(諸如Si02、CaF2)交替形成的堆疊。
[0120]例如指數(shù)(indice)的德爾塔(delta) n2_nl為至少0.3、并且優(yōu)選地至少為0.6,并且所述堆疊包括至少兩個高指數(shù)層和兩個低指數(shù)層。
[0121]于是，對于波長趨向570nm為中心的0LED，可以設(shè)想多層堆疊Ti02 60nm/Si0295nm,甚至如有必要則重疊該多層堆疊。
[0122]用于OLED的布拉格鏡的使用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是眾所周知的，其如有必要則可以參照以下公開:
?Appl.Phys.Lett.69, 1997(1996); Efficiency enhancement of microcavityorganic light emitting d1des; R.H.Jordan, A.Dodabalapur,和 R.E.Slusher
?JOSA B, Vol.17, Issue I, pp.114-119 (2000) , Semi transparentmetal or distributed Bragg reflector for wide-viewing-angle organiclight-emitting-d1de mirocavities; Kristiaan Neyts, Patrick De Visschere, DavidK.Fork,和 Greg B.Anderson
陰極接觸可以觸及布拉格鏡。
[0123]陰極接觸例如通過其自活性區(qū)超出的端部之一而被連接，因此形成陰極連接件區(qū)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0124]借助于非限制性示例和附圖，現(xiàn)在將更詳細(xì)地描述本發(fā)明:
-圖1是符合本發(fā)明的OLED設(shè)備的示意性剖視圖
-圖1a是圖1的OLED設(shè)備的示意性俯視圖，示出了陽極和陰極接觸 -圖1b是圖1的OLED設(shè)備以變型的示意性俯視圖，
-圖1c是圖1的OLED設(shè)備的另一示意性剖視圖，示出了陰極連接件，
-圖1’是符合本發(fā)明的OLED設(shè)備的示意性剖視圖，
-圖1’ a是圖1’的OLED設(shè)備的示意性俯視圖，示出了陽極和陰極接觸，
-圖2是符合本發(fā)明的OLED設(shè)備的示意性剖視圖，
-圖2a是圖2的OLED設(shè)備的示意性俯視圖，示出了陽極和陰極接觸，
-圖3示出了作為D1/L1的函數(shù)的亮度均質(zhì)性的圖解，
-圖4至6b是OLED設(shè)備的示意性俯視圖，示出了具有不同形狀的活性區(qū)的陽極和陰極接觸。
[0125]明確的是，出于清楚性的考慮，所表示的對象的不同元件(其中包括角度)不是按比例再現(xiàn)的。

【具體實(shí)施方式】
[0126]故意非常示意性的圖1通過剖面圖而表示了穿過襯底而發(fā)射或英文“bottomemiss1n (底部發(fā)射)”的有機(jī)電致發(fā)光設(shè)備。
[0127]OLED設(shè)備100 (容易地可串聯(lián)連接)包括具有第一主面10的透明襯底，包括堆疊，所述堆疊以自所述第一面開始的該順序包括:
-形成透明陽極I的下電極，優(yōu)選地包括至少一個導(dǎo)電層，陽極呈給定方塊電阻R1，例如銀的堆疊或TC0，
-在所述陽極之上的有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)2 (包含HTL和ETL層)，
-形成透明或半反射的陰極3的上電極，其在有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)之上，包括導(dǎo)電層，陰極呈給定方塊電阻R2、恒定的給定厚度，比率r=R2/Rl自0.1至5，所述堆疊于是限定了稱為活性的共同區(qū)20。
[0128]例如4V或1V的電勢V被施加在陽極I的邊緣處，這經(jīng)由兩個周緣的第一和第二陽極電接觸41、41’，其例如呈金屬(多)層。其被稱為適配的，也就是說電阻被適配以使得在運(yùn)轉(zhuǎn)時在任何點(diǎn)處為電勢V。
[0129]第一適配接觸41此處在活性區(qū)20的外部在活性區(qū)的縱向第一邊緣21上。
[0130]第二適配接觸41此處在活性區(qū)20的外部在相對于第一邊緣22的活性區(qū)縱向第二邊緣21上(見圖la)。
[0131 ] 本發(fā)明于是在于一種OLED模塊，其中同時地在兩個電極上的電連接的幾何結(jié)構(gòu)和比率r (或r’)被調(diào)整以使得在兩個電極中發(fā)生的電壓降相補(bǔ)償以用于在兩個電極之間維持盡可能均勻的電壓差。
[0132]對于第一適配陽極接觸41的每個點(diǎn)BI，通過定義在所述點(diǎn)BI與接觸表面的最接近于所述點(diǎn)B的點(diǎn)Cl之間的距離D1，以及通過定義在所述點(diǎn)BI與第二適配接觸41’的點(diǎn)Xl之間、經(jīng)過Cl的距離LI，因此定義以下準(zhǔn)則:
-如果 0.1 ^ r < 1.75,則 10% < D1/L1 < 50%,
-如果 1.75 ^ r < 2.5,則 10% < D1/L1 < 45%,
-如果 2.5 彡 r < 3，貝丨J 10% < D1/L1 < 40%,
-如果 3 彡 r 彡 5，則 10% < D1/L1 < 35%,
對于第二適配接觸41的每個點(diǎn)B2，通過定義在所述點(diǎn)B2與接觸表面的最接近于所述點(diǎn)B2的點(diǎn)C2之間的距離D2，以及通過定義在所述點(diǎn)B2與第一適配接觸41的點(diǎn)X2之間、經(jīng)過C2的距離L2，因此定義以下準(zhǔn)則:
-如果 0.1 ^ r < 1.75,則 10% < D2/L2 < 50%,
-如果 1.75 ^ r < 2.5,則 10% < D2/L2 < 45%,
-如果 2.5 彡 r < 3，貝丨J 10% < D2/L2 < 40%,
-如果 3 彡 r 彡 5，則 10% < D2/L2 < 35%。
[0133]并且還更好地
-如果 0.1 彡 r < 1.75，則 20% ( D1/L1 < 50% 并且 20% ( D2/L2 < 50%, -如果 1.75 彡 r < 2.5，則 20% ( D1/L1 ( 40% 并且 20% ( D2/L2 ( 40%,
-如果 2.5 彡 r < 3，則 20% ( D1/L1 ( 35% 并且 20% ( D2/L2 ( 35%,
-如果 3 彡 r 彡 5，則 15% ( D1/L1 ( 25% 并且 15% ( D2/L2 ( 25%。
[0134]更嚴(yán)格地，Dl (相應(yīng)地D2)是在BI (相應(yīng)地B2)與Cl (相應(yīng)地C2)在經(jīng)過BI (相應(yīng)地B2)而平行于陽極的平面中的正投影之間的距離。并且更嚴(yán)格地，LI (相應(yīng)地L2)是在BI (相應(yīng)地B2)與Xl (相應(yīng)地X2)之間、經(jīng)過Cl (相應(yīng)地C2)在經(jīng)過BI (相應(yīng)地B2)而平行于陽極的平面中的正投影的距離。因此可以優(yōu)選在經(jīng)過BI而平行于陽極的平面中定義Dl和LI并且在經(jīng)過B2而平行于陽極的平面中定義D2和L2。
[0135]接觸表面在此處為實(shí)心表面，作為變型，其呈柵格狀。
[0136]OLED設(shè)備100在有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)2之上、遠(yuǎn)離第一面10而包括覆蓋活性區(qū)20的反射器6。
[0137]更確切地，反射器6包括金屬反射覆蓋元件61，在陰極3之上、遠(yuǎn)離第一主面，所述覆蓋元件61通過電絕緣的電元件7而與陰極3分離，所述元件7被稱為夾層，透明且不太吸收，此處優(yōu)選為無機(jī)并且薄的層，諸如50nm的氮化硅。
[0138]第一陰極接觸5，鄰近于夾層7，是反射的，因此構(gòu)成反射器6的部分并且優(yōu)選地與反射覆蓋元件61相接觸甚至電耦合。
[0139]陰極接觸5優(yōu)選地基于與金屬覆蓋元件61相同的材料。陰極接觸5和覆蓋反射器6因此由在夾層7和陰極3上的例如通過氣相物理沉積的連續(xù)層所形成。優(yōu)選地，該連續(xù)層基于例如lOOnm、甚至500nm厚度的鋁。當(dāng)然，夾層7在將其沉積之前已被結(jié)構(gòu)化，以用于留出與旨在作為陰極接觸區(qū)的區(qū)相對應(yīng)的自由區(qū)。
[0140]活性區(qū)20的邊緣例如通過例如聚酰亞胺樹脂71而被鈍化。
[0141]陽極接觸41、41’此處在陽極I上，因此所述陽極I預(yù)先沉積在襯底上(或下面的層上)。然而，陽極2完全可以同樣好地在陽極接觸41、41’之后被沉積并且部分地覆蓋它們以用于其電鏈接。
[0142]作為未表示的變型，反射器包括鄰近于所述第一陰極接觸的布拉格鏡。陰極接觸，反射的，因此總是構(gòu)成反射器的部分。布拉格鏡(由介電材料制成)可以直接在陰極上。
[0143]陰極3例如是鋁層，尤其是呈R2大于或等于I歐姆/方塊、甚至大于或等于3歐姆/方塊并且小于20歐姆/方塊甚至小于10歐姆/方塊，陰極接觸因此優(yōu)選是基于鋁的層，如已經(jīng)指明的。
[0144]活性區(qū)20例如為至少5cm乘5cm。
[0145]圖1a圖示了設(shè)備100的示意性俯視圖，為了更清楚而示出了設(shè)備的元件的一部分，即電功能元件。
[0146]矩形的陰極接觸5在活性區(qū)20的第一和第二自由邊緣23、24上延伸并且超過自由邊緣22在活性區(qū)之外而被接觸并且例如被沉積在接觸接點(diǎn)52之上或之下(見圖lc)。
[0147]第一和第二適配陽極接觸41是平行的直線帶?；钚詤^(qū)20 (此處僅由其虛線輪廓限定)是方形的。
[0148]活性區(qū)的相鄰于第一和第二邊緣的邊緣23、24因此不配備有陽極接觸。
[0149]作為說明性的，描繪了第一陽極接觸的點(diǎn)BI，陰極接觸5的最接近于點(diǎn)BI的點(diǎn)Cl，以及第二邊緣22的點(diǎn)XI。經(jīng)過B1、經(jīng)過Cl在BI的平行于陽極的平面中的正投影、以及經(jīng)過Xl的直線使得能夠更好地定義LI和Dl。
[0150]作為說明性的，描繪了第二陽極接觸41’的點(diǎn)B2，陰極接觸5的最接近于點(diǎn)B2的點(diǎn)C2，以及第一邊緣21的點(diǎn)X2。經(jīng)過B2、經(jīng)過C2在B2的平行于陽極的平面中的正投影、以及經(jīng)過X2的直線使得能夠更好地定義L2和D2。
[0151]實(shí)際上，在第一適配接觸41和第一邊緣21之間的空間是有限的。第一外部周緣的適配接觸優(yōu)選地處于自第一邊緣的距離W處，所述W小于L/10甚至小于L/20，其中L是在第一和第二邊緣21和22之間的此處恒定的距離(等于LI)。
[0152]實(shí)際上，在第二適配接觸41和第二邊緣22之間的空間是有限的。第二外部周緣的適配接觸優(yōu)選地處于自第二邊緣的距離W處，所述W小于L/10甚至小于L/20。
[0153]選擇L=15cm、Rorg=300 Ohm.cm2>3歐姆/方塊的陽極,并且將亮度均質(zhì)性H定義為以在OLED的開啟電壓以上的給定電壓來供電的OLED的最小亮度與最大亮度之間的比。
[0154]圖3示出了對于不同的比率r (在0.1和4之間)、作為圖1示出的設(shè)備100的陰極接觸5的D1/L1的函數(shù)的均質(zhì)性H的圖解。
[0155]其中見到分別對于r=0.1 ；r=0.5 ；r=l ；r=2 ；r=3 ；r=4的六條均質(zhì)性H (呈%)的曲線Fl至F6。
[0156]這些圖解Fl至F6提醒適宜用于D1/L1的參數(shù)范圍，尤其是朝向低處的r，優(yōu)化范圍較窄但是H更好。
[0157]在不同Rorg (典型地在50和300 Ohm.cm2之間)、典型在I和10歐姆每方塊之間的不同Rl的陽極的情況下，并且對于活性區(qū)的任何其它尺寸，H的結(jié)果是類似的(遵循相同的趨勢)。
[0158]例如選擇r=3和D1/L1=25%與Rl=8歐姆每方塊的ITO制成的陽極以及R2=24歐姆每方塊的陰極；又或Rl=3歐姆每方塊的銀的陽極以及R2=9歐姆每方塊的陰極。
[0159]為了便于制造，還可以選擇更小的r，例如其中r=l和D/L=35%=>其中Rl=8歐姆每方塊的ITO制成的陽極以及R2=8歐姆每方塊的陰極；又或Rl=3歐姆的銀的陽極一R2=3歐姆每方塊的陰極。
[0160]為了實(shí)現(xiàn)Rl等于3歐姆每方塊的陽極，優(yōu)選銀的堆疊，而不是透明導(dǎo)體氧化物“TC0”，諸如ΙΤ0?？梢岳缫迷谏暾圵O 2008/029060和WO 2009/083693中描述的銀的單層或銀的雙層堆疊。
[0161]為了實(shí)現(xiàn)陰極，沉積鋁，同時調(diào)整厚度。
[0162]圖1b是圖1的OLED設(shè)備以變型的示意性俯視圖。
[0163]添加電阻性陽極電接觸43，其呈導(dǎo)電層狀，被連至適配的陽極接觸41、41’。此處這些電阻性接觸43互連并且形成柵格。
[0164]同樣為了獲得良好的照度均質(zhì)性，比率r由比率r’=R2/R’ I取代，其中R’ I是(多個)電阻性陽極接觸與陽極整體的等效方塊電阻，也就是說使陽極和電阻性陽極接觸并聯(lián)。
[0165]電阻性陽極接觸可以由與適配接觸相同的材料制成，但是細(xì)得多，例如少于1_。例如，以5mm為周期的金屬段的方形格網(wǎng)，其借助于高度500nm且寬度100 μ m的鋁線而被實(shí)現(xiàn)，形成具有等效方塊電阻為2.7歐姆每方塊的系統(tǒng)。如果這樣的格網(wǎng)被置于方塊電阻為20歐姆每方塊的ITO陽極上，則陽極的等效電阻(定義為由陽極和電阻性接觸的并聯(lián)而產(chǎn)生的電阻)因此為2.4歐姆每方塊。通過在該陽極上實(shí)現(xiàn)8x8cm2的方形活性區(qū)的OLED(具有100 ohm.cm2的有機(jī)材料的豎直電阻)，照度將在位于自O(shè)LED邊緣4cm處的電阻性接觸附近將為20%更低。該大于5%的照度減低歸因于產(chǎn)生OLED中心處陽極電壓減低從而產(chǎn)生照度下降的電阻性接觸的電阻性特征。
[0166]圖1’是符合本發(fā)明的OLED設(shè)備200的示意性剖視圖。
[0167]其不同于第一設(shè)備100之處在于陽極接觸41、41’在內(nèi)部沿著邊緣的周緣?；钚詤^(qū)20因此大于第一陽極區(qū)域40。
[0168]圖Ta是圖1’的OLED設(shè)備的示意性俯視圖，示出了與圖1a示出的那些類似的陽極和陰極接觸。
[0169]圖2是符合本發(fā)明的OLED設(shè)備300的示意性剖視圖。
[0170]其不同于第一設(shè)備100之處在于存在中間的內(nèi)部陽極接觸；自第一和第二陽極接觸41、41，例如等距。
[0171]因此利用第一周緣接觸41和中間接觸41’’限定了第一陽極區(qū)域40以及利用中間接觸和第二周緣的適配接觸限定了第二陽極區(qū)域40’。
[0172]活性區(qū)20因此大于第一陽極區(qū)域40。
[0173]在每個陽極區(qū)域40、40’中安置第一陰極接觸5，其在此處為矩形的，與陽極接觸間隔開以用于滿足于根據(jù)所選r的比率D1/L1和D2/L2(優(yōu)選地相同r對于所有陽極區(qū)域)。
[0174]圖4是符合本發(fā)明的OLED設(shè)備400的示意性俯視圖，示出了陽極和陰極接觸。
[0175]其不同于第一設(shè)備100之處在于第一和第二適配陽極接觸41、41’不再是帶而是各自為總是沿著活性區(qū)縱向邊緣的足夠靠近的點(diǎn)狀接觸集。
[0176]圖5是符合本發(fā)明的OLED設(shè)備500的示意性俯視圖，示出了陽極和陰極接觸。
[0177]其不同于第一設(shè)備100之處在于活性區(qū)20是圓形的(例如卵形)第一和第二適配陽極接觸41、41’不再是矩形帶而是呈C形狀，從而給出同樣圓形的第一陽極區(qū)域40。
[0178]第一陰極接觸同樣是圓形形狀的，例如處于自適配接觸41、41’的恒定距離處。
[0179]圖6a是符合本發(fā)明的OLED設(shè)備600的示意性俯視圖，示出了陽極和陰極接觸。
[0180]其不同于第一設(shè)備100之處在于活性區(qū)20 (和第一陽極區(qū)域40)是四邊形并且陰極接觸5也是四邊形。第一和第二接觸保持在最長的邊緣21、22上。
[0181]圖6b是符合本發(fā)明的OLED設(shè)備600’的示意性俯視圖，示出了陽極和陰極接觸。
[0182]其不同于第一設(shè)備100之處在于活性區(qū)20 (和第一陽極區(qū)域40)是六邊形的并且陰極接觸5也是六邊形的。第一和第二陽極接觸41、41’各自在兩個相鄰的邊21、22上，于是以某種方式形成了縱向邊緣。剩下兩條自由的邊或邊緣23、24。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光二極管、稱作OLED的設(shè)備(100至600’)，其包括具有第一主面的透明襯底(10)，包括堆疊，所述堆疊以從所述第一面開始的該順序包括: -形成透明陽極(I)的下電極，陽極呈給定方塊電阻Rl， -在所述陽極上的有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)(2 )， -形成陰極(3)的上電極，其在有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)上，包括導(dǎo)電層，陰極(3)呈給定方塊電阻R2,比率r=R2/Rl從0.1至5， 所述陽極、有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)和陰極于是限定了稱為活性的共同區(qū)(20) 所述OLED設(shè)備包括: -第一稱為適配的陽極接觸(41)， -第二稱為適配的陽極接觸(41’)，其與第一適配接觸間隔并且相對， 所述第一和第二適配陽極接觸(41、41’)形成陽極(I)的第一區(qū)域的兩個相對的邊，所述陽極的第一區(qū)域稱為第一陽極區(qū)域(40、40’)，此外由活性區(qū)(20)的被稱為自由的第一邊緣(23)以及由活性區(qū)(20)的相對于第一自由邊緣(23)的被稱為自由的第二邊緣(24)所劃定， -第一陰極電接觸(5)，其為: -被布置在活性區(qū)(20)之上，部分地覆蓋第一陽極區(qū)域(40)之上的陰極(3)的區(qū)域， -給定的表面，稱作接觸表面，其小于活性區(qū)的面積和小于第一陽極區(qū)域的面積， -在接觸表面的任何點(diǎn)處，自第一適配陽極接觸(41)以及第二適配陽極接觸(41’)岔開 對于第一適配接觸(41)的每個點(diǎn)BI，通過定義在所述點(diǎn)BI與接觸表面的最接近于所述點(diǎn)BI的點(diǎn)Cl之間的距離D1，以及通過定義在所述點(diǎn)BI與第二適配接觸(41’)的點(diǎn)Xl之間、經(jīng)過Cl的距離LI，因此定義以下準(zhǔn)則:
-如果 0.1 ^ r < 1.75,則 10% < D1/L1 < 50%,
-如果 1.75 ^ r < 2.5,則 10% < D1/L1 < 45%,
-如果 2.5 彡 r < 3，貝丨J 10% < D1/L1 < 40%, -如果 3 彡 r 彡 5，則 10% < D1/L1 < 35%, 對于第二適配接觸(41’)的每個點(diǎn)B2，通過定義在所述點(diǎn)B2與接觸表面的最接近于所述點(diǎn)B2的點(diǎn)C2之間的距離D2，以及通過定義在所述點(diǎn)B2與第一適配接觸(41)的點(diǎn)X2之間、經(jīng)過C2的距離L2，因此定義以下準(zhǔn)則:
-如果 0.1 ^ r < 1.75,則 10% < D2/L2 < 50%,
-如果 1.75 ^ r < 2.5,則 10% < D2/L2 < 45%,
-如果 2.5 彡 r < 3，貝丨J 10% < D2/L2 < 40%, -如果 3 彡 r 彡 5，則 10% < D2/L2 < 35%, 并且所述OLED設(shè)備100在有機(jī)電致發(fā)光系統(tǒng)(2)之上、遠(yuǎn)離第一面(10)地包括覆蓋活性區(qū)(20)的反射器(6)。
2.根據(jù)前項(xiàng)權(quán)利要求所述的OLED設(shè)備(100至600’)，其特征在于，接觸表面(5)自第一陽極區(qū)域(40)的中心延伸向第一和第二陽極接觸(41、41’)。
3.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100至600’)，其特征在于，接觸表面(5)是實(shí)心表面，呈柵格的表面。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100至600’)，其特征在于，第一陰極接觸(5)優(yōu)選地是相對于第一適配陽極接觸(41)和相對于第二適配陽極接觸(41’)而被定于中心的。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100至600’)，其特征在于，尤其是定于中心的第一陰極接觸(5)具有與第一陽極區(qū)域(40)的表面和/或與活性區(qū)(20)的表面位似的表面。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100至600’)，其特征在于，
-如果 0.1 彡 r < 1.75，則 20% ( D1/L1 < 50% 并且 20% ( D2/L2 < 50%,
-如果 1.75 彡 r < 2.5，則 20% ( D1/L1 ( 40% 并且 20% ( D2/L2 ( 40%,
-如果 2.5 彡 r < 3，則 20% ( D1/L1 ( 35% 并且 20% ( D2/L2 ( 35%, -如果 3 彡 r 彡 5，則 15% ( D1/L1 ( 25% 并且 15% ( D2/L2 ( 25%。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100至600’)，其特征在于，尤其呈帶狀的第一適配陽極接觸(41)沿著活性區(qū)(20)的第一邊緣(21)，并且如有必要則尤其呈帶狀的第二適配陽極接觸(41’)沿著相對于第一邊緣(21)的活性區(qū)的第二邊緣(22)，尤其是所述第一和第二邊緣(21，22)是縱向的。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100至600’)，其特征在于，第一適配陽極接觸(41)基本上是直線的并且優(yōu)選地由第一中平面Ml限定，并且第二適配陽極接觸(41’)基本上是直線的并且優(yōu)選地由第二中平面(M2)限定，并且優(yōu)選地在中平面Ml和M2之間的角度α小于45°、甚至小于或等于30°。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100)，其特征在于，所述OLED設(shè)備包括一個或多個被稱為電阻性的陽極電接觸(43 )，其被布置在第一陽極區(qū)域(40 )中，并且在于，自0.1至5的比率r由自0.1至5的比率r’ =R2/R’ I取代，其中R’ I為第一陽極區(qū)域(40)中的(多個)電阻性陽極接觸(42)和陽極(I)整體的等效方塊電阻。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中之一所述的OLED設(shè)備(100至600’)，其特征在于，陰極(3)是透明或半反射的，所述反射器(6)包括優(yōu)選為金屬的反射覆蓋元件(61)，其尤其呈層狀，在陰極(3)之上、遠(yuǎn)離第一主面，所述覆蓋元件(61)通過被稱為夾層的電絕緣元件(7)而與陰極分離，并且在于，第一陰極接觸(5)，鄰近于夾層(7)，構(gòu)成反射器(6)的部分并且優(yōu)選地與反射覆蓋元件(61)相接觸甚至電耦合。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的OLED設(shè)備(100至600’)，其特征在于，第一陰極接觸(5)是基于與反射覆蓋元件(61)相同的材料，優(yōu)選地基于鋁，尤其是第一陰極接觸(5)和覆蓋元件(61)由夾層(7)上的連續(xù)層(6)形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的OLED設(shè)備(100至600’)，其特征在于，所述連續(xù)層(6)是基于與陰極(3 )相同的材料，尤其是鋁。
13.根據(jù)前項(xiàng)權(quán)利要求所述的OLED設(shè)備(100至600’)，其特征在于，陰極(3)包括基于鋁的層并且第一陰極接觸(5)包括基于鋁的層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中之一所述的OLED設(shè)備，其特征在于，所述反射器包括布拉格鏡，鄰近于第一陰極接觸，并且第一陰極接觸構(gòu)成反射器的部分。
【文檔編號】H01L51/52GK104137292SQ201280070918
【公開日】2014年11月5日 申請日期:2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月30日
【發(fā)明者】V.謝里, F.利納爾, V.索維內(nèi) 申請人:法國圣戈班玻璃廠