真空吸附臺(tái)、半導(dǎo)體晶片的切割方法以及退火方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提供一種在切割時(shí)抑制切割膠帶的破損的真空吸附臺(tái)以及利用它的半導(dǎo)體晶片的切割方法。并且，目的還在于提供一種利用該真空吸附臺(tái)的半導(dǎo)體晶片的退火方法，其中，該真空吸附臺(tái)抑制磨削保護(hù)膠帶的發(fā)泡。本發(fā)明的真空吸附臺(tái)具有載置半導(dǎo)體晶片(6)的載置面(1a)，在載置面(1a)中，僅在半導(dǎo)體晶片(6)的芯片區(qū)域(6a)的外周形成真空吸附孔(2)。
【專利說明】真空吸附臺(tái)、半導(dǎo)體晶片的切割方法以及退火方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行真空吸附的真空吸附臺(tái)以及利用該真空吸附臺(tái)的切割以及退火方法。

【背景技術(shù)】
[0002]作為利用半導(dǎo)體工藝將Si半導(dǎo)體晶片等半導(dǎo)體晶片制成芯片的方法，存在利用刀片切斷的方法和利用激光切斷的方法。利用激光的切斷的方法中的一種是在直徑數(shù)十μ m的高壓水柱中導(dǎo)入激光而切斷半導(dǎo)體基板的方法(參照專利文獻(xiàn)I)。在該方法中，具有如下優(yōu)點(diǎn)，即，能夠利用水抑制切斷面的溫度上升，并且能夠利用水流將被加工物的切屑排出。
[0003]專利文獻(xiàn)1:日本專利第3680864號(hào)公報(bào)


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在上述方法中，將作為被加工物的半導(dǎo)體晶片粘貼在切割膠帶的中央，并將該半導(dǎo)體晶片放置在半導(dǎo)體晶片載置臺(tái)上，其中，該切割膠帶保持在環(huán)狀的安裝框架上。在半導(dǎo)體晶片載置臺(tái)形成有直徑數(shù)百μ m的真空吸附孔，由此在將半導(dǎo)體晶片固定在半導(dǎo)體晶片載置臺(tái)的狀態(tài)下進(jìn)行切斷加工。
[0005]此時(shí)，在切割膠帶的與真空吸附孔接觸的部分產(chǎn)生對(duì)真空吸附孔拉伸的力。在此基礎(chǔ)上，切斷半導(dǎo)體晶片后的水柱的高壓施加在切割膠帶上，由此切割膠帶變形，有時(shí)甚至切斷。此外，此時(shí)激光的大部分從透明的切割膠帶穿過，因此激光對(duì)切割膠帶的損傷不大。
[0006]如上所述，存在如下問題，如果切割膠帶在真空吸附孔側(cè)變形，并被擠壓向真空吸附孔側(cè)，則在半導(dǎo)體晶片的背面和切割膠帶之間產(chǎn)生間隙，因此在切斷時(shí)所產(chǎn)生的切屑積存于該間隙而污染半導(dǎo)體芯片的背面。另外，在切割膠帶切斷的情況下，產(chǎn)生如下問題，后續(xù)工序的擴(kuò)張(expand)無法進(jìn)行,無法從切割膠帶拾取芯片。
[0007]鑒于上述的問題點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于提供一種在切割時(shí)抑制切割膠帶的破損的真空吸附臺(tái)以及利用該真空吸附臺(tái)的半導(dǎo)體晶片的切割方法。并且，本發(fā)明的目的還在于提供一種抑制磨削保護(hù)膠帶的發(fā)泡的、使用該真空吸附臺(tái)的半導(dǎo)體晶片的退火方法。
[0008]本發(fā)明的真空吸附臺(tái)具有載置面，該載置面載置半導(dǎo)體晶片，在載置面中，僅在半導(dǎo)體晶片的芯片區(qū)域的外周形成真空吸附孔。
[0009]發(fā)明的效果
[0010]本發(fā)明的真空吸附臺(tái)具有載置面，該載置面載置半導(dǎo)體晶片，在載置面中，僅在半導(dǎo)體晶片的芯片區(qū)域的外周形成真空吸附孔，因此在利用該真空吸附態(tài)切割半導(dǎo)體晶片時(shí)，切割線和真空吸附孔的位置不重疊。由此，抑制切割膠帶的損壞。
[0011]通過以下的詳細(xì)說明和附圖，使本發(fā)明的目的、特征、實(shí)施方式以及優(yōu)點(diǎn)變得更清
λ.Μ
/E.ο

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是實(shí)施方式I所涉及的真空吸附臺(tái)的俯視圖。
[0013]圖2是實(shí)施方式I所涉及的真空吸附臺(tái)的剖面圖。
[0014]圖3是表示利用實(shí)施方式I所涉及的真空吸附臺(tái)切割半導(dǎo)體晶片的情形的圖。
[0015]圖4是挖空背面的一部分后的半導(dǎo)體晶片的剖面圖。
[0016]圖5是表示將挖空背面的一部分后的半導(dǎo)體晶片粘貼在切割框架的狀態(tài)的剖面圖。
[0017]圖6是實(shí)施方式2所涉及的真空吸附臺(tái)的俯視圖。
[0018]圖7是實(shí)施方式2所涉及的真空吸附臺(tái)的剖面圖。
[0019]圖8是表示利用實(shí)施方式2所涉及的真空吸附臺(tái)切割半導(dǎo)體晶片的情形的圖。
[0020]圖9是實(shí)施方式3所涉及的真空吸附臺(tái)的俯視圖。
[0021]圖10是實(shí)施方式3所涉及的真空吸附臺(tái)的剖面圖。
[0022]圖11是表示利用實(shí)施方式3所涉及的真空吸附臺(tái)對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行激光退火的情形的圖。
[0023]圖12是表示利用實(shí)施方式3所涉及的真空吸附臺(tái)對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行激光退火的情形的圖。
[0024]圖13是前提技術(shù)I所涉及的真空吸附臺(tái)的俯視圖。
[0025]圖14是前提技術(shù)I所涉及的真空吸附臺(tái)的剖面圖。
[0026]圖15是表示在切割框架搭載有半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)的俯視圖。
[0027]圖16是表示在切割框架搭載有半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)的剖面圖。
[0028]圖17是表示在前提技術(shù)I所涉及的真空吸附臺(tái)搭載有切割框架的狀態(tài)的剖面圖。
[0029]圖18是表示利用前提技術(shù)I所涉及的真空吸附臺(tái)切割半導(dǎo)體晶片的情形的剖面圖。
[0030]圖19是表示利用前提技術(shù)I所涉及的真空吸附臺(tái)切割半導(dǎo)體晶片的情形的剖面圖。
[0031]圖20是前提技術(shù)2所涉及的真空吸附臺(tái)的俯視圖。
[0032]圖21是前提技術(shù)2所涉及的真空吸附臺(tái)的剖面圖。
[0033]圖22是表示粘貼有磨削保護(hù)膠帶的半導(dǎo)體晶片的剖面圖。
[0034]圖23是表示粘貼有磨削保護(hù)膠帶的半導(dǎo)體晶片的剖面圖。
[0035]圖24是表示粘貼有磨削保護(hù)膠帶的半導(dǎo)體晶片的剖面圖。
[0036]圖25是表示利用前提技術(shù)2所涉及的真空吸附臺(tái)對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行激光退火的情形的剖面圖。
[0037]圖26是表示利用前提技術(shù)2所涉及的真空吸附臺(tái)對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行激光退火的情形的剖面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0038]< A.前提技術(shù)I >
[0039]圖13是本發(fā)明的前提技術(shù)I所涉及的真空吸附臺(tái)61的俯視圖，圖14是其剖面圖。如圖14所示，由石英構(gòu)成的真空吸附臺(tái)61是在內(nèi)部具有吸附臺(tái)空間4的中空構(gòu)造，在下表面具有真空排氣孔5，在載置面61a具有多個(gè)真空吸附孔62。如圖13所示，真空吸附孔62呈真空吸附臺(tái)61的同心圓狀分布。
[0040]圖15是載置有半導(dǎo)體晶片6的切割框架的俯視圖，圖16是其剖面圖。切割框架是在由SUS制的環(huán)狀的安裝框架7上粘貼有切割膠帶8的結(jié)構(gòu)。如圖16所示，切割膠帶8為基材8a和粘合材料8b的2層構(gòu)造。粘合材料8b在其兩端與安裝框架7粘接，在該粘合材料8b的中央粘貼半導(dǎo)體晶片6。
[0041]如圖15所示，在半導(dǎo)體晶片6上描畫有切割線6b，劃分出通過切割工序切出的芯片區(qū)域6a、和除此之外的周邊區(qū)域6c。
[0042]粘貼有半導(dǎo)體晶片6的切割框架載置于真空吸附臺(tái)61上。圖17是表示該狀態(tài)的剖面圖。從圖17明確可知，多個(gè)真空吸附孔62隔著切割膠帶8而位于半導(dǎo)體晶片6的下部。如果利用真空泵等從真空排氣孔5進(jìn)行抽真空，則利用真空吸附孔62的吸氣作用將切割框架固定于真空吸附臺(tái)61。
[0043]在將切割框架固定于真空吸附臺(tái)61的狀態(tài)下，沿著切割線6b (參照?qǐng)D15)切割半導(dǎo)體晶片6。圖18是表示該狀態(tài)的剖面圖，示出在水柱中導(dǎo)入激光而進(jìn)行切割的噴水誘導(dǎo)激光。在圖18中，從激光振蕩器9輸出的激光通過光纖11而被導(dǎo)入混合噴嘴15。例如,如果是YAG激光的第2高次諧波，則其波長為532nm。并且，高壓水13從高壓水泵12通過高壓水用配管14而流入混合噴嘴15?；旌蠂娮?5設(shè)計(jì)成為，將直徑縮小為數(shù)十μ m的高壓水作為水柱16輸出，激光17在水柱16的內(nèi)部一邊進(jìn)行全反射一邊進(jìn)行傳導(dǎo)。
[0044]水柱16被向半導(dǎo)體晶片6的切割線6b射出，激光17熔解切斷半導(dǎo)體晶片6，并且透過透明的切割膠帶8和真空吸附臺(tái)61的載置面61a。如圖18所示，在切割部位的下方存在載置面61a的情況下，水柱16不從切割膠帶8穿過。
[0045]另一方面，在對(duì)位于真空吸附孔62的正上方的部分進(jìn)行切割的情況下，由于在切割膠帶8處不存在支撐該部分的基底以及抽真空的作用，切割膠帶8因高壓的水柱16而變形，在半導(dǎo)體晶片6的背面?zhèn)群颓懈钅z帶8之間產(chǎn)生間隙。如果因半導(dǎo)體晶片切斷而產(chǎn)生的切屑在該間隙積存，則會(huì)污染半導(dǎo)體芯片的背面。另外，如果切割膠帶8的變形達(dá)到切斷狀態(tài)(參照?qǐng)D19)，則無法利用后續(xù)工序的擴(kuò)張從切割膠帶8對(duì)芯片進(jìn)行拾取。
[0046]鑒于以上問題，實(shí)施方式I的真空吸附臺(tái)通過形成為在切割時(shí)使高壓的水柱16不對(duì)準(zhǔn)真空吸附孔的構(gòu)造，從而防止切割膠帶的破損。
[0047]< B.實(shí)施方式I >
[0048]圖1中示出實(shí)施方式I的真空吸附臺(tái)I的俯視圖，圖2中示出其剖面圖。由石英構(gòu)成的真空吸附臺(tái)I是如圖2所示在內(nèi)部具有吸附臺(tái)空間4的中空構(gòu)造，在下表面具有真空排氣孔5，并且在作為載置面的上表面具有多個(gè)真空吸附孔2。如圖1所示，真空吸附孔2以環(huán)狀形成在真空吸附臺(tái)I的外周上。
[0049]圖3中示出利用真空吸附臺(tái)I切割半導(dǎo)體晶片6的情形。將粘貼有半導(dǎo)體晶片6的切割框架載置于真空吸附臺(tái)I上，對(duì)半導(dǎo)體晶片6進(jìn)行切割，切割框架的結(jié)構(gòu)由于與前提技術(shù)I相同而省略說明。另外，對(duì)于切割的單元(激光振蕩器9、高壓水泵12、混合噴嘴15)，由于也與前提技術(shù)I相同而省略說明。
[0050]如圖3所示，由于真空吸附孔2形成在載置半導(dǎo)體晶片6的場(chǎng)所的外周側(cè)，因此，在切割時(shí)，水柱16不會(huì)向切割膠帶8中真空吸附孔2的正上方的部分射出。此外，在圖3中，真空吸附孔2形成在避開半導(dǎo)體晶片6的位置，但真空吸附孔2只要形成在半導(dǎo)體晶片6的芯片區(qū)域6a(參照?qǐng)D15)的外周側(cè)即可，真空吸附孔2也可以在半導(dǎo)體晶片6的周邊區(qū)域6c (參照?qǐng)D15)的下方。
[0051]< B-1.效果 >
[0052]本實(shí)施方式的真空吸附臺(tái)I具有載置面la，該載置面Ia載置半導(dǎo)體晶片6，在載置面Ia中，僅在半導(dǎo)體晶片6的芯片區(qū)域6a的外周形成真空吸附孔2。由于在將半導(dǎo)體晶片6載置于真空吸附臺(tái)I上時(shí)，半導(dǎo)體晶片6的切割線和真空吸附孔2不重疊，因此在利用噴水誘導(dǎo)激光進(jìn)行切割的情況下，抑制因高壓的水柱引起的切割膠帶8的變形或切斷。因此，解決污染芯片的背面的問題，解決切割膠帶8無法擴(kuò)張而無法拾取芯片的問題。
[0053]使用本實(shí)施方式的真空吸附臺(tái)I的半導(dǎo)體晶片的切割方法具有:(a)將粘貼有切割膠帶8的半導(dǎo)體晶片6以切割膠帶8向下的方式載置于真空吸附臺(tái)I上的工序；以及(b)在工序(a)之后，利用噴水誘導(dǎo)激光將半導(dǎo)體晶片6切割為芯片的工序。在工序(b)中，由于高壓的水柱向與真空吸附孔2偏離的位置射出，因此抑制因高壓的水柱引起的切割膠帶8的變形、切斷。因此，能夠解決污染芯片的背面，解決切割膠帶8無法擴(kuò)張而無法拾取芯片的問題。
[0054]< C.實(shí)施方式2 >
[0055]實(shí)施方式2的真空吸附臺(tái)以挖空背面的一部分的形狀的半導(dǎo)體晶片作為載置對(duì)象。圖4中示出該形狀的半導(dǎo)體晶片20的剖面圖。在半導(dǎo)體晶片20中，在挖空的部分和外周的環(huán)狀部20a之間形成有階梯差d。
[0056]挖空半導(dǎo)體晶片的目的如下所述。例如，在IGBT的制作工序中，在半導(dǎo)體晶片的表面?zhèn)戎圃彀l(fā)射極和柵極后，存在如下工序，即，磨削半導(dǎo)體晶片的背面?zhèn)榷蛊渥儽。谠摫趁鎮(zhèn)冗M(jìn)行離子注入、激光退火、濺射成膜而制造集電極的工序等。此時(shí)，如果對(duì)8英寸半導(dǎo)體晶片的整個(gè)面進(jìn)行切削而使厚度小于或等于100 μ m，則在半導(dǎo)體晶片上產(chǎn)生大于或等于5_的翹曲，無法向離子注入機(jī)、濺射裝置等輸送。為了消除該翹曲而開發(fā)了僅對(duì)半導(dǎo)體晶片的中央部進(jìn)行磨削(back grinding)的方法。通過使半導(dǎo)體晶片外周的環(huán)狀部殘留2?4mm而加強(qiáng)內(nèi)側(cè)的較薄的部分,能夠抑制翅曲。
[0057]圖5是將半導(dǎo)體晶片20粘貼在切割框架上的狀態(tài)的剖面圖。切割框架的結(jié)構(gòu)由于與實(shí)施方式I相同而省略說明。切割膠帶8粘貼在半導(dǎo)體晶片20的背面?zhèn)?，沿著半?dǎo)體晶片20的形狀而形成階梯差d。
[0058]圖6是載置半導(dǎo)體晶片20的本實(shí)施方式的真空吸附臺(tái)21的俯視圖，圖7是其剖面圖。將真空吸附臺(tái)21的載置面劃分為載置面外周部21a和載置面內(nèi)周部21b，真空吸附孔22以環(huán)狀分布的方式形成在載置面外周部21a和載置面內(nèi)周部21b的邊界上。另外，如圖7所示，形成為載置面內(nèi)周部21b與載置面外周部21a相比厚出高度d，成為以該高度凸起的狀態(tài)。該凸起的高度d與所述半導(dǎo)體晶片20的階梯差d對(duì)應(yīng)。
[0059]在圖8示出將粘貼有半導(dǎo)體晶片20的切割框架載置于真空吸附臺(tái)21上，并進(jìn)行切割的情形。切割的單元(激光振蕩器9、高壓水泵12、混合噴嘴15)由于與前提技術(shù)I相同而省略說明。半導(dǎo)體晶片20的階梯差被真空吸附臺(tái)21吸收，切割膠帶8與載置面外周部21a以及載置面內(nèi)周部21b無間隙地接觸。
[0060]此時(shí)，由于真空吸附孔22位于半導(dǎo)體晶片20的環(huán)狀部20a附近，因此在切割時(shí)高壓的水柱16不向切割膠帶8中真空吸附孔22的正上方的部分射出。因此，與實(shí)施方式I相同，能夠防止切割膠帶8的破損，解決污染芯片的背面，解決不能夠擴(kuò)張而無法拾取芯片的問題。
[0061]< C-1.效果 >
[0062]本實(shí)施方式的真空吸附臺(tái)21的載置半導(dǎo)體晶片20的載置面具有:載置面外周部21a (第I區(qū)域)，其用于設(shè)置真空吸附孔22 ；以及載置面內(nèi)周部21b (第2區(qū)域)，其被載置面外周部21a包圍，與載置面外周部21a相比，也以階梯差狀凸出。通過使由載置面外周部21a和載置面內(nèi)周部21b所形成的載置面的階梯差與半導(dǎo)體晶片20的挖空形狀對(duì)應(yīng)，而能夠用于半導(dǎo)體晶片20的切割。另外，由于半導(dǎo)體晶片20的芯片區(qū)域位于載置面內(nèi)周部21b上，因此設(shè)置于載置面外周部21a的真空吸附孔22不與切割線重疊，在利用噴水誘導(dǎo)激光進(jìn)行切割的情況下，抑制因高壓的水柱引起的切割膠帶8的變形、切斷。因此，解決污染芯片的背面，解決切割膠帶8不能夠擴(kuò)張而無法拾取芯片的問題。
[0063]另外，利用真空吸附臺(tái)21的本實(shí)施方式的半導(dǎo)體晶片的切割方法具有:(a)將半導(dǎo)體晶片20載置于真空吸附臺(tái)21上的工序，其中，半導(dǎo)體晶片20具有與真空吸附臺(tái)21的載置面21a、21b的階梯差對(duì)應(yīng)的形狀的下表面，在該下表面粘貼有切割膠帶8，以切割膠帶8向下并且使半導(dǎo)體晶片20與階梯差匹配的方式載置于真空吸附臺(tái)21上；以及(b)在工序(a)后，利用噴水誘導(dǎo)激光切割半導(dǎo)體晶片20的工序。由于真空吸附臺(tái)21的載置面的階梯差與半導(dǎo)體晶片20的下表面形狀對(duì)應(yīng)，因此能夠保持水平地對(duì)半導(dǎo)體晶片20進(jìn)行切害I]。另外，由于半導(dǎo)體晶片20的芯片區(qū)域位于載置面內(nèi)周部21b上，因此設(shè)置于載置面外周部21a的真空吸附孔22不與切割線重疊，在利用噴水誘導(dǎo)激光進(jìn)行切割的情況下，抑制因高壓的水柱引起的切割膠帶8的變形、切斷。因此，解決污染芯片的背面，解決切割膠帶8不能夠擴(kuò)張而無法拾取芯片的問題。
[0064]< D.前提技術(shù)2 >
[0065]在半導(dǎo)體器件的制造工序中，在對(duì)半導(dǎo)體晶片進(jìn)行了電路形成等器件加工后，進(jìn)行如下加工，即，對(duì)表面(第I主面)粘貼有磨削保護(hù)膠帶的背面(第2主面即下表面)進(jìn)行磨削，從而使半導(dǎo)體晶片的厚度變薄。將粘貼有磨削保護(hù)膠帶50的半導(dǎo)體晶片6的剖面圖在圖22中示出。磨削保護(hù)膠帶50是基材50a和用于對(duì)半導(dǎo)體晶片6進(jìn)行粘貼的粘合材料50b的2層構(gòu)造。
[0066]圖23、24是表示進(jìn)行背面磨削后的半導(dǎo)體晶片的剖面圖。圖23示出磨削背面的整個(gè)面后的半導(dǎo)體晶片56,圖24不出使外周的環(huán)狀部20a保留而進(jìn)行挖空加工后的實(shí)施方式2的半導(dǎo)體晶片20。
[0067]本發(fā)明的前提技術(shù)2所涉及的真空吸附臺(tái)是在粘貼有磨削保護(hù)膠帶50的狀態(tài)下，對(duì)圖23、圖24所示的進(jìn)行了背面磨削后的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行激光退火時(shí)，用于固定半導(dǎo)體晶片的結(jié)構(gòu)。此外，激光退火是為了使在器件加工工藝中向半導(dǎo)體晶片的背面?zhèn)茸⑷氲碾x子核活性化而進(jìn)行的。
[0068]在圖20示出前提技術(shù)2所涉及的真空吸附臺(tái)71的俯視圖，在圖21示出其剖面圖。在真空吸附臺(tái)71的載置面71a形成有多個(gè)真空吸附孔72。如圖20所示，真空吸附孔72形成為多個(gè)同心圓的圓周狀。
[0069]如圖21所示，真空吸附臺(tái)71除了具有用于抽真空的吸附臺(tái)空間4之外，還具有冷卻水的內(nèi)部流路35。內(nèi)部流路35通過配管37、38而與水冷循環(huán)器36連接。從水冷循環(huán)器36送出的冷卻水通過配管37而流入內(nèi)部流路35，在使真空吸附臺(tái)71冷卻后，通過配管38而回流至水冷循環(huán)器36。
[0070]圖25示出將粘貼有磨削保護(hù)膠帶50的半導(dǎo)體晶片20載置于真空吸附臺(tái)71上，并對(duì)半導(dǎo)體晶片20的背面實(shí)施激光退火處理的情形。從激光振蕩器9輸出的激光53通過光纖52而向半導(dǎo)體晶片20的挖空面20b照射。
[0071]由于半導(dǎo)體晶片20利用背面磨削工序而形成得較薄，因此產(chǎn)生如下問題，即，如果激光53的熱向保護(hù)半導(dǎo)體晶片20的表面的磨削保護(hù)膠帶50傳遞，磨削保護(hù)膠帶50發(fā)泡，則無法進(jìn)行向下一個(gè)工序的輸送，或者無法完全剝離膠帶。為了防止這種問題，如圖25所示，通過利用水冷循環(huán)器36冷卻真空吸附臺(tái)71，激光產(chǎn)生的熱54被來自吸附臺(tái)的冷卻流55冷卻，而防止膠帶50的發(fā)泡。然而，如圖26所示，如果激光53從真空吸附孔72的正上方照射，則冷卻流55無法傳遞到磨削保護(hù)膠帶50的激光照射的部分，并且由于真空吸附，磨削保護(hù)膠帶50更易于發(fā)泡。
[0072]實(shí)施方式3的真空吸附臺(tái)是鑒于以上的問題而設(shè)計(jì)的構(gòu)造，在背面磨削后的激光退火時(shí)，通過使激光不對(duì)準(zhǔn)真空吸附孔而防止磨削保護(hù)膠帶50的破損。
[0073]< E.實(shí)施方式3 >
[0074]圖9是表示實(shí)施方式3的真空吸附臺(tái)31的俯視圖，圖10是其剖面圖。如圖9所示，真空吸附孔32在真空吸附臺(tái)31的載置面31a上形成為環(huán)狀。具體而言，設(shè)計(jì)成為，在將半導(dǎo)體晶片載置在載置面31a上時(shí)，使真空吸附孔32僅位于半導(dǎo)體晶片的芯片區(qū)域的外周。此外，對(duì)于包含水冷循環(huán)器36的真空吸附臺(tái)31的冷卻構(gòu)造，由于與前提技術(shù)2相同而省略說明。
[0075]圖11示出將在第I主面粘貼有磨削保護(hù)膠帶50的半導(dǎo)體晶片20以磨削保護(hù)膠帶50向下的方式載置于真空吸附臺(tái)31上，對(duì)半導(dǎo)體晶片20的第2主面進(jìn)行激光退火處理的情形。在圖11中，對(duì)與前提技術(shù)2相同的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注參照標(biāo)號(hào)。
[0076]由于真空吸附孔32形成為位于半導(dǎo)體晶片20的激光不照射的區(qū)域下，因此在激光退火工序中，激光53的熱54總是被冷卻流55冷卻，能夠抑制磨削保護(hù)膠帶50的發(fā)泡。
[0077]在圖11中，說明了對(duì)半導(dǎo)體晶片20的激光退火處理，在如圖12所示將整體較薄的半導(dǎo)體晶片56載置于吸附半導(dǎo)體晶片31上而進(jìn)行激光退火處理的情況下，也能夠起到相同的效果。
[0078]< E-1.效果〉
[0079]使用本實(shí)施方式的真空吸附臺(tái)31的半導(dǎo)體晶片的退火方法具有:(a)對(duì)半導(dǎo)體晶片20、56的第I主面粘貼磨削保護(hù)膠帶50，并對(duì)與第I主面相向的第2主面進(jìn)行磨削的工序；(b)在工序(a)之后，以磨削保護(hù)膠帶50向下的方式將半導(dǎo)體晶片20、56載置于真空吸附臺(tái)31上的工序；以及(c)在工序(b)之后，對(duì)半導(dǎo)體晶片20、56的第2主面進(jìn)行激光退火的工序。由于在真空吸附臺(tái)31中，真空吸附孔32形成在激光照射的半導(dǎo)體晶片20、56的芯片區(qū)域的外周，因此對(duì)磨削保護(hù)膠帶50的冷卻不會(huì)阻礙真空吸附孔22，抑制磨削保護(hù)膠帶50的發(fā)泡。
[0080]對(duì)于本發(fā)明，雖然詳細(xì)進(jìn)行了說明，但上述說明對(duì)于整體實(shí)施方式而言，僅為例示，本發(fā)明并不限定于此?？梢岳斫獾氖?，能夠推想未例示的很多變形例也包含于本發(fā)明的權(quán)利要求書。
[0081]標(biāo)號(hào)的說明
[0082]1、21、31真空吸附臺(tái)，la、31a載置面，2、22、32真空吸附孔，4、34吸附臺(tái)空間，5真空排氣孔，6、20、56半導(dǎo)體晶片，7安裝框架，8切割膠帶，8a基材，8b粘合材料，9激光振蕩器，10,17,53激光，11光纖，12高壓水泵，13高壓水，14高壓水用配管，15混合噴嘴，16水柱，20b挖空面，21a載置面外周部，21b載置面內(nèi)周部，35內(nèi)部流路，36水冷循環(huán)器，37,38配管。
【權(quán)利要求】
1.一種真空吸附臺(tái)(1、21、31)， 其具有載置半導(dǎo)體晶片(6、20、56)的載置面(la、21a、21b、31a)， 在所述載置面(la、21a、21b、31a)上，僅在所述半導(dǎo)體晶片(6、20、56)的芯片區(qū)域(6a)的外周形成真空吸附孔(2、22、32)。
2.一種真空吸附臺(tái)(21)， 其具有載置半導(dǎo)體晶片(20)的載置面(21a、21b)， 所述載置面(21a、21b)具有: 第I區(qū)域(21a)，其用于設(shè)置所述真空吸附孔(22);以及 第2區(qū)域(21b)，其被所述第I區(qū)域(21a)包圍，與所述第I區(qū)域(21a)相比以階梯差狀凸出。
3.一種半導(dǎo)體晶片的切割方法，其是利用權(quán)利要求1所述的真空吸附臺(tái)(1、21)的半導(dǎo)體晶片的切割方法， 該切割方法具有: (a)將粘貼有切割膠帶(8)的半導(dǎo)體晶片(6、20)以所述切割膠帶(8)向下的方式載置于所述真空吸附臺(tái)(1、21)上的工序:以及 (b)在所述工序(a)之后，利用噴水誘導(dǎo)激光將所述半導(dǎo)體晶片(6、20)切割為芯片的工序。
4.一種半導(dǎo)體晶片的切割方法，其是利用權(quán)利要求2所述的真空吸附臺(tái)(21)的半導(dǎo)體晶片的切割方法， 該切割方法具有: (a)將半導(dǎo)體晶片(20)載置于所述真空吸附臺(tái)(21)上的工序，其中，所述半導(dǎo)體晶片(20)具有與所述真空吸附臺(tái)(21)的所述載置面(21a、21b)的階梯差對(duì)應(yīng)的形狀的下表面，在該下表面粘貼有切割膠帶(8)，以所述切割膠帶(8)向下并且使所述半導(dǎo)體晶片(20)與所述階梯差匹配的方式載置于所述真空吸附臺(tái)(21)上；以及 (b)在所述工序(a)之后，利用噴水誘導(dǎo)激光切割所述半導(dǎo)體晶片(20)的工序。
5.一種半導(dǎo)體晶片的退火方法，其是利用權(quán)利要求1所述的真空吸附臺(tái)(31)的半導(dǎo)體晶片的退火方法， 該退火方法具有: (a)對(duì)半導(dǎo)體晶片(20、56)的第I主面粘貼磨削保護(hù)膠帶(50)，并對(duì)與所述第I主面相向的第2主面進(jìn)行磨削的工序； (b)在所述工序(a)之后，以所述磨削保護(hù)膠帶(50)向下的方式將所述半導(dǎo)體晶片(20,56)載置于所述真空吸附臺(tái)(31)上的工序；以及 (c)在所述工序(b)之后，對(duì)所述半導(dǎo)體晶片(20、56)的所述第2主面進(jìn)行激光退火的工序。
【文檔編號(hào)】H01L21/268GK104170063SQ201280071368
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月12日
【發(fā)明者】松村民雄 申請(qǐng)人:三菱電機(jī)株式會(huì)社