專利名稱：一種影像傳感器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及影像傳感器制造領(lǐng)域，具體涉及一種影像傳感器的制造方法。
背景技術(shù)：
在背照式影像傳感器的制造過(guò)程中，需要將晶圓的背面進(jìn)行減薄，并利用表面處理避免表面缺陷來(lái)提升產(chǎn)品的性能，器件晶圓背面表面的處理對(duì)影像傳感器的質(zhì)量非常關(guān)鍵，如果存在表面缺陷，它會(huì)導(dǎo)致暗電流和白像素的產(chǎn)生，而現(xiàn)有的工藝使用的是蒸汽氧化物的方法來(lái)進(jìn)行表面處理，雖然有一定的效果，但晶圓背面還是存在很大的缺陷，對(duì)后續(xù)的工藝和器件的性能都有很大的影響，這就要求對(duì)晶圓背面表面處理需要很大的提升空間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種影響傳感器的制造方法，利用射頻發(fā)生器發(fā)出的射頻對(duì)去耦合化等離子體氧化物產(chǎn)生等離子對(duì)器件晶圓背面表面進(jìn)行缺陷處理。本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種影像傳感器的制造方法，包括器件晶圓平整度研磨，器件晶圓的鍵合，器件晶圓背面減薄，器件晶圓背面表面研磨，器件晶圓表面高介質(zhì)層淀積，彩色濾光片和微透鏡的安裝，所述器件晶圓背面表面研磨采用射頻發(fā)生器發(fā)出的射頻激發(fā)去耦合化等離子體氧化物產(chǎn)生等離子對(duì)器件晶圓背面表面進(jìn)行缺陷處理，所述射頻發(fā)生器的射頻功率范圍為100 200瓦特。本發(fā)明的有益效果是:在背照式影像傳感器的制造過(guò)程中，利用射頻發(fā)生器發(fā)出的射頻對(duì)去耦合化等離子體氧化物產(chǎn)生等離子對(duì)器件晶圓背面表面進(jìn)行缺陷處理，減小了器件晶圓背面表面缺陷，提升了器件的性能。


圖1為本發(fā)明一種影像傳感器的制造方法流程圖；圖2為本發(fā)明一種影像傳感器的制造方法薄膜刻蝕速率與射頻功率的坐標(biāo)圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。如圖1所示，一種影像傳感器的制造方法，包括步驟101器件晶圓平整度研磨，步驟102器件晶圓的鍵合，步驟103器件晶圓背面減薄，步驟104器件晶圓背面表面研磨，步驟105器件晶圓表面高介質(zhì)層淀積，步驟106彩色濾光片和微透鏡的安裝，所述器件晶圓背面表面處理采用射頻發(fā)生器發(fā)出的射頻激發(fā)去耦合化等離子體氧化物產(chǎn)生等離子對(duì)器件晶圓背面表面進(jìn)行缺陷處理，考慮到設(shè)備的能力，所選的射頻功率為150瓦特。圖2為一種影像傳感器的制造方法薄膜刻蝕速率與射頻功率的坐標(biāo)圖，從圖中可以看出，較低的射頻功率，薄膜的刻蝕速率較低，從而可以得到更致密的薄膜。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種影像傳感器的制造方法，包括器件晶圓平整度研磨，器件晶圓的鍵合，器件晶圓背面減薄，器件晶圓背面表面研磨，器件晶圓表面高介質(zhì)層淀積，彩色濾光片和微透鏡的安裝，其特征在于:所述器件晶圓背面表面研磨采用射頻發(fā)生器發(fā)出的射頻激發(fā)去耦合化等離子體氧化物產(chǎn)生等離子對(duì)器件晶圓背面表面進(jìn)行缺陷處理，所述射頻功率低于200瓦特。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種影像傳感器的制造方法，其特征在于:所述射頻發(fā)生器的射頻功率范圍為100 200瓦特。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種影像傳感器的制造方法，包括器件晶圓平整度研磨，器件晶圓的鍵合，器件晶圓背面減薄，器件晶圓背面表面研磨，淀積，彩色濾光片和微透鏡的安裝，所述器件晶圓背面表面處理采用射頻發(fā)生器發(fā)出的射頻激發(fā)去耦合化等離子體氧化物產(chǎn)生等離子對(duì)器件晶圓背面表面進(jìn)行缺陷處理，所述射頻發(fā)生器的射頻功率低于200瓦特。在背照式影像傳感器的制造過(guò)程中，利用射頻發(fā)生器發(fā)出的射頻對(duì)去耦合化等離子體氧化物產(chǎn)生等離子對(duì)器件晶圓背面表面進(jìn)行缺陷處理，減小了器件晶圓背面表面缺陷，提升了器件的性能。
文檔編號(hào)H01L27/146GK103077952SQ201310011790
公開日2013年5月1日 申請(qǐng)日期2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月11日
發(fā)明者李平 申請(qǐng)人:陸偉