專利名稱：Led自對準(zhǔn)粗化制程方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，更具體的說，涉及一種LED表面粗化制成的工藝方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體科技的進(jìn)步，現(xiàn)今的LED已具備了高亮度的輸出，加上LED具有省電、體積小、低電壓驅(qū)動(dòng)以及不含汞等優(yōu)點(diǎn)，因此LED已廣泛地應(yīng)用在顯示器與照明等領(lǐng)域。不過由于LED材料，其折射系數(shù)大，因此全反射角度大，而光取出角度小，所以導(dǎo)致光取出效率不佳。為了增加光取出效率，LED廠家紛紛發(fā)展表面粗化制程工藝。透過表面粗化，讓光更容易從LED材料內(nèi)部逃逸，而增加光的取出效率。然而為了進(jìn)行表面粗化制程，必須增加一道黃光制程，如圖1所示的制成流程圖。除了浪費(fèi)生產(chǎn)成本，亦會(huì)因黃光曝光精準(zhǔn)度和有機(jī)物殘留，造成良率的損失。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明為解決上述技術(shù)問題，提供一種LED自對準(zhǔn)粗化制程方法，不僅能夠降低制作成本，而且可以提升產(chǎn)品良率。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案如下:
一種LED自對準(zhǔn)粗化制程方法，包括步驟如下:
(1)首先完成黃光和蒸鍍制程，將LED電極完成；
(2)透過氧電漿進(jìn)行光刻膠灰化蝕刻，將曝光顯影區(qū)域線寬變大；
(3)進(jìn)行自對準(zhǔn)粗化用的保護(hù)層蒸鍍，使用低溫鍍膜技術(shù)進(jìn)行薄膜制程，作為后續(xù)粗化制程用的保護(hù)層；
(4)完成保護(hù)層鍍膜后，進(jìn)行金屬和保護(hù)層的剝離和去膠；
(5)進(jìn)行粗化制程，后續(xù)將保護(hù)層用氟化銨混合溶液進(jìn)行蝕刻去除。所述步驟(3)中低溫鍍膜技術(shù)包括低溫PECVD (電漿輔助化學(xué)氣相沉積)或E-gun (電子槍蒸鍍)或Sputter (派鍍)。所述步驟(3)中可鍍單層或多層組合的SiOx(氧化珪薄膜)，或SiNx(氮化珪薄膜)，或SiOxNy Film(氮氧化珪薄膜)。本發(fā)明技術(shù)方案，透過氧電漿進(jìn)行光刻膠灰化蝕刻和低溫鍍膜技術(shù)，將電極進(jìn)行保護(hù)，而實(shí)踐自對準(zhǔn)粗化制程。不僅可以少一道黃光制程，從而降低制作成本，又可避免因黃光曝光精準(zhǔn)度和有機(jī)物殘留，造成良率的損失，提升廣品良率。



圖1是現(xiàn)有LED表面粗化制程流程 圖2是本發(fā)明LED表面粗化制成流程圖。
具體實(shí)施例方式以下通過附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明所提供的設(shè)計(jì)方法做一詳細(xì)的描述:
如圖2所示，本發(fā)明所提供的LED自對準(zhǔn)粗化制程方法，其步驟如下:
(1)首先完成黃光和蒸鍍制程，將LED電極完成；
(2)透過氧電衆(zhòng)(O2plasma)進(jìn)行光刻膠灰化蝕刻(PR ash),將曝光顯影區(qū)域(ADI)線寬變大；
(3)進(jìn)行自對準(zhǔn)粗化用的保護(hù)層蒸鍍，使用低溫鍍膜技術(shù)進(jìn)行薄膜制程(filmdeposition )，作為后續(xù)粗化制程用的保護(hù)層；
(4)完成保護(hù)層鍍膜后，進(jìn)行金屬和保護(hù)層的剝離(Liftoff )和去膠；
(5)進(jìn)行粗化制程，后續(xù)將保護(hù)層用氟化銨混合溶液(BoE)進(jìn)行蝕刻去除。上述步驟(3)中的低溫鍍膜技術(shù)包括低溫PECVD (電漿輔助化學(xué)氣相沉積)或E-gun (電子槍蒸鍍)或Sputter (派鍍)。并可鍍單層或多層組合的SiOx (氧化掛薄膜),或SiNx (氮化掛薄膜)，或SiOxNy FiIm (氮氧化掛薄膜)。上述具體實(shí)施方式
只是用于說明本發(fā)明，并不能用來限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。對于在本發(fā)明技術(shù)方案的思想指導(dǎo)下的變形和轉(zhuǎn)換，都應(yīng)該歸于本發(fā)明保護(hù)范圍以內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種LED自對準(zhǔn)粗化制程方法，其特征在于，包括步驟如下: (1)首先完成黃光和蒸鍍制程，將LED電極完成； (2)透過氧電漿進(jìn)行光刻膠灰化蝕刻，將曝光顯影區(qū)域線寬變大； (3)進(jìn)行自對準(zhǔn)粗化用的保護(hù)層蒸鍍，使用低溫鍍膜技術(shù)進(jìn)行薄膜制程蒸鍍，作為后續(xù)粗化制程用的保護(hù)層； (4)完成保護(hù)層鍍膜后，進(jìn)行金屬和保護(hù)層的剝離和去膠； (5)進(jìn)行粗化制程，后續(xù)將保護(hù)層用氟化銨混合溶液進(jìn)行蝕刻去除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED自對準(zhǔn)粗化制程方法，其特征在于，所述步驟(3)中低溫鍍膜技術(shù)包括低溫電漿輔助化學(xué)氣相沉積或電子槍蒸鍍或?yàn)R鍍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED自對準(zhǔn)粗化制程方法，其特征在于，所述步驟(3)中可鍍單層或多層組合的氧化珪薄膜，或氮化珪薄膜，或氮氧化珪薄膜。
全文摘要
本發(fā)明公開一種LED自對準(zhǔn)粗化制程方法，包括完成黃光和蒸鍍制程，將LED電極完成；透過氧電漿進(jìn)行光刻膠灰化蝕刻，將曝光顯影區(qū)域線寬變大；進(jìn)行自對準(zhǔn)粗化用的保護(hù)層蒸鍍，使用低溫鍍膜技術(shù)進(jìn)行薄膜制程蒸鍍，作為后續(xù)粗化制程用的保護(hù)層；完成保護(hù)層鍍膜后，進(jìn)行金屬和保護(hù)層的剝離和去膠；進(jìn)行粗化制程，后續(xù)將保護(hù)層用氟化銨混合溶液進(jìn)行蝕刻去除。本發(fā)明透過氧電漿進(jìn)行光刻膠灰化蝕刻，退光阻和低溫鍍膜技術(shù)，將電極進(jìn)行保護(hù)，不僅可以少一道黃光制程，從而降低制作成本，又可避免因黃光曝光精準(zhǔn)度和有機(jī)物殘留，造成良率的損失，提升產(chǎn)品良率。
文檔編號H01L33/00GK103094428SQ201310035120
公開日2013年5月8日 申請日期2013年1月30日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月30日
發(fā)明者盧昶鳴, 何善良 申請人:合肥彩虹藍(lán)光科技有限公司