有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽極包括鑭系氧化物及摻雜到鑭系氧化物中的金屬氧化物和金屬硫化物，其中，所述金屬氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%～50%，所述金屬硫化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%～5%，所述鑭系氧化物的材料選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鋅、氧化鎂及氧化鋯中的至少一種，所述金屬硫化物選自硫化鎂、硫化鋅、硫化鎘及硫化鈉中至少一種，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光原理是基于在外加電場(chǎng)的作用下，電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUMO)，而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場(chǎng)作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0003]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會(huì)以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會(huì)發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光性能較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽極包括鑭系氧化物及摻雜到鑭系氧化物中的金屬氧化物和金屬硫化物，其中，所述金屬氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%?50%，所述金屬硫化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%?5%，所述鑭系氧化物的材料選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鋅、氧化鎂及氧化鋯中的至少一種，所述金屬硫化物選自硫化鎂、硫化鋅、硫化鎘及硫化鈉中至少一種。
[0006]所述陽極的厚度為10nnT40nm。
[0007]所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
[0008]所述電子傳輸層的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
[0009]所述電子注入層的材料選自碳酸銫、氟化銫、疊氮銫及氟化鋰的至少一種。
[0010]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0011]在玻璃基底的背面采用電子束蒸鍍陽極，所述陽極包括鑭系氧化物及摻雜到鑭系氧化物中的金屬氧化物和金屬硫化物，其中，所述金屬氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%?50%，所述金屬硫化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%?5%，所述鑭系氧化物的材料選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鋅、氧化鎂及氧化鋯中的至少一種，所述金屬硫化物選自硫化鎂、硫化鋅、硫化鋪及硫化納中至少一種，及[0012]在所述陽極的表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
[0013]所述陽極的厚度為10nnT40nm。
[0014]所述蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X KT5Pa~2 X KT3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s^lOnm/S。
[0015]所述電子束蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X10-5Pa~2X10_3Pa下進(jìn)行，能量密度為IOW/cm2 ~IOOW/cm2。
[0016]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，通過在制備疊成陽極消除玻璃與陽極之間的全反射，使玻璃表面平整化，有利于膜層之間的連接，提高空穴的載載流子濃度，從而產(chǎn)生更多的空穴，而摻雜層可提高空穴的注入能力，與高折射率玻璃比較匹配，適合蒸鍍制備，成膜性好，這種結(jié)構(gòu)可以極大的提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0019]圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與流明效率關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0021]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的玻璃基底20、陽極30、空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0022]玻璃基底20為折射率為1.8~2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底20優(yōu)選為牌號(hào)為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0023]陽極30形成于玻璃基底20的表面。陽極30陽極包括鑭系氧化物及摻雜到鑭系氧化物中的金屬氧化物和金屬硫化物，其中，所述金屬氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%~50%，所述金屬硫化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%~5%，所述鑭系氧化物的材料選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鋅、氧化鎂及氧化鋯中的至少一種，所述金屬硫化物選自硫化鎂、硫化鋅、硫化鋪及硫化納中至少一種。
[0024]所述陽極30的厚度為10nnT40nm。
[0025]空穴傳輸層50形成于陽極30的表面?？昭▊鬏攲?0的材料選自1,1_ 二 [4_[N,N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’ - 二苯基-4,4’-聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種?？昭▊鬏攲?0的厚度為40~80nm。
[0026]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1， 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選為20nm。
[0027]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TPBI。電子傳輸層70的厚度為40nnT250nm，優(yōu)選為150nm。
[0028]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nnTl0nm,優(yōu)選為1.5nm。
[0029]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種，優(yōu)選為Al。陰極90的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為150nm。
[0030]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100，通過制備疊成陽極30消除玻璃與陽極之間的全反射，使玻璃表面平整化，有利于膜層之間的連接，提高空穴的載載流子濃度，從而產(chǎn)生更多的空穴，而摻雜層可提高空穴的注入能力，與高折射率玻璃比較匹配，適合蒸鍍制備，成膜性好，這種結(jié)構(gòu)可以極大的提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
[0031]可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件100中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0032]請(qǐng)同時(shí)參閱圖2，一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0033]步驟S110、在玻璃基底20的背面采用電子束蒸鍍制備陽極30。
[0034]玻璃基底20為折射率為1.8?2.2的玻璃，在400nm透過率高于90%。玻璃基底20優(yōu)選為牌號(hào)為 N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41A 或 N-LASF44 的玻璃。
[0035]陽極30包括鑭系氧化物及摻雜到鑭系氧化物中的金屬氧化物和金屬硫化物，其中，所述金屬氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%?50%，所述金屬硫化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%?5%，所述鑭系氧化物的材料選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鋅、氧化鎂及氧化鋯中的至少一種，所述金屬硫化物選自硫化鎂、硫化鋅、硫化鎘及硫化鈉中至少一種。
[0036]所述陽極30的厚度為10nnT40nm。
[0037]所述電子束蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X10_5Pa?2X10_3Pa下進(jìn)行，能量密度為IOW/cm2 ?IOOW/cm2。
[0038]本實(shí)施方式中，玻璃基底20在使用前用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡I小時(shí)?5小時(shí)。
[0039]步驟S120、在陽極30的表面依次蒸鍍形成空穴傳輸層50、發(fā)光層60、電子傳輸層70、電子注入層80及陰極90。
[0040]空穴傳輸層50形成于陽極30的表面。空穴傳輸層50的材料選自1,1_ 二 [4_[N,N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4〃 -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N，N’ - (1-萘基)-N，N’- 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)中的至少一種?？昭▊鬏攲?0的厚度為40nnT80nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X KT5Pa?2 X KT3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為 0.lnm/s?lnm/s0
[0041]發(fā)光層60形成于空穴傳輸層50的表面。發(fā)光層60的材料選自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二 - β -亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(BCzVBi )及8-羥基喹啉鋁(Alq3)中的至少一種,優(yōu)選為Alq3。發(fā)光層60的厚度為5nnT40nm,優(yōu)選為20nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X10_5Pa?2X10_3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s。[0042]電子傳輸層70形成于發(fā)光層60的表面。電子傳輸層70的材料選自4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)及1，2，4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一種，優(yōu)選為TPBI。電子傳輸層70的厚度為40nnT250nm，優(yōu)選為150nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X KT5Pa~2 X KT3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s~lnm/s。
[0043]電子注入層80形成于電子傳輸層70的表面。電子注入層80的材料選自碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)及氟化鋰(LiF)中的至少一種，優(yōu)選為CsF。電子注入層80的厚度為0.5nnTl0nm,優(yōu)選為1.5nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X KT5Pa~2 X KT3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s^lnm/so
[0044]陰極90形成于電子注入層80的表面。陰極90的材料選自銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)及金(Au)中的至少一種,優(yōu)選為Ag。陰極90的厚度為80nnT250nm,優(yōu)選為150nm。蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X10-5Pa~2Xl(T3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為lnm/s~10nm/s。
[0045]所述蒸鍍?cè)谡婵諌毫?X 10_5Pa~2X 10_sPa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s^lOnm/S。
[0046]上述有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，制備工藝簡(jiǎn)單；制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。
[0047]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0048]本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測(cè)試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測(cè)試電致發(fā)光光譜，美國吉時(shí) 利公司的Keithley2400測(cè)試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測(cè)試電流密度和色度。
[0049]實(shí)施例1
[0050]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為/玻璃基底/Zn0:MgS:Pr02/TAPC/BCzVBi/TAZ/LiF/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0051]玻璃基底為N-LASF44，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上。在玻璃基底表面采用電子束方式制備陽極，陽極材料為摻雜有ZnO和MgS的PrO2混合物，其中，ZnO占PrO2的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為15%，MgS占PrO2的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1.5%，采用電子束蒸鍍的條件為真空壓力為8X 10_4Pa，能量密度為25W/cm2，接著在陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為TAPC,空穴傳輸層的厚度為45nm,蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為BCzVBi，厚度為20nm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為150nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為LiF，厚度為0.7nm ;蒸鍍制備陰極，材料為Al，厚度為150nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強(qiáng)為8 X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s，金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為2nm/s。
[0052]請(qǐng)參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的結(jié)構(gòu)為/玻璃基底/Zn0:MgS:Pr02/TAPC/BCzVBi/TAZ/LiF/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對(duì)比例制備的結(jié)構(gòu)為:ΙΤ0玻璃/MoO3/TAPC/BCzVBi/TAZ/LiF/Al的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的流明效率與電流密度的關(guān)系。對(duì)比例制備有機(jī)電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實(shí)施例1均相同。
[0053]從圖上可以看到，實(shí)施例1的流明效率都比對(duì)比例的要大，實(shí)施例1的流明效率為
3.31m/W，而對(duì)比例的僅為2.71m/W，而且對(duì)比例的流明效率隨著電流密度的增大而快速下降，這說明，消除玻璃與陽極之間的全反射，提高空穴的注入能力，對(duì)光進(jìn)行散射，最終提高器件的出光效率，這種結(jié)構(gòu)可以極大的提高有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率。
[0054]以下各個(gè)實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都與實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0055]實(shí)施例2
[0056]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為/玻璃基底/Mg0:ZnS:Pr203/NPB/ADN/TPBi/CsF/Pt的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0057]玻璃基底為N-LAF36，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上；在玻璃基底表面采用電子束方式蒸鍍制備陽極，陽極材料為摻雜有MgO和ZnS的Pr2O3混合物，其中，MgO占Pr2O3的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)的50%，ZnS占Pr2O3的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)的1%，采用電子束蒸鍍的條件為真空壓力為2X10_3Pa，能量密度為lOOW/cm2，接著在陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為NPB,空穴傳輸層的厚度為40nm,蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為ADN，厚度為8nm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TPBi，厚度為65nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為CsF，厚度為0.5nm ;蒸鍍制備陰極，材料為Pt，厚度為80nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強(qiáng)為2 X 10_3Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s，金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為lOnm/s。
[0058]實(shí)施例3
[0059]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為/ 玻璃基底 /ZrO2: CdS:Yb203/TCTA/DCJTB/TAZ/Cs2C03/Au 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0060]玻璃基底為N-LASF31A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上；在玻璃基底表面采用電子束方式蒸鍍制備陽極，陽極材料為摻雜有ZrO2和CdS的Yb2O3混合物，其中，ZrO2占Yb2O3的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)的10%，CdS占Yb2O3的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)的5%，采用電子束蒸鍍的條件為真空壓力為5X10_5Pa，能量密度為lOW/cm2，接著在陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為TCTA，空穴傳輸層的厚度為80nm，蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為DCJTB，厚度為IOnm ;蒸鍍制備電子傳輸層，材料為TAZ，厚度為200nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為Cs2CO3，厚度為IOnm ;蒸鍍制備陰極，材料為Au，厚度為IOOnm ；最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強(qiáng)為5X10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s,金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為10nm/s。
[0061]實(shí)施例4
[0062]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為玻璃基底/Mg0:Na2S:Sm203/TAPC/Alq3/6phen/CsN3/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0063]玻璃基底為N-LASF41A，將玻璃基底用蒸餾水、乙醇沖洗干凈后，放在異丙醇中浸泡一個(gè)晚上；在玻璃基底表面采用電子束方式蒸鍍制備陽極，陽極材料為摻雜有MgO和Na2S的Sm2O3混合物，其中，MgO占Sm2O3的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)的30%，Na2S占Sm2O3的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)的2.5%，采用電子束蒸鍍的條件為真空壓力為2X10_4Pa，能量密度為50W/cm2，接著在陽極表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層:所選材料為TAPC，空穴傳輸層的厚度為45nm，蒸鍍制備發(fā)光層:所選材料為Alq3,厚度為40nm ;蒸鍍制備電子傳輸層,材料為Bphen,厚度為80nm ;蒸鍍制備電子注入層、材料為CsN3,厚度為3nm ;蒸鍍制備陰極,材料為Ag,厚度為250nm ;最后得到所需要的電致發(fā)光器件。蒸鍍制備的工作壓強(qiáng)為2X10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為
0.5nm/s,金屬及金屬氧化物材料的蒸鍍速率為6nm/s。[0064]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對(duì)本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的玻璃基底、陽極、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，所述陽極包括鑭系氧化物及摻雜到鑭系氧化物中的金屬氧化物和金屬硫化物，其中，所述金屬氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%~50%，所述金屬硫化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%~5%，所述鑭系氧化物的材料選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鋅、氧化鎂及氧化鋯中的至少一種，所述金屬硫化物選自硫化鎂、硫化鋅、硫化鎘及硫化鈉中至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述陽極的厚度為10nm~40nmo
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料選自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，1'-聯(lián)苯及8-羥基喹啉鋁中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的材料選自4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料選自碳酸銫、氟化銫、疊氮銫及氟化鋰的至少一種。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在玻璃基底的背面采用電子束蒸鍍陽極，所述陽極包括鑭系氧化物及摻雜到鑭系氧化物中的金屬氧化物和金屬硫化物，其中，所述金屬氧化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為10%~50%，所述金屬硫化物占所述鑭系氧化物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)為1%~5%，所述鑭系氧化物的材料選自二氧化鐠、三氧化二鐠、三氧化鐿及氧化釤中的至少一種，所述金屬氧化物選自氧化鋅、氧化鎂及氧化鋯中的至少一種，所述金屬硫化物選自硫化鎂、硫化鋅、硫化鎘及硫化鈉中至少一種,及 在所述陽極的表面依次蒸鍍制備空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述陽極的厚度為10nm~40nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X KT5Pa~2 X KT3Pa下進(jìn)行，蒸鍍速率為0.lnm/s~10nm/s。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述電子束蒸鍍?cè)谡婵諌毫? X KT5Pa~2 X KT3Pa下進(jìn)行，能量密度為10W/cm2~100W/cm2。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK104009171SQ201310060338
【公開日】2014年8月27日 申請(qǐng)日期:2013年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年2月26日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司