疊層有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種疊層有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法,該疊層有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊的陽極、第一發(fā)光單元、電荷生成層、第二發(fā)光單元及陰極,所述電荷生成層包括依次層疊于所述第一發(fā)光單元上的n型摻雜層和p型摻雜層,所述n型摻雜層由n型材料摻雜于第一金屬氧化物中形成,所述p型摻雜層由p型材料摻雜于第二金屬氧化物中形成,所述n型材料為氟化鋰、氯化鋰、溴化鋰或碳酸鋰,所述p型材料為三氧化鉬、三氧化鎢或五氧化二釩,所述第一金屬氧化物和第二金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或二氧化釩。這種疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
【專利說明】疊層有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電致發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】,特別是涉及一種疊層有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]1987年,美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報道了有機(jī)電致發(fā)光研究中的突破性進(jìn)展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度,高效率的雙層有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中,1V下亮度達(dá)到lOOOcd/m2,其發(fā)光效率為1.511m/W、壽命大于100小時。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下,電子從陰極注入到有機(jī)物的最低未占有分子軌道(LUM0),而空穴從陽極注入到有機(jī)物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子,激子在電場作用下遷移,將能量傳遞給發(fā)光材料,并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài),激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活,產(chǎn)生光子,釋放光能。為了提高發(fā)光亮度和發(fā)光效率,越來越多的研究是以疊層器件為主,這種結(jié)構(gòu)通常是用電荷產(chǎn)生層作為連接層把數(shù)個發(fā)光單元串聯(lián)起來,與單元器件相比,疊層結(jié)構(gòu)器件往往具有成倍的電流效率和發(fā)光亮度。
[0004]目前研究的比較多的是利用兩種或兩種以上具有空穴注入性能或電子注入性能的材料作為電荷生成層,但是普遍透過率較低,發(fā)光效率較低。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]基于此,有必要提供一種發(fā)光效率較高的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006]進(jìn)一步,提供一種疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
[0007]—種疊層有機(jī)電致發(fā)光器件,包括依次層疊的陽極、第一發(fā)光單兀、電荷生成層、第二發(fā)光單元及陰極,所述第一發(fā)光單元包括依次層疊于所述陽極上的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層;所述第二發(fā)光單元包括依次層疊于所述電荷產(chǎn)生層上的第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層;所述電荷生成層包括依次層疊于所述第一發(fā)光單元上的η型摻雜層和P型摻雜層,所述η型摻雜層由η型材料摻雜于第一金屬氧化物中形成,所述P型摻雜層由P型材料摻雜于第二金屬氧化物中形成,所述η型材料為氟化鋰、氯化鋰、溴化鋰或碳酸鋰,所述P型材料為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩,所述第一金屬氧化物和第二金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或二氧化釩。
[0008]在其中一個實施例中,所述η型材料占所述第一金屬氧化物的質(zhì)量百分比為10?60%。
[0009]在其中一個實施例中,所述P型材料占所述第二金屬氧化物的質(zhì)量百分比為5?20%。
[0010]在其中一個實施例中,所述η型摻雜層的厚度為5納米?30納米。[0011]在其中一個實施例中,所述P型摻雜層的厚度為I納米?10納米。
[0012]在其中一個實施例中,所述空穴注入層由三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩形成;
[0013]所述第一空穴傳輸層由1,1-二 [4-[N, N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4’,4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’ -(1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺形成;
[0014]所述第一發(fā)光層由4- ( 二腈甲基)-2- 丁基-6- (1,1,7,7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1,I’-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁形成;
[0015]所述第一電子傳輸層由4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成。
[0016]在其中一個實施例中,所述空穴注入層的厚度為20納米?80納米;所述第一空穴傳輸層的厚度為20納米?60納米;所述第一發(fā)光層的厚度為5納米?40納米;所述第一電子傳輸層的厚度為40納米?200納米。
[0017]在其中一個實施例中,所述第二空穴傳輸層由1,1-二 [4-[Ν,K -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺形成;
[0018]所述第二發(fā)光層由4- ( 二腈甲基)-2- 丁基-6- (1,1,7,7-四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4Η-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1,I’-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁形成;
[0019]所述第二電子傳輸層由4,7-二苯基-1,10-菲羅啉、1,2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成;
[0020]所述電子注入層由碳酸銫、氟化銫、疊氮化銫或者氟化鋰形成。
[0021]在其中一個實施例中,所述第二空穴傳輸層的厚度為20納米?60納米;所述第二發(fā)光層的厚度為5納米?40納米;所述第二電子傳輸層的厚度為40納米?200納米;所述電子注入層的厚度為0.5納米?10納米。
[0022]一種上述疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,包括如下步驟:
[0023]采用真空蒸鍍在陽極上依次形成空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層從而在所述陽極上形成第一發(fā)光單兀;
[0024]采用真空蒸鍍在所述第一發(fā)光單元上形成η型摻雜層,所述η型摻雜層由η型材料摻雜于第一金屬氧化物中形成;
[0025]采用真空蒸鍍在所述η型摻雜層上形成P型摻雜層,所述η型摻雜層和ρ型層層疊形成電荷產(chǎn)生層;所述P型摻雜層由P型材料摻雜于第二金屬氧化物中形成,所述η型材料為氟化鋰、氯化鋰、溴化鋰或碳酸鋰,所述P型材料為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩,所述第一金屬氧化物和第二金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或二氧化釩;
[0026]采用真空蒸鍍在所述P型層上依次形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層從而在所述P型層上形成第二發(fā)光單元;
[0027]采用真空蒸鍍在所述第二發(fā)光單元上形成陰極,得到疊層有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0028]上述疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的電荷產(chǎn)生層包括η型摻雜層和P型摻雜層,η型摻雜層能夠防止光的全反射并能夠降低電子注入壘勢、提高空穴注入能力;P型層具有較高的透過性并能夠提高電子傳輸速率,使得該疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光效率較高。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]圖1為一實施方式的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0030]圖2為一實施方式的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法流程圖;
[0031]圖3為實施例1與對比例I的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓與電流效率關(guān)系示意圖。
【具體實施方式】
[0032]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施,本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn),因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施的限制。
[0033]請參閱圖1,一實施方式的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件100,包括依次層疊的陽極10、第一發(fā)光單元20、電荷生成層30、第二發(fā)光單元40及陰極50。
[0034]陽極10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(IZO)0
[0035]第一發(fā)光單元20包括依次層疊于陽極10上的空穴注入層21、第一空穴傳輸層22、第一發(fā)光層23及第一電子傳輸層24。
[0036]空穴注入層21由三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)形成,優(yōu)選由三氧化鑰(MoO3)形成。
[0037]空穴注入層21的厚度為20納米?80納米,優(yōu)選為40納米。
[0038]第一空穴傳輸層22由1,1-二 [4-[N, N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N,N’ _(1_ 萘基)_N,N’ -二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)形成。優(yōu)選由4,4’,4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成。
[0039]第一空穴傳輸層22的厚度為20納米?60納米,優(yōu)選為25納米。
[0040]第一發(fā)光層23由4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1,1,7,7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4,4’_雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)_1,I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)形成,優(yōu)選由8_羥基喹啉鋁(Alq3)形成。
[0041]第一發(fā)光層23的厚度為5納米?40納米,優(yōu)選為10納米。
[0042]第一電子傳輸層24由4,7-二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、1,2,4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi )形成,優(yōu)選由TAZ形成。
[0043]第一電子傳輸層24的厚度為40納米?200納米,優(yōu)選為100納米。
[0044]電荷生成層30包括依次層疊于第一電子傳輸層24上的η型摻雜層31和ρ型摻雜層32 ο
[0045]η型摻雜層31由η型材料摻雜于第一金屬氧化物中形成。[0046]η型材料是自由電子濃度遠(yuǎn)大于空穴濃度的材料。η型材料能夠降低電子注入勢壘,提高電子傳輸能力。η型材料為氟化鋰(LiF)、氯化鋰(LiCl)、溴化鋰(LiBr)或碳酸鋰(Li2CO3)0
[0047]第一金屬氧化物為五氧化二鉭(Ta205)、五氧化二鈮(Nb2O5)或二氧化釩(V02)。這幾種金屬氧化物的折射率較高,高于2.2,有利于防止光的全反射,提高光效。
[0048]優(yōu)選地,η型材料占第一金屬氧化物的質(zhì)量百分比為10~60%,以充分發(fā)揮第一金屬氧化物高折射率和η型材料提高電子傳輸能力的優(yōu)點。
[0049]優(yōu)選地,η型摻雜層31的厚度為5納米~30納米。
[0050]ρ型摻雜層32由ρ型材料摻雜于第二金屬氧化物中形成。
[0051]ρ型材料選用具有雙極性的P型材料。P型材料能夠降低空穴注入勢壘,提高空穴注入能力。
[0052]ρ型材料為三氧化鑰(Μο03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V205)。這幾種金屬氧化物具有雙極性,因而也可以提供電子。一般情況下,電子傳輸速率比空穴傳輸速率要低兩個數(shù)量級,P型材料為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),可以在提高空穴注入能力的同時,可以提供電子的再生能力,提高電子傳輸速率,有利于平衡電子傳輸和空穴傳輸,提高發(fā)光效率。
[0053]第二金屬氧化物為五氧化二鉭(Ta205)、五氧化二鈮(Nb2O5)或二氧化釩(V02)。在同一個疊層有機(jī)電致發(fā)光 器件中,第一金屬氧化物和第二金屬氧化物可以相同,也可以不同。
[0054]優(yōu)選地,ρ型摻雜層32的厚度為I納米~10納米。
[0055]第二發(fā)光單元40包括依次層疊于P型摻雜層32上的第二空穴傳輸層41、第二發(fā)光層42、第二電子傳輸層43及電子注入層44。
[0056]第二空穴傳輸層41由1,1-二 [4-[N, N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4,4’,4’’_三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N,N’ _(1_萘基)-隊^ -二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)形成。優(yōu)選由4,4’,4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成。
[0057]第二空穴傳輸層41的厚度為20納米~60納米,優(yōu)選為25納米。
[0058]第二發(fā)光層42由4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1,1,7,7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4,4’_雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)_1,I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)形成,優(yōu)選由8_羥基喹啉鋁(Alq3)形成。
[0059]第一發(fā)光層42的厚度為5納米~40納米,優(yōu)選為10納米。
[0060]第二電子傳輸層43由4,7-二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、l,2,4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBi )形成,優(yōu)選由TAZ形成。
[0061]第二電子傳輸層43的厚度為40納米~200納米,優(yōu)選為100納米。
[0062]電子注入層44由碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮化銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)形成,優(yōu)選由氟化鋰(LiF)形成。
[0063]電子注入層44的厚度為0.5納米~10納米,優(yōu)選為0.7納米。
[0064]陰極50由銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)形成,優(yōu)選由銀(Ag)形成。[0065]陰極50的厚度為60納米?300納米,優(yōu)選為150納米。
[0066]電荷產(chǎn)生層30包括層疊的η型摻雜層31和ρ型摻雜層32,η型摻雜層31由能夠降低電子注入壘勢、提高電子傳輸能力的η型材料摻雜于折射率較高的第一金屬氧化物中形成,P型摻雜層32由折能夠降低空穴注入勢壘,提高空穴注入能力的ρ型材料摻雜于射率較高的第二金屬氧化物中形成,并且P型摻雜層32同時能夠提高電子傳輸速率,從而提高了疊層有機(jī)電致發(fā)光器件100的發(fā)光效率。
[0067]請參閱圖1,一實施方式的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,包括如下步驟:
[0068]步驟SllO:采用真空蒸鍍在陽極上依次形成空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層從而在陽極上形成第一發(fā)光單兀。
[0069]提供陽極。陽極為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)。
[0070]將陽極依次用洗潔精,去離子水,丙酮,乙醇,異丙醇各超聲15分鐘,去除陽極表面的有機(jī)污染物,然后干燥,備用。
[0071]采用真空蒸鍍在潔凈、干燥的陽極上依次形成空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層而在陽極上形成第一發(fā)光單兀。
[0072]其中,空穴注入層由三氧化鑰(MoO3 )、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5)形成,優(yōu)選由三氧化鑰(MoO3)形成。
[0073]空穴注入層的厚度為20納米?80納米,優(yōu)選為40納米。
[0074]第一空穴傳輸層由1,1-二 [4-[Ν, N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)、4,4’,4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N,N’ _ (1-萘基)-N,N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)形成。優(yōu)選由4,4’,4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成。
[0075]第一空穴傳輸層的厚度為20納米?60納米,優(yōu)選為25納米。
[0076]第一發(fā)光層由4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4,4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1,I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)形成,優(yōu)選由8_羥基喹啉鋁(Alq3)形成。
[0077]第一發(fā)光層的厚度為5納米?40納米,優(yōu)選為10納米。
[0078]第一電子傳輸層由4,7-二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、l,2,4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)形成,優(yōu)選由TAZ形成。
[0079]第一電子傳輸層的厚度為40納米?200納米,優(yōu)選為100納米。
[0080]真空蒸鍍的壓力優(yōu)選為5 X KT3Pa?2X 10_4Pa。
[0081]步驟S120:采用真空蒸鍍在第一發(fā)光單元上形成η型摻雜層,η型摻雜層由η型材料摻雜于第一金屬氧化物中形成。
[0082]η型材料為氟化鋰(LiF)、氯化鋰(LiCl )、溴化鋰(LiBr)或碳酸鋰(Li2CO3)15
[0083]第一金屬氧化物為五氧化二鉭(Ta205)、五氧化二鈮(Nb2O5)或二氧化釩(V02)。
[0084]優(yōu)選地,η型材料占第一金屬氧化物的質(zhì)量百分比為10?60%。
[0085]優(yōu)選地,η型摻雜層31的厚度為5納米?30納米。
[0086]真空蒸鍍的壓力優(yōu)選為5 X KT3Pa?2Χ 10_4Pa。[0087]步驟S130:采用真空蒸鍍在η型摻雜層上形成P型摻雜層,η型摻雜層和ρ型層層疊形成電荷產(chǎn)生層。
[0088]ρ型摻雜層32由ρ型材料摻雜于第二金屬氧化物中形成。
[0089]ρ型材料為三氧化鑰(Μο03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V205)。
[0090]第二金屬氧化物為五氧化二鉭(Ta205)、五氧化二鈮(Nb2O5)或二氧化釩(V02)。在同一個疊層有機(jī)電致發(fā)光器件中,第一金屬氧化物和第二金屬氧化物可以相同,也可以不同。
[0091]優(yōu)選地,ρ型摻雜層的厚度為I納米?10納米。
[0092]真空蒸鍍的壓力優(yōu)選為5 X KT3Pa?2X 10_4Pa。
[0093]步驟S140:采用真空蒸鍍在ρ型層上依次形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層從而在所述P型層上形成第二發(fā)光單元。
[0094]第二發(fā)光單元包括依次層疊于ρ型摻雜層上的第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層。
[0095]第二空穴傳輸層由1,1-二 [4-[N, N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒(TAPC)、4,4’,4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N,N’ _ (1-萘基)-N,N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)形成。優(yōu)選由4,4’,4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成。
[0096]第二空穴傳輸層的厚度為20納米?60納米,優(yōu)選為25納米。
[0097]第二發(fā)光層由4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4,4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1,I’-聯(lián)苯(BCzVBi)或8-羥基喹啉鋁(Alq3)形成,優(yōu)選由8_羥基喹啉鋁(Alq3)形成。
[0098]第一發(fā)光層的厚度為5納米?40納米,優(yōu)選為10納米。
[0099]第二電子傳輸層由4,7-二苯基-1,10-菲羅啉(Bphen)、l,2,4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)形成,優(yōu)選由TAZ形成。
[0100]第二電子傳輸層的厚度為40納米?200納米,優(yōu)選為100納米。
[0101]電子注入層由碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮化銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)形成,優(yōu)選由氟化鋰(LiF)形成。
[0102]電子注入層的厚度為0.5納米?10納米,優(yōu)選為0.7納米。
[0103]真空蒸鍍的壓力優(yōu)選為5 X KT3Pa?2X 10_4Pa。
[0104]步驟S150:采用真空蒸鍍在第二發(fā)光單元上形成陰極,得到疊層有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0105]陰極由銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au)形成,優(yōu)選由銀(Ag)形成。
[0106]陰極的厚度為60納米?300納米,優(yōu)選為150納米。
[0107]真空蒸鍍的壓力優(yōu)選為5 X KT3Pa?2X 10_4Pa。
[0108]上述疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法工藝簡單,易于大規(guī)模制備。
[0109]以下為具體實施例。
[0110]實施例1
[0111]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/TCTA/Alq3/Bphen/Li2C03:Ta205/Mo03:Nb205/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0112](I)提供陽極,陽極為銦錫氧化物玻璃,表示為ΙΤ0。將陽極依次用洗潔精,去離子水,丙酮,乙醇,異丙醇各超聲15分鐘,去除陽極表面的有機(jī)污染物,然后干燥,備用;
[0113](2)采用真空蒸鍍在陽極的表面上依次形成的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層,真空蒸鍍的壓力為5X10_3Pa;空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層依次層疊形成層疊于陽極上的第一發(fā)光單元;其中,空穴注入層由三氧化鑰形成,厚度為40納米;第一空穴傳輸層由4,4’,4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺形成,厚度為25納米;第一發(fā)光層由8-羥基喹啉鋁形成,厚度為10納米;第一電子傳輸層由4,7- 二苯基-1,10-菲羅啉形成,厚度為100納米;第一發(fā)光單元表示為MoO/TCTA/Alq3/Bphen ;
[0114](3)采用真空蒸鍍在第一電子傳輸層的表面上形成η型摻雜層,真空蒸鍍的壓力為5X10_3Pa ;11型摻雜層由碳酸鋰摻雜于五氧化二鉭中形成,表示為Li2CO3 = Ta2O5,其中,Li2CO3占Ta2O5的質(zhì)量百分比為25%,η型摻雜層的厚度為15納米;
[0115](4)采用真空蒸鍍在η型摻雜層的表面上形成P型摻雜層真空蒸鍍的壓力為5X10 3Pa ;ρ型摻雜層由三氧化鑰摻雜于五氧化二銀中形成,表不為MoO3 = Nb2O5,其中,MoO3占Nb2O5的質(zhì)量百分比為10%,ρ型摻雜層的厚度為5納米,η型摻雜層和ρ型摻雜層層疊形成電荷產(chǎn)生層,電荷產(chǎn)生層表示為Li2CO3:Ta205/Mo03 = Nb2O5 ;
[0116](5)采用真空蒸鍍在ρ型摻雜層的表面上依次層疊形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層,真空蒸鍍的壓力為5X KT3Pa ;第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層依次層疊形成層疊于P型摻雜層上的第二發(fā)光單元;其中,第二空穴傳輸層由4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺形成,厚度為25納米;第二發(fā)光層由8-羥基喹啉鋁形成,厚度為10納米;第二電子傳輸層由1,2,4-三唑衍生物形成,厚度為100納米;電子注入層由氟化鋰形成,電子注入層的厚度為0.7納米;第二發(fā)光單元表示為 TCTA/Alq3/TAZ/LiF ;
[0117](6)采用真空蒸鍍在電子注入層的表面上形成陰極,真空蒸鍍的壓力為5X10_3Pa;陰極由銀形成,陰極的厚度為150納米。
[0118]依次的層疊陽極、第一發(fā)光單元、電荷發(fā)生層、第二發(fā)光單元和陰極形成的結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/TCTA/Alq3/Bphen/Li2C03:Ta205/Mo03:Nb205/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag 的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件;其中,斜桿“/”表不層狀結(jié)構(gòu),Li2CO3 = Ta2O5及MoO3 = Nb2O5中的冒號“:,,表不摻雜混合,下同。
[0119]實施例2
[0120]結(jié)構(gòu)為AZ0/V205/TCTA/ADN/TPBi/LiF: Nb205/Mo03: Ta205/NPB/BCzVBi/Bphen/CsN3/Pt的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0121](I)提供陽極,陽極為鋁摻雜氧化鋅玻璃,表示為ΑΖ0。將陽極依次用洗潔精,去離子水,丙酮,乙醇,異丙醇各超聲15分鐘,去除陽極表面的有機(jī)污染物,然后干燥,備用;
[0122](2)采用真空蒸鍍在陽極的表面上依次形成的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層,真空蒸鍍的壓力為2X10_4Pa;空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層依次層疊形成層疊于陽極上的第一發(fā)光單元;其中,空穴注入層由五氧化二釩形成,厚度為80納米;第一空穴傳輸層由4,4’,4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺形成,厚度為60納米;第一發(fā)光層由9,10- 二 - β -亞萘基蒽形成,厚度為5納米;第一電子傳輸層由N-芳基苯并咪唑形成,厚度為40納米;第一發(fā)光單元表示為V205/TCTA/ADN/TPBi ;
[0123](3)采用真空蒸鍍在第一電子傳輸層的表面上形成η型摻雜層,真空蒸鍍的壓力為2X10_4Pa;n型摻雜層由氟化鋰摻雜于五氧化二鈮中形成,表示為LiF = Nb2O5,其中,LiF占Nb2O5的質(zhì)量百分比為10%,η型摻雜層的厚度為30納米;
[0124](4)采用真空蒸鍍在η型摻雜層的表面上形成ρ型摻雜層,真空蒸鍍的壓力為2X KT4Pa ;ρ型摻雜層由三氧化鑰摻雜于五氧化二鉭中形成,表示為MoO3:Ta2O5,其中,MoO3占Ta2O5的質(zhì)量百分比為20%,ρ型摻雜層的厚度為I納米,η型摻雜層和ρ型摻雜層層疊形成電荷產(chǎn)生層,電荷產(chǎn)生層表示為LiF:Nb205/Mo03 = Ta2O5 ;
[0125](5)采用真空蒸鍍在ρ型摻雜層的表面上依次層疊形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層,真空蒸鍍的壓力為2X KT4Pa ;第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層依次層疊形成層疊于P型摻雜層上的第二發(fā)光單元;其中,第二空穴傳輸層由N,N’ - (1-萘基)-N,N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺形成,厚度為20納米;第二發(fā)光層由4,4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯形成,厚度為40納米;第二電子傳輸層由4,7- 二苯基-1,10-菲羅啉形成,厚度為200納米;電子注入層由疊氮化銫形成,電子注入層的厚度為0.5納米;第二發(fā)光單元表示為NPB/BCzVBi/Bphen/CsN3 ;
[0126](6)采用真空蒸鍍在電子注入層的表面上形成陰極,真空蒸鍍的壓力為2X10_4Pa;陰極由鉬形成,陰極的厚度為60納米。
[0127]依次的層疊陽極、第一發(fā)光單元、電荷發(fā)生層、第二發(fā)光單元和陰極形成的結(jié)構(gòu)為AZ0/V205/TCTA/ADN/TPBi/LiF: Nb205/Mo03: Ta205/NPB/BCzVBi/Bphen/CsN3/Pt 的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0128]實施例3
[0129]結(jié)構(gòu)為IZ0/W03/TAPC/DCJTB/TAZ/Lifc: V02/W03: V02/TAPC/DCJTB/TPBi/CsF/AI 的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0130](I)提供陽極,陽極為銦摻雜氧化鋅玻璃,表示為ΙΖ0。將陽極依次用洗潔精,去離子水,丙酮,乙醇,異丙醇各超聲15分鐘,去除陽極表面的有機(jī)污染物,然后干燥,備用;
[0131](2)采用真空蒸鍍在陽極的表面上依次形成的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層,真空蒸鍍的壓力為3X KT4Pa ;空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層依次層疊形成層疊于陽極上的第一發(fā)光單元;其中,空穴注入層由三氧化鎢形成,厚度為20納米;第一空穴傳輸層由1,1- 二 [4-[N,N' -二(ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷形成,厚度為30納米;第一發(fā)光層由4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (I, I, 7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃形成,厚度為10納米;第一電子傳輸層由1,2,4-三唑衍生物形成,厚度為200納米;第一發(fā)光單元表示為W0/TAPC/DCJTB/TAZ ;
[0132](3)采用真空蒸鍍在第一電子傳輸層的表面上形成η型摻雜層,真空蒸鍍的壓力為3X10_4Pa ;n型摻雜層由溴化鋰摻雜于二氧化釩中形成,表示為LiBr: VO2,其中LiBr占VO2的質(zhì)量百分比為60%,η型摻雜層的厚度為5納米;[0133](4)采用真空蒸鍍在η型摻雜層的表面上形成P型摻雜層真空蒸鍍的壓力為3Χ KT4Pa ;ρ型摻雜層由三氧化鎢摻雜于二氧化釩中形成,表示為WO3 = VO2,其中,WO3占VO2的質(zhì)量百分比為5%,ρ型摻雜層的厚度為10納米,η型摻雜層和ρ型摻雜層層疊形成電荷產(chǎn)生層,電荷產(chǎn)生層表示為LiBr:V02/W03: VO2 ;
[0134](5)采用真空蒸鍍在ρ型摻雜層的表面上依次層疊形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層,真空蒸鍍的壓力為3X KT4Pa ;第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層依次層疊形成層疊于P型摻雜層上的第二發(fā)光單元;其中,第二空穴傳輸層由1,1_ 二 [4-[N,N, -二 (ρ-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷形成,厚度為60納米;第二發(fā)光層由4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1,1,7,7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃形成,厚度為5納米;第二電子傳輸層由N-芳基苯并咪唑形成,厚度為40納米;電子注入層由氟化銫形成,電子注入層的厚度為10納米;第二發(fā)光單元表示為 TAPC/DCJTB/TPBi/CsF ;
[0135](6)采用真空蒸鍍在電子注入層的表面上形成陰極,真空蒸鍍的壓力為3X10_4Pa;陰極由鋁形成,陰極的厚度為300納米。
[0136]依次的層疊陽極、第一發(fā)光單元、電荷發(fā)生層、第二發(fā)光單元和陰極形成的結(jié)構(gòu)為IZ0/W03/TAPC/DCJTB/TAZ/LiBr:V02/W03:V02/TAPC/DCJTB/TPBi/CsF/AI 的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0137]實施例4
[0138]結(jié)構(gòu)為IZ0/Mo03/NPB/ADN/Bphen/LiCl: Ta205/V205: Nb205/NPB/ADN/Bphen/Cs2C03/Au的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0139](I)提供陽極,陽極為銦摻雜氧化鋅玻璃,表示為ΙΖ0。將陽極依次用洗潔精,去離子水,丙酮,乙醇,異丙醇各超聲15分鐘,去除陽極表面的有機(jī)污染物,然后干燥,備用;
[0140](2)采用真空蒸鍍在陽極的表面上依次形成的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層,真空蒸鍍的壓力為4X 10_4Pa;空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層依次層疊形成層疊于陽極上的第一發(fā)光單元;其中,空穴注入層由三氧化鑰形成,厚度為30納米;第一空穴傳輸層由N,N’ - (1-萘基)-隊^-二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺形成,厚度為50納米;第一發(fā)光層由9,10- 二 - β -亞萘基蒽形成,厚度為8納米;第一電子傳輸層由4,7-二苯基-1,10-菲羅啉形成,厚度為40納米;第一發(fā)光單元表示為 Mo03/NPB/ADN/Bphen ;
[0141](3)采用真空蒸鍍在第一電子傳輸層的表面上形成η型摻雜層,真空蒸鍍的壓力為4X10_4Pa ;11型摻雜層由氯化鋰摻雜于五氧化二鉭中形成,表示為LiCl = Ta2O5,其中,LiCl占Ta2O5的質(zhì)量百分比為45%,η型摻雜層的厚度為25納米;
[0142](4)采用真空蒸鍍在η型摻雜層的表面上形成P型摻雜層真空蒸鍍的壓力為4 X 10_4Pa ;p型摻雜層由五氧化二鑰;摻雜于五氧化二銀中形成,表不為V2O5: Nb2O5,其中,V2O5占Nb2O5的質(zhì)量百分比為7%,p型摻雜層的厚度為10納米,η型摻雜層和ρ型摻雜層層疊形成電荷產(chǎn)生層,電荷產(chǎn)生層表示為LiCl:Ta205/V205 = Nb2O5 ;
[0143](5)采用真空蒸鍍在ρ型摻雜層的表面上依次層疊形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層,真空蒸鍍的壓力為4X KT4Pa ;第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層依次層疊形成層疊于P型摻雜層上的第二發(fā)光單元;其中,第二空穴傳輸層由N,N’ - (1-萘基)-N,N’ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺形成,厚度為50納米;第二發(fā)光層由49,10- 二 - β -亞萘基蒽形成,厚度為7納米;第二電子傳輸層由4,7- 二苯基-1,10-菲羅啉形成,厚度為100納米;電子注入層由碳酸銫形成,電子注入層的厚度為2納米;第二發(fā)光單元表示為NPB/ADN/Bphen/Cs2C03 ;
[0144](6)采用真空蒸鍍在電子注入層的表面上形成陰極,真空蒸鍍的壓力為4X10_4Pa;陰極由金形成,陰極的厚度為60納米。
[0145]依次的層疊陽極、第一發(fā)光單元、電荷發(fā)生層、第二發(fā)光單元和陰極形成的結(jié)構(gòu)為IZ0/Mo03/NPB/ADN/Bphen/LiCl: Ta205/V205:Nb205/NPB/AND/Bphen/Cs2C03/Au 的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0146]對比例I
[0147]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03/TCTA/Alq3/Bphen/Al/W03/Au/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag 的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的制備
[0148](I)提供陽極,陽極為銦錫氧化物玻璃,表示為ΙΤ0。將陽極依次用洗潔精,去離子水,丙酮,乙醇,異丙醇各超聲15分鐘,去除陽極表面的有機(jī)污染物,然后干燥,備用;
[0149](2)采用真空蒸鍍在陽極的表面上依次形成的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層,真空蒸鍍的壓力為5X10_3Pa;空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層和第一電子傳輸層依次層疊形成層疊于陽極上的第一發(fā)光單元;其中,空穴注入層由三氧化鑰形成,厚度為40納米;第一空穴傳輸層由4,4’,4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺形成,厚度為25納米;第一發(fā)光層由8-羥基喹啉鋁形成,厚度為10納米;第一電子傳輸層由4,7- 二苯基-1,10-菲羅啉形成,厚度為100納米;第一發(fā)光單元表示為MoO/TCTA/Alq3/Bphen ;
[0150](3)采用真空蒸鍍在第一電子傳輸層的表面上依次形成鋁層、三氧化鎢層和金層,真空蒸鍍的壓力為5X 10_3Pa ;鋁層、三氧化鎢層和金層層疊形成電荷產(chǎn)生層,表示為Al/WO3Au,電荷產(chǎn)生層的厚度為20納米;
[0151](4)采用真空蒸鍍在金層的表面上依次層疊形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層,真空蒸鍍的壓力為5X KT3Pa ;第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層和電子注入層依次層疊形成層疊于金層上的第二發(fā)光單兀;其中,第二空穴傳輸層由4,4’,4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺形成,厚度為25納米;第二發(fā)光層由8-羥基喹啉鋁形成,厚度為10納米;第二電子傳輸層由1,2,4-三唑衍生物形成,厚度為100納米;電子注入層由氟化鋰形成,電子注入層的厚度為0.7納米;第二發(fā)光單元表示為TCTA/Alq3/TAZ/LiF ;
[0152](5)采用真空蒸鍍在電子注入層的表面上形成陰極,真空蒸鍍的壓力為5X10_3Pa;陰極由銀形成,陰極的厚度為150納米。
[0153]依次的層疊陽極、第一發(fā)光單元、電荷發(fā)生層、第二發(fā)光單元和陰極形成的結(jié)構(gòu)為IT0/MO03/TCTA/Alq3/Bphen/Al/W03/Au/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag 的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0154]上述實施例1?4及對比例I的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件采用高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)進(jìn)行制備。
[0155]采用美國吉時利公司的Keithley2400測試實施例1和對比例I的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的電學(xué)性能,測試結(jié)構(gòu)如圖3所示,其中,曲線I為實施例1的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓與電流效率的關(guān)系圖;曲線2為對比例I的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的電壓與電流效率的關(guān)系不意圖。
[0156]從圖3可看出,從2V起,隨著電壓的提高,實施例1的電流效率都比對比例I的要大,在6V時,實施例1的電流效率為5.0cd/A,而對比例I的僅為2.9cd/A,這說明,實施例1的電荷產(chǎn)生層降低了電子注入勢壘,有效提高器件的電子傳輸能力,有效提高電子的再生能力,提高電子的傳輸速率,在可見光范圍內(nèi)有很強(qiáng)的透過性,有效提高發(fā)光效率。
[0157]以上所述實施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種疊層有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,包括依次層疊的陽極、第一發(fā)光單兀、電荷生成層、第二發(fā)光單元及陰極,所述第一發(fā)光單元包括依次層疊于所述陽極上的空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層;所述第二發(fā)光單兀包括依次層疊于所述電荷產(chǎn)生層上的第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層;所述電荷生成層包括依次層疊于所述第一發(fā)光單元上的η型摻雜層和P型摻雜層,所述η型摻雜層由η型材料摻雜于第一金屬氧化物中形成,所述P型摻雜層由P型材料摻雜于第二金屬氧化物中形成,所述η型材料為氟化鋰、氯化鋰、溴化鋰或碳酸鋰,所述P型材料為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩,所述第一金屬氧化物和第二金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或二氧化釩。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述η型材料占所述第一金屬氧化物的質(zhì)量百分比為10~60%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述P型材料占所述第二金屬氧化物的質(zhì)量百分比為5~20%。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述η型摻雜層的厚度為5納米~30納米。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述P型摻雜層的厚度為I納米~10納米。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述空穴注入層由三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩形成; 所述第一空穴傳輸層由1,1-二 [4-[Ν,Ν, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’ _(1-萘基)-隊^ - 二苯基-4,4’ -聯(lián)苯二胺形成; 所述第一發(fā)光層由4-( 二腈甲基)-2- 丁基-6-(1,I, 7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1,I’-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁形成; 所述第一電子傳輸層由4,7- 二苯基-1,10-菲羅啉、I, 2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述空穴注入層的厚度為20納米~80納米;所述第一空穴傳輸層的厚度為20納米~60納米;所述第一發(fā)光層的厚度為5納米~40納米;所述第一電子傳輸層的厚度為40納米~200納米。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述第二空穴傳輸層由1,1-二 [4-[Ν,Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、4,4’,4’’-三(咔唑_9_基)三苯胺或N,N’ _(1-萘基)-隊^ - 二苯基_4,4’ -聯(lián)苯二胺形成; 所述第二發(fā)光層由4-( 二腈甲基)-2- 丁基-6-(1,I, 7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亞萘基蒽、4,4’-雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1,I’-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁形成; 所述第二電子傳輸層由4,7- 二苯基-1,10-菲羅啉、I, 2,4-三唑衍生物或N-芳基苯并咪唑形成; 所述電子注入層由碳酸銫、氟化銫、疊氮化銫或者氟化鋰形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件,其特征在于,所述第二空穴傳輸層的厚度為20納米~60納米;所述第二發(fā)光層的厚度為5納米~40納米;所述第二電子傳輸層的厚度為40納米~200納米;所述電子注入層的厚度為0.5納米~10納米。
10.一種權(quán)利要求1所述的疊層有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法,其特征在于,包括如下步驟: 采用真空蒸鍍在陽極上依次形成空穴注入層、第一空穴傳輸層、第一發(fā)光層及第一電子傳輸層從而在所述陽極上形成第一發(fā)光單元; 采用真空蒸鍍在所述第一發(fā)光單元上形成η型摻雜層,所述η型摻雜層由η型材料摻雜于第一金屬氧化物中形成; 采用真空蒸鍍在所述η型摻雜層上形成P型摻雜層,所述η型摻雜層和P型層層疊形成電荷產(chǎn)生層;所述P型摻雜層由P型材料摻雜于第二金屬氧化物中形成,所述η型材料為氟化鋰、氯化鋰、溴化鋰或碳酸鋰,所述P型材料為三氧化鑰、三氧化鎢或五氧化二釩,所述第一金屬氧化物和第二金屬氧化物為五氧化二鉭、五氧化二鈮或二氧化釩; 采用真空蒸鍍在所述P型層上依次形成第二空穴傳輸層、第二發(fā)光層、第二電子傳輸層及電子注入層從而在所述P型層上形成第二發(fā)光單元; 采用真空蒸鍍在所述第二發(fā)光單元上形成陰極,得到疊層有機(jī)電致發(fā)光器件。
【文檔編號】H01L51/56GK104037347SQ201310071359
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2013年3月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月6日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司