專利名稱：防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法。
背景技術(shù)：
先進的集成電路芯片通常會集成多種功能器件。多種功能器件一般需要對應(yīng)不同的場效應(yīng)晶體管(FETs)。多柵氧(multiple gate oxide)工藝是在同一芯片內(nèi)制作不同的場效應(yīng)晶體管的常用方法。有多種方法可以實現(xiàn)多柵氧。
例如，圖1-圖5展示了雙柵氧(dual gate oxide)的制作工藝流程。在已經(jīng)形成淺隔絕溝道2并且沉積了氧化硅薄膜3的硅片I上涂布光刻膠4 (圖1)。曝光和顯影后暴露出將要濕法刻蝕的區(qū)域5和受到光刻膠4保護的區(qū)域6 (圖2)。濕法刻蝕減薄或完全去除區(qū)域5的氧化硅薄膜3 (圖3-圖4)。去除剩余光刻膠4后可再次沉積氧化硅薄膜3，在區(qū)域5和區(qū)域6形成不同厚度的氧化硅薄膜3—即所謂的雙柵氧(圖5)。在區(qū)域5和區(qū)域6上可以制作出不同的場效應(yīng)晶體管。
濕法刻蝕氧化硅薄膜3是將沉積了氧化硅薄膜3的硅片I置于酸性溶液中。常用的酸性溶液比如氫氟酸(HF)。酸性溶液在刻蝕氧化硅薄膜3時也會對光刻膠4產(chǎn)生作用，形成缺陷。主要的缺陷包括光刻膠殘留和碳化硅(SiC)沉積。形成光刻膠殘留缺陷的機理是酸性溶液浸蝕光刻膠薄膜，將光刻膠薄膜中的部分高分子化合物從光刻膠薄膜中剝離出來，在硅片表面形成缺陷。碳化硅沉積缺陷的形成機理是氫氟酸與氧化硅反應(yīng)生成六氟化硅(SiF6)，六氟化硅與光刻膠薄膜中的高分子化合物進一步反應(yīng)生成碳化硅微粒，然后在硅片上形成沉積。
現(xiàn)有的防止?jié)穹涛g過程中產(chǎn)生光刻膠缺陷的方法包括:1)在光刻曝光和顯影后對光刻膠薄膜進一步烘培，形成更加致密的光刻膠薄膜，使得濕法刻蝕的酸性溶液難以從光刻膠高分子化合物之間的縫隙浸入，與光刻膠高分子化合物作用生成缺陷；2)在光刻曝光和顯影后對光刻膠薄膜進行紫外光(UV)或等離子固化處理，在光刻膠表面形成高分子化合物的交聯(lián)。交聯(lián)的高分子表面可以有效地提高光刻膠的抗酸性溶液浸蝕能力。美國專利US6498106B1報道了采用低能量等離子固化處理防止?jié)穹涛g過程中產(chǎn)生光刻膠缺陷的案例。
現(xiàn)有的防止?jié)穹涛g過程中產(chǎn)生光刻膠缺陷的方法仍然存在一些需要解決的問題。在方法I)中，烘培溫度不宜太高，烘培時間不宜太長。否則會導(dǎo)致光刻膠圖形變形，而且會對生產(chǎn)吞吐量(throughput)產(chǎn)生不利影響。由于受到烘培溫度和烘培時間的限制，烘培后光刻膠薄膜的致密性可能還不能滿足抗酸性溶液浸蝕的要求。方法2)需要在光刻工藝之后加入紫外光(UV)或等離子固化工藝。紫外光(UV)或等離子固化工藝需要在另外的機臺上實現(xiàn)，不但增加了設(shè)備成本，而且延長了生產(chǎn)時間，降低了生產(chǎn)吞吐量。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠既能滿足抗酸性溶液浸蝕的要求，也可以保證生產(chǎn)吞吐量的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法。
為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其包括:在已經(jīng)形成淺隔絕溝道并且沉積了氧化硅薄膜的硅片上涂布光刻膠；完成對光刻膠的曝光和顯影，以暴露出氧化硅薄膜的將要濕法刻蝕的第一氧化硅區(qū)域和受到光刻膠保護的第二氧化硅區(qū)域；在曝光和顯影之后，在執(zhí)行顯影的同一顯影機臺內(nèi)，在光刻膠圖形上涂布含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液，并且加熱使硫氰酸鹽類化合物與光刻膠表面反應(yīng)形成高分子交聯(lián)的保護膜，從而固化光刻膠圖形，隨后去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液；執(zhí)行濕法刻蝕以部分去除第一氧化硅區(qū)域上的氧化硅薄膜；去除剩余光刻膠后可再次沉積氧化硅薄膜，從而在第一氧化硅區(qū)域和第二氧化硅區(qū)域形成不同厚度的氧化硅薄膜雙柵氧。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其包括:在已經(jīng)形成淺隔絕溝道并且沉積了氧化硅薄膜的硅片上涂布光刻膠；完成對光刻膠的曝光和顯影，以暴露出氧化硅薄膜的將要濕法刻蝕的第一氧化硅區(qū)域和受到光刻膠保護的第二氧化硅區(qū)域；在同一顯影機臺內(nèi)，在光刻膠圖形上涂布含硫氰酸鹽類化合物(Thiocyanate)的交聯(lián)材料溶液,加熱使硫氰酸鹽類化合物與光刻膠表面反應(yīng)形成高分子交聯(lián)的保護膜，從而固化光刻膠圖形，隨后去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液；執(zhí)行濕法刻蝕以完全去除第一氧化硅區(qū)域上的氧化硅薄膜；去除剩余光刻膠后再次沉積氧化硅薄膜，從而在第一氧化硅區(qū)域和第二氧化硅區(qū)域形成不同厚度的氧化硅薄膜雙柵氧。
優(yōu)選地，去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液的步驟包括:先用酸性溶液處理多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液，再用去離子水去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液。優(yōu)選地，酸性溶液中的酸性化合物選自聚丙烯酸、聚異丁烯酸、聚乙烯基磺酸、烷基羧酸、芳基羧酸、烷基磺酸、芳基磺酸，酸性化合物在酸性溶液中的濃度范圍為0.5wt%至20wt%,優(yōu)選地lwt%至10wt%。
優(yōu)選地，含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液為中還包括交聯(lián)催化劑和/或表面活性劑。
優(yōu)選地，交聯(lián)催化劑是溶于有機溶劑的非親核型叔胺；非親核型叔胺的濃度范圍為 0.lwt% 至 20wt% ;優(yōu)選的，0.5% 至 5wt%o
優(yōu)選地，表面活性劑是溶于有機溶劑的非離子型表面活性劑；表面活性劑的濃度范圍為 50ppm 至 IOOOOppm ;優(yōu)選的，IOOppm 至 lOOOppm。
優(yōu)選地，含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液中硫氰酸鹽類化合物的濃度范圍為0.lwt% 至 100wt% ;優(yōu)選的，0.5% 至 10wt%o
優(yōu)選地，固化加熱溫度的范圍為30°C至180°C ;優(yōu)選的，50°C至120°C。
優(yōu)選地，固化加熱時間的范圍為15秒至300秒；優(yōu)選的，30秒至120秒。
優(yōu)選地，選用用于I線光刻工藝、248納米光刻工藝、193納米光刻工藝、EUV光刻工藝的光刻膠。


結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中:
圖1至圖5示意性地示出了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的雙柵氧的制作工藝流程。
圖2至圖8示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法的部分步驟。
需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。
具體實施方式
為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細(xì)描述。
<第一實施例>
根據(jù)本發(fā)明第一實施例的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法包括:
在已經(jīng)形成淺隔絕溝道2并且沉積了氧化硅薄膜3的硅片I上涂布光刻膠4 (圖1)。例如，可選用適合I線光刻工藝、248納米光刻工藝、193納米光刻工藝、EUV光刻工藝的光刻膠。
完成對光刻膠4的曝光和顯影，以暴露出氧化硅薄膜3的將要濕法刻蝕的第一氧化硅區(qū)域5和受到光刻膠4保護的第二氧化硅區(qū)域6 (圖2)。
在曝光和顯影之后，在執(zhí)行顯影的同一顯影機臺內(nèi)，在光刻膠4圖形上涂布含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液，并且加熱使硫氰酸鹽類化合物材料與光刻膠4表面反應(yīng)形成高分子交聯(lián)的保護膜7，從而固化光刻膠4圖形，隨后去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液。例如，去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液的步驟包括:先用酸性溶液處理多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液,再用去離子水去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液(圖6)。
優(yōu)選地，含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液的主要成分為硫氰酸鹽類化合物，其他成分可以包括但不限于交聯(lián)催化劑和/或表面活性劑。
優(yōu)選地，含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液中硫氰酸鹽類化合物的濃度范圍為0.lwt% 至 100wt% ;優(yōu)選的，0.5% 至 10wt%o
優(yōu)選地，交聯(lián)催化劑的材料選擇是基于交聯(lián)反應(yīng)活性要求。優(yōu)選的，交聯(lián)催化劑是溶于有機溶劑的非親核型叔胺(Tertiary amine);其濃度范圍為0.lwt%至20wt% ;優(yōu)選的，0.5% 至 5wt%0
優(yōu)選地，表面活性劑的材料選擇是基于交聯(lián)材料溶液的溶解性和反應(yīng)活性要求。優(yōu)選的，表面活性劑是溶于有機溶劑的非離子型表面活性劑；其濃度范圍為50ppm至IOOOOppm ;優(yōu)選的，IOOppm 至 lOOOppm。
優(yōu)選地，酸性溶液中的酸性化合物可以是聚丙烯酸、聚異丁烯酸、聚乙烯基磺酸、烷基羧酸、芳基羧酸、烷基磺酸、芳基磺酸，但不限于這些化合物。酸性化合物在酸性溶液中的濃度范圍為0.5wt%至20wt%。優(yōu)選的，lwt%至10wt%。
而且，優(yōu)選地，固化加熱溫度，其范圍為30°C至180°C ;優(yōu)選的，50°C至120°C。而且，優(yōu)選地，固化加熱時間的范圍為15秒至300秒。優(yōu)選的，30秒至120秒。
執(zhí)行濕法刻蝕以部分去除第一氧化硅區(qū)域5上的氧化硅薄膜3 (圖7)。
去除剩余光刻膠4后可再次沉積氧化硅薄膜3，從而在第一氧化硅區(qū)域5和第二氧化硅區(qū)域6形成不同厚度的氧化硅薄膜3雙柵氧(圖5)。
隨后可以完成后續(xù)工藝，在第一氧化硅區(qū)域5和第二氧化硅區(qū)域6上制作出不同的場效應(yīng)晶體管。
<第二實施例>
根據(jù)本發(fā)明第二實施例的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法包括:
在已經(jīng)形成淺隔絕溝道2并且沉積了氧化硅薄膜3的硅片I上涂布光刻膠4 (圖1)。例如，可選用適合I線光刻工藝、248納米光刻工藝、193納米光刻工藝、EUV光刻工藝的光刻膠。
完成對光刻膠4的曝光和顯影，以暴露出氧化硅薄膜3的將要濕法刻蝕的第一氧化硅區(qū)域5和受到光刻膠4保護的第二氧化硅區(qū)域6 (圖2)。
在同一顯影機臺內(nèi)，在光刻膠4圖形上涂布含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液，加熱使硫氰酸鹽類化合物材料與光刻膠4表面反應(yīng)形成高分子交聯(lián)的保護膜7，從而固化光刻膠4圖形，隨后去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液。例如，去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液的步驟包括:先用酸性溶液處理多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液，再用去離子水去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液(圖 6)。
優(yōu)選地，含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液的主要成分為硫氰酸鹽類化合物，其他成分可以包括但不限于交聯(lián)催化劑和/或表面活性劑。
優(yōu)選地，含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液中硫氰酸鹽類化合物的濃度范圍為0.lwt% 至 100wt% ;優(yōu)選的，0.5% 至 10wt%o
優(yōu)選地，交聯(lián)催化劑的材料選擇是基于交聯(lián)反應(yīng)活性要求。優(yōu)選的，交聯(lián)催化劑是溶于有機溶劑的非親核型叔胺(Tertiary amine);其濃度范圍為0.lwt%至20wt% ;優(yōu)選的，0.5% 至 5wt%0
優(yōu)選地，表面活性劑的材料選擇是基于交聯(lián)材料溶液的溶解性和反應(yīng)活性要求。優(yōu)選的，表面活性劑是溶于有機溶劑的非離子型表面活性劑；其濃度范圍為50ppm至IOOOOppm ;優(yōu)選的，IOOppm 至 lOOOppm。
優(yōu)選地，酸性溶液中的酸性化合物可以是聚丙烯酸、聚異丁烯酸、聚乙烯基磺酸、烷基羧酸、芳基羧酸、烷基磺酸、芳基磺酸，但不限于這些化合物。酸性化合物在酸性溶液中的濃度范圍為0.5wt%至20wt%。優(yōu)選的，lwt%至10wt%。
而且，優(yōu)選地，固化加熱溫度，其范圍為30°C至180°C ;優(yōu)選的，50°C至120°C。而且，優(yōu)選地，固化加熱時間的范圍為15秒至300秒。優(yōu)選的，30秒至120秒。
執(zhí)行濕法刻蝕以完全去除第一氧化硅區(qū)域5上的氧化硅薄膜3 (圖8)。
去除剩余光刻膠4后再次沉積氧化硅薄膜3，從而在第一氧化硅區(qū)域5和第二氧化硅區(qū)域6形成不同厚度的氧化硅薄膜3雙柵氧(圖5)。
隨后可以完成后續(xù)工藝，在第一氧化硅區(qū)域5和第二氧化硅區(qū)域6上制作出不同的場效應(yīng)晶體管。
根據(jù)上述實施例，可以有效地提高光刻膠4表層的致密性，提高光刻膠4抗酸性溶液浸蝕能力，降低光刻膠4在濕法刻蝕過程中產(chǎn)生缺陷的幾率，并且不需要額外的機臺，減少了工藝步驟和制作成本，提高了產(chǎn)能。
由此，本發(fā)明針對現(xiàn)有技術(shù)中的問題，提出了采用硫氰酸鹽類化合物在顯影機臺內(nèi)對顯影后光刻膠圖形化學(xué)固化處理的方法在光刻膠4表面形成高分子交聯(lián)的保護膜7，既能滿足抗酸性溶液浸蝕的要求，也可以保證生產(chǎn)吞吐量。
此外，需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個組件、元素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而上述實施例并非用以限定本發(fā)明。對于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其特征在于包括: 在已經(jīng)形成淺隔絕溝道并且沉積了氧化硅薄膜的硅片上涂布光刻膠； 完成對光刻膠的曝光和顯影，以暴露出氧化硅薄膜的將要濕法刻蝕的第一氧化硅區(qū)域和受到光刻膠保護的第二氧化硅區(qū)域； 在曝光和顯影之后，在執(zhí)行顯影的同一顯影機臺內(nèi)，在光刻膠圖形上涂布含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液，并且加熱使硫氰酸鹽類化合物與光刻膠表面反應(yīng)形成高分子交聯(lián)的保護膜，從而固化光刻膠圖形，隨后去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液； 執(zhí)行濕法刻蝕以部分去除第一氧化硅區(qū)域上的氧化硅薄膜； 去除剩余光刻膠后可再次沉積氧化硅薄膜，從而在第一氧化硅區(qū)域和第二氧化硅區(qū)域形成不同厚度的氧化硅薄膜雙柵氧。
2.一種防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其特征在于包括: 在已經(jīng)形成淺隔絕溝道并且沉積了氧化硅薄膜的硅片上涂布光刻膠； 完成對光刻膠的曝光和顯影，以暴露出氧化硅薄膜的將要濕法刻蝕的第一氧化硅區(qū)域和受到光刻膠保護的第二氧化硅區(qū)域； 在同一顯影機臺內(nèi)，在光刻膠圖形上涂布含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液，加熱使硫氰酸鹽類化合物與光刻膠表面反應(yīng)形成高分子交聯(lián)的保護膜，從而固化光刻膠圖形，隨后去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液； 執(zhí)行濕法刻蝕以完全去除第一氧化硅區(qū)域上的氧化硅薄膜； 去除剩余光刻膠后再次沉積氧化硅薄膜，從而在第一氧化硅區(qū)域和第二氧化硅區(qū)域形成不同厚度的氧化硅薄膜雙柵氧。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其特征在于，去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液的步驟包括:先用酸性溶液處理多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液，再用去離子水去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其特征在于，含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液中還包括交聯(lián)催化劑和/或表面活性劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其特征在于，含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液中硫氰酸鹽類化合物的濃度范圍為0.1#%至100wt% ;優(yōu)選的，0.5% 至 10wt%。。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其特征在于，交聯(lián)催化劑是溶于有機溶劑的非親核型叔胺；非親核型叔胺的濃度范圍為0.1#%至20wt% ;優(yōu)選的，0.5% 至 5wt%。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其特征在于，表面活性劑是溶于有機溶劑的非離子型表面活性劑；表面活性劑的濃度范圍為50ppm至 IOOOOppm ;優(yōu)選的，IOOppm 至 lOOOppm。
8.根據(jù)權(quán)利要求 6或7所述的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其特征在于，固化加熱溫度的范圍為30°C至180°C ;優(yōu)選的，50°C至120°C。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其特征在于，固化加熱時間的范圍為15秒至300秒；優(yōu)選的，30秒至120秒。
10.根據(jù)權(quán)利要求3所述的防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，其特征在于，酸性溶液中的酸性化合物選自聚丙烯酸、聚異丁烯酸、聚乙烯基磺酸、烷基羧酸、芳基羧酸、烷基磺酸、芳基磺酸，酸性化合物在酸性溶液中的濃度范圍為0.5wt%至20wt%，優(yōu)選地lwt% 至 1 0wt%。
全文摘要
防止光刻膠在濕法刻蝕中產(chǎn)生缺陷的工藝方法，包括在形成淺隔絕溝道并沉積氧化硅薄膜的硅片上涂布光刻膠；完成對光刻膠的曝光顯影，暴露出氧化硅薄膜的將要濕法刻蝕的第一氧化硅區(qū)域和受到光刻膠保護的第二氧化硅區(qū)域；在執(zhí)行顯影的同一顯影機臺內(nèi)，在光刻膠圖形上涂布含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液，并且加熱使硫氰酸鹽類化合物與光刻膠表面反應(yīng)形成高分子交聯(lián)的保護膜，從而固化光刻膠圖形，隨后去除多余的含硫氰酸鹽類化合物的交聯(lián)材料溶液；執(zhí)行濕法刻蝕以部分去除第一氧化硅區(qū)域上的氧化硅薄膜；去除剩余光刻膠后可再次沉積氧化硅薄膜，從而在第一氧化硅區(qū)域和第二氧化硅區(qū)域形成不同厚度的氧化硅薄膜雙柵氧。
文檔編號H01L21/8234GK103165533SQ20131008518
公開日2013年6月19日 申請日期2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日2013年3月15日
發(fā)明者毛智彪 申請人:上海華力微電子有限公司