半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】一種半導(dǎo)體器件的制作方法。所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成介質(zhì)層；在所述介質(zhì)層上形成矩陣式排布的多個柱狀結(jié)構(gòu)；在每個所述柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成位于所述介質(zhì)層上的側(cè)墻，同一行或同一列中相鄰兩個所述柱狀結(jié)構(gòu)之間的距離小于或等于所述側(cè)墻厚度的兩倍；去除所述柱狀結(jié)構(gòu)；以所述側(cè)墻為掩模，刻蝕所述介質(zhì)層，直至在所述介質(zhì)層中形成多個溝槽或通孔。本發(fā)明可以提高通孔或溝槽的密度。
【專利說明】半導(dǎo)體器件的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體制造工業(yè)中，通常需要采用光刻技術(shù)將電路圖案轉(zhuǎn)移到單晶表面或者介 質(zhì)層中，以形成有效圖形窗口或者功能圖形。具體地，光刻技術(shù)利用光學(xué)一化學(xué)反應(yīng)原理和 化學(xué)、物理刻蝕方法實(shí)現(xiàn)。
[0003] 為提高半導(dǎo)體器件的集成密度和形成具有納米級尺寸的結(jié)構(gòu)，高分辨率的光刻工 藝已經(jīng)被廣泛運(yùn)用。但是傳統(tǒng)的光刻工藝分辨率已到達(dá)理論值，為了越過傳統(tǒng)光刻工藝?yán)?論分辨率的限制，實(shí)現(xiàn)更高的分辨率，發(fā)展出了各種雙重圖形工藝，例如版-刻-版-刻 (lith〇-etch-lith〇-etch，LELE)和版-版-刻（LLE)光刻技術(shù)。但是，隨著與溝槽或通孔 對應(yīng)的掩模圖案尺寸的減小，上述工藝中掩模版的制作越來越復(fù)雜，且越來越困難，從而利 用這些技術(shù)制作通孔（via)或溝槽（trench)以形成金屬插塞或金屬互連線時，所形成的通 孔或溝槽所需的排列密集度很低。即無法滿足高密度、小尺寸的要求，且工藝復(fù)雜、成本較 商。
[0004] 因此，如何提高通孔或溝槽的密度就成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明解決的問題是提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，可以在保證溝槽或通孔的 尺寸較小的前提下，提高介質(zhì)層中溝槽或通孔的密度，且工藝簡單、成本較低。
[0006] 為解決上述問題，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：
[0007] 提供半導(dǎo)體襯底；
[0008] 在所述半導(dǎo)體襯底上形成介質(zhì)層；
[0009] 在所述介質(zhì)層上形成矩陣式排布的多個柱狀結(jié)構(gòu)；
[0010] 在每個所述柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成位于所述介質(zhì)層上的側(cè)墻，同一行或同一列中相 鄰兩個所述柱狀結(jié)構(gòu)之間的距離小于或等于所述側(cè)墻厚度的兩倍；
[0011] 去除所述柱狀結(jié)構(gòu)；
[0012] 以所述側(cè)墻為掩模，刻蝕所述介質(zhì)層，直至在所述介質(zhì)層中形成多個溝槽或通孔。
[0013] 可選的，所述側(cè)墻的材料包括以下一種或多種的任意組合：氧化硅、氮化硅、氮氧 化娃、碳化娃、碳氮化娃、氮化鈦、氮化銅。
[0014] 可選的，形成所述側(cè)墻的工藝包括原子層沉積工藝。
[0015] 可選的，所述柱狀結(jié)構(gòu)的橫截面的形狀包括圓形、橢圓形或菱形。
[0016] 可選的，所述柱狀結(jié)構(gòu)為圓柱，所述圓柱的直徑范圍包括：10nm?180nm。
[0017] 可選的，所述介質(zhì)層的材料包括以下一種或多種的任意組合：氧化硅、黑鉆石、含 碳氧化硅。
[0018] 可選的，所述柱狀結(jié)構(gòu)的材料與所述側(cè)墻的材料不同。
[0019] 可選的，所述柱狀結(jié)構(gòu)的材料包括以下一種或多種的任意組合：氧化硅、氮化硅、 氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化鈦、氮化銅，所述柱狀結(jié)構(gòu)采用刻蝕工藝去除。
[0020] 可選的，所述柱狀結(jié)構(gòu)的材料為光刻膠、無定形碳或由正硅酸乙酯形成的氧化硅， 所述柱狀結(jié)構(gòu)采用灰化工藝去除。
[0021] 可選的，所述方法還包括：在形成所述溝槽或通孔之后，在所述溝槽或通孔中填充 滿金屬材料。
[0022] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：
[0023] 本發(fā)明提供了 一種半導(dǎo)體器件的制作方法，在呈矩陣式排布的柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面形 成側(cè)墻，同一行或同一列中相鄰的兩個柱狀結(jié)構(gòu)之間的側(cè)墻連通在一起，而呈矩陣排布的 四個柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)墻中間產(chǎn)生一個通孔，后續(xù)將該通孔和柱狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的圖案一塊轉(zhuǎn)移到 介質(zhì)層中，從而可以在介質(zhì)層中形成比柱狀結(jié)構(gòu)更多的溝槽或通孔，最終在保證溝槽或通 孔比較小尺寸的前提下，提高了溝槽或通孔的密度，且工藝簡單，成本低。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例中半導(dǎo)體器件的制作方法的流程示意圖；
[0025] 圖2是圖1中形成柱狀結(jié)構(gòu)之后半導(dǎo)體器件的俯視示意圖；
[0026] 圖3是半導(dǎo)體器件沿圖2中AA方向的剖視示意圖；
[0027] 圖4是半導(dǎo)體器件沿圖2中BB方向的剖視示意圖；
[0028] 圖5是圖1中形成側(cè)墻之后半導(dǎo)體器件的俯視示意圖；
[0029] 圖6是半導(dǎo)體器件沿圖5中AA方向的剖視示意圖；
[0030] 圖7是半導(dǎo)體器件沿圖5中BB方向的剖視示意圖；
[0031] 圖8是圖1中去除柱狀結(jié)構(gòu)之后半導(dǎo)體器件的俯視示意圖；
[0032] 圖9是半導(dǎo)體器件沿圖8中AA方向的剖視示意圖；
[0033] 圖10是半導(dǎo)體器件沿圖8中BB方向的剖視示意圖；
[0034] 圖11是圖1中刻蝕介質(zhì)層之后半導(dǎo)體器件的俯視示意圖；
[0035] 圖12是半導(dǎo)體器件沿圖11中AA方向的剖視示意圖；
[0036] 圖13是半導(dǎo)體器件沿圖11中BB方向的剖視示意圖；
[0037] 圖14是圖1中形成金屬材料之后半導(dǎo)體器件的俯視示意圖；
[0038] 圖15是半導(dǎo)體器件沿圖14中AA方向的剖視示意圖；
[0039] 圖16是半導(dǎo)體器件沿圖14中BB方向的剖視示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0040] 正如背景部分所述，現(xiàn)有技術(shù)中可以采用LELE技術(shù)形成多個通孔或溝槽，但是隨 著通孔尺寸的減小以及通孔密度的提高，掩膜板的制作變得越來越復(fù)雜，且成本越來越高。
[0041] 針對上述問題，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，無需直接在掩模版上 制作高密度的掩模圖案，而是在呈矩陣式排布的柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成側(cè)墻，通過控制側(cè)墻 的尺寸以及柱狀結(jié)構(gòu)的形狀、尺寸等因素，使同一行或同一列中相鄰的兩個柱狀結(jié)構(gòu)之間 的側(cè)墻連通在一起，而呈矩陣排布的四個柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)墻中間產(chǎn)生一個通孔，后續(xù)將該通 孔和柱狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的圖案一塊轉(zhuǎn)移到介質(zhì)層中，從而可以在介質(zhì)層中形成比較多的溝槽或 通孔，最終在保證溝槽或通孔比較小尺寸的前提下，提高了溝槽或通孔的密度，且減小了掩 模版的制作難度，簡化了工藝步驟，降低了生產(chǎn)成本。
[0042] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明 的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。
[0043] 參考圖1所示，本實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體器件的形成方法，包括以下步驟：
[0044] 步驟S11，提供半導(dǎo)體襯底；
[0045] 步驟S12,在所述半導(dǎo)體襯底上形成介質(zhì)層；
[0046] 步驟S13,在所述介質(zhì)層上形成矩陣式排布的多個柱狀結(jié)構(gòu)；
[0047] 步驟S14,在每個所述柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成位于所述介質(zhì)層上的側(cè)墻，同一行或同 一列中相鄰兩個所述柱狀結(jié)構(gòu)之間的距離小于或等于所述側(cè)墻厚度的兩倍；
[0048] 步驟S15,去除所述柱狀結(jié)構(gòu)；
[0049] 步驟S16,以所述側(cè)墻為掩模，刻蝕所述介質(zhì)層，直至在所述介質(zhì)層中形成多個溝 槽或通孔；
[0050] 步驟S17,在所述溝槽或通孔中填充金屬材料。
[0051] 本實(shí)施例在介質(zhì)層上形成矩陣式排布的柱狀結(jié)構(gòu)，并在柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成側(cè) 墻，通過使同一行或同一列中相鄰兩個柱狀結(jié)構(gòu)之間的距離小于或等于所述側(cè)墻厚度的兩 倍，使得位于相鄰兩行和相鄰兩列中的四個柱狀結(jié)構(gòu)之間存在一個通孔，從而在去除柱狀 結(jié)構(gòu)之后，不僅會在柱狀結(jié)構(gòu)對應(yīng)的介質(zhì)層中形成柱狀溝槽或通孔，而且也會在四個柱狀 結(jié)構(gòu)之間的通孔位置形成溝槽或通孔，從而提高了溝槽或通孔的密度。
[0052] 下面結(jié)合圖2至圖14進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0053] 結(jié)合參考圖2?圖4所示，提供半導(dǎo)體襯底100,在半導(dǎo)體襯底100上形成介質(zhì)層 200,并在介質(zhì)層200上形成矩陣式排布的多個柱狀結(jié)構(gòu)300。
[0054] 所述半導(dǎo)體襯底100的材料既可以為單晶硅、多晶硅、非晶硅中的一種，也可以是 娃鍺化合物或是絕緣體上娃（SOI, Silicon On Insulator)等。
[0055] 需要說明的是，在形成介質(zhì)層200之前，還可以在所述半導(dǎo)體襯底100中形成器件 層(如：M0S管、電阻或電容等）或金屬互連結(jié)構(gòu)等，其不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0056] 所述介質(zhì)層200的材料可以為氧化硅、硼硅玻璃、磷硅玻璃，硼磷硅玻璃等的一 種；也可以為低K材料，如：黑鉆石（black diamond)等；還可以為超低K材料，如：SiOCH(含 碳氧化硅）等。本實(shí)施例所述介質(zhì)層200采用的是氧化硅（Si0 2)。
[0057] 所述介質(zhì)層200可以采用化學(xué)氣相沉積（CVD)、物理氣相沉積（PVD)、原子層沉積 (ALD)或?yàn)R射等工藝形成，其不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0058] 所述介質(zhì)層200上形成呈矩陣式排列的多個柱狀結(jié)構(gòu)300。具體地，在介質(zhì)層200 的上表面同時形成Μ行相互平行的柱狀結(jié)構(gòu)300和N列相互平行的柱狀結(jié)構(gòu)300,Μ為大于 1的整數(shù)，Ν為大于1的整數(shù)，Μ與Ν可以相同，也可以不同。
[0059] 為了簡單起見，以下以3行Χ4列的12個柱狀結(jié)構(gòu)300為例進(jìn)行說明，但其不限 制本發(fā)明的保護(hù)范圍。
[0060] 所述柱狀結(jié)構(gòu)300的橫截面可以是圓形、橢圓形或菱形等，只要后續(xù)在柱狀結(jié)構(gòu) 300的側(cè)面形成位于介質(zhì)層200上的側(cè)墻之后，位于相鄰兩行和相鄰兩列的四個柱狀結(jié)構(gòu) 300對應(yīng)的側(cè)墻之間的空隙（即通孔）能夠與金屬插塞或互連線的尺寸相對應(yīng)，同行或同列 相鄰的兩個柱狀結(jié)構(gòu)300通過側(cè)墻連接在一起即可。
[0061] 所述柱狀結(jié)構(gòu)300的材料可以包括以下一種或多種的任意組合：光刻膠、底部抗 反射材料(如：由正硅酸乙酯形成的氧化硅等)、無定形碳、采用化學(xué)氣相沉積工藝形成的氧 化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化鈦、氮化銅。優(yōu)選的，所述柱狀結(jié)構(gòu)300的 材料為光刻膠、由正硅酸乙酯形成的氧化硅或無定形碳，從而后續(xù)可以采用灰化工藝去除 所述柱狀結(jié)構(gòu)300。而當(dāng)柱狀結(jié)構(gòu)300選擇其他材料時，則可能需要采用刻蝕工藝進(jìn)行去 除。
[0062] 不同的所述柱狀結(jié)構(gòu)300的形狀或尺寸可以相同，也可以不同。同行或同列的相 鄰兩個所述柱狀結(jié)構(gòu)300之間的距離可以相同，也可以不同。優(yōu)選的，每個所述柱狀結(jié)構(gòu) 300的形狀與尺寸均相同，同行和同列的兩個相鄰的所述柱狀結(jié)構(gòu)之間的距離均相同，從而 可以簡化制作工藝，降低成本。
[0063] 本實(shí)施例中所述柱狀結(jié)構(gòu)300為圓柱，其材料為負(fù)性光刻膠，所述圓柱的直徑范 圍可以為 l〇nm ?180nm，如：10nm、50nm、120nm 或 180nm。
[0064] 具體地，本實(shí)施例中所述柱狀結(jié)構(gòu)300可以采用以下方法形成：
[0065] 在所述介質(zhì)層200上涂覆負(fù)性的光刻膠材料；
[0066] 對需要形成柱狀結(jié)構(gòu)300的區(qū)域進(jìn)行曝光，并對所述光刻膠材料進(jìn)行顯影，從而 去除未曝光區(qū)域，剩余的光刻膠材料形成12個所述柱狀結(jié)構(gòu)300。
[0067] 需要說明的是，在其他實(shí)施例中，所述柱狀結(jié)構(gòu)300的材料也可以為正性光刻膠， 在此不再贅述。
[0068] 繼續(xù)結(jié)合參考圖5?圖7,在所述柱狀結(jié)構(gòu)300的側(cè)面形成位于所述介質(zhì)層200上 的側(cè)墻400。
[0069] 具體地，采用原子層沉積工藝在所述介質(zhì)層200和所述柱狀結(jié)構(gòu)300上形成側(cè)墻 材料，然后采用現(xiàn)有技術(shù)中側(cè)墻形成工藝刻蝕所述側(cè)墻材料，僅保留位于所述介質(zhì)層200 上且所述柱狀結(jié)構(gòu)300側(cè)面的側(cè)墻材料，從而形成所述側(cè)墻400。
[0070] 由于后續(xù)需要先去除所述柱狀結(jié)構(gòu)300而保留所述側(cè)墻400,因此需要使所述側(cè) 墻400與所述柱狀結(jié)構(gòu)300的材料不同。具體地，所述側(cè)墻400的材料可以包括以下一種 或多種的任意組合：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化鈦、氮化銅。
[0071] 所述側(cè)墻400厚度的兩倍需要大于或等于同一行或同一列中相鄰兩個所述柱狀 結(jié)構(gòu)300之間的距離，從而在形成側(cè)墻400之后，同一行或同一列中相鄰兩個所述柱狀結(jié) 構(gòu)300的側(cè)墻400連在一起，即使得同一行或同一列中相鄰兩個所述柱狀結(jié)構(gòu)300通過所 述側(cè)墻400連在一起，但位于對角線上的兩個柱狀結(jié)構(gòu)300的側(cè)墻400之間仍然存在間隙， 從而使得相鄰兩行和相鄰兩列中的四個柱狀結(jié)構(gòu)300對應(yīng)的四個側(cè)墻400中間形成一個空 隙，該空隙也可以看作是一個通孔500。通過合理控制柱狀結(jié)構(gòu)300的形狀和尺寸以及側(cè)墻 400的形狀和尺寸就可以精確控制該通孔500的位置、形狀和尺寸，使之與后續(xù)形成的金屬 插塞或金屬互連線的位置和尺寸等相對應(yīng)。
[0072] 由于在圖案轉(zhuǎn)移過程中，會存在轉(zhuǎn)移損失（transfer loss),因此雖然此時的通孔 500形狀不規(guī)則，類似矩形，但是當(dāng)將該通孔500轉(zhuǎn)移至介質(zhì)層200時，會有向圓形轉(zhuǎn)變的趨 勢。
[0073] 繼續(xù)結(jié)合參考圖8?圖10所示，去除所述柱狀結(jié)構(gòu)300。
[0074] 由于本實(shí)施例中所述柱狀結(jié)構(gòu)300的材料為光刻膠，因此可以采用灰化工藝去 除，其具體過程對應(yīng)本領(lǐng)域技術(shù)人員是熟知的，在此不再贅述。
[0075] 當(dāng)去除所述柱狀結(jié)構(gòu)300之后，原來對應(yīng)柱狀結(jié)構(gòu)300的位置便會形成通孔600。
[0076] 下面需要以側(cè)墻400為掩模，將所述通孔500和600的圖案轉(zhuǎn)移到介質(zhì)層200中。 為了保護(hù)圖8中介質(zhì)層200邊緣的區(qū)域不受破壞，此時需要先在介質(zhì)層200邊緣上形成保 護(hù)層800,所述保護(hù)層800用于保護(hù)對應(yīng)位置的介質(zhì)層200在圖案轉(zhuǎn)移中不受影響。需要說 明的是，本實(shí)施例中的附圖僅為半導(dǎo)體器件的一部分，其主要示出了需要形成高密度金屬 插塞或金屬互連線的區(qū)域，所述保護(hù)層800需要形成在金屬插塞或金屬互連線的區(qū)域之外 的位置，且不能形成在金屬插塞或金屬互連線之間的區(qū)域，從而不影響將通孔500和600轉(zhuǎn) 移至介質(zhì)層200中，也不影響互連結(jié)構(gòu)之外區(qū)域?qū)?yīng)的介質(zhì)層200。
[0077] 本實(shí)施例中所述保護(hù)層800的材料可以為光刻膠，具體可以采用光刻工藝形成。 在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述保護(hù)層800也可以采用其他材料，其不限制本發(fā)明的保護(hù) 范圍。
[0078] 繼續(xù)結(jié)合參考圖11?圖13所示，以圖8中的保護(hù)層800和側(cè)墻400為掩模，刻蝕 所述介質(zhì)層200,以將所述通孔500和所述通孔600的圖案轉(zhuǎn)移至介質(zhì)層200,從而在介質(zhì) 層200中形成與所述通孔500對應(yīng)的通孔750,并在介質(zhì)層200中形成與所述通孔600對應(yīng) 的通孔760,所述通孔750和所述通孔760共有18個，其相對于原來的柱狀結(jié)構(gòu)300的數(shù)量 (即12個）有了很大的提高，最終使介質(zhì)層200中通孔的密度提高了 50%。
[0079] 發(fā)明人經(jīng)過分析發(fā)現(xiàn)：當(dāng)柱狀結(jié)構(gòu)300為Μ行XN列時，可以新增（M-l) X (N-1) 個通孔500,最終在介質(zhì)層200中通孔的密度可以提高(M 一。因此，隨著柱狀 ΜκΝ 結(jié)構(gòu)300數(shù)量的增加，可以進(jìn)一步提高介質(zhì)層200中通孔的密度。如：當(dāng)柱狀結(jié)構(gòu)300為 100行X 100列時，可以新增99X99個通孔，從而通孔的密度提高了 98. 1%。
[0080] 具體地，可以采用干法刻蝕或/和濕法刻蝕工藝形成所述通孔750和760,其對于 本領(lǐng)域技術(shù)人員是熟知的，在此不再贅述。
[0081] 當(dāng)形成所述通孔750和通孔760之后，就可以去除圖8中的保護(hù)層800。
[0082] 需要說明的是，在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，也可以在介質(zhì)層200中形成于通孔500 和600對應(yīng)的溝槽，即此時溝槽并為貫穿所述介質(zhì)層200,其不限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。當(dāng) 柱狀結(jié)構(gòu)300為Μ行ΧΝ列時，也可以新增（M-l) X (Ν-1)個溝槽，最終在介質(zhì)層200中溝 槽的密度也可以提高_(dá)1) %。 MxN
[0083] 繼續(xù)結(jié)合參考圖14?圖16所示，去除所述側(cè)墻400,并在所述通孔750和760中 填充滿金屬材料900,并通過平坦化工藝使所述金屬材料900的上表面與所述介質(zhì)層200的 上表面齊平。
[0084] 具體地，所述金屬材料900可以為銅、鋁、銅合金或鋁合金等，以作為金屬插塞。
[0085] 當(dāng)在介質(zhì)層200中形成溝槽而非通孔時，此時的金屬材料900可以作為互連線。
[0086] 至此，采用簡單和低成本的工藝在介質(zhì)層200中形成了高密度的通孔或溝槽。
[0087] 本實(shí)施例尤其適于應(yīng)用到NAND (閃存）的BE0L (后段制程）中，從而可以提高其中 金屬插塞的密度，降低其制作的復(fù)雜度，最終可以提高器件的集成度，縮小器件體積。
[0088] 進(jìn)一步地，本領(lǐng)域的技術(shù)人員還可以結(jié)合本實(shí)施例提供的技術(shù)方案形成大馬士革 結(jié)構(gòu)的互連結(jié)構(gòu)，其都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)，在此不再贅述。
[〇〇89] 雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所 限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成介質(zhì)層； 在所述介質(zhì)層上形成矩陣式排布的多個柱狀結(jié)構(gòu)； 在每個所述柱狀結(jié)構(gòu)的側(cè)面形成位于所述介質(zhì)層上的側(cè)墻，同一行或同一列中相鄰兩 個所述柱狀結(jié)構(gòu)之間的距離小于或等于所述側(cè)墻厚度的兩倍； 去除所述柱狀結(jié)構(gòu)； 以所述側(cè)墻為掩模，刻蝕所述介質(zhì)層，直至在所述介質(zhì)層中形成多個溝槽或通孔。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述側(cè)墻的材料包括以 下一種或多種的任意組合：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化鈦、氮化銅。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，形成所述側(cè)墻的工藝包 括原子層沉積工藝。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述柱狀結(jié)構(gòu)的橫截面 形狀包括圓形、橢圓形或菱形。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述柱狀結(jié)構(gòu)為圓柱，所 述圓柱的直徑范圍包括：l〇nm?180nm。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述介質(zhì)層的材料包括 以下一種或多種的任意組合：氧化硅、黑鉆石、含碳氧化硅。
7. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述柱狀結(jié)構(gòu)的材料與 所述側(cè)墻的材料不同。
8. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述柱狀結(jié)構(gòu)的材料包 括以下一種或多種的任意組合：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、氮化鈦、氮化 銅，所述柱狀結(jié)構(gòu)采用刻蝕工藝去除。
9. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述柱狀結(jié)構(gòu)的材料為 光刻膠、無定形碳或由正硅酸乙酯形成的氧化硅，所述柱狀結(jié)構(gòu)采用灰化工藝去除。
10. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，還包括：在形成所述溝 槽或通孔之后，在所述溝槽或通孔中填充滿金屬材料。
【文檔編號】H01L21/768GK104103574SQ201310123423
【公開日】2014年10月15日 申請日期:2013年4月10日 優(yōu)先權(quán)日:2013年4月10日
【發(fā)明者】張城龍, 張海洋 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司