專利名稱：陣列基板及顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種陣列基板和包括所述陣列基板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示器因具有體積小、功耗低、輻射低等特點，已在當(dāng)前的平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位。在液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域中，TFT-1XD (Thin Film Transistor LiquidCrystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)以其大尺寸、高度集成、功能強大、工藝靈活、低成本等優(yōu)勢而廣泛應(yīng)用于電視機、電腦、手機等領(lǐng)域。TFT-1XD —般由制作完成的陣列基板和彩膜基板對盒組裝并灌注液晶而成，其一般采用行列矩陣驅(qū)動模式，如圖1所示，通過設(shè)置在陣列基板上的掃描線(也稱為柵線)和數(shù)據(jù)線依次為各行亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管充電，從而顯示色彩，其中，每個亞像素區(qū)均包括一個薄膜晶體管，每行亞像素區(qū)中各薄膜晶體管的柵極均連接至同一掃描線，源極連接至不同的數(shù)據(jù)線，且每兩行相鄰的亞像素區(qū)之間均設(shè)置有一根掃描線；圖1中，Ga η代表第η根掃描線，Dr η代表第η根數(shù)據(jù)線，η為大于I的正整數(shù)，M代表薄膜晶體管，Mll代表分別與第一根掃描線和第一根數(shù)據(jù)線相連的薄膜晶體管。
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在TFT-LCD的各項參數(shù)中，開口率(aperture ratio，指的是每一個亞像素區(qū)中除去配線和薄膜晶體管后光線能夠通過的部分的面積和該亞像素區(qū)整體的面積之間的比例)是影響屏幕亮度與功耗的重要因素，開口率越高，光透過率也越高，在相同背光源的條件下，屏幕的亮度就會越高，并且，在TFT-LCD中背光源的功耗占整個電源輸出的60%左右，提高開口率可在滿足屏幕亮度的前提下降低背光源的功耗，從而降低整個TFT-LCD的功耗。因此，如何在工藝條件許可的情況下進一步提高開口率成為行業(yè)內(nèi)亟待解決的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中所存在的上述缺陷，提供一種與現(xiàn)有技術(shù)相比具有較高開口率的陣列基板和包括所述陣列基板的顯示裝置。解決本發(fā)明技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案:所述陣列基板包括襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的橫縱交錯的多根掃描線和多根數(shù)據(jù)線、以及均勻排列的多個亞像素區(qū)，每個亞像素區(qū)均包括一個薄膜晶體管，其中，相鄰兩行亞像素區(qū)作為一個像素行組，以形成沿縱向排列的多個像素行組，每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間和/或每兩個相鄰的像素行組之間設(shè)置有兩根掃描線，所述兩根掃描線分別與其相鄰的兩行亞像素區(qū)中的一行亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極電連接，所述兩根掃描線部分重疊且相互絕緣，以減少其在襯底基板上所占空間；或者，相鄰兩列亞像素區(qū)作為一個像素列組，以形成沿橫向排列的多個像素列組，每個像素列組內(nèi)的兩列亞像素區(qū)之間或每兩個相鄰的像素列組之間設(shè)置有兩根數(shù)據(jù)線，所述兩根數(shù)據(jù)線分別與其相鄰的兩列亞像素區(qū)中的一列亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極電連接，所述兩根數(shù)據(jù)線部分重疊且相互絕緣，以減少其在襯底基板上所占空間。優(yōu)選地，每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間或每兩個相鄰的像素行組之間設(shè)置有兩根掃描線，每一列亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極均與同一數(shù)據(jù)線電連接。優(yōu)選地，每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間和每兩個相鄰的像素行組之間均設(shè)置有兩根掃描線，每個像素列組中的兩列亞像素區(qū)之間設(shè)置有一根數(shù)據(jù)線，且該像素列組中的所有亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極均與該數(shù)據(jù)線電連接。優(yōu)選地，每個像素列組內(nèi)的兩列亞像素區(qū)之間或每兩個相鄰的像素列組之間設(shè)置有兩根數(shù)據(jù)線，每一行亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極均與同一掃描線電連接。優(yōu)選地，設(shè)置在每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間和/或每兩個相鄰的像素行組之間的兩根掃描線分別為，與該兩根掃描線相鄰的兩行亞像素區(qū)中的一行亞像素區(qū)內(nèi)的所有薄膜晶體管的 柵極電連接的第一掃描線，和與該兩根掃描線相鄰的兩行亞像素區(qū)中的另一行亞像素區(qū)內(nèi)的所有薄膜晶體管的柵極電連接的第二掃描線；所述第一掃描線和其對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極位于同一層并采用相同的膜層形成；所述陣列基板還包括多個像素電極，每個像素電極均與一個薄膜晶體管的漏極電連接；所述多根數(shù)據(jù)線、多根掃描線及多個像素電極之間相互絕緣；所述第二掃描線包括重疊部和非重疊部，所述重疊部為第二掃描線中與第一掃描線重疊的部分，且所述重疊部和數(shù)據(jù)線或像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成；所述非重疊部為第二掃描線中與第一掃描線非重疊的部分，所述非重疊部與第二掃描線對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極電連接，且所述非重疊部與第二掃描線對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極位于同一層并采用相同的膜層形成；所述第二掃描線中的重疊部與非重疊部電連接，以形成一根能夠傳輸信號的連續(xù)的掃描線。優(yōu)選地，所述重疊部和數(shù)據(jù)線位于同一層并采用相同的膜層形成，所述重疊部采用多個，每兩個相鄰的重疊部均位于一根數(shù)據(jù)線的兩側(cè)；所述非重疊部采用多個，每個非重疊部在襯底基板上的投影均與一根數(shù)據(jù)線在襯底基板上的投影相交，每個非重疊部均與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接；多個重疊部與多個非重疊部交替布置；所述第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部電連接。優(yōu)選地，所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為一個重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量是非重疊部數(shù)量的兩倍；所述陣列基板還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部之間；所述柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部的位置相對應(yīng)，以使得每個延伸部均通過過孔與一個非重疊部電連接，從而使得所述第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部電連接。優(yōu)選地，所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為一個重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量是非重疊部數(shù)量的兩倍；所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部之間，且柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均接近一個延伸部并與接近該延伸部的非重疊部的位置相對應(yīng)；所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層、第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部上，所述鈍化層上設(shè)置有多個第一過孔和多個第二過孔，每個第一過孔均與柵極絕緣層上的一個過孔的位置相對應(yīng)，每個第二過孔均與一個延伸部的位置相對應(yīng)；所述陣列基板還包括搭接層，所述搭接層與像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，且與像素電極相互絕緣；所述搭接層覆蓋在鈍化層上的所有第一過孔、第二過孔和柵極絕緣層上的所有過孔上，以使得每個延伸部均與一個非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接，從而使得第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接。優(yōu)選地，所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為一個重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量是非重疊部數(shù)量的兩倍；每個延伸部上均設(shè)置有一個過孔；所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部之間，且柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部上的過孔的位置相對應(yīng)；所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層、第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部上，所述鈍化層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部上的過孔的位置相對應(yīng)；所述陣列基板還包括搭接層，所述搭接層與像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，且與像素電極相互絕緣；所述搭接層覆蓋在鈍化層上的所有過孔、所有延伸部上的過孔和柵極絕緣層上的所有過孔上，以使得每個延伸部均與一個非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接，從而使得第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接。優(yōu)選地，所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中多個重疊部之間，且柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個非重疊部接近其相鄰的重疊部的一端的位置相對應(yīng)；所述鈍 化層覆蓋在柵極絕緣層及第二掃描線中的多個重疊部上，所述鈍化層上設(shè)置有多個第一過孔和多個第二過孔，每個第一過孔均與柵極絕緣層上的一個過孔的位置相對應(yīng)，每個第二過孔均與一個重疊部接近其相鄰的非重疊部的一端的位置相對應(yīng)；所述陣列基板還包括搭接層，所述搭接層與像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，且與像素電極相互絕緣；所述搭接層覆蓋在鈍化層上的所有第一過孔、第二過孔和柵極絕緣層上的所有過孔上，以使得第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接。優(yōu)選地，所述重疊部和像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，所述重疊部采用一個，其長度與第一掃描線的長度相同；所述非重疊部采用多個，每個非重疊部均與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接；所述第二掃描線中的重疊部同時與所有非重疊部電連接。優(yōu)選地，所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量與非重疊部的數(shù)量相同；所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層覆蓋在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部上，所述柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部的位置相對應(yīng)；所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層上，所述鈍化層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與柵極絕緣層上的一個過孔的位置相對應(yīng)；所述重疊部及多個延伸部均設(shè)置在鈍化層上，以使得每個延伸部均與一個非重疊部電連接，從而使得所述第二掃描線中的重疊部分別與其相鄰的各個非重疊部電連接。本發(fā)明還提供一種包括上述陣列基板的顯示裝置。有益效果:本發(fā)明所述陣列基板提供了兩種增大開口率的解決方案:一是在每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間和/或每兩個相鄰的像素行組之間設(shè)置兩根掃描線，并使所述兩根掃描線部分重疊且相互絕緣，有效減少了掃描線在襯底基板上所占空間；二是在每個像素列組內(nèi)的兩列亞像素區(qū)之間或每兩個相鄰的像素列組之間設(shè)置有兩根數(shù)據(jù)線，并使所述兩根數(shù)據(jù)線部分重疊且相互絕緣，有效減少了數(shù)據(jù)線在襯底基板上所占空間；故本發(fā)明所述陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板相比，增大了開口率，從而在滿足顯示裝置亮度的前提下降低了產(chǎn)品的功耗。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施 例1中第一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例1中第二種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例1中第三種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為本發(fā)明實施例3中完成步驟SlOl之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實施例3中完成步驟sl02之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實施例3中完成步驟sl03之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7的A-A截面圖；圖9為本發(fā)明實施例3中完成步驟sl04之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明實施例3中完成步驟sl05之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實施例4中完成步驟s202之后的陣列基板的A-A截面圖；圖12為本發(fā)明實施例4中完成步驟s203之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為圖12的A-A截面圖；圖14為本發(fā)明實施例4中完成步驟s204之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖15為圖14的A-A截面圖；圖16為本發(fā)明實施例5中完成步驟s303之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖17為圖16的A-A截面圖；圖18為本發(fā)明實施例5中完成步驟s304之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖19為圖18的A-A截面圖；圖20為本發(fā)明實施例6中完成步驟s402之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖21為圖20的A-A截面圖；圖22為本發(fā)明實施例6中完成步驟s403之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖23為圖22的A-A截面圖；圖24為本發(fā)明實施例6中完成步驟s404之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖25為圖24的A-A截面圖；圖26為本發(fā)明實施例8中完成步驟s501之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖27為本發(fā)明實施例8中完成步驟s502之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖28為本發(fā)明實施例8中完成步驟s503之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖29為圖28的A-A截面圖；圖30為本發(fā)明實施例8中完成步驟s504之后的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；圖31為圖30的A-A截面圖。圖中:1 —柵極；21 —第一掃描線；22a —非重疊部；22b —重疊部；22c —延伸部；3 一柵極絕緣層；4 一數(shù)據(jù)線；5 —源極；6 —漏極；7 —半導(dǎo)體層；8 —鈍化層；9 一像素電極；10 一搭接層。
具體實施方式
為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明陣列基板和包括所述陣列基板的顯示裝置作進一步詳細描述。實施例1:本實施例提供一種陣列基板，包括襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的橫縱交錯的多根掃描線和多根數(shù)據(jù)線、以及均勻排列的多個亞像素區(qū)，每個亞像素區(qū)均包括一個薄膜晶體管。相鄰兩行亞像素區(qū)作為一個像素行組，以形成沿縱向排列的多個像素行組，每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間和/或每兩個相鄰的像素行組之間設(shè)置有兩根掃描線，所述兩根掃描線分別與其相鄰的兩行亞像素區(qū)中的一行亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極電連接，所述兩根掃描線部分重疊且相互絕緣，以減少其在襯底基板上所占空間。下面通過圖2 4詳細描述上述陣列基板的結(jié)構(gòu)，圖2 4所示結(jié)構(gòu)僅為陣列基板的示意圖，其只展現(xiàn)了陣列基板的部分結(jié)構(gòu)。其中，Ga η代表第η根掃描線，Dr η代表第η根數(shù)據(jù)線，η為大于I的正整數(shù)，M代表薄膜晶體管,Mll代表分別與第一根掃描線和第一根數(shù)據(jù)線相連的薄膜晶體管。每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間設(shè)置有兩根掃描線，所述兩根掃描線分別與其相鄰的兩行亞像素區(qū)中的一行亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極電連接，每一列亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極均與同一數(shù)據(jù)線電連接。這種結(jié)構(gòu)的陣列基板如圖2所示，在圖2中，第一行亞像素區(qū)和第二行亞像素區(qū)組成第一像素行組，第三行亞像素區(qū)和第四行亞像素區(qū)組成第二像素行組，在第一像素行組中的第一行亞像素區(qū)和第二行亞像素區(qū)之間設(shè)置有第一掃描線Gal和第二掃描線Ga2，在第二像素行組中的第三行亞像素區(qū)和第四行亞像素區(qū)之間設(shè)置有第三掃描線Ga3和第四掃描線Ga4,其中，第一掃描線Gal和第二掃描線Ga2部分重疊且相互絕緣，第三掃描線Ga3和第四掃描線Ga4部分重疊且相互絕緣。圖3所示陣列基板的結(jié)構(gòu)與圖2的區(qū)別在于，每兩個相鄰的像素行組之間設(shè)置有兩根掃描線，如第一像素行組與第二像素行組之間設(shè)置有第二掃描線Ga2和第三掃描線Ga3，第二掃描線Ga2和第三掃描線Ga3部分重疊且相互絕緣。
可見，圖2和圖3所示陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板相比，減少了一半數(shù)量的掃描線在襯底基板上所占空間，極大地提聞了開口率。每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間和每兩個相鄰的像素行組之間均設(shè)置有兩根掃描線(即相鄰兩行亞像素區(qū)之間均設(shè)置有兩根掃描線)，所述兩根掃描線分別與其相鄰的兩行亞像素區(qū)中的一行亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極電連接，相鄰兩列亞像素區(qū)作為一個像素列組，以形成沿橫向排列的多個像素列組，每個像素列組中的兩列亞像素區(qū)之間設(shè)置有一根數(shù)據(jù)線，且該像素列組中的所有亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極均與該數(shù)據(jù)線電連接。這種結(jié)構(gòu)的陣列基板如圖4所示，在圖4中，第一行亞像素區(qū)和第二行亞像素區(qū)組成第一像素行組，第三行亞像素區(qū)和第四行亞像素區(qū)組成第二像素行組，在第一像素行組中的第一行亞像素區(qū)和第二行亞像素區(qū)之間設(shè)置有第二掃描線Ga2和第三掃描線Ga3，在第一像素行組和第二像素行組之間設(shè)置有第四掃描線Ga4和第五掃描線Ga5，在第二像素行組中的第三行亞像素區(qū)和第四行亞像素區(qū)之間設(shè)置有第六掃描線Ga6和第七掃描線Ga7,其中,第二掃描線Ga2和第三掃描線Ga3,第四掃描線Ga4和第五掃描線Ga5,第六掃描線Ga6和第七掃描線Ga7，分別部分重疊且相互絕緣。
可見，圖4所示陣列基板通過增加掃描線的線數(shù)以減少數(shù)據(jù)線的線數(shù)，其與現(xiàn)有技術(shù)相比，數(shù)據(jù)線的線數(shù)減少了一半(如圖1中六列亞像素區(qū)需要六根數(shù)據(jù)線，而圖4中六列亞像素區(qū)只需三根數(shù)據(jù)線)，相應(yīng)減少了與數(shù)據(jù)線相連的數(shù)據(jù)線驅(qū)動IC的尺寸和/或數(shù)量，由于數(shù)據(jù)線驅(qū)動IC的價格要比掃描線驅(qū)動IC的價格貴很多，因此圖4所示陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板相比極大地降低了生產(chǎn)成本；同時，圖4所示陣列基板中相鄰兩行亞像素區(qū)之間的兩根掃描線部分重疊且彼此絕緣，因此減少了掃描線在襯底基板上所占空間，并與現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板中掃描線所占空間幾乎相同。優(yōu)選地，設(shè)置在每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間和/或每兩個相鄰的像素行組之間的兩根掃描線分別為，與該兩根掃描線相鄰的兩行亞像素區(qū)中的一行亞像素區(qū)內(nèi)的所有薄膜晶體管的柵極電連接的第一掃描線，和與該兩根掃描線相鄰的兩行亞像素區(qū)中的另一行亞像素區(qū)內(nèi)的所有薄膜晶體管的柵極電連接的第二掃描線，即第一掃描線與所述兩根掃描線相鄰的兩行亞像素區(qū)中的一行亞像素區(qū)內(nèi)的所有薄膜晶體管相對應(yīng)，第二掃描線與所述兩根掃描線相鄰的兩行亞像素區(qū)中的另一行亞像素區(qū)內(nèi)的所有薄膜晶體管相對應(yīng)；所述第一掃描線和其對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極位于同一層并采用相同的膜層形成；所述陣列基板還包括多個像素電極，每個像素電極均與一個薄膜晶體管的漏極電連接；所述多根數(shù)據(jù)線、多根掃描線及多個像素電極之間相互絕緣；所述第二掃描線包括重疊部和非重疊部，所述重疊部為第二掃描線中與第一掃描線重疊的部分，且所述重疊部和數(shù)據(jù)線或像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成；所述非重疊部為第二掃描線中與第一掃描線非重疊的部分，所述非重疊部與第二掃描線對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極電連接，且所述非重疊部與第二掃描線對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極位于同一層并采用相同的膜層形成；所述第二掃描線中的重疊部與非重疊部電連接，以形成一根能夠傳輸信號的連續(xù)的掃描線。
可見，所述第二掃描線的一部分和其對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極位于同一層并采用相同的膜層形成，且不與第一掃描線重疊(即非重疊部)，所述第二掃描線的另一部分和數(shù)據(jù)線或像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，且與第一掃描線重疊(即重疊部)。在陣列基板中，所述數(shù)據(jù)線和像素電極分別與薄膜晶體管的柵極所在層之間設(shè)置有絕緣層(如柵極絕緣層、鈍化層)，故第二掃描線中的重疊部與第一掃描線之間也設(shè)置有絕緣層，因此可與第一掃描線完全重疊而互不導(dǎo)通；同時，第二掃描線中的重疊部與非重疊部之間也設(shè)置有絕緣層，只需通過在絕緣層上設(shè)置過孔等方式就可實現(xiàn)所述重疊部與非重疊部電連接，由于使所述重疊部與非重疊部電連接的具體實現(xiàn)方法有很多，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)陣列基板上的實際布線情況自行設(shè)計所述電連接的實現(xiàn)方法，在此不做贅述。優(yōu)選地，采用相同膜層形成的不同部件在同一構(gòu)圖工藝中形成(或者，也可根據(jù)實際需要在不同構(gòu)圖工藝中形成)。例如，所述重疊部和數(shù)據(jù)線或像素電極采用相同的膜層形成，則所述重疊部既可以與數(shù)據(jù)線在同一次構(gòu)圖工藝中形成，也可以與像素電極在同一次構(gòu)圖工藝中形成，因而就形成工藝而言，采用相同膜層形成的部件既未增加陣列基板的工藝步驟，也未改變陣列基板多層結(jié)構(gòu)的材質(zhì)，且實現(xiàn)簡單。下述實施例2 8均以減少掃描線在襯底基板上所占空間(即所述兩根掃描線部分重疊且相互絕緣)為例進行說明。或者，每個像素列組內(nèi)的兩列亞像素區(qū)之間或每兩個相鄰的像素列組之間設(shè)置有兩根數(shù)據(jù)線，所述兩根數(shù)據(jù)線分別與其相鄰的兩列亞像素區(qū)中的一列亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極電連接，所述·兩根數(shù)據(jù)線部分重疊且相互絕緣，以減少其在襯底基板上所占空間。優(yōu)選地，每一行亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極均與同一掃描線電連接。此種結(jié)構(gòu)的陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板相比，減少了一半數(shù)量的數(shù)據(jù)線在襯底基板上所占空間，極大地提聞了開口率。本實施例還提供一種包括上述陣列基板的顯示裝置。實施例2:本實施例中，所述第二掃描線的重疊部和數(shù)據(jù)線位于同一層并采用相同的膜層形成；所述重疊部采用多個，每兩個相鄰的重疊部均位于一根數(shù)據(jù)線的兩側(cè)；所述非重疊部采用多個，每個非重疊部在襯底基板上的投影均與一根數(shù)據(jù)線在襯底基板上的投影相交，每個非重疊部均與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接；多個重疊部與多個非重疊部交替布置；所述第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部電連接。本實施例還提供一種包括上述陣列基板的顯示裝置。本實施例中的其他結(jié)構(gòu)及作用都與實施例1相同，這里不再贅述。實施例3:本實施例與實施例2的區(qū)別在于:所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為一個重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量是非重疊部數(shù)量的兩倍；所述陣列基板還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部之間；所述柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部的位置相對應(yīng)，以使得每個延伸部均通過過孔與一個非重疊部電連接，從而使得所述第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部電連接。優(yōu)選地，所述陣列基板還包括鈍化層，所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層，數(shù)據(jù)線，薄膜晶體管的源極、漏極和半導(dǎo)體層，第二掃描線中的多個延伸部和多個重疊部上，所述鈍化層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個薄膜晶體管中的漏極的位置相對應(yīng)；所述多個像素電極設(shè)置在鈍化層上，每個像素電極均通過鈍化層上的一個過孔與一個薄膜晶體管中的漏極電連接。下面以圖4所示結(jié)構(gòu)為例提供本實施例所述陣列基板的一種制作方法，包括如下步驟:slO0.提供襯底基板。slOl.如圖5所示，在襯底基板(圖中未示出)上形成第一掃描線21、第二掃描線的非重疊部22a和柵極I的圖形；所述第一掃描線21與其對應(yīng)的所有薄膜晶體管的柵極電連接，所述非重疊部22a與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接。sl02.如圖6所示，在完成步驟SlOl的襯底基板上形成柵極絕緣層3的圖形，并在柵極絕緣層3上形成多個過孔，所述過孔的數(shù)量是非重疊部22a數(shù)量的兩倍，且每兩個過孔分別與一個非重疊部22a兩端的位置相對應(yīng)。S103.如圖7、8所示，采用半色調(diào)掩模板(HTM，Half Tone Mask)或灰色調(diào)掩模板(GTM,Gray Tone Mask)技術(shù)，在完成步驟sl02的襯底基板上形成第二掃描線的重疊部22b、延伸部22c、數(shù)據(jù)線4、源極5、漏極6和半導(dǎo)體層7的圖形；其中，每兩個相鄰的重疊部22b均位于一根數(shù)據(jù)線4的 兩側(cè)，也可以說重疊部22b與數(shù)據(jù)線4交替布置，每個非重疊部22a在襯底基板上的投影均與一根數(shù)據(jù)線4在襯底基板上的投影相交，每個延伸部22c均覆蓋在柵極絕緣層3的一個過孔上。可以看出，第二掃描線中的每個重疊部22b均通過延伸部22c和柵極絕緣層3上形成的過孔與該重疊部22b相鄰的非重疊部22c電連接，從而形成第二掃描線與第一掃描線部分重疊且相互絕緣的結(jié)構(gòu)，走線電阻較小。S104.如圖9所示，在完成步驟s 103的襯底基板上形成鈍化層8的圖形，并在鈍化層8上形成多個過孔，所述過孔的數(shù)量與薄膜晶體管的數(shù)量相同，且每個過孔均與一個薄膜晶體管的漏極6的位置相對應(yīng)。s 105.如圖10所示，在完成步驟s 104的襯底基板上形成像素電極9的圖形，所述像素電極9的數(shù)量與薄膜晶體管的數(shù)量相同，且每個像素電極9均通過鈍化層8上的一個過孔與一個薄膜晶體管的漏極6電連接。需要說明的是，本發(fā)明涉及的所有平面結(jié)構(gòu)示意圖中的柵極絕緣層3和鈍化層8均進行了半透明化處理，以方便觀察該兩層上形成的過孔的數(shù)量及位置。本實施例還提供一種包括上述陣列基板的顯示裝置。本實施例中的其他結(jié)構(gòu)及作用都與實施例2相同，這里不再贅述。實施例4:本實施例與實施例2的區(qū)別在于:所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為一個重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量是非重疊部數(shù)量的兩倍；所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部之間，且柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均接近一個延伸部并與接近該延伸部的非重疊部的位置相對應(yīng)；所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層、第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部上，所述鈍化層上設(shè)置有多個第一過孔和多個第二過孔，每個第一過孔均與柵極絕緣層上的一個過孔的位置相對應(yīng)，每個第二過孔均與一個延伸部的位置相對應(yīng)；所述陣列基板還包括搭接層，所述搭接層與像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，且與像素電極相互絕緣；所述搭接層覆蓋在鈍化層上的所有第一過孔、第二過孔和柵極絕緣層上的所有過孔上，以使得每個延伸部均與一個非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接，從而使得第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接。下面以圖4所示結(jié)構(gòu)為例提供本實施例所述陣列基板的一種制作方法，包括如下步驟:s200.提供襯底基板。s201.在襯底基板上形成第一掃描線21、第二掃描線的非重疊部22a和柵極I的圖形；所述第一掃描線21與其對應(yīng)的所有薄膜晶體管的柵極電連接，所述非重疊部22a與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接。完成該步驟的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖與圖5相同。s202.采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板技術(shù)，在完成步驟s201的襯底基板上形成柵極絕緣層3、第二掃描線的重疊部22b、延伸部22c、數(shù)據(jù)線4、源極5、漏極6和半導(dǎo)體層7的圖形。其中，每兩個相鄰的重疊部22b均位于一根數(shù)據(jù)線4的兩側(cè)，也可以說重疊部22b與數(shù)據(jù)線4交替布置，每個非重疊部22a在襯底基板上的投影均與一根數(shù)據(jù)線4在襯底基板上的投影相交。完成該步驟的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖與圖7相同，A-A截面圖如圖11所示。s203.如圖12、13所示，在完成步驟s202的襯底基板上形成鈍化層8的圖形，并在鈍化層8和柵極絕緣層3上分別形成多個過孔，所述柵極絕緣層3上形成的每個過孔均接近一個延伸部22c并與接近該延伸部的非重疊部22a的位置相對應(yīng)，所述鈍化層8上形成的多個過孔分別為第一過孔、第二過孔和第三過孔，每個第一過孔均與柵極絕緣層上的一個過孔的位置相對應(yīng)，每個第二過孔均與一個延伸部22c的位置相對應(yīng)，每個第三過孔均與一個薄膜晶體管中的漏極6的位置相對應(yīng)。s204.如圖14、15所示，在完成步驟s203的襯底基板上形成像素電極9和搭接層10的圖形；所述像素電極9的數(shù)量與薄膜晶體管的數(shù)量相同，且每個像素電極9均通過鈍化層8上的一個第三過孔與一個薄膜晶體管中的漏極6電連接；所述搭接層10覆蓋在鈍化層8上的所有第一過孔、第二過孔和柵極絕緣層上的所有過孔上，以使得第二掃描線中的各個重疊部22b分別與其相鄰的非重疊部22a經(jīng)所述搭接層10電連接，從而形成第二掃描線與第一掃描線部分重疊且相互絕緣的結(jié)構(gòu)。可見，本實施例所述陣列基板只需采用四次構(gòu)圖工藝即可完成，與實施例3相比減少了一道工藝步驟，相應(yīng)地節(jié)省了成本。本實施例還提供一種包括上述陣列基板的顯示裝置。本實施例中的其他結(jié)構(gòu)及作用都與實施例2相同，這里不再贅述。實施例5:本實施例與實施例2 的區(qū)別在于:
所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為一個重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量是非重疊部數(shù)量的兩倍；每個延伸部上均設(shè)置有一個過孔；所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部之間，且柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部上的過孔的位置相對應(yīng)；所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層、第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部上，所述鈍化層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部上的過孔的位置相對應(yīng)；所述陣列基板還包括搭接層，所述搭接層與像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，且與像素電極相互絕緣；所述搭接層覆蓋在鈍化層上的所有過孔、所有延伸部上的過孔和柵極絕緣層上的所有過孔上，以使得每個延伸部均與一個非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接，從而使得第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接。下面以圖4所示結(jié)構(gòu)為例提供本實施例所述陣列基板的一種制作方法，包括如下步驟:s300.提供襯底基板。s301.在襯底基板上形成第一掃描線21、第二掃描線的非重疊部22a和柵極I的圖形；所述第一掃描線21與其對應(yīng)的所有薄膜晶體管的柵極電連接，所述非重疊部22a與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接。完成該步驟的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖與圖5相同。s302.采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板技術(shù)，在完成步驟s301的襯底基板上形成柵極絕緣層3、第二掃描線的重疊部22b、延伸部22c、數(shù)據(jù)線4、源極5、漏極6和半導(dǎo)體層7的圖形。其中，每 兩個相鄰的重疊部22b均位于一根數(shù)據(jù)線4的兩側(cè)，也可以說重疊部22b與數(shù)據(jù)線4交替布置，每個非重疊部22a在襯底基板上的投影均與一根數(shù)據(jù)線4在襯底基板上的投影相交。完成該步驟的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖與圖7相同，A-A截面圖與圖11相同。s303.如圖16、17所示，在完成步驟s302的襯底基板上形成鈍化層8的圖形，并在鈍化層8、柵極絕緣層3和延伸部22c上分別形成過孔。具體的，在柵極絕緣層3上形成多個過孔，每個過孔均與一個延伸部22c的位置相對應(yīng)，在每個延伸部22c上均形成一個過孔，該過孔與柵極絕緣層3上的一個過孔相對應(yīng)，在鈍化層8上形成多個過孔，分別為第一過孔和第二過孔，每個第一過孔均與柵極絕緣層上的一個過孔的位置相對應(yīng)(即與一個延伸部22c的位置相對應(yīng))，每個第二過孔均與一個薄膜晶體管中的漏極6的位置相對應(yīng)。s304.如圖18、19所示，在完成步驟s303的襯底基板上形成像素電極9和搭接層10的圖形；所述像素電極9的數(shù)量與薄膜晶體管的數(shù)量相同，且每個像素電極9均通過鈍化層8上的一個第二過孔與一個薄膜晶體管中的漏極6電連接；所述搭接層10覆蓋在鈍化層8上的所有第一過孔、所有延伸部22c上的過孔和柵極絕緣層上3的所有過孔上，以使得第二掃描線中的各個重疊部22b分別與其相鄰的非重疊部22a經(jīng)所述搭接層10電連接，從而形成第二掃描線與第一掃描線部分重疊且相互絕緣的結(jié)構(gòu)。本實施例還提供一種包括上述陣列基板的顯示裝置。
本實施例中的其他結(jié)構(gòu)及作用都與實施例2相同，這里不再贅述。實施例6:本實施例與實施例2的區(qū)別在于:所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中多個重疊部之間，且柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個非重疊部接近其相鄰的重疊部的一端的位置相對應(yīng)；所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層及第二掃描線中的多個重疊部上，所述鈍化層上設(shè)置有多個第一過孔和多個第二過孔，每個第一過孔均與柵極絕緣層上的一個過孔的位置相對應(yīng)，每個第二過孔均與一個重疊部接近其相鄰的非重疊部的一端的位置相對應(yīng)；所述陣列基板還包括搭接層，所述搭接層與像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，且與像素電極相互絕緣；所述搭接層覆蓋在鈍化層上的所有第一過孔、第二過孔和柵極絕緣層上的所有過孔上，以使得第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接。下面以圖4所示結(jié)構(gòu)為例提供本實施例所述陣列基板的一種制作方法，包括如下步驟:s400.提供襯底基板。s401.在襯底基板上形成第一掃描線21、第二掃描線的非重疊部22a和柵極I的圖形；所述第一掃描線21與其對應(yīng)的所有薄膜晶體管的柵極電連接，所述非重疊部22a與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接。完成該步驟的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖與圖5相同。

s402.如圖20、21所示，采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板技術(shù)，在完成步驟s401的襯底基板上形成柵極絕緣層3、第二掃描線的重疊部22b、數(shù)據(jù)線4、源極5、漏極6和半導(dǎo)體層7的圖形。其中，每兩個相鄰的重疊部22b均位于一根數(shù)據(jù)線4的兩側(cè)，也可以說重疊部22b與數(shù)據(jù)線4交替布置，每個非重疊部22a在襯底基板上的投影均與一根數(shù)據(jù)線4在襯底基板上的投影相交。s403.如圖22、23所示，在完成步驟s402的襯底基板上形成鈍化層8的圖形，并在鈍化層8和柵極絕緣層3上分別形成多個過孔，所述柵極絕緣層3上形成的每個過孔均與一個非重疊部22a接近其相鄰的重疊部22b的一端的位置相對應(yīng)，所述鈍化層8上形成的多個過孔分別為第一過孔、第二過孔和第三過孔，每個第一過孔均與柵極絕緣層3上的一個過孔的位置相對應(yīng),每個第二過孔均與一個重疊部22b接近其相鄰的非重疊部22a的一端的位置相對應(yīng)，每個第三過孔均與一個薄膜晶體管中的漏極6的位置相對應(yīng)。s404.如圖24、25所示，在完成步驟s403的襯底基板上形成像素電極9和搭接層10的圖形；所述像素電極9的數(shù)量與薄膜晶體管的數(shù)量相同，且每個像素電極9均通過鈍化層8上的一個第三過孔與一個薄膜晶體管中的漏極6電連接；所述搭接層10覆蓋在鈍化層上的所有第一過孔、第二過孔和柵極絕緣層上的所有過孔上，以使得第二掃描線中的各個重疊部22b分別與其相鄰的非重疊部22a經(jīng)所述搭接層10電連接，從而形成第二掃描線與第一掃描線部分重疊且相互絕緣的結(jié)構(gòu)。本實施例還提供一種包括上述陣列基板的顯示裝置。本實施例中的其他結(jié)構(gòu)及作用都與實施例2相同，這里不再贅述。
實施例7:本實施例中，所述第二掃描線的重疊部和像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，所述重疊部采用一個，其長度與第一掃描線的長度相同；所述非重疊部采用多個，每個非重疊部均與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接，即非重疊部的數(shù)量與第二掃描線對應(yīng)的薄膜晶體管的數(shù)量相同；所述第二掃描線中的重疊部同時與所有非重疊部電連接。本實施例還提供一種包括上述陣列基板的顯示裝置。本實施例中的其他結(jié)構(gòu)及作用都與實施例1相同，這里不再贅述。實施例8:本實施例與實施例7的區(qū)別在于:所述第二掃描線中的每個非重疊部均與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接；所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量與非重疊部的數(shù)量相同；所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層覆蓋在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部上，所述柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部的位置相對應(yīng)；所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層上，所述鈍化層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與柵極絕緣層上的一個過孔的位置相對應(yīng)；所述重疊部及多個延伸部均設(shè)置在鈍化層上，以使得每個延伸部均與一個非重疊部電連接，從而使得所述第二掃描線中的重疊部分別與其相鄰的各個非重疊部電連接。下面以圖4所示結(jié)構(gòu)為例提供本實施例所述陣列基板的一種制作方法，包括如下步驟:s500.提供襯底基板。s501.如圖26所示，在襯底基板上形成第一掃描線21、第二掃描線的非重疊部22a和柵極I的圖形；所述第一掃描線21與其對應(yīng)的所有薄膜晶體管的柵極電連接，所述非重疊部22a與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接。s502.如圖27所示，采用半色調(diào)掩模板或灰色調(diào)掩模板技術(shù)，在完成步驟s501的襯底基板上形成柵極絕緣層3、數(shù)據(jù)線4、源極5、漏極6和半導(dǎo)體層7的圖形。s503.如圖28、29所示，在完成步驟s502的襯底基板上形成鈍化層8的圖形，并在鈍化層8和柵極絕緣層3上分別形成多個過孔，所述柵極絕緣層3上形成的每個過孔均與一個非重疊部22a的位置相對應(yīng)，所述鈍化層8上形成的多個過孔分別為第一過孔和第二過孔，每個第一過孔均與柵極絕緣層3上的一個過孔的位置相對應(yīng)(即與一個非重疊部22a的位置相對應(yīng))，每個第二過孔均與一個薄膜晶體管中的漏極6的位置相對應(yīng)。s504.如圖30、31所示，在完成步驟s503的襯底基板上形成像素電極9、第二掃描線的重疊部22b和延伸部22c的圖形；所述像素電極9的數(shù)量與薄膜晶體管的數(shù)量相同，且每個像素電極9均通過鈍化層8上的一個第二過孔與一個薄膜晶體管中的漏極6電連接；所述重疊部22b與第一掃描線21的位置相對應(yīng)；每個延伸部22c均與一個非重疊部22a的位置相對應(yīng)，且每個延伸部22c均覆蓋在柵極絕緣層3上與其對應(yīng)的一個過孔，及鈍化層上與其對應(yīng)的一個第一過孔上，以 使得所述第二掃描線中的重疊部22b分別與其相鄰的各個非重疊部22a電連接，從而形成第二掃描線與第一掃描線部分重疊且相互絕緣的結(jié)構(gòu)，走線電阻較小。本實施例還提供一種包括上述陣列基板的顯示裝置。本實施例中的其他結(jié)構(gòu)及作用都與實施例7相同，這里不再贅述。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的橫縱交錯的多根掃描線和多根數(shù)據(jù)線、以及均勻排列的多個亞像素區(qū)，每個亞像素區(qū)均包括一個薄膜晶體管，其特征在于， 相鄰兩行亞像素區(qū)作為一個像素行組，以形成沿縱向排列的多個像素行組，每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間和/或每兩個相鄰的像素行組之間設(shè)置有兩根掃描線，所述兩根掃描線分別與其相鄰的兩行亞像素區(qū)中的一行亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極電連接，所述兩根掃描線部分重疊且相互絕緣，以減少其在襯底基板上所占空間； 或者，相鄰兩列亞像素區(qū)作為一個像素列組，以形成沿橫向排列的多個像素列組，每個像素列組內(nèi)的兩列亞像素區(qū)之間或每兩個相鄰的像素列組之間設(shè)置有兩根數(shù)據(jù)線，所述兩根數(shù)據(jù)線分別與其相鄰的兩列亞像素區(qū)中的一列亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極電連接，所述兩根數(shù)據(jù)線部分重疊且相互絕緣，以減少其在襯底基板上所占空間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間或每兩個相鄰的像素行組之間設(shè)置有兩根掃描線，每一列亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極均與同一數(shù)據(jù)線電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間和每兩個相鄰的像素行組之間均設(shè)置有兩根掃描線，每個像素列組中的兩列亞像素區(qū)之間設(shè)置有一根數(shù)據(jù)線，且該像素列組中的所有亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的源極均與該數(shù)據(jù)線電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于， 每個像素列組內(nèi)的兩列亞像素區(qū)之間或每兩個相鄰的像素列組之間設(shè)置有兩根數(shù)據(jù)線，每一行亞像素區(qū)內(nèi)的薄膜晶體管的柵極均與同一掃描線電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項所述的陣列基板，其特征在于， 設(shè)置在每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間和/或每兩個相鄰的像素行組之間的兩根掃描線分別為，與該兩根掃描線相鄰的兩行亞像素區(qū)中的一行亞像素區(qū)內(nèi)的所有薄膜晶體管的柵極電連接的第一掃描線，和與該兩根掃描線相鄰的兩行亞像素區(qū)中的另一行亞像素區(qū)內(nèi)的所有薄膜晶體管的柵極電連接的第二掃描線； 所述第一掃描線和其對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極位于同一層并采用相同的膜層形成； 所述陣列基板還包括多個像素電極，每個像素電極均與一個薄膜晶體管的漏極電連接；所述多根數(shù)據(jù)線、多根掃描線及多個像素電極之間相互絕緣；所述第二掃描線包括重疊部和非重疊部，所述重疊部為第二掃描線中與第一掃描線重疊的部分，且所述重疊部和數(shù)據(jù)線或像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成；所述非重疊部為第二掃描線中與第一掃描線非重疊的部分，所述非重疊部與第二掃描線對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極電連接，且所述非重疊部與第二掃描線對應(yīng)的薄膜晶體管的柵極位于同一層并采用相同的膜層形成； 所述第二掃描線中的重疊部與非重疊部電連接，以形成一根能夠傳輸信號的連續(xù)的掃描線。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于， 所述重疊部和數(shù)據(jù)線位于同一層并采用相同的膜層形成，所述重疊部采用多個，每兩個相鄰的重疊部均位于一根數(shù)據(jù)線的兩側(cè)；所述非重疊部采用多個，每個非重疊部在襯底基板上的投影均與一根數(shù)據(jù)線在襯底基板上的投影相交，每個非重疊部均與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接；多個重疊部與多個非重疊部交替布置；所述第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于， 所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為一個重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量是非重疊部數(shù)量的兩倍； 所述陣列基板還包括柵極絕緣層，所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部之間；所述柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部的位置相對應(yīng)，以使得每個延伸部均通過過孔與一個非重疊部電連接，從而使得所述第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于， 所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為一個重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量是非重疊部數(shù)量的兩倍； 所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部之間，且柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均接近一個延伸部并與接近該延伸部的非重疊部的位置相對應(yīng)；所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層、第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部上，所述鈍化層上設(shè)置有多個第一過孔和多個第二過孔，每個第一過孔均與柵極絕緣層上的一個過孔的位置相對應(yīng)，每個第二過孔均與一個延伸部的位置相對應(yīng)； 所述陣列基板還包括搭接層，所述搭接層與像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，且與像素電極相互絕緣；所述搭接層覆蓋在鈍化層上的所有第一過孔、第二過孔和柵極絕緣層上的所有過孔上，以使得每個延伸部均與一個非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接，從而使得第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于， 所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為一個重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量是非重疊部數(shù)量的兩倍；每個延伸部上均設(shè)置有一個過孔； 所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部之間，且柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部上的過孔的位置相對應(yīng)；所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層、第二掃描線中的多個延伸部及多個重疊部上，所述鈍化層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部上的過孔的位置相對應(yīng)； 所述陣列基板還包括搭接層，所述搭接層與像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，且與像素電極相互絕緣；所述搭接層覆蓋在鈍化層上的所有過孔、所有延伸部上的過孔和柵極絕緣層上的所有過孔上，以使得每個延伸部均與一個非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接，從而使得第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于， 所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層設(shè)置在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部，和第二掃描線中多個重疊部之間，且柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個非重疊部接近其相鄰的重疊部的一端的位置相對應(yīng)；所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層及第二掃描線中的多個重疊部上，所述鈍化層上設(shè)置有多個第一過孔和多個第二過孔，每個第一過孔均與柵極絕緣層上的一個過孔的位置相對應(yīng)，每個第二過孔均與一個重疊部接近其相鄰的非重疊部的一端的位置相對應(yīng)； 所述陣列基板還包括搭接層，所述搭接層與像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，且與像素電極相互絕緣；所述搭接層覆蓋在鈍化層上的所有第一過孔、第二過孔和柵極絕緣層上的所有過孔上，以使得第二掃描線中的各個重疊部分別與其相鄰的非重疊部經(jīng)所述搭接層電連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特 征在于， 所述重疊部和像素電極位于同一層并采用相同的膜層形成，所述重疊部采用一個，其長度與第一掃描線的長度相同；所述非重疊部采用多個，每個非重疊部均與第二掃描線對應(yīng)的一個薄膜晶體管的柵極電連接；所述第二掃描線中的重疊部同時與所有非重疊部電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于， 所述第二掃描線還包括多個延伸部，每個延伸部均為重疊部延伸至與其相鄰的一個非重疊部重疊的部分，且所述延伸部的數(shù)量與非重疊部的數(shù)量相同； 所述陣列基板還包括柵極絕緣層和鈍化層；所述柵極絕緣層覆蓋在所述第一掃描線及第二掃描線中的多個非重疊部上，所述柵極絕緣層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與一個延伸部的位置相對應(yīng)；所述鈍化層覆蓋在柵極絕緣層上，所述鈍化層上設(shè)置有多個過孔，每個過孔均與柵極絕緣層上的一個過孔的位置相對應(yīng)；所述重疊部及多個延伸部均設(shè)置在鈍化層上，以使得每個延伸部均與一個非重疊部電連接，從而使得所述第二掃描線中的重疊部分別與其相鄰的各個非重疊部電連接。
13.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1-12中任一項所述的陣列基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陣列基板，包括襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的橫縱交錯的多根掃描線和多根數(shù)據(jù)線、以及均勻排列的多個亞像素區(qū)，相鄰兩行亞像素區(qū)作為一個像素行組，以形成沿縱向排列的多個像素行組，每個像素行組內(nèi)的兩行亞像素區(qū)之間和/或每兩個相鄰的像素行組之間設(shè)置有兩根掃描線，所述兩根掃描線部分重疊且相互絕緣；或者，相鄰兩列亞像素區(qū)作為一個像素列組，以形成沿橫向排列的多個像素列組，每個像素列組內(nèi)的兩列亞像素區(qū)之間或每兩個相鄰的像素列組之間設(shè)置有兩根數(shù)據(jù)線，所述兩根數(shù)據(jù)線部分重疊且相互絕緣。相應(yīng)地，提供一種包括所述陣列基板的顯示裝置。本發(fā)明所述陣列基板與現(xiàn)有技術(shù)的陣列基板相比，具有較高的開口率。
文檔編號H01L27/12GK103217846SQ20131014340
公開日2013年7月24日 申請日期2013年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2013年4月23日
發(fā)明者高山, 李凡 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司