国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      一種p型準(zhǔn)單晶硅太能陽電池pn結(jié)的制造方法

      文檔序號(hào):6792027閱讀:471來源:國知局
      專利名稱:一種p型準(zhǔn)單晶硅太能陽電池pn結(jié)的制造方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法。
      背景技術(shù)
      PN結(jié)是構(gòu)成太陽能電池最為核心的部分,因而PN結(jié)的制造工藝也是太陽能電池制造工藝中最為重要的環(huán)節(jié)之一,擴(kuò)散摻雜法是制備太陽能電池PN結(jié)的常用方法,所謂擴(kuò)散摻雜法就是在高溫條件下利用特定雜質(zhì)進(jìn)行擴(kuò)散,將雜質(zhì)原子摻雜到硅基底中使其在特定區(qū)域具形成PN結(jié)。所謂準(zhǔn)單晶硅其實(shí)就是原子排列相對(duì)有序的多晶硅,其晶向一致性較多晶硅高,晶界明顯減少,并且原子排列比較有序,光電轉(zhuǎn)換效率也高于多晶硅很多,而P型準(zhǔn)單晶硅即為多數(shù)載流子為空穴的準(zhǔn)單晶硅。根據(jù)擴(kuò)散源的不同,目前擴(kuò)散摻雜法可以分為液態(tài)源擴(kuò)散、氣態(tài)源擴(kuò)散和固態(tài)源擴(kuò)散,其中液態(tài)源擴(kuò)散是目前太陽能電池制造企業(yè)內(nèi)制作準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)時(shí)普遍采用的摻雜方法,具體包括以下步驟:Sll:將硅基底放入到溫度不低于830°C且壓力在5pa_20pa范圍內(nèi)的反應(yīng)容器內(nèi);S12:保持溫度和壓力,通入擴(kuò)散源并保持適當(dāng)時(shí)間;S13:將溫度降至800°C推進(jìn)合適的時(shí)間,完成PN結(jié)的制造過程。雖然這種方法可以完成PN接的制造過程,但是采用該種方法所制造出來的準(zhǔn)單晶硅太陽能電池的PN結(jié)在晶向(100)區(qū)域和非(100)區(qū)域的方阻差別較大,這對(duì)后續(xù)的燒結(jié)工序會(huì)帶來很大的影響,不利于準(zhǔn)單晶硅太陽能電池的電性能和轉(zhuǎn)化效率的提高。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的目的是提供一種P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,以減小太陽能電池PN結(jié)位置處徑向(100)區(qū)域與非(100)區(qū)域方阻的差別,從而使太陽能電池的電性能和轉(zhuǎn)化效率得以提升。為解決上述現(xiàn)有技術(shù)問題,本發(fā)明提供的一種P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,包括步驟:1)在第一溫度和第一壓力下對(duì)P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行預(yù)處理,所述第一溫度在7000C _750°C范圍內(nèi),所述第一壓力在-1OOpa至-50pa范圍內(nèi);2)在第二溫度和所述第一壓力下通入擴(kuò)散源,所述第二溫度高于所述第一溫度,且所述第二溫度不大于800°C ;3)在第三溫度和第二壓力下進(jìn)行推進(jìn),所述第三溫度高于70(TC且低于所述第二溫度,所述第二壓力在100-300pa范圍內(nèi);4)在所述第三溫度和常壓下通入氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w從而完成PN結(jié)的制造。
      優(yōu)選的,所述步驟2)通入擴(kuò)散源應(yīng)持續(xù)10-15分鐘,所述步驟3)中的推進(jìn)時(shí)間為5-35分鐘。優(yōu)選的,所述步驟4)中持續(xù)通入所述混合氣體的時(shí)間為5-10分鐘。優(yōu)選的,所述第二溫度比所述第一溫度高50°C。優(yōu)選的,所述擴(kuò)散源為三氯氧磷。優(yōu)選的,所述P型準(zhǔn)單晶硅片為25片,所述三氯氧磷的流量為0.5-lL/min。優(yōu)選的,所述P型準(zhǔn)單晶硅片為25片,所述混合氣體中氮?dú)獾牧髁繛?.5-7.5L/min,氧氣的流量為l-3L/min。優(yōu)選的,所述擴(kuò)散源由氮?dú)鈳氲椒磻?yīng)容器中。由以上技術(shù)方案可以得出,本發(fā)明所提供的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法中首先在較低的第一溫度和較低的第一壓力下對(duì)放入反應(yīng)容器內(nèi)的P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行預(yù)處理,然后升溫至第二溫度并通入擴(kuò)散源,并且此時(shí)的第二溫度也不高于800°c,進(jìn)而降溫至第三溫度,并將壓力升高到第二壓力,第三溫度不低于700°C且第二壓力顯著大于第一壓力,在該種溫度和壓力下保持推進(jìn);最后在常壓下通入氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w完成PN結(jié)的制造。與現(xiàn)有技術(shù)相比,由于本發(fā)明所提供的方法中是首先對(duì)P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行低溫低壓預(yù)處理,并在通擴(kuò)散源之后在低溫高壓下進(jìn)行對(duì)電池的PN結(jié)進(jìn)行推進(jìn),而在低溫高壓下進(jìn)行推進(jìn)可以使摻雜在硅片表面的雜質(zhì)原子在晶向(100)方向和非(100)區(qū)域的擴(kuò)散速度趨于一致,從而使得晶向(100)區(qū)域和非(100)區(qū)域電池方阻的差別顯著減小,有利于后續(xù)燒結(jié)工序的進(jìn)行,并且可以有效提高太陽能電池的電性能和轉(zhuǎn)化效率。



      圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法流程圖。
      具體實(shí)施例方式本發(fā)明的目的是提供一種P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,該制造方法首先對(duì)P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行低溫低壓預(yù)處理,并在通擴(kuò)散源之后在低溫高壓下進(jìn)行對(duì)電池的PN結(jié)進(jìn)行推進(jìn),從而使太陽能電池PN結(jié)的晶向(100)區(qū)域與非(100)區(qū)域的方阻區(qū)域一致,以利于后續(xù)燒結(jié)工序的進(jìn)行,同時(shí)有效提高太陽能電池的電性能和轉(zhuǎn)化效率。為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明的方案,下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
      對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。請(qǐng)參考圖1,圖1為本發(fā)明實(shí)施例所提供的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法流程圖。本發(fā)明中所提供的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法是對(duì)已經(jīng)完成了制絨清洗步驟之后的P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行PN結(jié)的制作,具體的是在反應(yīng)容器(如擴(kuò)散爐)內(nèi)對(duì)P型準(zhǔn)單晶硅片執(zhí)行以下步驟:SI):在第一溫度和第一壓力下對(duì)P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行預(yù)處理,具體的,第一溫度應(yīng)設(shè)置在700°C _750°C之間,第一壓力應(yīng)設(shè)置在-1OOpa至_50pa之間;S2):在第二溫度和第一壓力下向反應(yīng)容器內(nèi)通入擴(kuò)散源,
      其中第二溫度應(yīng)高于第一溫度,且第二溫度的最高值應(yīng)不大于800°C ;S3):在第三溫度和第二壓力下進(jìn)行推進(jìn),第三溫度應(yīng)當(dāng)?shù)陀谏鲜龅诙囟?,并且第三溫度的最低值?yīng)該不小于700°C,第二壓力應(yīng)顯著大于第一壓力,第二壓力應(yīng)處于100pa_300pa的范圍內(nèi);S4):在所述第三溫度和常壓下通入氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w最終完成PN結(jié)的制造。由于上述實(shí)施例中所提供的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法中首先在較低的第一溫度和較低的第一壓力下對(duì)放入反應(yīng)容器內(nèi)的P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行預(yù)處理,然后升溫至第二溫度并通入擴(kuò)散源,并且此時(shí)的第二溫度也不高于800°C,進(jìn)而降溫至第三溫度,并將壓力升高到第二壓力,第三溫度不低于700°C且第二壓力顯著大于第一壓力,在該種溫度和壓力下保持推進(jìn);最后在常壓下通入氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w完成PN結(jié)的制造。與現(xiàn)有技術(shù)相比,由于本發(fā)明所提供的方法中是首先對(duì)P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行低溫低壓預(yù)處理,并在通擴(kuò)散源之后在低溫高壓下進(jìn)行對(duì)電池的PN結(jié)進(jìn)行推進(jìn),而在低溫高壓下進(jìn)行推進(jìn)可以使摻雜在娃片表面的雜質(zhì)原子在晶向(100)方向和非(100)區(qū)域的擴(kuò)散速度趨于一致,從而使得晶向(100)區(qū)域和非(100)區(qū)域電池方阻的差別顯著減小,有利于后續(xù)燒結(jié)工序的進(jìn)行,并且可以有效提高太陽能電池的電性能和轉(zhuǎn)化效率。本發(fā)明提供了幾個(gè)具體的對(duì)比實(shí)施例來詳細(xì)說明本發(fā)明所提供的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制作過程與現(xiàn)有技術(shù)中的區(qū)別,以及本發(fā)明所提供的PN結(jié)制造方法的突出的有益效果。實(shí)施例一:
      將制絨清洗過后的一組P型準(zhǔn)單晶硅片放入到擴(kuò)散爐內(nèi),其中本實(shí)施例中一組P型準(zhǔn)單晶硅片具體為25片,由石英舟承載,然后對(duì)P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行如下處理:將擴(kuò)散爐內(nèi)的溫度調(diào)整到750°C (即第一溫度),并在_50pa (第一壓力)的壓力下對(duì)P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行預(yù)處理,處理時(shí)間優(yōu)選的為5-10分鐘;然后進(jìn)行升溫,使擴(kuò)散爐內(nèi)的溫度上升至800°C (第二溫度),并在_50pa的壓力下由氮?dú)鈹y帶三氯氧磷通入到擴(kuò)散爐內(nèi),保持三氯氧磷的流量為lL/min,持續(xù)時(shí)間為10分鐘;進(jìn)而降溫,停止通入三氯氧磷,使擴(kuò)散爐內(nèi)的溫度保持在750°C (第三溫度),并使擴(kuò)散爐內(nèi)的壓力升高至300pa (第二壓力),保持推進(jìn)15分鐘,需要注意的是,該推進(jìn)時(shí)間應(yīng)該隨著壓力的增大而減小;最后將擴(kuò)散爐內(nèi)的壓力設(shè)定為常壓,溫度不變,并向擴(kuò)散爐內(nèi)通入氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w,其中氮?dú)獾牧髁繛?.5L/min,氧氣的流量為lL/min,并保持5分鐘,至此完成了PN結(jié)的整個(gè)制造過程,氧氣和氮?dú)馔瑫r(shí)通入擴(kuò)散爐內(nèi),有利于消耗擴(kuò)散爐內(nèi)剩余的三氯氧磷,同時(shí)有助于在硅片的表面形成一層二氧化硅保護(hù)層,從而使電池的性能得到優(yōu)化。對(duì)比實(shí)施例一:將制絨清洗過后的另外一組P型準(zhǔn)單晶硅片做常規(guī)工藝制造PN結(jié):將P型準(zhǔn)單晶硅片放入擴(kuò)散爐內(nèi),升溫至830°C,壓力設(shè)定為5pa,然后持續(xù)通入三氯氧磷5分鐘,最后降溫至800°C推進(jìn)10分鐘,完成整個(gè)PN結(jié)的制造過程。PN結(jié)制造完成之后,從上述兩個(gè)實(shí)施例中得到的硅片中每組各抽取3片分別對(duì)晶向(100)區(qū)域和非(100)區(qū)域的方阻進(jìn)行測試,得出如下數(shù)據(jù):
      表I實(shí)施例一的方阻測試表
      權(quán)利要求
      1.一種P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,其特征在于,在反應(yīng)容器內(nèi)依次對(duì)制絨清洗完畢的P型準(zhǔn)單晶硅片執(zhí)行以下步驟: O在第一溫度和第一壓力下對(duì)P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行預(yù)處理,所述第一溫度在7000C _750°C范圍內(nèi),所述第一壓力在-1OOpa至-50pa范圍內(nèi); 2)在第二溫度和所述第一壓力下通入擴(kuò)散源,所述第二溫度高于所述第一溫度,且所述第二溫度不大于800°C ; 3)在第三溫度和第二壓力下進(jìn)行推進(jìn),所述第三溫度高于70(TC且低于所述第二溫度,所述第二壓力在100-300pa范圍內(nèi); 4)在所述第三溫度和常壓下通入氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w從而完成PN結(jié)的制造。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,其特征在于,所述步驟2)通入擴(kuò)散源應(yīng)持續(xù)10-15分鐘,所述步驟3)中的推進(jìn)時(shí)間為5-35分鐘。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,其特征在于,所述步驟4)中持續(xù)通入所述混合氣體的時(shí)間為5-10分鐘。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,其特征在于,所述第二溫度比所述第一溫度高50°C。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,其特征在于,所述擴(kuò)散源為三氯氧磷。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的 P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,其特征在于,所述P型準(zhǔn)單晶硅片為25片,所述三氯氧磷的流量為0.5-lL/min。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,其特征在于,所述P型準(zhǔn)單晶硅片為25片,所述混合氣體中氮?dú)獾牧髁繛?.5-7.5L/min,氧氣的流量為l-3L/min。
      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,其特征在于,所述擴(kuò)散源由氮?dú)鈳氲椒磻?yīng)容器中。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種P型準(zhǔn)單晶硅太陽能電池PN結(jié)的制造方法,在反應(yīng)容器內(nèi)對(duì)P型準(zhǔn)單晶硅片依次執(zhí)行步驟在在第一溫度和第一壓力下對(duì)P型準(zhǔn)單晶硅片進(jìn)行預(yù)處理,第一溫度在700℃-750℃范圍內(nèi),第一壓力在-100pa至-50pa范圍內(nèi);在第二溫度和第一壓力下通入擴(kuò)散源,第二溫度高于第一溫度,且第二溫度不大于800℃;在第三溫度和第二壓力下進(jìn)行推進(jìn),第三溫度高于700℃且低于第二溫度,第二壓力在100-300pa范圍內(nèi);通入氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w從而完成PN結(jié)的制造。本發(fā)明可有效降低晶向(100)區(qū)域和非(100)區(qū)域電池方阻的差別,為后續(xù)燒結(jié)工序帶來便利,并提高電池的電性能和轉(zhuǎn)化效率。
      文檔編號(hào)H01L31/18GK103227245SQ20131017619
      公開日2013年7月31日 申請(qǐng)日期2013年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2013年5月13日
      發(fā)明者王立建 申請(qǐng)人:浙江昱輝陽光能源江蘇有限公司
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評(píng)論。精彩留言會(huì)獲得點(diǎn)贊!
      1