一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明旨在提供一種具有封裝層結構的有機電致發(fā)光器件，該封裝層為由封裝層單元重疊形成的復合結構；所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層，可有效地防止外部水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，可延長有機電致發(fā)光器件的使用壽命。本發(fā)明還提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡單，原料廉價，易于大面積制備。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術領域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術】
[0002]有機電致發(fā)光器件(OLED)是一種以有機材料為發(fā)光材料，能把施加的電能轉化為光能的能量轉化裝置。它具有超輕薄、自發(fā)光、響應快、低功耗等突出性能，在顯示、照明等領域有著極為廣泛的應用前景。
[0003]有機電致發(fā)光器件的結構為三明治結構，在陰極和陽極之間夾有有機發(fā)光層。OLED的發(fā)光層中的有機物質(zhì)對大氣中的污染物、氧氣以及潮氣十分敏感，若長期接觸會降低有機電致發(fā)光器件的發(fā)光性能并縮短其使用壽命，而OLED的陰極材料多為化學性質(zhì)較活潑的金屬，極易在空氣中或其他含有氧、水汽的氣氛中受到侵蝕。因此，常常需要對OLED進行封裝保護處理，使發(fā)光器件與外界環(huán)境隔離，以防止水分、有害氣體等的侵入，進而提高OLED的穩(wěn)定性和使用壽命。
[0004]對于柔性OLED產(chǎn)品來說，若使用傳統(tǒng)的OLED封裝技術，在器件背部加上封裝蓋板，會產(chǎn)生重量大、造價高、機械強度差等問題，限制了柔性OLED產(chǎn)品的性能發(fā)揮。目前，多數(shù)柔性OLED的防水氧能力不強，且使用壽命較短，制備工藝復雜、成本高。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]為了解決上述問題，本發(fā)明旨在提供一種具有封裝層結構的有機電致發(fā)光器件，該封裝層結構可有效地防止外部水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，可延長有機電致發(fā)光器件的使用壽命。本發(fā)明還提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡單，原料廉價，易于大面積制備。
[0006]第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，所述封裝層為由封裝層單元重疊形成的復合結構，所述封裝層單元為依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層；
[0007]所述第一無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭和氮化鈦中的一種與碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、碲化銦、碲化錫和碲化鉛中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物；所述第二無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭和氮化鈦中的一種與氧化鋁鎂、氧化鈦鉍、氧化鎳鉻、氧化鉻鈷、氧化镥鐵和氧化鋁釔中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物；
[0008]所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層的材質(zhì)均為客體材料和主體材料按照物質(zhì)的量比2:3?3:2混合形成的混合物，所述客體材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’ -聯(lián)苯二胺、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、
I,1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒、3-叔丁基_9，10- 二(2-萘)蒽、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺或9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑；所述主體材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, I’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁或3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑。
[0009]優(yōu)選地，陽極導電基板的材質(zhì)為導電玻璃基板或導電有機薄膜基板。更優(yōu)選地，陽極導電基板為銦錫氧化物(ITO)。
[0010]優(yōu)選地，陽極導電基板的厚度為lOOnm。
[0011]發(fā)光功能層設置在陽極導電基板上。
[0012]優(yōu)選地,發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0013]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為MoO3與NPB按照質(zhì)量比3:7混合形成的混合物。
[0014]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10nm。
[0015]優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
[0016]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0017]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)與1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)按照質(zhì)量比5:95混合形成的混合物。
[0018]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0019]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)
[0020]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10nm。
[0021]優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為疊氮化銫(CsN3)與Bphen按照質(zhì)量比3:7混合形成的混合物。
[0022]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20nm。
[0023]陰極設置在發(fā)光功能層上。
[0024]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為鋁(Al)。
[0025]優(yōu)選地，陰極的厚度為lOOnm。
[0026]在陰極外側設置封裝層，封裝層為封裝層單元重疊形成的復合結構。封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層。
[0027]優(yōu)選地，由封裝層單元重疊形成的封裝層包括2?4個封裝層單元。
[0028]通過將有機阻擋層和無機阻擋層的交替層疊，調(diào)整各材質(zhì)的比例與用量，可將無機阻擋層與有機阻擋層的優(yōu)勢與劣勢進行互補平衡，具有更好的密封性，同時可控制發(fā)光器件的水蒸氣滲透率(WVTR)在10_4g/(m2.day)數(shù)量級。
[0029]有機薄膜材料制作工藝簡單，膜層表面平整，為無機膜層提供了很好的襯底，同時由于有機膜層的低應力緩沖了無機膜層的內(nèi)應力，避免無機膜層發(fā)生龜裂等缺陷。因此使用有機阻擋層可改善表面的平整度，同時避免無機阻擋層產(chǎn)生的缺陷。
[0030]第一有機阻擋層的材質(zhì)為客體材料和主體材料按照物質(zhì)的量比2:3?3:2混合形成的混合物。
[0031]客體材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、N, N’- 二苯基-N, N’- 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、1，1-二 [4-[N, N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、3-叔丁基-9，10- 二(2-萘)蒽(MADN)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 9，9’-(I, 3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)。
[0032]主體材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2，9_ 二甲基_4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi )、8_羥基喹啉招(Alq3)、雙(2_甲基-8-輕基喧琳-NI, 08) - (I, I’ -聯(lián)苯-4-輕基)招(Balq)或3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)。
[0033]第一有機阻擋層中客體材料和主體材料物質(zhì)的量比為2:3?3:2。
[0034]優(yōu)選地，第一有機阻擋層的厚度為200?300nm。
[0035]第一無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)和氮化鈦(TiN)中的一種與碲化銻(Sb2Te3)、碲化鉍(Bi2Te3)、碲化鎘(CdTe )、碲化銦(In2Te3)、碲化錫(SnTe )和碲化鉛(PbTe )中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物。其中，Sb2Te3、Bi2Te3、CdTe、In2Te3、SnTe 或 PbTe 為主體材料，Si3N4、AlN、BN、HfN、TaN或TiN為客體材料。
[0036]第一無機阻擋層中客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:9?2:3。
[0037]優(yōu)選地，第一無機阻擋層的厚度為100?200nm。
[0038]第二有機阻擋層的材質(zhì)為客體材料和主體材料按照物質(zhì)的量比2:3?3:2混合形成的混合物。
[0039]客體材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3_甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、N, N’- 二苯基-N, N’- 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、1，1-二 [4-[N, N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、3-叔丁基-9，10- 二(2-萘)蒽(MADN)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 9，9’ -(1，3_ 苯基)二 -9H-咔唑(mCP)。
[0040]主體材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2, 9_ 二甲基_4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi )、8_羥基喹啉招(Alq3)、雙(2_甲基-8-輕基喧琳-NI, 08) - (I, I’ -聯(lián)苯-4-輕基)招(Balq)或3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)。
[0041]第二有機阻擋層中客體材料和主體材料物質(zhì)的量比為2:3?3:2。
[0042]優(yōu)選地，第二有機阻擋層的厚度為200?300nm。
[0043]第二無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)和氮化鈦(TiN)中的一種與氧化鋁鎂(MgAl204)、氧化鈦鉍(Bi2Ti4O11X氧化鎳鉻(CrN14)、氧化鉻鈷(CoCr2O4)、氧化镥鐵(Fe2LuO4)和氧化鋁釔(Y3Al5O12)中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物。其中，MgAl204、Bi2Ti40n、CrNi04、CoCr204、Fe2Lu04或Y3Al5O12為主體材料，Si3N4, AIN、BN、HfN、TaN或TiN為客體材料。
[0044]第二無機阻擋層中客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:9?2:3。
[0045]優(yōu)選地，第二無機阻擋層的厚度為100?200nm。
[0046]大多數(shù)氮化物具有高熔點、高硬度等特點，在常溫和高溫條件下化學性質(zhì)穩(wěn)定，并且不易被無機酸和水侵蝕，具有良好的耐腐蝕、耐火特性。本發(fā)明將氮化物與碲化物混合，提高耐腐蝕和機械加工性能，得到抗磨性和穩(wěn)定性均較好的材質(zhì)，調(diào)節(jié)兩者的比例制備無機阻擋層，降低氮化物的內(nèi)應力，并能獲得較好的水汽隔離效果。
[0047]氧化招鎂(MgAl2O4,又稱尖晶石)、氧化鈦秘(Bi2Ti40n)、氧化鎳鉻(CrNi04)、氧化鉻鈷(CoCr2O4)、氧化镥鐵(Fe2LuO4)和氧化鋁釔(Y3Al5O12，又稱釔鋁石榴石)耐高溫、耐磨損、耐腐蝕、抗沖擊，具有較高的強度和硬度，以及良好的電絕緣性能。同時，在紫外、可見光、紅外光波段具有良好的透過率。將氮化物與氧化鋁鎂等混合，可在保證器件穩(wěn)定性的同時，降低氮化物的內(nèi)應力，并提高器件的發(fā)光效率。
[0048]第二方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0049]S1、提供清潔的陽極導電基板，并對所述陽極導電基板進行活化處理；
[0050]S2、在所述陽極導電基板表面真空蒸鍍制備發(fā)光功能層和陰極；
[0051]S3、在所述陰極表面真空蒸鍍制備第一有機阻擋層，所述第一有機阻擋層的材質(zhì)為客體材料和主體材料按照物質(zhì)的量比2:3?3:2混合形成的混合物，所述客體材料為N，N’- 二苯基-N，N’- 二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺、N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、1，1- 二 [4-[N, N ' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、3-叔丁基-9，10-二(2-萘)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑；所述主體材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(I, I’ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁或3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑；
[0052]S4、在所述第一有機阻擋層表面磁控濺射制備第一無機阻擋層，所述第一無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭和氮化鈦中的一種與碲化銻、碲化秘、締化鎘、締化銦、締化錫和締化鉛中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物；
[0053]S5、在所述第一無機阻擋層表面真空蒸鍍制備第二有機阻擋層，所述第二有機阻擋層的材質(zhì)為客體材料和主體材料按照物質(zhì)的量比2:3?3:2混合形成的混合物，所述客體材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’ -聯(lián)苯二胺、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、3-叔丁基-9，10-二(2-萘)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或9，9’-(1,3-苯基)二-9H-咔唑；所述主體材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(I, I’ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁或3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑；
[0054]S6、在所述第二有機阻擋層表面磁控濺射制備第二無機阻擋層，所述第二無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭和氮化鈦中的一種與氧化鋁鎂、氧化鈦鉍、氧化鎳鉻、氧化鉻鈷、氧化镥鐵和氧化鋁釔中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物；S3?S6步驟完成后，制得一個封裝層單元；
[0055]S7:重復步驟S3?S6制得具有復合結構的封裝層，最終得到所述有機電致發(fā)光器件。
[0056]步驟SI中，通過對陽極導電基板的清洗，除去陽極導電基板表面的有機污染物。
[0057]具體地，陽極導電基板的清潔操作為:將陽極導電基板依次用丙酮、乙醇、去離子水、乙醇在超聲波清洗機中清洗，然后用氮氣吹干，烘箱烤干，得到清潔的陽極導電基板。
[0058]對洗凈后的陽極導電基板進行表面活化處理，以增加導電表面層的含氧量，提高導電層表面的功函數(shù)。
[0059]優(yōu)選地，陽極導電基板的材質(zhì)為導電玻璃基板或導電有機薄膜基板。更優(yōu)選地，陽極導電基板為銦錫氧化物(ITO)。
[0060]優(yōu)選地，陽極導電基板的厚度為lOOnm。
[0061]步驟S2中，發(fā)光功能層通過真空蒸鍍設置在陽極導電基板上。
[0062]優(yōu)選地，真空蒸鍍發(fā)光功能層時條件為真空度3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.卜0.2A/S。
[0063]優(yōu)選地,發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0064]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為MoO3與NPB按照質(zhì)量比3:7混合形成的混合物。
[0065]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10nm。
[0066]優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。
[0067]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30nm。
[0068]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy)3)與1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)按照質(zhì)量比5:95混合形成的混合物。
[0069]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0070]優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)
[0071]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10nm。
[0072]優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為疊氮化銫(CsN3)與Bphen按照質(zhì)量比3:7混合形成的混合物。
[0073]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20nm。
[0074]陰極通過真空蒸鍍設置在發(fā)光功能層上。
[0075]優(yōu)選地，真空蒸鍍陰極時條件為真空度3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度5A/S。
[0076]優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為鋁(Al)。
[0077]優(yōu)選地，陰極的厚度為lOOnm。
[0078]步驟S3中，第一有機阻擋層通過真空蒸鍍設置在陰極表面。
[0079]優(yōu)選地，真空蒸鍍制備第一有機阻擋層時的條件為真空度I X 10_5?I X 10?,速度 0.5?5 A/S。
[0080]第一有機阻擋層的材質(zhì)為客體材料和主體材料按照物質(zhì)的量比2:3?3:2混合形成的混合物。
[0081]客體材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、N, N’- 二苯基-N, N’- 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、1，1-二 [4-[N, N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、3-叔丁基-9，10- 二(2-萘)蒽(MADN)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 9，9’-(I, 3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)。
[0082]主體材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2, 9_ 二甲基_4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi )、8_羥基喹啉招(Alq3)、雙(2_甲基-8-輕基喧琳-NI, 08) - (I, I’ -聯(lián)苯-4-輕基)招(Balq)或3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)。
[0083]第一有機阻擋層中客體材料和主體材料物質(zhì)的量比為2:3?3:2。
[0084]優(yōu)選地，第一有機阻擋層的厚度為200?300nm。
[0085]步驟S4中，第一無機阻擋層通過磁控濺射設置在第一有機阻擋層表面。
[0086]優(yōu)選地，磁控濺射制備第一無機阻擋層時條件為真空度I X 10_5?I X 10?,加速電壓300?800V,磁場50?200G,功率密度I?40W/cm2。
[0087]第一無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)和氮化鈦(TiN)中的一種與碲化銻(Sb2Te3)、碲化鉍(Bi2Te3)、碲化鎘(CdTe )、碲化銦(In2Te3)、碲化錫(SnTe )和碲化鉛(PbTe )中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物。其中，Sb2Te3、Bi2Te3、CdTe、In2Te3、SnTe 或 PbTe 為主體材料，Si3N4、AlN、BN、HfN、TaN或TiN為客體材料。
[0088]第一無機阻擋層中客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:9?2:3。
[0089]優(yōu)選地，第一無機阻擋層的厚度為100?200nm。
[0090]通過將有機阻擋層和無機阻擋層的交替層疊，調(diào)整各材質(zhì)的比例與用量，可將無機阻擋層與有機阻擋層的優(yōu)勢與劣勢進行互補平衡，具有更好的密封性，同時可控制發(fā)光器件的水蒸氣滲透率(WVTR)在10_4g/(m2.day)數(shù)量級。
[0091]有機薄膜材料制作工藝簡單，膜層表面平整，為無機膜層提供了很好的襯底，同時由于有機膜層的低應力緩沖了無機膜層的內(nèi)應力，避免無機膜層發(fā)生龜裂等缺陷。因此使用有機阻擋層可改善表面的平整度，同時避免無機阻擋層產(chǎn)生的缺陷。
[0092]步驟S5中，第二有機阻擋層通過真空蒸鍍設置在第一無機阻擋層表面。
[0093]優(yōu)選地，真空蒸鍍第二有機阻擋層時條件為真空度1X10_5?lX10_3Pa，速度
0_ 5?5 A/s。
[0094]第二有機阻擋層的材質(zhì)為客體材料和主體材料按照物質(zhì)的量比2:3?3:2混合形成的混合物。
[0095]客體材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3_甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺(TPD)、N, N’- 二苯基-N, N’- 二(1-萘基)_1，1’-聯(lián)苯-4，4’-二胺(咿8)、1，1-二 [4-[N, N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、3-叔丁基-9，10- 二(2-萘)蒽(MADN)、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 9，9’-(I, 3-苯基)二 -9H-咔唑(mCP)。
[0096]主體材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、2, 9_ 二甲基_4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(BCP)、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi )、8_羥基喹啉招(Alq3)、雙(2_甲基-8-輕基喧琳-NI, 08) - (I, I’ -聯(lián)苯-4-輕基)招(Balq)或3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑(TAZ)。
[0097]第二有機阻擋層中客體材料和主體材料物質(zhì)的量比為2:3?3:2。
[0098]優(yōu)選地，第二有機阻擋層的厚度為200?300nm。
[0099]步驟S6中，第二無機阻擋層通過磁控濺射設置在第二有機阻擋層表面。
[0100]優(yōu)選地，磁控濺射第二無機阻擋層時條件為真空度IX 10_5?IX 10_3Pa，加速電壓300?800V，磁場50?200G，功率密度I?40W/cm2。
[0101]第二無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(A1N)、氮化硼(BN)、氮化鉿(HfN)、氮化鉭(TaN)和氮化鈦(TiN)中的一種與氧化鋁鎂(MgAl204)、氧化鈦鉍(Bi2Ti4O11X氧化鎳鉻(CrN14)、氧化鉻鈷(CoCr2O4)、氧化镥鐵(Fe2LuO4)和氧化鋁釔(Y3Al5O12)中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物。其中，MgAl204、Bi2Ti40n、CrNi04、CoCr204、Fe2Lu04或Y3Al5O12為主體材料，Si3N4, AIN、BN、HfN、TaN或TiN為客體材料。
[0102]第二無機阻擋層中客體材料與主體材料的質(zhì)量比為1:9?2:3。
[0103]優(yōu)選地，第二無機阻擋層的厚度為100?200nm。
[0104]完成步驟S3?S6后，在陰極外側已經(jīng)制得一個封裝層單元，包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層。
[0105]步驟S7中，采用與步驟S3?S6相同的條件，在所述第二無機阻擋層表面依次制備第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層、第二無機阻擋層，制得具有復合結構的封裝層，最終得到所述有機電致發(fā)光器件。
[0106]優(yōu)選地，將步驟S7實施I?3次，得到的封裝層包括2?4個封裝層單元。
[0107]大多數(shù)氮化物具有高熔點、高硬度等特點，在常溫和高溫條件下化學性質(zhì)穩(wěn)定，并且不易被無機酸和水侵蝕，具有良好的耐腐蝕、耐火特性。本發(fā)明將氮化物與碲化物混合，提高耐腐蝕和機械加工性能，得到抗磨性和穩(wěn)定性均較好的材質(zhì)，調(diào)節(jié)兩者的比例制備無機阻擋層，降低氮化物的內(nèi)應力，并能獲得較好的水汽隔離效果。
[0108]氧化招鎂(MgAl2O4,又稱尖晶石)、氧化鈦秘(Bi2Ti40n)、氧化鎳鉻(CrN14)、氧化鉻鈷(CoCr2O4)、氧化镥鐵(Fe2LuO4)和氧化鋁釔(Y3Al5O12，又稱釔鋁石榴石)耐高溫、耐磨損、耐腐蝕、抗沖擊，具有較高的強度和硬度，以及良好的電絕緣性能。同時，在紫外、可見光、紅外光波段具有良好的透過率。將氮化物與氧化鋁鎂等混合，可在保證器件穩(wěn)定性的同時，降低氮化物的內(nèi)應力，并提高器件的發(fā)光效率。
[0109]本發(fā)明具有如下有益效果:
[0110](I)本發(fā)明提供的一種具有封裝層結構的有機電致發(fā)光器件，可有效地防止外部水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，具有較好的密封性和較長的使用壽命。
[0111](2)本發(fā)明提供的一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡單，原料廉價，易于大面積制備。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0112]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0113]圖1是本發(fā)明實施例6提供的有機電致發(fā)光器件的結構圖。
【具體實施方式】
[0114]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0115]實施例1:
[0116]一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0117](I)提供清潔的陽極導電基板:
[0118]將ITO玻璃基板依次用丙酮、乙醇、去離子水、乙醇在超聲波清洗機中清洗，單項洗滌清洗5分鐘，然后用氮氣吹干，烘箱烤干待用；對洗凈后的ITO玻璃進行表面活化處理；ITO厚度為10nm ；
[0119](2)在ITO玻璃基板上真空蒸鍍發(fā)光功能層:
[0120]具體地,發(fā)光功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0121]空穴注入層的制備:將MoO3與NPB按照質(zhì)量比3:7混合得到的混合物作為空穴注入層的材質(zhì)，厚度10nm，真空度3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S；
[0122]空穴傳輸層的制備:采用4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)作為空穴傳輸材料，真空度3 X 1-5Pa,蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度30nm ；
[0123]發(fā)光層的制備:采用Ir (ppy)3與TPBi按照質(zhì)量比5:95混合形成的混合物作為發(fā)光層的材質(zhì)，真空度3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0124]電子傳輸層的制備:蒸鍍一層4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)作為電子傳輸材料，真空度3 X 1-5Pa,蒸發(fā)速度0.丨A/S,蒸發(fā)厚度1nm ；
[0125]電子注入層的制備:將CsN3與Bphen按照質(zhì)量比3:7混合形成的混合物作為電子注入層的材質(zhì)，真空度3父10-午&，蒸發(fā)速度0.2人/8,蒸發(fā)厚度20nm ；
[0126](3)在發(fā)光功能層表面制備陰極:
[0127]金屬陰極采用鋁(Al)，厚度為lOOnm，真空度3X10_5Pa，蒸發(fā)速度5A/S;
[0128](4)在陰極外側制備封裝層:
[0129]封裝層包括4個重疊的封裝層單元，封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層、第二無機阻擋層；
[0130]第一有機阻擋層的制作:將ITD與Bphen按照物質(zhì)的量比11:9混合形成的混合物作為第一有機阻擋層的材質(zhì)，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度5 A /S，厚度300nm;
[0131]第一無機阻擋層的制作:將Si3N4與Sb2Te3按照質(zhì)量比2:3混合形成的混合物作為第一無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度lX10_5Pa，加速電壓300V，磁場50G，功率密度lW/cm2，厚度200nm ；
[0132]第二有機阻擋層的制作:將ITD與Bphen按照物質(zhì)的量比11:9混合形成的混合物作為第二有機阻擋層的材質(zhì)，真空度IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度5 A /s,厚度300nm;
[0133]第二無機阻擋層的制作:將Si3N4與MgAl2O4按照質(zhì)量比2:3混合形成的混合物作為第二無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度lX10_5Pa，加速電壓300V，磁場50G，功率密度lW/cm2，厚度200nm ；
[0134]重復制備封裝層單元，最終制得有機電致發(fā)光器件，該發(fā)光器件陰極外側有4個封裝層單元。
[0135]實施例2:
[0136]一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0137](I)、(2)、(3)同實施例1 ;
[0138](4)在陰極外側制備封裝層:
[0139]封裝層包括3個重疊的封裝層單元，封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層、第二無機阻擋層；
[0140]第一有機阻擋層的制作:將NPB與BCP按照物質(zhì)的量比1:1混合形成的混合物作為第一有機阻擋層的材質(zhì)，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2 A /S，厚度250nm ；
[0141]第一無機阻擋層的制作:將AlN與Bi2Te3按照質(zhì)量比1:9混合形成的混合物作為第一無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度I X l(T5Pa，加速電壓500V，磁場100G，功率密度20W/cm2，厚度10nm ；
[0142]第二有機阻擋層的制作:將NPB與BCP按照物質(zhì)的量比1:1混合形成的混合物作為第二有機阻擋層的材質(zhì)，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2 A /S，厚度250nm ；
[0143]第二無機阻擋層的制作:將BN與Bi2Ti4O11按照質(zhì)量比1:4混合形成的混合物作為第二無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度lX10_5Pa，加速電壓500V，磁場100G，功率密度20W/cm2，厚度140nm ；
[0144]重復制備封裝層單元，最終制得有機電致發(fā)光器件，該發(fā)光器件陰極外側有3個封裝層單元。
[0145]實施例3:
[0146]一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0147](I)、(2)、(3)同實施例1 ;
[0148](4)在陰極外側制備封裝層:
[0149]封裝層包括3個重疊的封裝層單元，封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層、第二無機阻擋層；
[0150]第一有機阻擋層的制作:將TAPC與TPBi按照物質(zhì)的量比1:1混合形成的混合物作為第一有機阻擋層的材質(zhì)，真空度5\10_^，蒸發(fā)速度0.5,4 /S，厚度200nm ；
[0151]第一無機阻擋層的制作:將BN與CdTe按照質(zhì)量比3:7混合形成的混合物作為第一無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度I X 10_5Pa，加速電壓600V，磁場120G，功率密度 25W/cm2，厚度 150nm ；
[0152]第二有機阻擋層的制作:將TAPC與TPBi按照物質(zhì)的量比1:1混合形成的混合物作為第二有機阻擋層的材質(zhì)，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.5A /S，厚度200nm ；
[0153]第二無機阻擋層的制作:將AlN與CrN14按照質(zhì)量比1:9混合形成的混合物作為第二無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度lX10_4Pa，加速電壓600V，磁場120G，功率密度25W/cm2，厚度150nm ；
[0154]重復制備封裝層單元，最終制得有機電致發(fā)光器件，該發(fā)光器件陰極外側有3個封裝層單元。
[0155]實施例4:
[0156]一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0157](I)、(2)、(3)同實施例1 ;
[0158](4)在陰極外側制備封裝層:
[0159]封裝層包括3個重疊的封裝層單元，封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層、第二無機阻擋層；
[0160]第一有機阻擋層的制作^fMADN與Alq3按照物質(zhì)的量比3:2混合形成的混合物作為第一有機阻擋層的材質(zhì)，真空度5X 10_5Pa,蒸發(fā)速度2 A /s,厚度250nm;
[0161]第一無機阻擋層的制作:將HfN與In2Te3按照質(zhì)量比1:4混合形成的混合物作為第一無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度5X l(T5Pa，加速電壓700V，磁場150G，功率密度35W/cm2，厚度150nm ；
[0162]第二有機阻擋層的制作^fMADN與Alq3按照物質(zhì)的量比3:2混合形成的混合物作為第二有機阻擋層的材質(zhì)，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度2 A /s,厚度250nm;
[0163]第二無機阻擋層的制作:將HfN與CoCr2O4按照質(zhì)量比1:3混合形成的混合物作為第二無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度lXl(T4Pa，加速電壓700V，磁場150G，功率密度35W/cm2，厚度10nm ；
[0164]重復制備封裝層單元，最終制得有機電致發(fā)光器件，該發(fā)光器件陰極外側有3個封裝層單元。
[0165]實施例5:
[0166]一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0167](I)、(2)、(3)同實施例1 ;
[0168](4)在陰極外側制備封裝層:
[0169]封裝層包括3個重疊的封裝層單元，封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層、第二無機阻擋層；
[0170]第一有機阻擋層的制作:將TCTA與Balq按照物質(zhì)的量比1:1混合形成的混合物作為第一有機阻擋層的材質(zhì)，真空度5 X 10_5Pa,蒸發(fā)速度I k /s，厚度250nm;
[0171]第一無機阻擋層的制作:將TaN與SnTe按照質(zhì)量比1:3混合形成的混合物作為第一無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度5X 10_5Pa，加速電壓800V，磁場200G，功率密度 40W/cm2，厚度 120nm ；
[0172]第二有機阻擋層的制作:將TCTA與Balq按照物質(zhì)的量比1:1混合形成的混合物作為第二有機阻擋層的材質(zhì)，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度I A /s,厚度250nm;
[0173]第二無機阻擋層的制作:將TaN與Fe2LuO4按照質(zhì)量比11:89混合形成的混合物作為第二無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度1\10_>&，加速電壓80(^，磁場200G，功率密度40W/cm2，厚度120nm ；
[0174]重復制備封裝層單元，最終制得有機電致發(fā)光器件，該發(fā)光器件陰極外側有3個封裝層單元。
[0175]實施例6:
[0176]一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得:
[0177](I)、(2)、(3)同實施例1 ;
[0178](4)在陰極外側制備封裝層:
[0179]封裝層包括2個重疊的封裝層單元，封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層、第二無機阻擋層；
[0180]第一有機阻擋層的制作^fmCP與TAZ按照物質(zhì)的量比2:3混合形成的混合物作為第一有機阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度2 A /S，厚度250nm ；
[0181]第一無機阻擋層的制作:將TiN與PbTe按照質(zhì)量比1:4混合形成的混合物作為第一無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度I X 10?,加速電壓800V，磁場200G，功率密度 40W/cm2，厚度 IlOnm ；
[0182]第二有機阻擋層的制作:將mCP與TAZ按照物質(zhì)的量比2:3混合形成的混合物作為第二有機阻擋層的材質(zhì)，真空度I X 10?,蒸發(fā)速度2 A /S，厚度250nm ；
[0183]第二無機阻擋層的制作:將TiN與Y3Al5O12按照質(zhì)量比1:4混合形成的混合物作為第二無機阻擋層的材質(zhì)，采用磁控濺射方法制作，本底真空度IX 10_3Pa，加速電壓800V，磁場200G，功率密度40W/cm2，厚度120nm ；
[0184]重復制備封裝層單元，最終制得有機電致發(fā)光器件，該發(fā)光器件陰極外側有2個封裝層單元。
[0185]圖1是本實施例6的有機電致發(fā)光器件的結構示意圖。如圖1所示，該有機電致發(fā)光器件的結構包括依次層疊的陽極導電基板10、發(fā)光功能層20、陰極30、第一封裝層單元40 (包括第一有機阻擋層401、第一無機阻擋層402、第二有機阻擋層403、第二無機阻擋層404)、第二封裝層單元50 (包括第一有機阻擋層501、第一無機阻擋層502、第二有機阻擋層503、第二無機阻擋層504)。
[0186]效果實施例
[0187]采用Ca膜電學測試系統(tǒng)測試有機電致發(fā)光器件的水蒸氣滲透率(WVTR)，并測試有機電致發(fā)光器件的壽命(T70@1000cd/m2)，從初始亮度lOOOcd/m2衰減到70%所需的時間。本發(fā)明實施例1~6制備的有機電致發(fā)光器件的WVTR和壽命如表1所示。從表中可以看出，WVTR均保持在l(T4g/ (m2.day)數(shù)量級,最低可達到1.8X l(T4g/ (m2.day)，可以滿足柔性OLED的實用要求。有機電致發(fā)光器件的壽命時間最長可達到7405小時。這說明，本發(fā)明制備的具有封裝層結構的有機電致發(fā)光器件可有效地防止外部水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，具有較好的密封性和較長的使用壽命。
[0188]表1
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝層，其特征在于，所述封裝層為由封裝層單元重疊形成的復合結構；所述封裝層單元包括依次層疊的第一有機阻擋層、第一無機阻擋層、第二有機阻擋層和第二無機阻擋層； 所述第一無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭和氮化鈦中的一種與碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、碲化銦、碲化錫和碲化鉛中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物；所述第二無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭和氮化鈦中的一種與氧化鋁鎂、氧化鈦鉍、氧化鎳鉻、氧化鉻鈷、氧化镥鐵和氧化鋁釔中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物； 所述第一有機阻擋層和第二有機阻擋層的材質(zhì)均為客體材料和主體材料按照物質(zhì)的量比2:3?3:2混合形成的混合物，所述客體材料為N，N’-二苯基-N，N’-二(3-甲基苯基)-4，4’ -聯(lián)苯二胺、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、I, 1- 二 [4-[N, N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己燒、3-叔丁基_9，10- 二(2-萘)蒽、4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺或9，9’ -(1，3-苯基)二 -9H-咔唑；所述主體材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(1, I’-聯(lián)苯-4-羥基)鋁或3-(聯(lián)苯-4-基)-5- (4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1，2，4-三唑。
2.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述由封裝層單元重疊形成的封裝層包括2?4個封裝層單元。
3.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第一有機阻擋層的厚度為200?300nm,所述第一無機阻擋層的厚度為100?200nm。
4.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述第二有機阻擋層的厚度為200?300nm,所述第二無機阻擋層的厚度為100?200nm。
5.如權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 51、提供清潔的陽極導電基板，并對所述陽極導電基板進行活化處理； 52、在所述陽極導電基板表面真空蒸鍍制備發(fā)光功能層和陰極； 53、在所述陰極表面真空蒸鍍制備第一有機阻擋層，所述第一有機阻擋層的材質(zhì)為客體材料和主體材料按照物質(zhì)的量比2:3?3:2混合形成的混合物，所述客體材料為N，N’- 二苯基-N，N’- 二(3-甲基苯基)-4，4’-聯(lián)苯二胺、N，N’- 二苯基-N，N’- 二(1-萘基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、1，1- 二 [4-[N, N ' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、3-叔丁基-9，10-二(2-萘)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或9，9’-(1，3-苯基)二-9H-咔唑；所述主體材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲羅啉、I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(I, I’ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁或3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑； 54、在所述第一有機阻擋層表面磁控濺射制備第一無機阻擋層，所述第一無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭和氮化鈦中的一種與碲化銻、碲化鉍、碲化鎘、碲化銦、碲化錫和碲化鉛中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物； 55、在所述第一無機阻擋層表面真空蒸鍍制備第二有機阻擋層，所述第二有機阻擋層的材質(zhì)為客體材料和主體材料按照物質(zhì)的量比2:3?3:2混合形成的混合物，所述客體材料為N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-4，4’ -聯(lián)苯二胺、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷、3-叔丁基-9，10-二(2-萘)蒽、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或9，9’-(1,3-苯基)二 -9H-咔唑；所述主體材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、2，9- 二甲基_4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉、I, 3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯、8-羥基喹啉鋁、雙(2-甲基-8-羥基喹啉-NI，08)-(I, I’ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁或3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1, 2，4-三唑； 56、在所述第二有機阻擋層表面磁控濺射制備第二無機阻擋層，所述第二無機阻擋層的材質(zhì)為氮化硅、氮化鋁、氮化硼、氮化鉿、氮化鉭和氮化鈦中的一種與氧化鋁鎂、氧化鈦鉍、氧化鎳鉻、氧化鉻鈷、氧化镥鐵和氧化鋁釔中的一種按照質(zhì)量比1:9?2:3混合形成的混合物；S3?S6步驟完成后，制得一個封裝層單元； S7:重復步驟S3?S6制得具有復合結構的封裝層，最終得到所述有機電致發(fā)光器件。
7.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述由封裝層單元重疊形成的封裝層包括2?4個封裝層單元。
8.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第一有機阻擋層的厚度為200?300nm,所述第一無機阻擋層的厚度為100?200nm。
9.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述第二有機阻擋層的厚度為200?300nm,所述第二無機阻擋層的厚度為100?200nm。
10.如權利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
【文檔編號】H01L51/52GK104167499SQ201310186422
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2013年5月20日 優(yōu)先權日:2013年5月20日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 張娟娟, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司