晶片封裝體及其形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶片封裝體及其形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，該晶片封裝體包括：一晶片，包括：一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面；一元件區(qū)，形成于半導(dǎo)體基底之中；以及多個(gè)微透鏡，設(shè)置于第一表面上，且位于元件區(qū)上；一覆蓋基板，設(shè)置于晶片上，覆蓋基板系為一透光基板；一間隔層，設(shè)置于晶片與覆蓋基板之間，其中間隔層、晶片、及覆蓋基板共同于元件區(qū)上圍出一空腔；以及至少一主透鏡，設(shè)置于覆蓋基板上，且位于空腔中，主透鏡的寬度大于各微透鏡的寬度。本發(fā)明所提供的晶片封裝技術(shù)可縮減晶片封裝體的尺寸、可大量生產(chǎn)晶片封裝體、可確保晶片封裝體的品質(zhì)、及/或可降低制程成本與時(shí)間。
【專利說(shuō)明】晶片封裝體及其形成方法、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于晶片封裝體及其形成方法，且特別是有關(guān)于以晶圓級(jí)封裝制程所形成的晶片封裝體。
【背景技術(shù)】
[0002]晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過(guò)程中的一重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。
[0003]如何縮減晶片封裝體的尺寸、大量生產(chǎn)晶片封裝體、確保晶片封裝體的品質(zhì)、及降低制程成本與時(shí)間已成為重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明一實(shí)施例提供一種晶片封裝體，包括:一晶片，包括:一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面及一第二表面；一兀件區(qū)，形成于該半導(dǎo)體基底之中；一介電層，設(shè)置于該第一表面上；以及一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)；一覆蓋基板，設(shè)置于該晶片上；以及一間隔層，設(shè)置于該晶片與該覆蓋基板之間，其中該間隔層、該晶片、及該覆蓋基板共同于該元件區(qū)上圍出一空腔，且該間隔層直接接觸該晶片，而無(wú)任何粘著膠設(shè)置于該晶片與該間隔層之間。
[0005]本發(fā)明一實(shí)施例提供一種晶片封裝體的形成方法，包括:提供一晶圓，該晶圓包括:一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面及一第二表面；多個(gè)兀件區(qū)，形成于該半導(dǎo)體基底之中；一介電層，設(shè)置于該第一表面上；以及多個(gè)導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該介電層之中，且每一所述導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)地電性連接其中一所述元件區(qū)；提供一覆蓋基板；于該晶圓上或該覆蓋基板上形成一間隔層；將該覆蓋基板設(shè)置于該晶圓上而使該間隔層位于該晶圓與該覆蓋基板之間，其中該間隔層、該晶圓、及該覆蓋基板共同圍出多個(gè)空腔，每一所述空腔對(duì)應(yīng)地位于其中一所述元件區(qū)之上，且該間隔層直接接觸該晶圓，而無(wú)任何粘著膠設(shè)置于該晶圓與該間隔層之間；以及沿著該晶圓的多個(gè)預(yù)定切割道進(jìn)行一切割制程以形成彼此分離的多個(gè)晶片封裝體。
[0006]本發(fā)明一實(shí)施例提供一種晶片封裝體，包括:一晶片，包括:一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面；一兀件區(qū)，形成于半導(dǎo)體基底之中；以及多個(gè)微透鏡，設(shè)置于第一表面上，且位于元件區(qū)上；一覆蓋基板，設(shè)置于晶片上，覆蓋基板為一透光基板；一間隔層，設(shè)置于晶片與覆蓋基板之間，其中間隔層、晶片、及覆蓋基板共同于元件區(qū)上圍出一空腔；以及至少一主透鏡，設(shè)置于覆蓋基板上，且位于空腔中，主透鏡的寬度大于各微透鏡的寬度。
[0007]本發(fā)明一實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括:提供一晶圓，該晶圓包括:一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面；多個(gè)元件區(qū)，形成于半導(dǎo)體基底之中；以及多個(gè)微透鏡，設(shè)置于第一表面上，且位于元件區(qū)上；提供一覆蓋基板；于覆蓋基板上形成多個(gè)主透鏡，各主透鏡的寬度大于各微透鏡的寬度；于晶圓上或覆蓋基板上形成一間隔層；以及將覆蓋基板設(shè)置于晶圓上而使間隔層位于晶圓與覆蓋基板之間，其中間隔層、晶圓、及覆蓋基板共同圍出多個(gè)空腔，每一空腔對(duì)應(yīng)地位于其中一元件區(qū)之上，且每一空腔容置有至少一主透鏡對(duì)應(yīng)于至少二微透鏡。
[0008]本發(fā)明所提供的晶片封裝技術(shù)可縮減晶片封裝體的尺寸、可大量生產(chǎn)晶片封裝體、可確保晶片封裝體的品質(zhì)、及/或可降低制程成本與時(shí)間。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0009]圖1A-1F顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。
[0010]圖2A及2B分別顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的俯視圖。
[0011]圖3A-3F顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。
[0012]圖4A-4D分別顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖。
[0013]圖5A-5B顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。
[0014]圖6A-6G繪示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。
[0015]圖7繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖。
[0016]圖8繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體的部分制程的剖面圖。
[0017]圖9繪示本發(fā)明又一實(shí)施例的晶片封裝體的部分制程的剖面圖。
[0018]圖10A-10D繪示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]以下將詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。本領(lǐng)域技術(shù)人員自本說(shuō)明書(shū)的申請(qǐng)專利范圍中所能推及的所有實(shí)施方式皆屬本說(shuō)明書(shū)所欲揭露的內(nèi)容。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號(hào)或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡(jiǎn)單清楚地?cái)⑹霰景l(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。
[0020]本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝各種晶片。例如，其可用于封裝各種包含有源元件或無(wú)源元件(active or passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digitalor analog circuits)等集成電路的電子兀件(electronic components),例如是有關(guān)于光電兀件(opto electronic devices)、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro MechanicalSystem;MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro fluidic systems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來(lái)測(cè)量的物理感測(cè)器(Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級(jí)封裝(waferscale package;WSP)制程對(duì)影像感測(cè)元件、發(fā)光二極管(light-emitting diodes;LEDs)、太陽(yáng)能電池(solar cells)、射頻元件(RF circuits)、加速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動(dòng)器(micro actuators)、表面聲波兀件(surface acoustic wavedevices)、壓力感測(cè)器(process sensors)噴墨頭(ink printer heads)、或功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管模組(power MOSFET modules)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。
[0021]上述晶圓級(jí)封裝制程主要指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級(jí)封裝制程。另外，上述晶圓級(jí)封裝制程亦適用于借堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(mult1-layerintegrated circuit devices)的晶片封裝體。在一實(shí)施中，上述切割后的封裝體為一晶片尺寸封裝體(CSP;chip scale package)。晶片尺寸封裝體(CSP)的尺寸可僅略大于所封裝的晶片。例如，晶片尺寸封裝體的尺寸不大于所封裝晶片的尺寸的120%。
[0022]圖1A-1F顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。如圖1A所示，提供晶圓10。晶圓10可為半導(dǎo)體晶圓,例如娃晶圓。晶圓10可包括半導(dǎo)體基底100,其具有表面IOOa及表面100b。晶圓10可具有多個(gè)預(yù)定切割道SC。晶圓10還可包括多個(gè)元件區(qū)102，其形成于半導(dǎo)體基底100之中。元件區(qū)102中可形成有各種元件，例如是光電元件。光電元件可例如為影像感測(cè)元件或發(fā)光元件。
[0023]晶圓10還可包括設(shè)置于半導(dǎo)體基底100的表面IOOa上的介電層106以及設(shè)置于介電層106之中的多個(gè)導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104。每一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104對(duì)應(yīng)地電性連接其中一元件區(qū)102。在一實(shí)施例中，可選擇性于元件區(qū)102上設(shè)置光學(xué)構(gòu)件108。光學(xué)構(gòu)件108可包括透鏡及/或彩色濾光層。
[0024]接著，提供覆蓋基板110。覆蓋基板110可具有類似于晶圓10的尺寸與輪廓。覆蓋基板Iio可為透明基板，例如玻璃基板。在一實(shí)施例中，覆蓋基板110為IR玻璃基板。
[0025]接著，可于晶圓10上或覆蓋基板110上形成一間隔層112。在圖1的實(shí)施例中，間隔層112形成于覆蓋基板110上。間隔層112之材質(zhì)可包括(但不限于)環(huán)氧樹(shù)脂、硅膠基高分子、或前述的組合。在一實(shí)施例中，間隔層112本身可具有粘性而可直接接合于覆蓋基板110或晶圓10上。此外，可通過(guò)固化制程(例如，加熱制程及/或照光制程)硬化間隔層112。在一實(shí)施例中，間隔層112包括光阻材料而可通過(guò)曝光及顯影制程而圖案化。
[0026]例如，在一實(shí)施例中，可通過(guò)噴涂制程或旋轉(zhuǎn)涂布制程于覆蓋基板110上形成間隔材料層(未顯示)。接著，可對(duì)間隔材料層進(jìn)行曝光制程及顯影制程而將之圖案化為如圖1A所示的間隔層112。在另一實(shí)施例中，形成間隔層112的步驟可包括進(jìn)行多次的沉積制程、曝光制程、及顯影制程以形成多層的圖案化材料層的堆疊。在此情形下，間隔層112可包括多個(gè)材料層的堆疊。這些材料層的材質(zhì)可彼此相同，并彼此間具有界面。在一實(shí)施例中，界面可經(jīng)由光學(xué)檢測(cè)探知或可經(jīng)由電子顯微鏡觀察。在另一實(shí)施例中，這些材料層的材質(zhì)可不完全相同。
[0027]接著，如圖1B所示，將覆蓋基板110設(shè)置于晶圓10上而使間隔層位于晶圓10與覆蓋基板110之間。在一實(shí)施例中，由于間隔層112具有粘性，因此可接合晶圓10。接著，可選擇性對(duì)間隔層112進(jìn)行固化。間隔層112、晶圓10、及覆蓋基板110可共同圍出多個(gè)空腔109。每一空腔109可對(duì)應(yīng)地位于其中一元件區(qū)102之上。光學(xué)構(gòu)件108可位于空腔109之中。間隔層112可直接接觸晶圓10，而無(wú)任何粘著膠設(shè)置于晶圓10與間隔層112之間。在一實(shí)施例中，晶圓10可包括半導(dǎo)體基底100上的光學(xué)層(未顯示，例如為彩色濾光層)或半導(dǎo)體基底100上的平坦層(未顯示)。在此情形下，間隔層112可直接接觸半導(dǎo)體基底100、介電層106、半導(dǎo)體基底100上的光學(xué)層、或半導(dǎo)體基底100上的平坦層。由于無(wú)任何粘著膠設(shè)置于間隔層112的兩端，可避免半導(dǎo)體基底100與覆蓋基板110之間產(chǎn)生位移。此外，還能避免粘著膠污染元件區(qū)102上的光學(xué)構(gòu)件108。
[0028]本發(fā)明實(shí)施例不限于此。在另一實(shí)施例中，如圖5A-5B所不，間隔層112先形成于晶圓10之上。接著，可將覆蓋基板110接合于間隔層112之上。
[0029]如圖1B所示，在一實(shí)施例中，間隔層112在表面IOOa上的投影位于導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104在表面IOOa上的投影與元件區(qū)102在表面IOOa上的投影之間。在一實(shí)施例中，間隔層112在表面IOOa上的投影不與導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104在表面IOOa上的投影重疊。S卩，間隔層112不位于導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104的正上方。
[0030]如圖1C所示，可接著選擇性薄化晶圓10。例如，可以覆蓋基板110為支撐，對(duì)半導(dǎo)體基底100的表面IOOb進(jìn)行薄化制程以將半導(dǎo)體基底100薄化至適當(dāng)厚度。適合的薄化制程可為機(jī)械研磨制程、蝕刻制程、化學(xué)機(jī)械研磨制程、或前述的組合。
[0031]如圖1D所示，在一實(shí)施例中，可選擇性將晶圓10設(shè)置于支撐基底118上。例如，可通過(guò)粘著層116接合晶圓10及支撐基底118。支撐基底118例如可為半導(dǎo)體基底、陶瓷基底、高分子基底、或前述的組合。在一實(shí)施例中，支撐基底118為玻璃基底。玻璃基底(例如具有100 μ m的厚度)除了有支撐效用外，本身還可防止與晶圓10之間產(chǎn)生寄生電容效應(yīng)，并可抑制射頻噪聲(RF Noise)。
[0032]接著，可沿著晶圓10的多個(gè)預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程以形成彼此分離的多個(gè)晶片封裝體。切割制程可為單一次切割或分段切割。如圖1D所示，可先進(jìn)行第一切割以移除部分的覆蓋基板110而露出晶圓10。在一實(shí)施例中，第一切割還移除了部分的間隔層112而于間隔層112中形成至少一凹陷113。在一實(shí)施例中，間隔層112的側(cè)邊(例如，凹陷113的側(cè)壁)可與覆蓋基板110的側(cè)邊大抵共平面。此外，在一實(shí)施例中，第一切割可包括分次切割移除第一部分及第二部分的覆蓋基板110而使第一部分及第二部分之間的覆蓋基板110自然脫離。例如，可使用切割刀片500，分次切割切割道SC左側(cè)的部分的覆蓋基板110及右側(cè)的部分的覆蓋基板110而使中間部分的覆蓋基板110自然脫離。經(jīng)第一切割之后，可于覆蓋基板110中形成露出晶圓10的開(kāi)口 114。然而，應(yīng)注意的是，本發(fā)明實(shí)施例不限于此。在其他實(shí)施例中，可采用較寬的切割刀片于單次切割中形成出開(kāi)口 114。
[0033]接著，如圖1E所示，可進(jìn)行第二切割以移除部分的晶圓10而形成出彼此分離的多個(gè)晶片封裝體。接著，可選擇性移除支撐基底118?；蛘?，如圖1F所示，可切割移除部分的支撐基底118，使多個(gè)晶片封裝體下方的支撐基底118亦彼此分離。晶片封裝體中的晶片(其切割自晶圓)可包括半導(dǎo)體基底100、元件區(qū)102、介電層106、及導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104。在一實(shí)施例中，支撐基底118的側(cè)邊不與晶片的側(cè)邊共平面。
[0034]圖2A及2B分別顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的俯視圖，其中相同或相似的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或相似的元件。如圖2A所示，在一實(shí)施例中，晶片封裝體的覆蓋基板110的面積可小于支撐基底118。此外，覆蓋基板110的中心點(diǎn)可不與支撐基底118的中心點(diǎn)重疊。即，覆蓋基板110可不設(shè)置于支撐基底118的中心區(qū)域。例如，在圖2A的例子中，覆蓋基板110設(shè)置于支撐基底118的左上方區(qū)域之上。在另一實(shí)施例中，如圖2B所示，覆蓋基板110的側(cè)邊可不平行于支撐基底118的任一側(cè)邊。
[0035]圖3A-3F顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖，其中相同或相似的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或相似的元件。如圖3A-3C所示，可以類似于圖1A-1C所述的方法，形成圖3C所示的結(jié)構(gòu)。接著，可選擇性將晶圓10設(shè)置于支撐基底上。在一實(shí)施例中，支撐基底可為切割膠帶200，如圖3D所示。
[0036]接著，可沿著晶圓10的多個(gè)預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程以形成彼此分離的多個(gè)晶片封裝體。切割制程可為單一次切割或分段切割。如圖3E所示，可先進(jìn)行第一切割以移除部分的覆蓋基板110而露出晶圓10。在一實(shí)施例中，第一切割還移除了部分的間隔層112而于間隔層112中形成至少一凹陷113。在一實(shí)施例中，間隔層112的側(cè)邊(例如，凹陷113的側(cè)壁)可與覆蓋基板110的側(cè)邊大抵共平面。在一實(shí)施例中，可采用較寬的切割刀片500’于單次切割中形成出露出晶圓10的開(kāi)口 114。
[0037]然而，應(yīng)注意的是，本發(fā)明實(shí)施例不限于此。在其他實(shí)施例中，第一切割可包括分次切割移除第一部分及第二部分的覆蓋基板110而使第一部分及第二部分之間的覆蓋基板110自然脫離。例如，可使用切割刀片，分次切割切割道SC左側(cè)的部分的覆蓋基板110及右側(cè)的部分的覆蓋基板110而使中間部分的覆蓋基板110自然脫離。
[0038]接著，如圖3F所示，可進(jìn)行第二切割以移除部分的晶圓10而形成出彼此分離的多個(gè)晶片封裝體。接著，可選擇性移除切割膠帶200，并取下晶片封裝體。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例可有許多變化。例如，圖4A-4D分別顯示根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖，其中相同或相似的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或相似的元件。
[0040]如圖4A所示，在一實(shí)施例中，間隔層112中形成有孔洞402?？锥?02可例如貫穿間隔層112?；蛘撸鐖D4C所示，間隔層112中可形成有孔洞402’，其未貫穿間隔層112。此外，如圖4B所示，間隔層112的凹陷113’的側(cè)壁可不與覆蓋基板110的側(cè)邊共平面。如圖4A-4D所示，可選擇性地于覆蓋基板110上形成一或多個(gè)主透鏡120，光學(xué)構(gòu)件108可具有多個(gè)微透鏡108a，其中各主透鏡120的寬度Wl大于各微透鏡108a的寬度W2(如圖4A所示)。一個(gè)主透鏡120可對(duì)應(yīng)下方的多個(gè)微透鏡108a。形成主透鏡120的方法例如為在覆蓋基板110上涂布形成一透明光阻層，之后，對(duì)透明光阻層進(jìn)行曝光顯影，以形成多個(gè)主透鏡 120。
[0041]間隔層112可為由多次的沉積制程、曝光制程、及顯影制程所形成的多層的圖案化材料層的堆疊?；蛘?，間隔層112亦可為單層的圖案化間隔材料層。
[0042]圖6A-6G繪示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。值得注意的是，圖6A-6G的實(shí)施例相似于圖1A-1F的實(shí)施例，因此，標(biāo)不相同標(biāo)號(hào)的兀件可具有相同的結(jié)構(gòu)與材質(zhì)，故于此不再贅述。
[0043]首先，請(qǐng)參照?qǐng)D6A，提供一覆蓋基板110，并于覆蓋基板110上形成多個(gè)主透鏡120以及一間隔層112。覆蓋基板110例如為一透光基板，例如玻璃基板。玻璃基板例如為紅外線玻璃基板。在一實(shí)施例中，可先于覆蓋基板110上形成間隔層112，然后才形成主透鏡120。此時(shí)，由于主透鏡120的形成順序是在間隔層112之后，故可避免主透鏡120受到間隔層112的制程污染。
[0044]在另一實(shí)施例中，可先于覆蓋基板110上形成主透鏡120，然后才形成間隔層112。此時(shí)，由于主透鏡120的高度Hl遠(yuǎn)小于間隔層112的高度H2，因此，不但先形成的主透鏡120的高度均勻性佳(因?yàn)楦采w基板110表面平坦有利于均勻涂布)，連后續(xù)形成的間隔層112的高度均勻性亦佳(因?yàn)橹魍哥R120的高度Hl甚小)。
[0045]在一實(shí)施例中，間隔層112為一透明膜層。此時(shí)，間隔層112的形成步驟可如下述。先于覆蓋基板110上全面涂布一透明材料層(例如透明的光阻材料，未繪示)，此時(shí)，雖然透明材料層覆蓋覆蓋基板110上的對(duì)位標(biāo)記(未繪示)，但由于透明材料層可透光，因此，仍可準(zhǔn)確的偵測(cè)到對(duì)位標(biāo)記而進(jìn)行曝光顯影制程，以圖案化透明材料層。[0046]在一實(shí)施例中，間隔層112的材質(zhì)為一受熱及/或壓力時(shí)具有粘性的光阻材料，因此，在后續(xù)的晶圓接合制程中，可對(duì)間隔層112加壓及/或加熱以使其具有粘性而可直接粘合覆蓋基板110與晶圓。
[0047]請(qǐng)參照?qǐng)D6B，提供一晶圓10，晶圓10包括一半導(dǎo)體基底100、多個(gè)元件區(qū)102、以及多個(gè)微透鏡108a。半導(dǎo)體基底100具有一表面100a，元件區(qū)102形成于半導(dǎo)體基底100之中。元件區(qū)102中可形成有各種元件，例如是光電元件。光電元件可例如為影像感測(cè)元件。微透鏡108a設(shè)置于表面IOOa上，且位于元件區(qū)102上。晶圓10可具有多個(gè)預(yù)定切割道SC。
[0048]在一實(shí)施例中，晶圓10可還包括一介電層106以及一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104。介電層106設(shè)置于表面IOOa上，且導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104設(shè)置于介電層106之中，且電性連接元件區(qū)102。詳細(xì)而言，間隔層112在表面IOOa上的投影可位于導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104在表面IOOa上的投影與元件區(qū)102在表面IOOa上的投影之間。簡(jiǎn)而言之，間隔層112可位于導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104與元件區(qū)102之間。在其他未繪示的實(shí)施例中，間隔層112可位于導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104上。
[0049]在一實(shí)施例中，可于元件區(qū)102上形成一彩色濾光層CF，彩色濾光層CF具有紅色濾光膜R、綠色濾光膜G、以及藍(lán)色濾光膜B，且微透鏡108a分別位于紅色濾光膜R、綠色濾光膜G、以及藍(lán)色濾光膜B上。
[0050]接著，翻轉(zhuǎn)覆蓋基板110，并將覆蓋基板110設(shè)置于晶圓10上而使間隔層112位于晶圓10與覆蓋基板110之間，其中間隔層112、晶圓10、及覆蓋基板110共同圍出多個(gè)空腔109。每一空腔109對(duì)應(yīng)地位于一元件區(qū)102之上，且每一空腔109容置有多個(gè)微透鏡108a以及一或多個(gè)主透鏡120。
[0051]雖然圖6B繪示單一空腔109容置有多個(gè)主透鏡120的情況，但本發(fā)明不限于此，在另一實(shí)施例中，也可以是單一空腔109僅容置有單一主透鏡120 (如圖4D所示)，此時(shí)，主透鏡120對(duì)應(yīng)空腔109中的所有微透鏡108a。
[0052]值得注意的是，各主透鏡120的寬度Wl大于各微透鏡108a的寬度W2 (例如約為90納米)。在一實(shí)施例中，主透鏡120于表面IOOa上的投影與至少二個(gè)微透鏡108a于表面IOOa上的投影重疊，亦即，單一個(gè)主透鏡120可同時(shí)位于多個(gè)微透鏡108a的正上方。舉例來(lái)說(shuō)，一主透鏡120于表面IOOa上的投影與分別位于紅色濾光膜R、綠色濾光膜G、以及藍(lán)色濾光膜B上的三個(gè)微透鏡108a重疊(未繪示)。
[0053]值得注意的是，雖然本實(shí)施例是介紹于覆蓋基板110上形成間隔層112的例子，但本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，亦可先于晶圓10上形成間隔層112，再將形成有主透鏡120的覆蓋基板110與晶圓10對(duì)組。
[0054]之后，請(qǐng)參照?qǐng)D6C，由表面IOOb對(duì)晶圓10進(jìn)行一薄化制程。然后，請(qǐng)參照?qǐng)D6D，在一實(shí)施例中，可將晶圓10設(shè)置于一支撐基底118之上，以通過(guò)支撐基底118支撐薄化的晶圓10，進(jìn)而提升后續(xù)切割制程的良率。例如，可通過(guò)粘著層116接合晶圓10及支撐基底118。支撐基底118例如可為半導(dǎo)體基底、陶瓷基底、高分子基底、或前述的組合。在一實(shí)施例中，支撐基底118為玻璃基底。
[0055]接著，可沿著晶圓10的多個(gè)預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程以形成彼此分離的多個(gè)晶片封裝體。切割制程可為單一次切割或分段切割。如圖6E所示，可先進(jìn)行一第一切割以移除部分的覆蓋基板110而露出晶圓10。具體而言,第一切割可使原本位于覆蓋基板110下方的導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)104露出。然后，如圖6F所示，沿著預(yù)定切割道SC進(jìn)行一第二切割以移除部分的晶圓10而形成多個(gè)彼此分離的晶片封裝體600。
[0056]晶片封裝體600中的晶片(其切割自晶圓)610可包括半導(dǎo)體基底100、元件區(qū)102、以及微透鏡108a。在一實(shí)施例中，晶片610為一經(jīng)薄化處理過(guò)的晶片，晶片610的厚度T約為20微米至50微米。
[0057]值得注意的是，本實(shí)施例通過(guò)在單一晶片封裝體600中形成主透鏡120與微透鏡108a的方式，使小體積的晶片封裝體600可具有現(xiàn)有大體積的光學(xué)鏡頭的功能，故可取代現(xiàn)有的光學(xué)鏡頭，進(jìn)而有效減少光學(xué)儀器(例如相機(jī))的總體積。
[0058]接著，如圖6G所示，可選擇性移除支撐基底118與粘著層116，以得到本實(shí)施例的晶片封裝體600。或者，如圖7所示，圖7繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖，在第二切割時(shí)，可一并切割部分的支撐基底118，以使晶片封裝體600下方的支撐基底118亦彼此分離而可繼續(xù)支撐對(duì)應(yīng)的晶片封裝體600。
[0059]圖8繪示本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體的部分制程的剖面圖。本實(shí)施例為圖6A的制程步驟的一種變化。在另一實(shí)施例中，如圖8所示，在形成間隔層112之前，可先于覆蓋基板110的表面IlOa上形成一覆蓋主透鏡120的透明平坦層130，且之后形成的間隔層112形成于透明平坦層130上。
[0060]如此一來(lái)，不但可以使后續(xù)制程(例如形成間隔層112的制程)在一較為平坦的表面上進(jìn)行，還可保護(hù)主透鏡120不受到后續(xù)制程(例如形成間隔層112的制程)的污染。
[0061]在一實(shí)施例中，形成透明平坦層130的步驟例如為于覆蓋基板110的表面IIOa上進(jìn)行一化學(xué)氣相沉積制程，以形成一覆蓋主透鏡120的氧化物層。在另一實(shí)施例中，透明平坦層130的材質(zhì)例如為高分子材料或是其他適合的透明絕緣材料。
[0062]圖9繪示本發(fā)明又一實(shí)施例的晶片封裝體的部分制程的剖面圖。本實(shí)施例為圖6A的制程步驟的一種變化。如圖9所示，在又一實(shí)施例中，在形成間隔層112之前，可先于表面IlOa上形成一覆蓋主透鏡120的透明平坦層130，并圖案化透明平坦層130以形成多個(gè)暴露出表面IlOa的開(kāi)口 132，且之后形成的間隔層112穿過(guò)開(kāi)口 132形成于覆蓋基板110上并突出于透明平坦層130的表面134。此時(shí)，透明平坦層130可保護(hù)主透鏡120不受到后續(xù)制程(例如形成間隔層112的制程)的污染。
[0063]圖10A-10D繪示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。值得注意的是，本實(shí)施例與圖6A-6G的實(shí)施例相似，兩者差異之處僅在于本實(shí)施例的支撐基底為一切割膠帶，因此，相同的制程細(xì)節(jié)于此不再贅述。
[0064]首先，可先進(jìn)行如圖6A-6C所示的制程，之后，如圖1OA所示，將晶圓10設(shè)置于一支撐基底之上，支撐基底可為切割膠帶200。
[0065]接著，可沿著晶圓10的多個(gè)預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程以形成彼此分離的多個(gè)晶片封裝體。切割制程可為單一次切割或分段切割。
[0066]如圖1OB所示，可先進(jìn)行第一切割以移除部分的覆蓋基板110而露出晶圓10。然后，如圖1OC所示，可進(jìn)行第二切割以移除部分的晶圓10而形成出彼此分離的多個(gè)晶片封裝體1000。晶片封裝體1000中的晶片(其切割自晶圓)1110可包括半導(dǎo)體基底100、元件區(qū)102、以及微透鏡108a。
[0067]之后，如圖1OD所示，可選擇性移除切割膠帶200，并取下晶片封裝體1000。[0068]本發(fā)明實(shí)施例所提供的晶片封裝技術(shù)可縮減晶片封裝體的尺寸、可大量生產(chǎn)晶片封裝體、可確保晶片封裝體的品質(zhì)、及/或可降低制程成本與時(shí)間。
[0069]此外，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在單一晶片封裝體中形成主透鏡與微透鏡的方式，使小體積的晶片封裝體可具有現(xiàn)有大體積的光學(xué)鏡頭的功能，故可取代現(xiàn)有的光學(xué)鏡頭，進(jìn)而有效減少光學(xué)儀器的體積。
[0070]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書(shū)所界定的范圍為準(zhǔn)。
[0071]附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下:
[0072]10:晶圓
[0073]100:半導(dǎo)體基底
[0074]100a、100b、110a、134:表面
[0075]102:元件區(qū)
[0076]104:導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)
[0077]106:介電層
[0078]108:光學(xué)構(gòu)件
[0079]108a:微透鏡
[0080]109:空腔
[0081]110:覆蓋基板
[0082]112:間隔層
[0083]113、113，:凹陷
[0084]114:開(kāi)口
[0085]116:粘著層
[0086]118:支撐基底
[0087]120:主透鏡
[0088]130:透明平坦層
[0089]132:開(kāi)口
[0090]134:表面
[0091]200:切割膠帶
[0092]402、402，:孔洞
[0093]500,500>:切割刀片
[0094]600、1000:晶片封裝體
[0095]610、1110:晶片
[0096]B:藍(lán)色濾光膜
[0097]CF:彩色濾光層
[0098]G:綠色濾光膜
[0099]Hl:主透鏡的高度
[0100]H2:間隔層的高度
[0101]R:紅色濾光膜[0102]SC:切割道
[0103]T:厚度
[0104]Wl:主透鏡的寬度
[0105]W2:微透鏡的寬度。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一晶片，包括: 一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面及一第二表面； 一元件區(qū)，形成于該半導(dǎo)體基底之中； 一介電層，設(shè)置于該第一表面上；以及 一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)； 一覆蓋基板，設(shè)置于該晶片上；以及 一間隔層，設(shè)置于該晶片與該覆蓋基板之間，其中該間隔層、該晶片、及該覆蓋基板共同于該元件區(qū)上圍出一空腔，且該間隔層直接接觸該晶片，而無(wú)任何粘著膠設(shè)置于該晶片與該間隔層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該覆蓋基板為一透光基板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層在該第一表面上的投影位于該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)在該第一表面上的投影與該元件區(qū)在該第一表面上的投影之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層在該第一表面上的投影不與該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)在該第一表面上的投影重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述 的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層直接接觸該覆蓋基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層具有一凹陷，且該間隔層的一側(cè)邊與該覆蓋基板的一側(cè)邊大抵共平面。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層的該側(cè)邊為該凹陷的一側(cè)壁。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一孔洞，位于該間隔層之中。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片封裝體，其特征在于，該孔洞貫穿該間隔層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一支撐基底，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該第二表面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶片封裝體，其特征在于，該支撐基底的一側(cè)邊不與該晶片的一側(cè)邊共平面。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體，其特征在于，該支撐基底為一玻璃基底。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體，其特征在于，該覆蓋基板的面積小于該支撐基底的面積。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，該覆蓋基板的一側(cè)邊不平行于該支撐基底的任一側(cè)邊。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的晶片封裝體，其特征在于，該覆蓋基板的中心點(diǎn)不與該支撐基底的中心點(diǎn)重疊。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一光學(xué)構(gòu)件，設(shè)置于該元件區(qū)上，且位于該空腔之中。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層直接接觸該晶片的該半導(dǎo)體基底、該介電層、該半導(dǎo)體基底上的一光學(xué)層、或該半導(dǎo)體基底上的一平坦層。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層包括多個(gè)材料層的堆疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片還包括多個(gè)微透鏡，設(shè)置于該第一表面上并位于該元件區(qū)上，且該晶片封裝體還包括至少一主透鏡，設(shè)置于該覆蓋基板上且位于該空腔中，該主透鏡的寬度大于各該微透鏡的寬度。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一主透鏡包括多個(gè)主透鏡。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體，其特征在于，該主透鏡于該第一表面上的投影與所述微透鏡中的至少二個(gè)微透鏡于該第一表面上的投影重疊。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括: 一彩色濾光層，設(shè)置于該元件區(qū)上，該彩色濾光層具有至少一紅色濾光膜、至少一綠色濾光膜、以及至少一藍(lán)色濾光膜，所述微透鏡分別位于該紅色濾光膜、該綠色濾光膜、以及該藍(lán)色濾光膜上。
23.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括: 提供一晶圓，該晶圓包括:一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面及一第二表面；多個(gè)兀件區(qū)，形成于該半導(dǎo)體基底之中；一介電層，設(shè)置于該第一表面上；以及多個(gè)導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該介電層之中，且每一所述導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)地電性連接其中一所述元件區(qū)； 提供一覆蓋基板； 于該晶圓上或該覆蓋基板上形成一間隔層； 將該覆蓋基板設(shè)置于該晶圓上而`使該間隔層位于該晶圓與該覆蓋基板之間，其中該間隔層、該晶圓、及該覆蓋基板共同圍出多個(gè)空腔，每一所述空腔對(duì)應(yīng)地位于其中一所述元件區(qū)之上，且該間隔層直接接觸該晶圓，而無(wú)任何粘著膠設(shè)置于該晶圓與該間隔層之間；以及 沿著該晶圓的多個(gè)預(yù)定切割道進(jìn)行一切割制程以形成彼此分離的多個(gè)晶片封裝體。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，在進(jìn)行該切割制程之前，還包括將該晶圓設(shè)置于一支撐基底之上。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該支撐基底包括一玻璃基底。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該支撐基底包括一切割膠帶。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，在將該晶圓設(shè)置于該支撐基底上之前，還包括薄化該晶圓。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該切割制程包括: 進(jìn)行一第一切割以移除部分的該覆蓋基板而露出該晶圓；以及 進(jìn)行一第二切割以移除部分的該晶圓而形成所述晶片封裝體。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該第一切割還移除了部分的該間隔層而于該間隔層中形成至少一凹陷。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該至少一凹陷的側(cè)壁與該覆蓋基板的一側(cè)邊大抵共平面。
31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該第一切割包括分次切割移除一第一部分及一第二部分的該覆蓋基板而使該第一部分及該第二部分之間的該覆蓋基板自然脫離。
32.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，形成該間隔層的步驟包括進(jìn)行多次的沉積制程、曝光制程、及顯影制程以形成多層的圖案化材料層堆疊。
33.根據(jù)權(quán)利要求23所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該晶圓還包括多個(gè)微透鏡設(shè)置于該第一表面上且位于所述元件區(qū)上，且該晶片封裝體的形成方法還包括: 在將該覆蓋基板設(shè)置于該晶圓上之前，于該覆蓋基板上形成多個(gè)主透鏡，各該主透鏡的寬度大于各該微透鏡的寬度，且在將該覆蓋基板設(shè)置于該晶圓上之后，每一該空腔容置有至少一個(gè)該主透鏡，對(duì)應(yīng)于至少二個(gè)該微透鏡。
34.根據(jù)權(quán)利要求33所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括: 在形成該間隔層之前，于該第一表面上形成一覆蓋所述主透鏡的透明平坦層。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該間隔層形成于該透明平坦層上。
36.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一晶片，包括: 一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面； 一元件區(qū)，形成于該半導(dǎo)體基底之中；以及 多個(gè)微透鏡，設(shè)置于該第一表面上，且位于該兀件區(qū)上；` 一覆蓋基板，設(shè)置于該晶片上，該覆蓋基板為一透光基板； 一間隔層，設(shè)置于該晶片與該覆蓋基板之間，其中該間隔層、該晶片、及該覆蓋基板共同于該元件區(qū)上圍出一空腔；以及 至少一主透鏡，設(shè)置于該覆蓋基板上，且位于該空腔中，該主透鏡的寬度大于各該微透鏡的寬度。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的晶片封裝體，其特征在于，該至少一主透鏡包括多個(gè)主透鏡。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的晶片封裝體，其特征在于，該主透鏡于該第一表面上的投影與所述微透鏡中的至少二個(gè)微透鏡于該第一表面上的投影重疊。
39.根據(jù)權(quán)利要求36所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片還包括: 一介電層，設(shè)置于該第一表面上；以及 一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)，設(shè)置于該介電層之中，且電性連接該元件區(qū)，其中該間隔層在該第一表面上的投影位于該導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)在該第一表面上的投影與該元件區(qū)在該第一表面上的投影之間。
40.根據(jù)權(quán)利要求36所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層為一透明膜層。
41.根據(jù)權(quán)利要求36所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括: 一透明平坦層，配置于該第一表面上并覆蓋該主透鏡。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層位于該透明平坦層上。
43.根據(jù)權(quán)利要求36所述的晶片封裝體，其特征在于，該晶片為一經(jīng)薄化處理過(guò)的晶片，該晶片的厚度為20微米至50微米。
44.根據(jù)權(quán)利要求36所述的晶片封裝體，其特征在于，該覆蓋基板為一紅外線玻璃基板。
45.根據(jù)權(quán)利要求36所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括: 一彩色濾光層，設(shè)置于該元件區(qū)上，該彩色濾光層具有至少一紅色濾光膜、至少一綠色濾光膜、以及至少一藍(lán)色濾光膜，所述微透鏡分別位于該紅色濾光膜、該綠色濾光膜、以及該藍(lán)色濾光膜上。
46.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，包括: 提供一晶圓，該晶圓包括:一半導(dǎo)體基底，具有一第一表面；多個(gè)元件區(qū)，形成于該半導(dǎo)體基底之中；以及多個(gè)微透鏡，設(shè)置于該第一表面上，且位于所述元件區(qū)上； 提供一覆蓋基板； 于該覆蓋基板上形成多個(gè)主透鏡，各該主透鏡的寬度大于各該微透鏡的寬度； 于該晶圓上或該覆蓋基板上形成一間隔層；以及 將該覆蓋基板設(shè)置于該晶圓上而使該間隔層位于該晶圓與該覆蓋基板之間，其中該間隔層、該晶圓、及該覆蓋基板共同圍出多個(gè)空腔，每一所述空腔對(duì)應(yīng)地位于其中一所述元件區(qū)之上，且每一該空腔容置有至少一個(gè)該主透鏡，對(duì)應(yīng)于至少二個(gè)該微透鏡。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括: 在形成該間隔層之前，于該第一表面上形成一覆蓋所述主透鏡的透明平坦層。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該間隔層形成于該透明平坦層上。
49.根據(jù)權(quán)利要求47所述的 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，形成該透明平坦層的步驟包括: 于該第一表面上進(jìn)行一化學(xué)氣相沉積制程，以形成一覆蓋所述主透鏡的氧化物層。
50.根據(jù)權(quán)利要求46所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，還包括: 沿著該晶圓的多個(gè)預(yù)定切割道進(jìn)行一切割制程以形成彼此分離的多個(gè)晶片封裝體。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在進(jìn)行該切割制程之前，還包括將該晶圓設(shè)置于一支撐基底之上。
52.根據(jù)權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該支撐基底包括一玻璃基底。
53.根據(jù)權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該支撐基底包括一切割膠帶。
54.根據(jù)權(quán)利要求51所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在將該晶圓設(shè)置于該支撐基底上之前，還包括薄化該晶圓。
55.根據(jù)權(quán)利要求50所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該切割制程包括: 進(jìn)行一第一切割以移除部分的該覆蓋基板而露出該晶圓；以及 進(jìn)行一第二切割以移除部分的該晶圓而形成所述晶片封裝體。
56.根據(jù)權(quán)利要求46所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該間隔層形成于該覆蓋基板上，且于該覆蓋基板上形成所述主透鏡與該間隔層的步驟包括: 于該覆蓋基板上形成所述主透鏡；以及 之后，于該覆蓋基板上形成該間隔層。
57.根據(jù)權(quán)利要求46所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，該間隔層形成于該覆蓋基板上，且于該覆蓋基板上形成所述主透鏡與該間隔層的步驟包括:于該覆蓋基板上形成該間隔層；以及之后，于該覆蓋基板上形成所述`主透鏡。
【文檔編號(hào)】H01L21/60GK103515334SQ201310247527
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2013年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月20日
【發(fā)明者】林柏伸, 劉滄宇, 何彥仕, 何志偉, 陳世錦 申請(qǐng)人:精材科技股份有限公司