用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，設(shè)置在化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備包含驅(qū)動系統(tǒng)，該驅(qū)動系統(tǒng)包含電機(jī)及與電機(jī)連接的驅(qū)動軸；本發(fā)明晶圓傳輸裝置包含陶瓷底盤，所述陶瓷底盤的中心與化學(xué)氣相沉積設(shè)備的驅(qū)動軸連接；設(shè)置在陶瓷底盤上表面的多個固定片，各所述固定片材料為陶瓷，各所述固定片分別通過螺絲與陶瓷底盤連接；設(shè)置在陶瓷底盤與各所述固定片之間的多組傳輸手，各所述傳輸手沿著陶瓷底盤的徑向設(shè)置。本發(fā)明能夠在化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)中傳輸晶圓，并且使用壽命長，破損率低，降低了生產(chǎn)成本。
【專利說明】用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體化學(xué)氣相沉積設(shè)備，尤其涉及一種用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其設(shè)置于化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)。

【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)的半導(dǎo)體化學(xué)氣相沉積設(shè)備反應(yīng)腔中的晶圓傳輸裝置通常包含陶瓷底盤和設(shè)置在陶瓷底盤上的鋁制固定片，陶瓷底盤和鋁制固定片通過鎳合金鋼螺絲連接在一起，但是現(xiàn)有技術(shù)的晶圓傳輸裝置具有一些缺陷?；瘜W(xué)氣相沉積生產(chǎn)過程中，反應(yīng)腔內(nèi)溫度有較大變化，例如在生產(chǎn)前由室溫升高到400°C的工作溫度，生產(chǎn)后又從400°C的工作溫度降到室溫，由于陶瓷底盤、鋁制固定片、鎳合金鋼螺絲的熱膨脹系數(shù)相差較大，鋁制固定片與螺絲之間的熱應(yīng)力導(dǎo)致陶瓷底盤很容易破裂損壞。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提供了一種用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，能夠在化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)中傳輸晶圓，并且使用壽命長，破損率低。
[0004]本發(fā)明采用如下技術(shù)方案實現(xiàn):
用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，設(shè)置在化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備包含驅(qū)動系統(tǒng)，該驅(qū)動系統(tǒng)包含電機(jī)及與電機(jī)連接的驅(qū)動軸；其中所述晶圓傳輸裝置包含:
陶瓷底盤，所述陶瓷底盤的中心與化學(xué)氣相沉積設(shè)備的驅(qū)動軸連接；
設(shè)置在陶瓷底盤上表面的多個固定片，各所述固定片材料為陶瓷，各所述固定片分別通過螺絲與陶瓷底盤連接；
設(shè)置在陶瓷底盤與各所述固定片之間的多組傳輸手，各所述傳輸手沿著陶瓷底盤的徑向設(shè)置。
[0005]上述的用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其中所述傳輸手的數(shù)量與固定片數(shù)量相等，各組所述傳輸手位置與各固定片位置對應(yīng)。
[0006]上述的用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其中每組所述傳輸手包含平行間隔設(shè)置的多個陶瓷手指。
[0007]上述的用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其中所述陶瓷底盤上表面設(shè)有多個凹槽，各所述凹槽間隔設(shè)置在陶瓷底盤的邊緣；各所述陶瓷手指一端設(shè)置在陶瓷底盤上表面的凹槽內(nèi)，其另一端伸出陶瓷底盤外。
[0008]上述的用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其中所述固定片為扇環(huán)形。
[0009]本發(fā)明具有以下積極效果:
本發(fā)明包含陶瓷底盤和固定片，由于固定片采用陶瓷材料，其熱膨脹系數(shù)與陶瓷底盤的熱膨脹系數(shù)相同，當(dāng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)溫度由室溫升高到工作溫度，或由工作溫度下降到室溫時，陶瓷底盤與固定片之間的熱應(yīng)力較小，因此降低了陶瓷底盤破損的概率，提高了晶圓傳輸裝置的使用壽命，降低了生產(chǎn)成本。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖；
圖2為本發(fā)明的局部剖視圖。

【具體實施方式】
[0011]以下結(jié)合附圖，通過詳細(xì)說明一個較佳的具體實施例，對本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。
[0012]本發(fā)明一種用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，設(shè)置在半導(dǎo)體晶圓化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)?；瘜W(xué)氣相沉積設(shè)備包含驅(qū)動系統(tǒng)，該驅(qū)動系統(tǒng)包含電機(jī)及與電機(jī)連接的驅(qū)動軸；本發(fā)明與化學(xué)氣相沉積設(shè)備的控制系統(tǒng)及驅(qū)動系統(tǒng)連接，從而實現(xiàn)對晶圓的傳輸。
[0013]如圖1和圖2所示，本發(fā)明包含陶瓷底盤1，設(shè)置在陶瓷底盤I上表面的多個固定片2，設(shè)置在陶瓷底盤I與各固定片2之間的多組傳輸手3。
[0014]本實施例中陶瓷底盤I為環(huán)形，其中心與化學(xué)氣相沉積設(shè)備的驅(qū)動軸10連接。陶瓷底盤I上表面設(shè)有多個凹槽11，各凹槽11間隔設(shè)置在陶瓷底盤I的邊緣。
[0015]各組傳輸手3設(shè)置在陶瓷底盤I與各固定片2之間，其分別沿著陶瓷底盤I的徑向設(shè)置。
[0016]每組傳輸手3包含平行間隔設(shè)置的多個陶瓷手指31。各陶瓷手指31 —端設(shè)置在陶瓷底盤I上表面的凹槽11內(nèi)，其另一端伸出陶瓷底盤I外。
[0017]固定片2為扇環(huán)形，各固定片2設(shè)置在陶瓷底盤的上表面，多個固定片2依次相鄰排列為環(huán)形。固定片2為陶瓷材料制成，各固定片2分別通過螺絲4與陶瓷底盤連接。
[0018]傳輸手3的數(shù)量與固定片2的數(shù)量相等，各組傳輸手3的位置與各固定片2的位置——對應(yīng)。
[0019]綜上所述，本發(fā)明包含陶瓷底盤和固定片，由于固定片采用陶瓷材料，其熱膨脹系數(shù)與陶瓷底盤的熱膨脹系數(shù)相同，當(dāng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)溫度由室溫升高到工作溫度，或由工作溫度下降到室溫時，陶瓷底盤與固定片之間的熱應(yīng)力較小，因此降低了陶瓷底盤破損的概率，提高了晶圓傳輸裝置的使用壽命，降低了生產(chǎn)成本。
[0020]盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實施例作了詳細(xì)介紹，但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后，對于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，設(shè)置在化學(xué)氣相沉積設(shè)備的反應(yīng)腔內(nèi)，所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備包含驅(qū)動系統(tǒng)，該驅(qū)動系統(tǒng)包含電機(jī)及與電機(jī)連接的驅(qū)動軸(10);其特征在于，所述晶圓傳輸裝置包含: 陶瓷底盤(1)，所述陶瓷底盤(1)的中心與化學(xué)氣相沉積設(shè)備的驅(qū)動軸(10)連接； 設(shè)置在陶瓷底盤(1)上表面的多個固定片(2)，各所述固定片(2)材料為陶瓷，各所述固定片(2)分別通過螺絲(4)與陶瓷底盤(1)連接； 設(shè)置在陶瓷底盤(1)與各所述固定片(2)之間的多組傳輸手(3)，各所述傳輸手(3)沿著陶瓷底盤(1)的徑向設(shè)置。
2.如權(quán)利要求1所述的用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其特征在于，所述傳輸手(3)的數(shù)量與固定片(2)數(shù)量相等，各組所述傳輸手(3)位置與各固定片(2)位置對應(yīng)。
3.如權(quán)利要求1所述的用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其特征在于，每組所述傳輸手(3)包含平行間隔設(shè)置的多個陶瓷手指(31)。
4.如權(quán)利要求3所述的用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其特征在于，所述陶瓷底盤(1)上表面設(shè)有多個凹槽(11)，各所述凹槽(11)間隔設(shè)置在陶瓷底盤(1)的邊緣；各所述陶瓷手指(31)—端設(shè)置在陶瓷底盤(1)上表面的凹槽(11)內(nèi)，其另一端伸出陶瓷底盤(1)外。
5.權(quán)利要求1所述的用于化學(xué)氣相沉積的晶圓傳輸裝置，其特征在于，所述固定片(2)為扇環(huán)形。
【文檔編號】H01L21/677GK104253075SQ201310258962
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月26日
【發(fā)明者】羅杰, 高峰, 張小龍 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司