一種外延爐的蓋片的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種外延爐的蓋片，設置于外延爐大盤上相鄰小盤基座之間的間隙區(qū)域，該蓋片包括上蓋片及下蓋片，所述上蓋片由所述大盤邊緣延伸至與相鄰兩小盤基座的圓心連接線平齊，所述下蓋片由所述圓心連接線延伸至所述大盤的中部，所述上蓋片與下蓋片相互配合并覆蓋所述間隙區(qū)域。本實用新型通過上下蓋片的分段設計可有效避免因加熱沉積作用導致的變形，從而提高其使用壽命，避免對晶片生長過程產生不良影響，降低了生產成本。
【專利說明】
一種外延爐的蓋片
技術領域
[0001]本實用新型涉及半導體技術，特別是涉及一種外延爐的蓋片。
【背景技術】
[0002]外延晶片通常是采用CVD(化學氣相沉積)的方法來生長，具體是將襯底置于外延爐反應室中，將含有構成薄膜元素的化合物、單質氣體通入反應室，借助空間氣相化學反應在襯底表面上沉積固體薄膜。目前國際上的商業(yè)外延爐，如德國Aixtron公司的2400或2800系列碳化硅外延爐，其大盤中部與源氣注入器(injector)對應，大盤上圍繞中心設置若干用于放置晶片襯底的小盤，大盤帶動小盤旋轉，同時小盤自旋轉，從而實現行星式結構，以得到較好的均勻性分布。
[0003]實際生產中，會于大盤上相鄰小盤的間隔區(qū)域中放置蓋片來進行保護，蓋片通常由與外延晶片相同的材料制成以保證工藝的穩(wěn)定性和產品的質量。現有的蓋片均為一片式結構，由大盤的旋轉中心延伸至邊緣，由于設備連續(xù)生產，蓋片上會沉積大量附屬產品，時間長了后發(fā)生變形翹曲，影響產品的性能和質量，需要進行整片更換，增加生產成本。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型提供了一種外延爐的蓋片，其克服了現有技術所存在的不足之處。
[0005]本實用新型解決其技術問題所采用的技術方案是:一種外延爐的蓋片，設置于外延爐大盤上相鄰小盤基座之間的間隙區(qū)域，包括上蓋片及下蓋片，所述上蓋片由所述大盤邊緣延伸至與相鄰兩小盤基座的圓心連接線平齊，所述下蓋片由所述圓心連接線延伸至所述大盤的中部，所述上蓋片與下蓋片相互配合并覆蓋所述間隙區(qū)域。
[0006]優(yōu)選的，所述上蓋片相對兩側形成與相鄰兩小盤基座配合的圓弧，上側形成與所述大盤配合的圓弧。
[0007]優(yōu)選的，所述大盤中部設置有圓形底座，所述下蓋片相對兩側形成與相鄰兩小盤基座配合的圓弧，下側形成與圓形底座配合的圓弧。
[0008]優(yōu)選的，所述下蓋片兩側圓弧與下側圓弧分別延伸至鄰近小盤基座與大盤的圓心連接線處。
[0009]優(yōu)選的，所述上蓋片和下蓋片于相鄰兩小盤基座圓心連接線處形成臺階狀配合。
[0010]優(yōu)選的，所述大盤上圍繞所述圓形底座對稱設置有6個小盤基座，所述下蓋片下側的圓弧中心夾角為60°。
[0011]優(yōu)選的，所述上蓋片和下蓋片由碳化硅制成。
[0012]相較于現有技術，本實用新型具有以下有益效果:
[0013]1.大盤上相鄰小盤基座之間的間隙區(qū)域設置有分體式蓋片，蓋片包括上蓋片及下蓋片，并于相鄰兩小盤基座的圓心連接線處(即最窄處)相接配合，由于該處所受應力最大，在此分段可有效避免因加熱沉積作用導致的變形，從而提高其使用壽命，避免對晶片生長過程產生不良影響;此外，蓋片更換時只需局部更換(例如距離注入器較近的下蓋片沉積較嚴重，更換頻率比上蓋片高)，降低了生產成本。
[0014]2.上蓋片與下蓋片邊緣分別與大盤邊緣、小盤基座邊緣及圓形底座邊緣配合，且相鄰蓋片亦相接配合，從而實現了對大盤間隙區(qū)域的完全覆蓋，保護效果好。
[0015]3.上蓋片和下蓋片在相接處形成臺階狀配合，進一步提高了配合的緊密度，避免空隙的產生。
【附圖說明】
[0016]圖1是本實用新型的外延爐結構示意圖；
[0017]圖2是本實用新型的蓋片結構示意圖；
[0018]圖3是本實用新型的蓋片臺階結構示意圖。
【具體實施方式】
[0019]以下結合附圖及實施例對本實用新型作進一步詳細說明。本實用新型的各附圖僅為示意以更容易了解本發(fā)明，其相對大小比例可依照設計需求進行調整。此外，文中所描述的圖形中相對元件的上下關系，在本領域技術人員應能理解是指構件的相對位置而言，因此皆可以翻轉而呈現相同的構件，此皆應同屬本說明書所揭露的范圍。
[0020]本實用新型的蓋片應用于CVD生長晶片的外延爐中。參考圖1，外延爐包括圓形大盤I，大盤I中心為與源氣注入器配合的底座11，圍繞底座11設有若干用于放置晶片襯底的圓形小盤基座2，相鄰小盤基座2的間隙區(qū)域設置蓋片3。參考圖2，蓋片3包括上蓋片31及下蓋片32，其中上蓋片31由大盤I邊緣延伸至與相鄰兩小盤基座2的圓心連接線L平齊，下蓋片32由相鄰兩小盤基座2的圓心連接線延伸至大盤I中部圓形底座11邊緣，上蓋片31與下蓋片32相互配合并覆蓋大盤I的間隙區(qū)域。
[0021]具體的，上蓋片31相對兩側形成與相鄰兩小盤基座2配合的圓弧31a，上側形成與大盤I周緣配合的圓弧31b，下側與下蓋片32配合相接。下蓋片32上側與上蓋片31配合相接，相對兩側形成與相鄰兩小盤基座2配合的圓弧32a，下側形成與圓形底座11周緣配合的圓弧32b，且兩側圓弧32a及下側圓弧32b分別延伸至鄰近小盤基座2與大盤I的圓心連接線K，以與相鄰的下蓋片配合相接。舉例來說，大盤I上圍繞中心對稱設置有6個小盤基座2，相鄰小盤基座2的空隙區(qū)域均設置有蓋片3，每個下蓋片32下側的圓弧32b中心夾角為60°，相鄰蓋片3配合相接，從而完全覆蓋大盤I的間隙區(qū)域。
[0022]在一實施例中，參考圖3，上蓋片31和下蓋片32于相鄰兩小盤基座圓心連接線L處形成臺階狀配合，從而提高其配合的緊密度，避免產生空隙。
[0023]在另一實施例中，外延爐用于生產碳化硅晶片，上蓋片31和下蓋片32均由高純碳化娃制成。
[0024]上述實施例僅用來進一步說明本實用新型的一種外延爐的蓋片，但本實用新型并不局限于實施例，凡是依據本實用新型的技術實質對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均落入本實用新型技術方案的保護范圍內。
【主權項】
1.一種外延爐的蓋片，設置于外延爐大盤上相鄰小盤基座之間的間隙區(qū)域，其特征在于:該蓋片包括上蓋片及下蓋片，所述上蓋片由所述大盤邊緣延伸至與相鄰兩小盤基座的圓心連接線平齊，所述下蓋片由所述圓心連接線延伸至所述大盤的中部，所述上蓋片與下蓋片相互配合并覆蓋所述間隙區(qū)域。2.根據權利要求1所述的外延爐的蓋片，其特征在于:所述上蓋片相對兩側形成與相鄰兩小盤基座配合的圓弧，上側形成與所述大盤配合的圓弧。3.根據權利要求1或2所述的外延爐的蓋片，其特征在于:所述大盤中部設置有圓形底座，所述下蓋片相對兩側形成與相鄰兩小盤基座配合的圓弧，下側形成與圓形底座配合的圓弧。4.根據權利要求3所述的外延爐的蓋片，其特征在于:所述下蓋片兩側圓弧與下側圓弧分別延伸至鄰近小盤基座與大盤的圓心連接線處。5.根據權利要求1所述的外延爐的蓋片，其特征在于:所述上蓋片和下蓋片于相鄰兩小盤基座圓心連接線處形成臺階狀配合。6.根據權利要求3所述的外延爐的蓋片，其特征在于:所述大盤上圍繞所述圓形底座對稱設置有6個小盤基座，所述下蓋片下側的圓弧中心夾角為60°。7.根據權利要求1所述的外延爐的蓋片，其特征在于:所述上蓋片和下蓋片由碳化硅制成。
【文檔編號】C30B29/36GK205635853SQ201620388943
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2016年5月3日
【發(fā)明人】羅金云, 馮淦, 趙建輝
【申請人】瀚天天成電子科技（廈門）有限公司