放射線檢測裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了放射線檢測裝置及其制造方法。放射線檢測裝置的制造方法被提供。在其上形成有像素陣列的傳感器基板上，形成覆蓋像素陣列的閃爍體層、覆蓋閃爍體層的側(cè)面的密封層、以及覆蓋閃爍體層的上面和密封層的上面的保護(hù)層。沿像素陣列的邊切割傳感器基板、密封層、以及保護(hù)層，以使得傳感器基板的切割表面、密封層的切割表面、以及保護(hù)層的切割表面被布置在同一平面上。
【專利說明】放射線檢測裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及放射線檢測裝置和制造放射線檢測裝置的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]為了實(shí)現(xiàn)能夠檢測直至放射線檢測裝置的邊緣附近的放射線的放射線檢測裝置，日本專利公開N0.2008-151768提出了切割傳感器基板以使得熒光體(phosphor)層的側(cè)面和傳感器基板的側(cè)面被布置在同一平面上的技術(shù)。日本專利公開N0.2008-8899提出了使用抗?jié)衿瑺钅じ采w放射線檢測器以提高放射線檢測器的防濕性能的技術(shù)。日本專利公開N0.2006-52986提出了使用框架部件覆蓋熒光體層的側(cè)面和使用保護(hù)層覆蓋其上面、從而提高熒光體層的防濕性能的技術(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]對于日本專利公開N0.2008-151768的技術(shù)，因為熒光體層的側(cè)面暴露于空氣，所以其抗?jié)癫怀浞?。對于日本專利公開N0.2008-8899的技術(shù)，在從像素陣列到放射線檢測裝置邊緣的距離短的所謂的窄框緣(bezel)邊上，抗?jié)衲じ采w直至傳感器基板的側(cè)面，因而，框緣部分的寬度因抗?jié)衲ぷ儗挕２⑶?，對于利用抗?jié)衲さ募夹g(shù)，如果抗?jié)衲け粍兟?，則防濕性能下降。對于日本專利公開N0.2006-52986的技術(shù)，熒光體層的防濕性能提高，但是在該技術(shù)中根本就沒有考慮框緣的變窄。因此，本發(fā)明的一個方面提供一種用于在至少一部分的邊為窄框緣的放射線檢測裝置中提高防濕性能的技術(shù)。
[0004]第一方面提供了一種制造放射線檢測裝置的方法，包括:在其上形成有像素陣列的傳感器基板上，形成覆蓋像素陣列的閃爍體層、覆蓋閃爍體層的側(cè)面的密封層、以及覆蓋閃爍體層的上面和密封層的上面的保護(hù)層；以及沿像素陣列的邊切割傳感器基板、密封層、以及保護(hù)層，以使得傳感器基板的切割表面、密封層的切割表面、以及保護(hù)層的切割表面被布置在同一平面上。
[0005]第二方面提供了一種放射線檢測裝置，包括:具有像素陣列的傳感器基板；覆蓋像素陣列的閃爍體層；覆蓋閃爍體層的側(cè)面的密封層；以及覆蓋閃爍體層的上面和密封層的上面的保護(hù)層，其中，傳感器基板的至少一個側(cè)面位于與密封層的側(cè)面和保護(hù)層的側(cè)面相同的平面上。
[0006]從(參照附圖)對示例性實(shí)施例的如下描述，本發(fā)明的進(jìn)一步的特征將變得顯而易見。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]被并入說明書中并構(gòu)成其一部分的附圖示出本發(fā)明的實(shí)施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
[0008]圖1A和IB是示出本發(fā)明的一些實(shí)施例的放射線檢測裝置的示例性制造方法的示圖。[0009]圖2A至2F是示出圖1A和IB中的實(shí)施例的變型的示圖。
[0010]圖3是示出本發(fā)明的一些實(shí)施例的放射線檢測裝置的示例性制造方法的示圖。
[0011]圖4是示出本發(fā)明的一些實(shí)施例的放射線檢測裝置的示例性制造方法的示圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]下面將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。貫穿于不同的實(shí)施例，類似的元件被給予相同的附圖標(biāo)記，并且將省略其冗余描述。并且，實(shí)施例可被適當(dāng)修改或者組合。本發(fā)明的實(shí)施例涉及放射線檢測裝置以及該放射線檢測裝置的制造方法，該放射線檢測裝置包括多個用于檢測光的像素以陣列布置的像素陣列、以及將入射的放射線轉(zhuǎn)換成具有可被像素檢測的波長的光的閃爍體層。本發(fā)明的實(shí)施例尤其涉及在其一部分的邊上從像素陣列到放射線檢測裝置邊緣的距離短的放射線檢測裝置，如用于乳房攝影(mammography)的放射線檢測裝置中那樣。以下，在其上到放射線檢測裝置邊緣的距離短的該邊將被稱為窄框緣邊。
[0013]將參照圖1A和IB描述根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的放射線檢測裝置的制造方法。首先，如圖1A所示，制備具有傳感器基板100的結(jié)構(gòu)，在所述傳感器基板100上形成有覆蓋層110、閃爍體層120、密封層130和131、以及保護(hù)層140和141。在圖1A中，下圖是該結(jié)構(gòu)的平面圖，右上圖是該結(jié)構(gòu)的右側(cè)視圖，左上圖是沿線A-A獲取的該結(jié)構(gòu)的橫截面圖。出于解釋的目的，平面圖示出了傳感器基板100、閃爍體層120、以及密封層130和131，并省略了其它組件。
[0014]在傳感器基板100上，形成了具有以陣列布置的多個像素101的像素陣列102。像素101將由閃爍體層120從放射線轉(zhuǎn)換的光轉(zhuǎn)換為電荷。可通過任何方法(例如通過已知方法)形成像素陣列102，并且因此將省略其詳細(xì)描述。例如，每個像素101可由開關(guān)元件和光電轉(zhuǎn)換元件構(gòu)成，該開關(guān)元件由非晶硅或者多晶硅制成。并且，CCD傳感器或者CMOS傳感器可由像素陣列102構(gòu)成。并且，傳感器基板100可包含用于在傳感器基板100的表面上保護(hù)像素陣列102的傳感器保護(hù)層。
[0015]在本實(shí)施例中，在傳感器基板100的像素陣列102的外側(cè)沿著像素陣列102的一邊形成劃片線(scribe line)103。在后述的處理中，使用劃片線103作為標(biāo)記切割傳感器基板100。劃片線103是在離像素陣列102的距離為例如2mm或者更小的位置處形成的槽。
[0016]隨后，使用諸如狹縫涂敷、旋涂、或者絲網(wǎng)印刷的技術(shù)，在傳感器基板100上形成由諸如聚酰亞胺(PI)的樹脂制成的覆蓋層110。通過覆蓋層110，閃爍體層120和傳感器基板100之間的粘附性提高，從而導(dǎo)致增加的制造產(chǎn)量。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，不必要必須形成覆蓋層110，閃爍體層120可直接形成在傳感器基板100上。
[0017]隨后，在覆蓋層110上形成密封層130和131以便覆蓋像素陣列102的外圍。可首先形成密封層130 (第一部分)或密封層131 (第二部分)。在本實(shí)施例中，在其上形成劃片線103的邊上形成密封層130，并且密封層131形成在其它邊上。密封層130形成在劃片線103上。密封層130和131可由環(huán)氧樹脂、硅樹脂、丙烯酸樹脂、丙烯酸-有機(jī)硅樹脂(acrylic-silicone resin)、紫外線(UV)固化樹脂或酹醒樹脂等制成。盡管在本實(shí)施例中密封層130和密封層131由不同材料制成，但是在另一實(shí)施例中它們可由相同的材料制成。密封層130和131用作閃爍體層120的抗?jié)裾掣綄印?br> [0018]由于在后述的處理中密封層130與傳感器基板100 —起被切割，所以它可由適合切割的材料制成。例如，在密封層130被能夠切割鋁氧化物(明礬石)、鋁、聚四氟乙烯、不銹鋼、丙烯酸樹脂、玻璃和石英玻璃等的二氧化碳激光(CO2激光)切割的情形中，密封層130可由丙烯酸樹脂制成。在上面列舉的材料中，由于丙烯酸樹脂的吸收波長與激光束機(jī)器的發(fā)射波長(10.6 μ m) 一致，所以丙烯酸樹脂適合于切割。并且，如果丙烯酸樹脂被切割，則丙烯酸樹脂的防濕性能由于二氧化碳激光所產(chǎn)生的熱而提高。由于當(dāng)密封層130被切割時其寬度變窄，所以密封層130可由黑色樹脂制成，以提高其阻擋來自外部的光和阻止來自閃爍體層120的光的散射的功能。例如，可通過把將成為密封層130的材料的丙烯酸樹脂與炭黑等混合來獲得黑色樹脂。
[0019]在后述的處理中密封層131不被切割，因而不必考慮其是否適合于切割。出于這個原因，密封層131可由防濕性能優(yōu)于密封層130的防濕性能的材料制成。例如，密封層131可由防濕性能優(yōu)于丙烯酸樹脂的防濕性能的環(huán)氧樹脂制成。
[0020]一般地，在使用不同材料制造密封層130和密封層131的情形中，可選擇材料以使得密封層130比密封層131更適合于切割，并且密封層131的防濕性能優(yōu)于密封層130的防濕性能。例如，除了上述例子之外的這樣組合的一個例子可以是由硅樹脂制成的密封層130和由環(huán)氧樹脂制成的密封層131。
[0021]隨后，使用掩模覆蓋除了由密封層130和131包圍的區(qū)域(S卩，像素陣列102部分)之外的區(qū)域，并且通過真空沉積等形成閃爍體層120。例如，閃爍體層120由已通過氣相沉積碘化銫(CsI)或碘化鈉(NaI)等生長的具有柱狀結(jié)構(gòu)的晶體的集合體(set)形成。作為用于氣相沉積的摻雜劑(活化劑)，鉈(Tl)或鈉(Na)等可被使用。用于覆蓋密封層130和131的上面以及覆蓋層110的在密封層130和131之外的部分的掩模的材料可以是膠帶、金屬掩模、玻璃掩模、陶瓷掩?；蛳鹉z片掩模等。在使用膠帶的情形中，可使用具有優(yōu)良的耐熱性能的聚酰亞胺膠帶，并且在使用橡膠片的情形中，可使用氟橡膠。閃爍體層120可被生長，以使得其高度(即，離覆蓋層110的距離)等于密封層130和131的高度(即，離覆蓋層110的距離)。通過將閃爍體層120的高度設(shè)置為與密封層130和131的高度相同，由保護(hù)層140和141實(shí)現(xiàn)的密封性能提高。在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，閃爍體層120可具有與密封層130和131的高度不同的高度。
[0022]隨后，保護(hù)層140和141被接合到閃爍體層120的上面以及密封層130和131的上面。此時，通過將保護(hù)層140接合到保護(hù)層141獲得的片可被接合到閃爍體層120以及密封層130和131。作為代替，保護(hù)層140可被接合到閃爍體層120以及密封層130和131，然后保護(hù)層141可被進(jìn)一步接合到那里。保護(hù)層140用作閃爍體層120的抗?jié)癖Ｗo(hù)層和粘附層，并例如可由熱熔樹脂(HM)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亞胺(PI)等制成。在這些材料中，具有優(yōu)良的防濕性能的熱熔樹脂可被用于形成保護(hù)層140。熱熔樹脂指的是不包含水或者溶劑、室溫為固態(tài)、并由100%不揮發(fā)性的熱塑性材料制成的粘附樹脂。熱熔樹脂當(dāng)樹脂溫度上升時熔化，并當(dāng)樹脂溫度下降時凝固。并且，熱熔樹脂當(dāng)在加熱和熔化狀態(tài)中時粘附于其它有機(jī)材料和無機(jī)材料，而在室溫時在固態(tài)中沒有粘附性。并且，由于熱熔樹脂不包含極性溶劑、溶劑或者水，所以它不使潮解性的閃爍體層(例如，由堿鹵化物制成的具有柱狀晶體結(jié)構(gòu)的閃爍體層)熔化，即使當(dāng)與閃爍體層接觸時也如此。保護(hù)層141用作閃爍體層120的抗?jié)癖Ｗo(hù)層和反射層，并且例如是由鋁(AL)等制成的金屬層，或者是由Al/PET或A1/PI等制成的金屬/樹脂層疊結(jié)構(gòu)。盡管在本實(shí)施例中形成了兩個保護(hù)層140和141，但是保護(hù)層可為單層。一般地，保護(hù)層可由任何類型的材料制成并可具有任何類型的結(jié)構(gòu)，只要它能覆蓋閃爍體層120的上面并具有防濕性能。
[0023]隨后，如圖1B所示，使用劃片線103作為標(biāo)記來切割圖1A所示的結(jié)構(gòu)，以制造放射線檢測裝置150。在圖1B中，下圖是放射線檢測裝置150的平面圖，右上圖是放射線檢測裝置150的右側(cè)視圖，左上圖是沿線B-B獲取的放射線檢測裝置150的橫截面圖。出于解釋的目的，平面圖示出了傳感器基板100、閃爍體層120、以及密封層130和131，并省略了其它組件。由于覆蓋層110、密封層130、以及保護(hù)層140和141形成在劃片線103上，所以覆蓋層110、密封層130、以及保護(hù)層140和141通過使用劃片線103作為標(biāo)記切割傳感器基板100也被一起切割?？山柚诮饎偸?、切塊(dicing)或二氧化碳激光等來執(zhí)行切害I]。因此，傳感器基板100的切割表面、覆蓋層110的切割表面、密封層130的切割表面、以及保護(hù)層140和141的切割表面位于同一平面上。
[0024]在通過上述制造方法獲得的放射線檢測裝置150中，密封層和保護(hù)層在放射線檢測裝置150的一邊上未形成在傳感器基板100的側(cè)面上，因此縮短從像素陣列102到放射線檢測裝置150的邊緣的距離是可能的。在本實(shí)施例中，放射線檢測裝置150的邊緣在該窄框緣邊上與劃片線103 —致。并且，由于傳感器基板100、覆蓋層110、密封層130、保護(hù)層140和141被集體切割，所以制造過程被簡化。此外，由于使用具有防濕性能的密封層130和131以及保護(hù)層140和141覆蓋閃爍體層120，所以它沒有削弱放射線檢測裝置150的防濕性能。并且，由于密封層或者保護(hù)層未形成在傳感器基板100的背面上，所以即使放射線檢測裝置150是所謂的背面照射型(back-side illumination type)的放射線檢測裝置，保護(hù)層也不引起偽影(artifact)，所謂的背面照射型的放射線檢測裝置是放射線從傳感器基板100的背面進(jìn)入的放射線檢測裝置。
[0025]盡管在上述實(shí)施例中放射線檢測裝置150的四邊中的僅一邊為窄框緣邊，但是在另一實(shí)施例中，多邊可通過向其應(yīng)用上述方法而被形成為窄框緣邊。例如，放射線檢測裝置的兩相對邊可為窄框緣邊，或者兩鄰接邊可為窄框緣邊?？商娲兀派渚€檢測裝置的三邊可為窄框緣邊，或者所有的四邊可為窄框緣邊。在這種情形中，密封層130可被布置在窄框緣邊上，并且密封層131可被布置在其它邊上。
[0026]并且，在上述實(shí)施例中，使用密封層130和131覆蓋閃爍體層120的所有四個側(cè)面。然而，在另一實(shí)施例中，可在包括窄框緣邊的一邊或者更多邊上使用密封層覆蓋閃爍體層120的側(cè)面，并且可使用保護(hù)層140和141或者其它抗?jié)衿采w閃爍體層120的其它側(cè)面。
[0027]接下來，將使用圖2A至2F描述上述第一實(shí)施例的制造方法的不同變型。這些變型可被適當(dāng)組合。圖2A是第一變型的放射線檢測裝置210的平面圖。除了放射線檢測裝置210包括電組件211之外，放射線檢測裝置210與放射線檢測裝置150類似。電組件211是用于將由像素101獲得的信號輸出到外部的組件，并且例如由具有IC的柔性線纜構(gòu)成。電組件211被布置在除了窄框緣邊之外的邊上。盡管在圖2A的例子中它被布置在與窄框緣邊相對的邊上，但是它可被布置在與窄框緣邊相鄰的邊上。并且，它可被布置在除了窄框緣邊之外的三邊中的僅一邊或者兩邊上，或者所有這三邊上。電組件211可在閃爍體層120、密封層130和131、以及保護(hù)層140和141形成之前形成在傳感器基板100上，或者可在它們形成之后形成在傳感器基板100上。并且，電組件211可在傳感器基板100等被切割之前形成，或者可在它們被切割之后形成。
[0028]圖2B是第二變型的放射線檢測裝置220的橫截面圖。除了傳感器基板100包括漸縮(tapered)部分221之外，放射線檢測裝置220與放射線檢測裝置150類似。通過去除包括圖1B所示的放射線檢測裝置150的傳感器基板100的邊之中由切割表面和背面(與其上形成有閃爍體層120的面相對的面)形成的邊的部分，形成漸縮部分221?？紤]到制造的容易性，漸縮部分221的角度可為45度。漸縮部分221的倒角尺寸(chamfer dimension)可小于或者等于Cl。如果傳感器基板100由玻璃制成，那么倒角尺寸可大于或者等于C0.3，例如C0.5。
[0029]作為傳感器基板100具有漸縮部分221的結(jié)果，裂縫等被從傳感器基板100去除，傳感器基板100的機(jī)械強(qiáng)度增大，并且放射線檢測裝置220的耐用性提高。并且，在放射線檢測裝置220是背面照射型的放射線檢測裝置的情形中，作為傳感器基板100具有漸縮部分221的結(jié)果，接近切割表面的偽影可被減少。漸縮部分221可僅在如圖2B所示的窄框緣邊上形成，或者漸縮部分221可在傳感器基板100的其它邊上另外形成。
[0030]圖2C是第三變型的放射線檢測裝置230的橫截面圖。除了放射線檢測裝置230的傳感器基板100具有取代漸縮部分221的拋光部分(polished portion) 231之外，放射線檢測裝置230與放射線檢測裝置220類似。通過拋光并研磨包括圖1B所示的放射線檢測裝置150的傳感器基板100的邊之中由切割表面和背面(與其上形成有閃爍體層120的面相對的面)形成的邊的部分，形成每個拋光部分231。
[0031]放射線檢測裝置220和230的類似之處在于:傳感器基板100的厚度從傳感器基板100的中心朝向其側(cè)面變得更薄。作為具有這種形狀的結(jié)果，與整個傳感器基板100被均勻地減薄的情形相比，維持機(jī)械強(qiáng)度、減少在傳感器基板100的邊緣處的光散射、以及提高位于靠近邊緣的位置處的像素陣列102中像素101的MTF是可能的。特別地，可在窄框緣邊上提高像素101的MTF，這在當(dāng)放射線檢測裝置220和230被用于乳房攝影中時是有效的。
[0032]圖2D是第四變型的放射線檢測裝置240的橫截面圖。除了放射線檢測裝置240在保護(hù)層140和141中具有熱密封部分241之外，放射線檢測裝置240與放射線檢測裝置150類似。熱密封部分241是作為從上面熱密封保護(hù)層140和141的結(jié)果而比保護(hù)層140和141的其它部分薄的部分。熱密封部分241可形成在密封層130和131上，或者可形成在密封層130和131以及閃爍體層120之上。作為形成了熱密封部分241的結(jié)果，閃爍體層120的防濕性能提高。熱密封部分241可在第一實(shí)施例的切割處理之前形成，或者可在切割處理之后形成。如果熱密封部分241在切割處理之前形成，那么可提高在切割處理期間閃爍體層120的防濕性能。熱密封部分241可僅在覆蓋其寬度由于切割而變細(xì)的密封層130的部分中形成，或者可具有圍繞閃爍體層120的閉合線形狀。
[0033]圖2E是第五變型的放射線檢測裝置250的橫截面圖。除了放射線檢測裝置250具有取代熱密封部分241的熱密封部分251之外，放射線檢測裝置250與放射線檢測裝置240類似。熱密封部分251可與熱密封部分241類似地形成，但是在密封層130的切割表面被覆蓋的位置處形成。例如在切割處理之前，通過在保護(hù)層140和141上在劃片線103被覆蓋的位置處形成熱密封部分251，來形成這樣的熱密封部分251之一。這樣形成的熱密封部分251在切割處理中與傳感器基板100等一起被切割。結(jié)果，熱密封部分251的切割表面也位于與傳感器基板100等的切割表面相同的平面上。
[0034]圖2F示出第六變型的放射線檢測裝置260中在密封層130周圍的部分的放大的橫截面圖。在第一實(shí)施例中閃爍體層120在密封層130和131形成之后形成，然而，相反地，在第六變型中密封層130和131在閃爍體層120形成之后形成。在第六變型中，可使用柱狀晶體121的集合體形成閃爍體層120，并且密封層130和131可由在固化之前具有流動性能的樹脂制成。在這種情形中，用于形成密封層130的樹脂的一部分進(jìn)入柱狀晶體121的柱之間。結(jié)果，進(jìn)一步提高閃爍體層120的防濕性能。
[0035]將參照圖3描述根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的放射線檢測裝置的制造方法。與第一實(shí)施例的組件類似的組件將被給予相同的附圖標(biāo)記，并且將省略其冗余描述。并且，第一實(shí)施例的變型可類似地應(yīng)用到第二實(shí)施例。首先，制備具有傳感器基板100的結(jié)構(gòu)，在傳感器基板100上形成有覆蓋層110，閃爍體層120a和120b，密封層330、331a和331b，以及保護(hù)層140和141。在圖3中，下圖是該結(jié)構(gòu)的平面圖，右上圖是該結(jié)構(gòu)的右側(cè)視圖，左上圖是沿線C-C獲取的該結(jié)構(gòu)的橫截面圖。出于解釋的目的，平面圖示出了傳感器基板100，閃爍體層120a和120b，以及密封層330、331a和331b，并省略了其它組件。
[0036]在傳感器基板100上，形成兩個像素陣列，即像素陣列102a (第一像素陣列)和像素陣列102b (第二像素陣列),在兩個像素陣列的每一個中以陣列布置多個像素101。像素陣列102a和102b可具有與第一實(shí)施例中描述的像素陣列102的配置類似的配置，并且將省略其冗余描述。像素陣列102a和像素陣列102b彼此相鄰，并且被形成以使得其間的間隔例如為4mm或者更小。像素陣列102a的一邊面對像素陣列102b的一邊。在本實(shí)施例中，劃片線303形成在像素陣列102a和像素陣列102b之間。
[0037]隨后，如第一實(shí)施例中那樣，形成覆蓋層110，并且在覆蓋層110上形成密封層330、331a和331b。密封層330可由與第一實(shí)施例的密封層130的材料類似的材料制成，并且密封層331a和331b可由與第一實(shí)施例的密封層131的材料類似的材料制成。密封層330形成在像素陣列102a和像素陣列102b之間的區(qū)域被覆蓋的位置處。密封層331a在像素陣列102a的剩余三邊的周圍形成。密封層331b在像素陣列102b的剩余三邊的周圍形成。
[0038]隨后，與第一實(shí)施例的閃爍體層120類似，形成覆蓋像素陣列102a的閃爍體層120a (第一閃爍體層)和覆蓋像素陣列102b的閃爍體層120b (第二閃爍體層)?？稍谕粴庀喑练e處理中形成閃爍體層120a和閃爍體層120b。使用密封層330覆蓋這樣形成的閃爍體層120a的一個側(cè)面(即，面對閃爍體層120b的側(cè)面)，并且使用密封層331a覆蓋閃爍體層120a的剩余側(cè)面。并且，使用密封層330覆蓋這樣形成的閃爍體層120b的一個側(cè)面(即，面對閃爍體層120a的側(cè)面)，并且使用密封層331b覆蓋閃爍體層120b的剩余側(cè)面。
[0039]隨后，如第一實(shí)施例中那樣，形成保護(hù)層140和141。之后，如第一實(shí)施例中那樣使用劃片線303作為標(biāo)記來切割傳感器基板100，從而覆蓋層110、密封層330、以及保護(hù)層140和141也被一起切割。在本實(shí)施例中，通過執(zhí)行單個氣相沉積處理和單個切割處理，可一次形成各在圖1B中示出的兩個放射線檢測裝置150。結(jié)果，可減少處理的數(shù)量和制造成本。
[0040]將使用圖4描述根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的放射線檢測裝置的制造方法。與第一實(shí)施例的組件類似的組件將被給予相同的附圖標(biāo)記，并且將省略其冗余描述。并且，第一實(shí)施例的變型可類似地應(yīng)用到第三實(shí)施例。首先，制備具有傳感器基板100的結(jié)構(gòu)，在傳感器基板100上形成覆蓋層110，閃爍體層120a和120b，密封層430、431a和431b，以及保護(hù)層140和141。在圖4中，下圖是該結(jié)構(gòu)的平面圖，右上圖是該結(jié)構(gòu)的右側(cè)視圖，左上圖是沿線D-D獲取的該結(jié)構(gòu)的橫截面圖。出于解釋的目的，平面圖示出了傳感器基板100，閃爍體層120a和120b，以及密封層430、431a和431b，并省略了其它組件。
[0041]在傳感器基板100上，形成兩個像素陣列，即像素陣列102a (第一像素陣列)和像素陣列102b (第二像素陣列),在兩個像素陣列的每一個中以陣列布置多個像素101。像素陣列102a和102b可具有與第一實(shí)施例中描述的像素陣列102的配置類似的配置，并且將省略其冗余描述。像素陣列102a和像素陣列102b彼此相鄰，并且被形成以使得其間的間隔例如為4mm或者更小。像素陣列102a的一邊面對像素陣列102b的一邊。在本實(shí)施例中，沿著像素陣列102a的與其面對像素陣列102b的邊相鄰的邊之一形成劃片線403a，并且在像素陣列102a和像素陣列102b之間形成劃片線403b。劃片線403a也沿著像素陣列102b的邊。
[0042]隨后，如第一實(shí)施例中那樣，形成覆蓋層110，并且在覆蓋層110上形成密封層430、431a和431b。密封層430可由與第一實(shí)施例的密封層130的材料類似的材料制成，并且密封層431a和431b可由與第一實(shí)施例的密封層131的材料類似的材料制成。密封層430形成在像素陣列102a和像素陣列102b之間的區(qū)域被覆蓋的位置處，并且在像素陣列102a和102b中的每一個的與該區(qū)域相鄰的一邊的周圍。密封層431a在像素陣列102a的剩余兩邊的周圍形成。密封層431b在像素陣列102b的剩余兩邊的周圍形成。
[0043]隨后，以與第一實(shí)施例的閃爍體層120類似的方式形成覆蓋像素陣列102a的閃爍體層120a (第一閃爍體層)和覆蓋像素陣列102b的閃爍體層120b (第二閃爍體層)?？稍谕粴庀喑练e處理中形成閃爍體層120a和閃爍體層120b。使用密封層430覆蓋這樣形成的閃爍體層120a的兩個相鄰側(cè)面(即，面對閃爍體層120b的側(cè)面和與其相鄰的側(cè)面)，并且使用密封層431a覆蓋閃爍體層120a的剩余側(cè)面。并且，使用密封層430覆蓋這樣形成的閃爍體層120b的兩個側(cè)面(面對閃爍體層120a的側(cè)面和與其相鄰的側(cè)面)，并且使用密封層431b覆蓋閃爍體層120b的剩余側(cè)面。
[0044]隨后，如第一實(shí)施例中那樣，形成保護(hù)層140和141。之后，使用劃片線403a作為標(biāo)記來切割傳感器基板100，然后使用劃片線403b作為標(biāo)記來切割傳感器基板100，從而，覆蓋層110、密封層330、以及保護(hù)層140和141也被一起切割。各自的切割處理可類似于第一實(shí)施例的切割處理被執(zhí)行。在本實(shí)施例中，通過執(zhí)行單個氣相沉積處理和兩個切割處理，可一次形成具有兩個窄框緣邊的兩個放射線檢測裝置。結(jié)果，可減少處理的數(shù)量和制造成本。
[0045]這里，在跨越(across)閃爍體層120b面對其上設(shè)置劃片線403a的邊的邊上制備劃片線403c。在一方面，可使用劃片線403a作為標(biāo)記來切割傳感器基板100，而在另一方面，可使用劃片線403c作為標(biāo)記來切割傳感器基板100。由此，不僅可以減少處理的數(shù)量和制造成本，而且可以制造具有兩個窄框緣邊的同樣的放射線檢測裝置。此外，可通過切割劃片線403a、403b和403c來制造具有三個窄框緣邊的同樣的放射線檢測裝置。
[0046]盡管已經(jīng)參照示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但要理解的是，本發(fā)明并不局限于所公開的示例性實(shí)施例。以下權(quán)利要求的范圍要被賦予最寬的解釋，以便包含所有這樣的修改以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。
【權(quán)利要求】
1.一種制造放射線檢測裝置的方法，包括: 在其上形成有像素陣列的傳感器基板上形成覆蓋像素陣列的閃爍體層、覆蓋閃爍體層的側(cè)面的密封層、以及覆蓋閃爍體層的上面和密封層的上面的保護(hù)層；以及 沿像素陣列的邊切割傳感器基板、密封層、以及保護(hù)層，以使得傳感器基板的切割表面、密封層的切割表面、以及保護(hù)層的切割表面被布置在同一平面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法， 其中，密封層包括覆蓋閃爍體層的一個或者更多個側(cè)面的第一部分、以及覆蓋閃爍體層的其它的一個或者更多個側(cè)面的第二部分，以及在切割期間，密封層的第一部分被切割。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法， 其中，密封層的第二部分由防濕性能優(yōu)于密封層的第一部分的防濕性能的材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括: 朝向密封層對保護(hù)層進(jìn)行熱密封，以形成保護(hù)層中的熱密封部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的方法， 其中，在切割期間，保護(hù)層在熱密封部分中被切割。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的方法， 其中，所述形成包括沿像素陣列的邊在傳感器基板上形成劃片線，` 密封層形成在劃片線上，以及 使用劃片線執(zhí)行切割。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的方法， 其中，所述形成包括在使用柱狀晶體的集合體形成閃爍體層之后使用樹脂形成密封層，以及 用于形成密封層的樹脂進(jìn)入柱狀晶體的集合體的柱之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括: 去除傳感器基板的背面的一部分，以使得傳感器基板的厚度朝向傳感器基板的切割表面變得更薄。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法， 其中，在所述形成期間，彼此相鄰的第一像素陣列和第二像素陣列各被作為所述像素陣列形成在傳感器基板上，并且第一像素陣列的一邊面對第二像素陣列的一邊， 閃爍體層包括覆蓋第一像素陣列的第一閃爍體層和覆蓋第二像素陣列的第二閃爍體層， 密封層覆蓋第一閃爍體層的側(cè)面和第二閃爍體層的側(cè)面， 保護(hù)層覆蓋第一閃爍體層的上面、第二閃爍體層的上面、以及密封層的上面，以及在切割期間，傳感器基板、密封層、以及保護(hù)層在第一像素陣列和第二像素陣列之間的位置處被切割。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的方法，進(jìn)一步包括: 在切割之前，沿第一像素陣列的與其面對第二像素陣列的邊相鄰的邊切割傳感器基板、密封層、以及保護(hù)層。
11.一種放射線檢測裝置，包括:具有像素陣列的傳感器基板； 覆蓋像素陣列的閃爍體層； 覆蓋閃爍體層的側(cè)面的密封層；以及 覆蓋閃爍體層的上面和密封層的上面的保護(hù)層， 其中，傳感器基板的至少一個側(cè)面位于與密封層的側(cè)面和保護(hù)層的側(cè)面相同的平面上。`
【文檔編號】H01L27/146GK103531600SQ201310270654
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年7月1日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月4日
【發(fā)明者】野村慶一, 長野和美, 岡田聰, 石田陽平, 猿田尚志郎, 佐佐木慶人, 市村知昭 申請人:佳能株式會社