有機(jī)物沉積裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的有機(jī)物沉積裝置，用于沉積有機(jī)物，包括工藝腔室、第一輸送軌道、第二輸送軌道、至少一個(gè)掩模組合體、至少一個(gè)基板組合體及至少一個(gè)沉積源。所述第一輸送軌道及所述第二輸送軌道分別配置在所述工藝腔室的內(nèi)部，所述第二輸送軌道與所述第一輸送軌道隔開并配置在所述第一輸送軌道的上部。所述掩模組合體與所述第一輸送軌道結(jié)合并沿著所述第一輸送軌道輸送，所述基板組合體與基板及所述第二輸送軌道結(jié)合并沿著所述第二輸送軌道輸送。而且，所述沉積源配置在所述工藝腔室的內(nèi)部并向所述掩模組合體及所述基板組合體側(cè)提供所述有機(jī)物。
【專利說明】有機(jī)物沉積裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種有機(jī)物沉積裝置，更為詳細(xì)地涉及一種通過蒸發(fā)法在基板上沉積有機(jī)物的有機(jī)物沉積裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置時(shí)普遍使用有機(jī)物沉積裝置。例如，所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置可包括陽極、陰極和設(shè)置在這兩個(gè)電極之間的空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層。此時(shí)，可通過所述有機(jī)物沉積裝置在基板上沉積有機(jī)物，從而形成所述空穴注入層、所述空穴傳輸層、所述有機(jī)發(fā)光層、所述電子傳輸層及所述電子注入層。
[0003]另外,一般來講在基板上沉積有機(jī)物時(shí)普遍使用蒸發(fā)法(evaporation)。根據(jù)所述蒸發(fā)法，在腔室內(nèi)配置有用于加熱有機(jī)物使之蒸發(fā)的沉積源，而且在基板上沉積通過所述沉積蒸發(fā)的有機(jī)物。然而，所述蒸發(fā)法需要在所述腔室的內(nèi)部空間配置所述基板及掩模，因此由于所述基板及所述掩模的荷載，可能會導(dǎo)致所述掩模外形的變形。所以，隨著所述基板大小的增加，所述問題會更加嚴(yán)重，為此正在研究解決該問題的諸多方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種有機(jī)物沉積裝置，該裝置在基`板上有效地沉積有機(jī)物，從而更加適合于批量生產(chǎn)。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的所述目的，本發(fā)明的有機(jī)物沉積裝置包括工藝腔室、第一輸送軌道、第二輸送軌道、至少一個(gè)掩模組合體、至少一個(gè)基板組合體及至少一個(gè)沉積源。
[0006]所述第一輸送軌道及所述第二輸送軌道分別配置在所述工藝腔室的內(nèi)部，所述第二輸送軌道與所述第一輸送軌道隔開并配置在所述第一輸送軌道的上部。所述掩模組合體與所述第一輸送軌道結(jié)合并沿所述第一輸送軌道輸送，所述基板組合體與所述基板及所述第二輸送軌道結(jié)合并沿所述第二輸送軌道輸送。而且，所述沉積源配置在所述工藝腔室的內(nèi)部并向所述掩模組合體及所述基板組合體側(cè)提供所述有機(jī)物。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)物沉積裝置，配置有基板的基板組合體與配置有掩模的掩模組合體隔開，因此在所述基板上沉積有機(jī)物時(shí)，所述掩模不會受到所述基板的荷載，故能夠防止因所述荷載所致的所述掩模外形的變形。所以，使用所述有機(jī)物沉積裝置能夠更加容易地在大型基板上沉積有機(jī)物。
[0008]而且，根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)物沉積裝置，在一個(gè)工藝腔室內(nèi)可配置彼此相同或不同的多個(gè)沉積源、多個(gè)基板組合體及多個(gè)掩模組合體，因此能夠?qū)ε渲迷谒龆鄠€(gè)基板組合體的多個(gè)基板同時(shí)沉積彼此相同或彼此不同的有機(jī)物。因此能夠縮短有機(jī)物沉積工序所需的時(shí)間，而且能夠更加有效地實(shí)現(xiàn)在沉積有機(jī)物時(shí)所需的裝置結(jié)構(gòu)。
【專利附圖】

【附圖說明】[0009]圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施例的有機(jī)物沉積裝置的剖視圖。
[0010]圖2是圖1所示工藝腔室內(nèi)部的局部放大立體圖。
[0011]圖3a是圖2所示掩模組合體的分解立體圖。
[0012]圖3b是圖2所示基板組合體的分解立體圖。
[0013]圖4是本發(fā)明的另一實(shí)施例的有機(jī)膜沉積裝置的剖視圖。
[0014]圖5是圖4所示掩模組合體的分解立體圖。
[0015]圖6是本發(fā)明的又一實(shí)施例的有機(jī)物沉積裝置的剖視圖。
[0016]圖7是本發(fā)明的又一實(shí)施例的有機(jī)物沉積裝置的剖視圖。
[0017]符號說明
[0018]10:掩模組合體 50:基板組合體
[0019]OM:開放掩模PM:構(gòu)圖掩模
[0020]MC:掩模載體SB:基板
[0021]CK:夾緊部件SC:基板載體
[0022]RLl:第一輸送軌道 RL2:第二輸送軌道
[0023]PC:工藝腔室Cl:第一輔助腔室
[0024]C2:第二輔助腔室 DRl:送入口
[0025]DR2:送出口SR:傳感部
[0026]S1:第一沉積源 100:有機(jī)物沉積裝置
【具體實(shí)施方式】
[0027]下面參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施例。通過與附圖相關(guān)的實(shí)施例能夠容易理解本發(fā)明的所述目的、特征及效果。但是，本發(fā)明并不局限于在此說明的實(shí)施例，可以以多種形態(tài)應(yīng)用變形。反而，將在后面描述的本發(fā)明的實(shí)施例是為了更加明確地說明本發(fā)明公開的技術(shù)思想進(jìn)而為了向本發(fā)明所屬領(lǐng)域中具有平均知識的技術(shù)人員充分地傳遞本發(fā)明技術(shù)思想而提供的。因此，本發(fā)明的范圍不應(yīng)解釋為僅局限于以下實(shí)施例。另外，在以下實(shí)施例和附圖中的相同的附圖標(biāo)記表示相同的結(jié)構(gòu)要素。
[0028]圖1是本發(fā)明的第一實(shí)施例的有機(jī)物沉積裝置的剖視圖，圖2是圖1所示工藝腔室內(nèi)部的局部放大立體圖。
[0029]參照圖1及圖2，有機(jī)物沉積裝置100是在基板SB上沉積有機(jī)物的裝置，在本發(fā)明的實(shí)施例中所述有機(jī)物沉積裝置100可用于有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造。例如，可通過所述有機(jī)物沉積裝置100在所述基板SB上沉積有機(jī)物，從而形成實(shí)現(xiàn)所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的像素的空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子注入層及電子傳輸層。
[0030]所述有機(jī)物沉積裝置100包括工藝腔室PC、第一沉積源S1、第二沉積源S2、第三沉積源S3、第一輸送軌道RLl、第二輸送軌道RL2、第一輔助腔室Cl、第二輔助腔室C2、掩模組合體10及基板組合體50。
[0031]所述工藝腔室PC提供執(zhí)行有機(jī)物沉積工序的空間，所述有機(jī)物沉積工序?yàn)樵谒龌錝B上沉積從所述第一至第三沉積源S1、S2、S3提供的有機(jī)物的工序。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述有機(jī)物沉積工序可應(yīng)用蒸發(fā)法(evaporation),該蒸發(fā)法使有機(jī)物蒸發(fā),從而在所述基板SB上沉積蒸發(fā)的所述有機(jī)物。此時(shí)，所述工藝腔室PC的內(nèi)部可保持真空。[0032]所述工藝腔室PC的一側(cè)形成有送入口 DRl，所述工藝腔室PC的另一側(cè)形成有送出口 DR2，因此，所述掩模組合體10及所述基板組合體50能夠通過所述送入口 DRl投入到所述工藝腔室PC的內(nèi)部，而且在所述工藝腔室PC的內(nèi)部完成所述有機(jī)物沉積工序后，所述掩模組合體10及所述基板組合體50能夠通過所述送出口 DR2從所述工藝腔室PC送出。
[0033]所述第一至第三沉積源S1、S2、S3使有機(jī)物蒸發(fā)并將蒸發(fā)的所述有機(jī)物向所述掩模組合體10及所述基板組合體50側(cè)提供。在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述第一至第三沉積源
S1、S2、S3可在所述工藝腔室PC的內(nèi)部在所述工藝腔室PC的底面上相互隔開并且沿著第一方向Dl排列，而且從所述第一至第三沉積源S1、S2、S3提供的蒸發(fā)的所述有機(jī)物能夠以與所述第一方向Dl垂直的第二方向D2為中心向所述掩模組合體10及所述基板組合體50側(cè)移動(dòng)。
[0034]而且，在所述工藝腔室PC的所述底面上可配置有第一隔壁Pl及第二隔壁P2。所述第一隔壁Pl配置在所述第一及第二沉積源S1、S2之間，第二隔壁P2配置在所述第二及第三沉積源S2、S3之間。因此，在從所述第一至第三沉積源S1、S2、S3提供的有機(jī)物向所述掩模組合體10及所述基板組合體50側(cè)移動(dòng)的期間，能夠通過所述第一及第二隔壁P1、P2防止所述有機(jī)物的互相混合。
[0035]在本實(shí)施例中，所述第一至第三沉積源S1、S2、S3可提供彼此不同的有機(jī)物。例如，所述有機(jī)物沉積裝置100用于制造有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置時(shí)，所述第一沉積源SI可提供形成所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的空穴注入層的有機(jī)物，所述第二沉積源S2可提供形成所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的空穴傳輸層的有機(jī)物，所述第三沉積源S3可提供形成所述有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層的有機(jī)物。
[0036]而且，在本實(shí)施例中，所述工藝腔室PC配置有所述第一至第三沉積源S1、S2、S3，但所述工藝腔室PC可配置有超過三個(gè)的沉積源，而且所述工藝腔室PC也可配置有少于三個(gè)的沉積源。
[0037]所述第一輔助腔室Cl與所述工藝腔室PC的所述送入口 DRl相鄰配置，所述第二輔助腔室C2與所述工藝腔室PC的所述送出口 DR2相鄰配置。因此，所述第一輔助腔室Cl的內(nèi)部能夠通過所述送入口 DRl與所述工藝腔室PC的內(nèi)部相通，所述第二輔助腔室C2的內(nèi)部能夠通過所述送出口 DR2與所述工藝腔室PC的內(nèi)部相通。
[0038]在本發(fā)明的實(shí)施例中，向所述工藝腔室PC投入之前的所述掩模組合體10及所述基板組合體50可在所述第一輔助腔室Cl中等待，在所述工藝腔室PC中完成所述有機(jī)物沉積工序的所述掩模組合體10及所述基板組合體50可在所述第二輔助腔室C2中等待。
[0039]所述第一輸送軌道RLl配置為在所述工藝腔室PC的內(nèi)部沿著所述第一方向Dl延伸并直穿所述工藝腔室PC的內(nèi)部。所述第一輸送軌道RLl與所述掩模組合體10結(jié)合并引導(dǎo)所述掩模組合體10的移動(dòng)。
[0040]而且，所述第二輸送軌道RL2在所述工藝腔室PC的內(nèi)部配置在所述第一輸送軌道RLl的上部，所述第二輸送軌道RL2可沿著所述第一方向Dl延伸并與所述第一輸送軌道RLl平行。所述第二輸送軌道RL2與所 述基板組合體50結(jié)合并引導(dǎo)所述基板組合體50的移動(dòng)。
[0041]在本發(fā)明的實(shí)施例中，如上所述，當(dāng)所述工藝腔室PC的兩側(cè)配置有所述第一及第二輔助腔室Cl、C2時(shí)，所述第一及第二輸送軌道RLl、RL2可經(jīng)過所述送入口 DRl及所述送出口 DR2進(jìn)一步向所述第一及第二輔助腔室C1、C2側(cè)延伸。此時(shí)，所述掩模組合體10及所述基板組合體50能夠通過所述第一及第二輸送軌道RLl、RL2依次輸送至所述第一輔助腔室Cl、所述工藝腔室PC及所述第二輔助腔室C2。
[0042]而且，在本發(fā)明的實(shí)施例中，可提供多個(gè)掩模組合體10，并且所述多個(gè)掩模組合體10的數(shù)量與所述第一至第三沉積源S1、S2、S3的數(shù)量相同。此時(shí)，由于所述多個(gè)掩模組合體具有相同的結(jié)構(gòu)，因此將所述多個(gè)掩模組合體中的一個(gè)作為示例，并進(jìn)一步參照圖3a進(jìn)行說明，并且省略對其余掩模組合體的說明。
[0043]圖3a是圖2所示掩模組合體的分解立體圖。
[0044]參照圖1、圖2及圖3a，掩模組合體10包括開放掩模0M、掩模載體MC及掩?？蚣躆F。所述開放掩模OM形成有與基板SB的單元區(qū)域一對一地對應(yīng)的開口部，而且所述開放掩模OM包括多個(gè)支撐部，所述多個(gè)支撐部與所述開放掩模OM的邊緣部連接以提高所述開放掩模OM的剛性。例如，當(dāng)所述基板SB具有第一至第三單元區(qū)域(圖3b的CA1、CA2、CA3)時(shí)，所述開放掩模OM形成有一對一地對應(yīng)所述第一至第三單元區(qū)域的第一至第三開口部0P1、0P2、0P3，而且所述開放掩模OM包括配置在所述第一開口部OPl和第二開口部0P2之間的第一支撐部20及配置在所述第二開口部0P2和第三開口部0P3之間的第二支撐部21。
[0045]所述掩模框架MF具有包圍所述開放掩模OM的所述邊緣部的形狀，并與所述開放掩模OM的所述邊緣部結(jié)合。由此，所述開放掩模OM的所述邊緣部支撐于所述掩模框架MF，因此能夠進(jìn)一步提高所述開放掩模OM的剛性，而且能夠容易操作所述開放掩模0M。
[0046]所述掩模載體MC與所述掩模框架MF結(jié)合。更為詳細(xì)地，在所述掩模載體MC中與所述第一至第三開口部OPl、0P2、0P3對應(yīng)的位置形成有開口部25，所述掩?？蚣躆F能夠插入于所述開口部25并與所述掩模載體MC結(jié)合。因此，如上所述，在與所述開放掩模OM結(jié)合的所述掩?？蚣躆F與所述掩模載體MC結(jié)合的情況下，在所述開放掩模OM中除所述開放掩模OM的邊緣部之外的其余部分能夠通過所述開口部25暴露在外部。
[0047]而且，所述掩模載體MC與所述第一輸送軌道RLl結(jié)合。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在所述掩模載體MC中相對的兩側(cè)沿著所述第一方向Dl并列形成有第一槽Hl，在所述第一槽Hl能夠供所述第一輸送軌道RLl的第一突出部30插入。因此，能夠沿形成有所述第一輸送軌道RLl及所述第一槽Hl的所述第一方向Dl輸送所述掩模載體MC。
[0048]在本發(fā)明的實(shí)施例中，也可通過磁浮方式沿著所述第一輸送軌道RLl輸送所述掩模載體MC。此時(shí)，所述掩模載體MC可進(jìn)一步包括配置在所述第一槽Hl內(nèi)的磁鐵部件(未圖示)，而且在所述第一突出部30可設(shè)置有與所述磁鐵部件產(chǎn)生斥力的另一磁鐵部件。
[0049]在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，除了所述磁浮方式外還可通過如驅(qū)動(dòng)輥及驅(qū)動(dòng)鏈的直線驅(qū)動(dòng)方式沿著所述第一輸送軌道RLl輸送所述掩模載體MC。例如，當(dāng)通過所述驅(qū)動(dòng)輥輸送所述掩模載體MC時(shí)，在所述第一槽Hl的內(nèi)部可配置有與所述第一突出部30的上表面接觸并通過驅(qū)動(dòng)部(未圖示)驅(qū)動(dòng)的多個(gè)輸送輥(未圖示)。
[0050]在本發(fā)明的實(shí)施例中，可提供多個(gè)基板組合體50，所述多個(gè)基板組合體50的數(shù)量與所述第一至第三沉積源S1、S2、S3的數(shù)量及所述掩模組合體10的數(shù)量相同。此時(shí)，所述多個(gè)掩模組合體具有相同的結(jié)構(gòu)，因此將所述多個(gè)掩模組合體中的一個(gè)作為示例，并進(jìn)一步參照圖3b進(jìn)行說明，并且省略對其余掩模組合體的說明。
[0051]圖3b是圖2所示基板組合體的分解立體圖。[0052]參照圖1、圖2及圖3b，基板組合體50包括基板SB、基板載體SC及夾緊部件CK。如上所述，當(dāng)開放掩模OM形成有第一至第三開口部(圖3a的0P1、0P2、0P3)時(shí)，所述基板SB可具有與所述第一至第三開口部OPl、0P2、0P3 一對一地對應(yīng)的第一至第三單元區(qū)域CAl、CA2、CA3。
[0053]所述基板載體SC與所述基板SB結(jié)合。更為詳細(xì)地，在所述基板載體SC形成有將所述第一至第三單元區(qū)域CAl、CA2、CA3暴露在外部的開口部55，而且所述基板載體SC與所述基板SB中除了所述第一至第三單元區(qū)域CA1、CA2、CA3外的邊緣部結(jié)合。
[0054]所述夾緊部件CK配置在所述基板載體SC上并夾緊所述基板SB的邊緣部。因此，如圖2圖示，即使所述基板SB配置在所述基板載體SC的下部，從而與所述第一沉積源SI更加接近，也能夠通過所述夾緊部件CK防止所述基板SB脫離所述基板載體SC。而且，如前所述，所述工藝腔室PC的內(nèi)部能夠保持真空，因此所述夾緊部件CK可通過靜電方式或粘接方式夾緊所述基板SB。
[0055]而且，所述基板載體SC與所述第二輸送軌道RL2結(jié)合。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在所述基板載體SC中彼此相對的兩側(cè)沿著所述第一方向Dl并列形成有第二槽H2，所述第二槽H2能夠供所述第二輸送軌道RL2的第二突出部60插入。因此，能夠沿形成有所述第二輸送軌道RL2及所述第二槽H2的所述第一方向Dl輸送所述基板載體SC。
[0056]在本發(fā)明的實(shí)施例中，也可通過磁浮方式沿著所述第二輸送軌道RL2輸送所述基板載體SC。此時(shí)，所述基板載體SC可進(jìn)一步包括配置在所述第二槽H2內(nèi)的磁鐵部件(未圖示)，而且可在所述第二突出部60設(shè)置有與所述磁鐵部件產(chǎn)生斥力的另一磁鐵部件。
[0057]而且，在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，除了所述磁浮方式外還可通過如驅(qū)動(dòng)輥及驅(qū)動(dòng)鏈的直線驅(qū)動(dòng)方式沿著所述第二輸送軌道RL2輸送所述基板載體SC。
[0058]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述有機(jī)物沉積裝置100可進(jìn)一步包括傳感部SR，所述傳感部SR可配置在所述第一輔助腔室Cl。所述傳感部SR可感測所述第一輸送軌道RLl和所述第二輸送軌道RL2之間的第一間隔及/或所述掩模組合體10和所述基板組合體50之間的第二間隔。因此，能夠通過與從所述傳感部SR提供的所述第一間隔及/或所述第二間隔相關(guān)的數(shù)據(jù)防止所述掩模組合體10和所述基板組合體50互相接觸從而在沉積于所述基板SB上的有機(jī)物產(chǎn)生劃傷或壓痕。
[0059]另外，根據(jù)前述的所述有機(jī)物沉積裝置100的結(jié)構(gòu)，所述第一至第三沉積源S1、S2、S3提供彼此不同的有機(jī)物，與此同時(shí)，多個(gè)掩模組合體及多個(gè)基板組合體能夠一對一地對應(yīng)組成一對并保持排列成行狀態(tài)，并且沿所述第一方向Dl從所述第一輔助腔室Cl經(jīng)過所述工藝腔室PC輸送至所述第二輔助腔室C2側(cè)。結(jié)果是，分別配置在多個(gè)所述基板組合體的所述基板SB上能夠依次沉積由所述第一沉積源SI提供的有機(jī)物、由所述第二沉積源S2提供的有機(jī)物及由所述第三沉積源S3提供的有機(jī)物。
[0060]因此，在所述工藝腔室PC內(nèi)，能夠在所述基板SB上連續(xù)沉積由所述第一至第三沉積源S1、S2、S3提供的彼此不同的有機(jī)物。因此，能夠容易進(jìn)行在所述基板SB上沉積所述彼此不同的有機(jī)物的有機(jī)物沉積工序，而且，所述有機(jī)物沉積工序能夠同時(shí)在一個(gè)所述工藝腔室PC內(nèi)進(jìn)行，由此能夠進(jìn)一步簡化用于執(zhí)行所述有機(jī)物沉積工序的裝置結(jié)構(gòu)。
[0061]圖4是本發(fā)明的另一實(shí)施例的有機(jī)膜沉積裝置的剖視圖，圖5是圖4所示掩模組合體的分解立體圖。在說明圖4及圖5之前需要說明的是，對前述參照圖1、圖2、圖3a及圖3b說明過的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注附圖標(biāo)記，并省略對所述結(jié)構(gòu)要素的重復(fù)說明。
[0062]參照圖4及圖5，可提供多個(gè)掩模組合體11，所述多個(gè)掩模組合體11的數(shù)量與所述第一至第三沉積源S1、S2、S3的數(shù)量及基板組合體50的數(shù)量相同。此時(shí)，所述多個(gè)掩模組合體具有彼此相同的結(jié)構(gòu)，因此將所述多個(gè)掩模組合體中的一個(gè)作為示例進(jìn)行說明，并且省略對其余掩模組合體的說明。
[0063]所述掩模組合體11包括構(gòu)圖掩模PM、掩模載體MC及掩模框架MF。即在圖4及圖5所示的實(shí)施例中，所述掩模組合體11包括所述構(gòu)圖掩模PM以取代開放掩模(圖3a的0M)。
[0064]所述構(gòu)圖掩模PM可具有與基板SB的第一至第三單元區(qū)域(圖3b的CA1、CA2及CA3 ) —對一地對應(yīng)的第一至第三掩模圖案MP1、MP2、MP3，在所述第一至第三掩模圖案MP1、MP2、MP3分別形成有多個(gè)微小的開口部。因此，從第一至第三沉積源S1、S2、S3提供的有機(jī)物通過所述第一至第三掩模圖案MP1、MP2、MP3沉積在所述基板SB上，故所述有機(jī)物能夠沉積在所述基板SB上的同時(shí)通過所述第一至第三掩模圖案MP1、MP2、MP3構(gòu)成圖案。
[0065]在本發(fā)明的實(shí)施例中，所述構(gòu)圖掩模PM可為具有所述第一至第三掩模圖案MP1、MP2、MP3的金屬掩模即所謂的純金屬掩模(fine metal mask)。
[0066]根據(jù)前述的所述有機(jī)物沉積裝置101的結(jié)構(gòu)，所述第一至第三沉積源S1、S2、S3提供彼此不同的有機(jī)物，與此同時(shí)，多個(gè)掩模組合體及多個(gè)基板組合體可一對一對一地對應(yīng)組成一對并保持排列成行狀態(tài)，同時(shí)沿所述第一方向Dl從所述第一輔助腔室Cl經(jīng)過所述工藝腔室PC輸送至所述第二輔助腔室C2側(cè)。結(jié)果是，能夠在分別配置于多個(gè)所述基板組合體的所述基板SB上依次沉積由所述第一沉積源SI提供的第一有機(jī)物、由所述第二沉積源S2提供的第二有機(jī)物及由所述第三沉積源S3提供的第三有機(jī)物，與此同時(shí)，所述第一至第三有機(jī)物能夠通過配置在所述掩模組合體11的所述構(gòu)圖掩模PM構(gòu)成圖案。
[0067]圖6是本發(fā)明的又一實(shí)施例的有機(jī)物沉積裝置的剖視圖。在說明圖6之前需要說明的是，對于前述參照圖1、圖2、圖3a及圖3b說明過的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注附圖標(biāo)記，并省略對所述組成要素的重復(fù)說明。
[0068]參照圖6，與圖1所示的有機(jī)物沉積裝置(圖1的100)不同地，有機(jī)物沉積裝置102包括提供彼此相同的有機(jī)物的多個(gè)沉積源。在圖6所示的實(shí)施例中，所述有機(jī)物沉積裝置102包括三個(gè)第一沉積源SI，所述三個(gè)第一沉積源SI可沿第一方向Dl依次排列。
[0069]根據(jù)前述的所述有機(jī)物沉積裝置102的結(jié)構(gòu)，當(dāng)三個(gè)掩模組合體10及三個(gè)基板組合體50 —對一地對應(yīng)組成一對并保持排列成行狀態(tài)，并向所述工藝腔室PC側(cè)投入，而且所述三個(gè)第一沉積源SI分別提供有機(jī)物時(shí)，能夠同時(shí)在分別配置在多個(gè)所述三個(gè)基板組合體50的基板SB上沉積所述有機(jī)物。
[0070]圖7是本發(fā)明的又一實(shí)施例的有機(jī)物沉積裝置的剖視圖。在說明圖7之前需要說明的是，對于前述實(shí)施例中已經(jīng)說明過的結(jié)構(gòu)要素標(biāo)注附圖標(biāo)記，并省略對所述結(jié)構(gòu)要素的重復(fù)說明。
[0071]參照圖7，與前述參照圖4說明的有機(jī)物沉積裝置(圖4的101)不同地，有機(jī)物沉積裝置103包括提供彼此相同的有機(jī)物的沉積源。在圖7所示的實(shí)施例中，所述有機(jī)物沉積裝置103包括三個(gè)第一沉積源SI，所述三個(gè)第一沉積源SI可沿第一方向Dl依次排列。
[0072]根據(jù)前述的所述有機(jī)物沉 積裝置103的結(jié)構(gòu)，當(dāng)三個(gè)掩模組合體11及三個(gè)基板組合體50 —對一地對應(yīng)組成一對并保持排列成行狀態(tài)，并向所述工藝腔室PC側(cè)投入，而且所述三個(gè)第一沉積源SI分別提供有機(jī)物時(shí)，能夠同時(shí)在分別配置在多個(gè)所述三個(gè)基板組合體50的基板SB上沉積所述有機(jī)物。而且，在所述基板SB上沉積所述有機(jī)物的同時(shí)，能夠通過分別配置在多個(gè)所述三個(gè)掩模組合體11的構(gòu)圖掩模PM來對所述有機(jī)物進(jìn)行構(gòu)圖。[0073]以上參照實(shí)施例進(jìn)行了說明，但可以理解的是，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在不脫離權(quán)利要求書中記載的本發(fā)明的思想及領(lǐng)域的范圍內(nèi)，能夠?qū)Ρ景l(fā)明進(jìn)行多種修改及變更。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)物沉積裝置，用于在基板上沉積有機(jī)物，包括: 工藝腔室； 第一輸送軌道，配置在所述工藝腔室的內(nèi)部； 第二輸送軌道，在所述工藝腔室的內(nèi)部配置在所述第一輸送軌道的上部，并與所述第一輸送軌道隔開； 至少一個(gè)掩模組合體，與所述第一輸送軌道結(jié)合并沿所述第一輸送軌道輸送； 至少一個(gè)基板組合體，與所述基板及所述第二輸送軌道結(jié)合并沿所述第二輸送軌道輸送；及 至少一個(gè)沉積源，配置在所述工藝腔室的內(nèi)部，并向所述掩模組合體及所述基板組合體側(cè)提供所述有機(jī)物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 所述第一輸送軌道及所述第二輸送軌道沿著彼此相同的方向延伸并且平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 所述掩模組合體包括: 掩模； 掩?？蚣?，與所述掩模的邊緣部結(jié)合；及 掩模載體，與所述掩模框架及所述第一輸送軌道結(jié)合，并形成有開口部，所述開口部用于使所述掩模中除了所述掩模的所述邊緣部外的其余部分暴露在外部， 所述基板組合體包括: 基板載體，與所述基板的邊緣部及所述第二輸送軌道結(jié)合，并形成有開口部，所述開口部用于使所述基板中除了所述基板的所述邊緣部外的其余部分暴露在外部；及 夾緊部件，配置在所述基板載體上，用于夾緊所述基板的所述邊緣部。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 在所述工藝腔室的內(nèi)部設(shè)置有多個(gè)所述沉積源，并且在多個(gè)所述沉積源中的至少兩個(gè)提供彼此不同的有機(jī)物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 所述掩模組合體及所述基板組合體的數(shù)量分別與多個(gè)所述沉積源的數(shù)量相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 與多個(gè)所述掩模組合體一對一地對應(yīng)而設(shè)置有多個(gè)所述掩模，而且多個(gè)所述掩模中的至少一個(gè)為開放掩模，所述開放掩模與所述基板的單元區(qū)域?qū)?yīng)而開口。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 與多個(gè)所述掩模組合體一對一地對應(yīng)而設(shè)置有多個(gè)所述掩模，而且多個(gè)所述掩模中的至少一個(gè)為構(gòu)圖掩模，所述構(gòu)圖掩模與所述基板的單元區(qū)域?qū)?yīng)而形成有掩模圖案。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 在所述工藝腔室的內(nèi)部設(shè)置有多個(gè)所述沉積源，并且在多個(gè)所述沉積源中的至少兩個(gè)提供彼此相同的有機(jī)物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述 的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 所述掩模組合體及所述基板組合體的數(shù)量分別與多個(gè)所述沉積源的數(shù)量相同。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于，與多個(gè)所述掩模組合體一對一地對應(yīng)而設(shè)置有多個(gè)所述掩模，而且多個(gè)所述掩模中的至少一個(gè)為開放掩模，所述開放掩模與所述基板的單元區(qū)域?qū)?yīng)而開口。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 與多個(gè)所述掩模組合體一對一地對應(yīng)而設(shè)置有多個(gè)所述掩模，而且多個(gè)所述掩模中的至少一個(gè)為構(gòu)圖掩模，所述構(gòu)圖掩模與所述基板的單元區(qū)域?qū)?yīng)而形成有掩模圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 所述第一輸送軌道及所述第二輸送軌道分別沿著第一方向延伸，在所述掩模載體設(shè)置有沿所述第一方向形成并與所述第一輸送軌道結(jié)合的第一槽，在所述基板載體設(shè)置有沿所述第一方向形成并與所述第二輸送軌道結(jié)合的第二槽。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 所述掩模組合體通過磁浮方式沿所述第一輸送軌道輸送，所述基板組合體通過磁浮方式沿所述第二輸送軌道輸送。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括: 傳感部，用于感測所述第一輸送軌道和所述第二輸送軌道之間的間隔及所述掩模組合體和所述基板組合體之間的間隔中的至少一者。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括: 第一輔助腔室，與所述工藝腔室的送入口相鄰配置；及 第二輔助腔室，與所述工藝`腔室的輸出口相鄰配置， 所述第一輔助腔室收容向所述工藝腔室投入之前的所述掩模組合體及所述基板組合體，所述第二輔助腔室收容沉積有所述有機(jī)物的所述掩模組合體及所述基板組合體。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)物沉積裝置，其特征在于， 所述第一輸送軌道及所述第二輸送軌道分別經(jīng)過所述送入口及所述送出口進(jìn)一步向所述第一輔助腔室及所述第二輔助腔室側(cè)延伸。
【文檔編號】H01L51/56GK103789731SQ201310292706
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年7月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月26日
【發(fā)明者】金學(xué)民 申請人:三星顯示有限公司