一種板上芯片的基板及其制造工藝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種板上芯片的基板制造工藝，其包括以下步驟：在基材上設(shè)置絕緣層；對絕緣層進行刻蝕以形成線路；設(shè)置包括具有連接部分和延伸部分的電鍍引線；對所述基板進行電鍍處理；利用刻蝕工藝將所述延伸部分消除。本發(fā)明提供的板上芯片的基板制造工藝，因為其將位于基板底部邊緣附近的電鍍引線的延伸部分進行了腐蝕，使此部分被消除，從而避免了電鍍引線與銅座之間發(fā)生放電的現(xiàn)象，消除了對板上芯片的最大通電電壓的限制，提高了抗高壓特性，使得LED燈的照明效果得到了進一步的提升。本發(fā)明還提供了利用此制造工藝制得的一種板上芯片的基板。
【專利說明】一種板上芯片的基板及其制造工藝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及LED照明設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，更具體地說，涉及一種板上芯片的基板的制造工藝，本發(fā)明還涉及利用此制造工藝制得的一種板上芯片的基板。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體照明技術(shù)的不斷發(fā)展，LED (英文Light-Emitting D1de的縮寫,發(fā)光二極管)燈越來越多的進入到各種照明領(lǐng)域中。
[0003]LED燈的主要發(fā)光部件為設(shè)置有LED的板上芯片，板上芯片的基板01 (如圖1和圖2)以鋁基作為基材，在生產(chǎn)的過程中，首先需要在鋁基或銅基上粘接一層絕緣層，然后對絕緣層上覆銅進行刻蝕，以形成線路，再通過電鍍的方式在基板01上進行鍍銀操作，在鍍銀操作中需要在絕緣層上設(shè)置電鍍引線02，以將基板上的不同芯片03導(dǎo)通，如圖3所示。
[0004]但是，在現(xiàn)有技術(shù)中，電鍍引線02除設(shè)置在不同芯片03之間的連接部分021以夕卜，還留有一段延伸部分022，此延伸部分022 —直延伸至基板01的底部邊緣附近，而用于LED燈的板上芯片是設(shè)置在銅座之上，在板上芯片通電工作時，靠近基板01底部邊緣處的電鍍引線02的延伸部分022由于距離底部銅座很近，其很容易與底部銅座發(fā)生放電，從而限制了板上芯片的最大通電電壓，抗高壓特性較差，進而影響了 LED燈的照明效果。
[0005]因此，如何改善LED燈的照明效果，是目前本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]有鑒于此，本發(fā)明提供了一種板上芯片的基板制造工藝，其能夠避免電鍍引線與銅座之間發(fā)生放電，從而改善LED燈的照明效果。
[0007]為了達到上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
[0008]一種板上芯片的基板制造工藝，其包括以下步驟:
[0009]I)在基材上設(shè)置絕緣層；
[0010]2)對絕緣層進行刻蝕以形成線路；
[0011]3)設(shè)置包括具有連接部分和延伸部分的電鍍引線；
[0012]4)對所述基板進行電鍍處理；
[0013]5)利用刻蝕工藝將所述延伸部分消除。
[0014]優(yōu)選的，上述板上芯片的基板制造工藝中，所述基材為鋁基材或銅基材。
[0015]優(yōu)選的，上述板上芯片的基板制造工藝中，所述電鍍處理為在所述基板上鍍設(shè)銀層。
[0016]基于上述提供的板上芯片的基板制造工藝，本發(fā)明還提供了一種板上芯片的基板，該基板是利用上述所述的板上芯片的基板制造工藝制造而成。
[0017]本發(fā)明提供的板上芯片的基板制造工藝中，首先在基材上設(shè)置絕緣層，然后在絕緣層上走線路，即對絕緣層進行刻蝕，將多余的絕緣層腐蝕掉，以形成線路，刻蝕完成后再在絕緣層上設(shè)置電鍍引線，其中電鍍引線的連接部分用于連接不同的芯片，之后對基板進行電鍍處理，最后利用刻蝕工藝將位于基板底部邊緣附近的延伸部分消除。
[0018]本發(fā)明提供的板上芯片的基板制造工藝，因為其將位于基板底部邊緣附近的電鍍引線的延伸部分進行了腐蝕，使此部分被消除，從而避免了電鍍引線與銅座之間發(fā)生放電的現(xiàn)象，消除了對板上芯片的最大通電電壓的限制，提高了抗高壓特性，使得LED燈的照明效果得到了進一步的提升。本發(fā)明還提供了利用此制造工藝制得的一種板上芯片的基板。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0020]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的板上芯片的基板的俯視圖(未設(shè)置電鍍引線)；
[0021]圖2為圖1的左視圖；
[0022]圖3為基板的俯視圖(設(shè)置電鍍引線)；
[0023]圖4為本發(fā)明實施例提供的板上芯片的基板制造工藝的流程圖；
[0024]圖5為本發(fā)明實施例提供的利用板上芯片的基板制造工藝制得的基板的俯視圖。
[0025]以上圖1-圖5中:
[0026]基板01、電鍍引線02、連接部分021、延伸部分022、芯片03 ；
[0027]基板1、電鍍引線2、連接部分21、芯片3。

【具體實施方式】
[0028]本發(fā)明提供了一種板上芯片的基板制造工藝，其能夠避免電鍍引線與銅座之間發(fā)生放電，從而改善LED燈的照明效果。
[0029]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0030]如圖4所示，本發(fā)明實施例提供的板上芯片的基板制造工藝，其包括以下步驟:
[0031]SlOl、在基材上粘接絕緣層；
[0032]S102、對絕緣層進行刻蝕以形成線路；
[0033]S103、在絕緣層上設(shè)置包括具有連接部分21和延伸部分的電鍍引線2 ；
[0034]S104、對基板I進行電鍍處理；
[0035]S105、利用刻蝕工藝對延伸部分進行腐蝕，以將此延伸部分從基板I上消除。
[0036]本實施例提供的板上芯片的基板制造工藝中，首先在基材上設(shè)置絕緣層，然后在絕緣層上走線路，即對絕緣層進行刻蝕，將多余的絕緣層腐蝕掉，以形成線路，刻蝕完成后再在絕緣層上設(shè)置電鍍引線2，其中電鍍引線2的連接部分21用于連接不同的芯片3，之后對基板I進行電鍍處理，最后利用刻蝕工藝將位于基板I底部邊緣附近的延伸部分消除。
[0037]本實施例提供的板上芯片的基板制造工藝，進行兩次刻蝕操作，從而將位于基板I底部邊緣附近的電鍍引線2的延伸部分進行了腐蝕，使此部分被消除，從而避免了電鍍引線2與銅座之間發(fā)生放電的現(xiàn)象，消除了對板上芯片3的最大通電電壓的限制，提高了抗高壓特性，使得LED燈的照明效果得到了進一步的提升。
[0038]優(yōu)選的，基板I的基材為鋁基材或銅基材。選用鋁或銅作為基材，是因為鋁或銅均具有良好的散熱性，能夠?qū)迳闲酒?工作時產(chǎn)生的熱量及時散發(fā)出去。
[0039]具體的，電鍍處理為在基板I上鍍設(shè)銀層。在基板I上鍍設(shè)銀層能夠提高LED的出光率和可靠性。
[0040]本實施例還提供了一種板上芯片的基板，該基板為利用上述所述的板上芯片的基板制造工藝制造而成。
[0041]由于該基板采用了上述實施例提供的板上芯片的基板制造工藝，所以基板由板上芯片的基板制造工藝帶來的有益效果請參考上述實施例中相應(yīng)的部分，在此不再贅述。
[0042]本說明書中各個實施例采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似部分互相參見即可。
[0043]對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種板上芯片的基板制造工藝，其特征在于，包括以下步驟: 1)在基材上設(shè)置絕緣層； 2)對絕緣層進行刻蝕以形成線路； 3)設(shè)置包括具有連接部分(21)和延伸部分的電鍍引線(2 ); 4)對所述基板(1)進行電鍍處理； 5)利用刻蝕工藝將所述延伸部分消除。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的板上芯片的基板制造工藝，其特征在于，所述基材為鋁基材或銅基材。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的板上芯片的基板制造工藝，其特征在于，所述電鍍處理為在所述基板(1)上鍍設(shè)銀層。
4.一種板上芯片的基板，其特征在于，所述基板為利用上述1-3中任意一項所述的板上芯片的基板制造工藝制造而成。
【文檔編號】H01L33/62GK104347780SQ201310340146
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月6日
【發(fā)明者】劉云, 王峰 申請人:惠州市華陽光電技術(shù)有限公司