一種降低ldmos導(dǎo)通電阻并同時(shí)提高開狀態(tài)崩潰電壓的ldmos的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括：半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的體區(qū)；位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的漂移區(qū)；位于所述體區(qū)內(nèi)與所述漂移區(qū)相隔開的源區(qū)和體引出區(qū)；位于所述漂移區(qū)內(nèi)的場(chǎng)區(qū)和漏區(qū)；以及位于所述半導(dǎo)體襯底表面上部分覆蓋所述體區(qū)、所述漂移區(qū)和所述場(chǎng)區(qū)的柵極；其中，所述場(chǎng)區(qū)和所述漏區(qū)之間具有一定距離。根據(jù)本發(fā)明制作的半導(dǎo)體器件，在保持原有漂移區(qū)尺寸不變的前提下，將漂移區(qū)靠近漏端的場(chǎng)區(qū)尺寸縮短，使原有全部為場(chǎng)區(qū)的漂移區(qū)，變?yōu)橐欢螆?chǎng)區(qū)和一段有源區(qū)，以降低LDMOS導(dǎo)通電阻，同時(shí)提高開狀態(tài)崩潰電壓。
【專利說明】—種降低LDMOS導(dǎo)通電阻并同時(shí)提高開狀態(tài)崩潰電壓的LDMOS

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Lateral DoubleDiffused MOSFET,LDMOS)【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種降低導(dǎo)通電阻并同時(shí)提高開狀態(tài)崩潰電壓的LDMOS器件結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(LDMOS)器件由于其具有良好的短溝道特性而被廣泛的應(yīng)用于移動(dòng)電話，尤其應(yīng)用在蜂窩電話中。隨著移動(dòng)通信市場(chǎng)(尤其是蜂窩通信市場(chǎng))的不斷增加，LDMOS器件的制作工藝日益成熟。LDMOS作為一種功率開關(guān)器件，具有工作電壓相對(duì)較高、工藝簡(jiǎn)易，易于同低壓CMOS電路在工藝上兼容等特點(diǎn)，在工作時(shí)包括有“關(guān)態(tài)(off-state ) ”和“開態(tài)(on-state ) ”，與普通MOS器件相比，在漏極有一個(gè)輕摻雜注入?yún)^(qū)，被稱為漂移區(qū)。由于其通常用于功率電路，需要獲得較大的輸出功率，因此必須能承受較高的電壓。隨著LDMOS的廣泛應(yīng)用功率集成電路，對(duì)LDMOS的器件性能要求也越來越高，LDMOS為獲得較小的導(dǎo)通電阻，盡量將漂移區(qū)尺寸做小，由此導(dǎo)致開狀態(tài)崩潰電壓普遍較低。
[0003]如圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制作的LDMOS器件的截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，LDMOS器件包括襯底100，襯底內(nèi)形成有源區(qū)，襯底內(nèi)的阱101，位于襯底100和阱101表層交界處的場(chǎng)氧化層102，位于半導(dǎo)體襯底100內(nèi)漂移區(qū)108，漂移區(qū)108上方的覆蓋有漂移區(qū)場(chǎng)氧化層103，位于阱區(qū)101內(nèi)的體引出區(qū)104，位于阱101內(nèi)的源區(qū)105，位于漂移區(qū)108內(nèi)的漏區(qū)106，位于襯底100上方的柵極結(jié)構(gòu)107，在源區(qū)、漏區(qū)以及柵極上可以分別構(gòu)圖引出源極、漏極、以及柵極。柵極結(jié)構(gòu)107可以部分的延伸至漂移區(qū)108的場(chǎng)氧化物層103上。在現(xiàn)有技術(shù)中，為了獲得較小的導(dǎo)通電阻將漂移區(qū)的尺寸做小，在LDMOS工作在高壓條件下時(shí)，漂移區(qū)中耗盡層向漏極擴(kuò)展，極易擴(kuò)展至漏區(qū)高濃度的引出端(如n+)，從而在高濃度引出端邊界形成大電場(chǎng)，很容易發(fā)生由于大電場(chǎng)引發(fā)碰撞電離導(dǎo)致?lián)舸?，也即開狀態(tài)下的崩潰電壓較低。
[0004]因此，需要一種新型的LDMOS半導(dǎo)體器件，既能降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)又能提高開狀態(tài)崩潰電壓。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]在
【發(fā)明內(nèi)容】
部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念，這將在【具體實(shí)施方式】部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的
【發(fā)明內(nèi)容】
部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征，更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
[0006]為了有效解決上述問題，本發(fā)明提出了一種橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括:半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的體區(qū)；位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的漂移區(qū)；位于所述體區(qū)內(nèi)與所述漂移區(qū)相隔開的源區(qū)和體引出區(qū)；位于所述漂移區(qū)內(nèi)的場(chǎng)區(qū)和漏區(qū)；以及位于所述半導(dǎo)體襯底表面上部分覆蓋所述體區(qū)、所述漂移區(qū)和所述場(chǎng)區(qū)的柵極；其中，所述場(chǎng)區(qū)和所述漏區(qū)之間具有一定距離。
[0007]優(yōu)選地，所述場(chǎng)區(qū)和所述漏區(qū)之間形成有源區(qū)。
[0008]優(yōu)選地，所述柵極位于所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間。
[0009]優(yōu)選地，所述場(chǎng)區(qū)為STI或者F0X。
[0010]優(yōu)選地，所述源區(qū)和體引出區(qū)的摻雜類型相反。
[0011]優(yōu)選地，所述體區(qū)與所述漂移區(qū)彼此隔離。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的制備半導(dǎo)體器件，在保持原有漂移區(qū)尺寸不變的前提下，將漂移區(qū)靠近漏端的場(chǎng)區(qū)尺寸縮短，使原有全部為場(chǎng)區(qū)的漂移區(qū)，變?yōu)橐欢螆?chǎng)區(qū)和一段有源區(qū)，以降低LDMOS導(dǎo)通電阻，同時(shí)提高開狀態(tài)崩潰電壓。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。在附圖中，
[0014]圖1為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制作的LDMOS器件的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2為根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式制作的LDMOS器件的截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0016]圖3為L(zhǎng)DMOS的開狀態(tài)電流-柵源極電壓的特性曲線；
[0017]圖4為L(zhǎng)DMOS的關(guān)態(tài)的擊穿電壓的特性曲線；
[0018]圖5為L(zhǎng)DMOS的開狀態(tài)電流-源漏極電壓的特性曲線。

【具體實(shí)施方式】
[0019]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0020]為了徹底了解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟，以便說明本發(fā)明是如何改進(jìn)制作半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的工藝來解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細(xì)節(jié)。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述外，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0021]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0022]本文中。“上” “下” “左” “右”的方向型術(shù)語是相對(duì)于附圖中LDMOS的方位來定義的(例如，左右方向是指LDMOS的溝道方向、其平行于襯底表面、上下方向垂直于襯底表面)。并且，應(yīng)當(dāng)理解到，這些方向性術(shù)語是相對(duì)概念，它們用于相對(duì)的描述和澄清，其可以根據(jù)LDMOS所放置的方位的變化而相應(yīng)地發(fā)生變化。
[0023]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提出了一種LDMOS半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D2，示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)方面的實(shí)施例的相關(guān)步驟的示意圖。
[0024]下面結(jié)合附圖2對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。參照?qǐng)D2，示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式制作的LDMOS器件的截面結(jié)構(gòu)示意圖。在該實(shí)施例中，橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管為N型器件，以下結(jié)合圖2對(duì)該實(shí)施例的LDMOS結(jié)構(gòu)進(jìn)行具體說明。
[0025]圖2是LDMOS的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。包括襯底200，襯底內(nèi)的阱201，位于襯底200和阱201表層交界處的場(chǎng)氧化層203。
[0026]如圖2所示，LDMOS形成于半導(dǎo)體襯底200上，半導(dǎo)體襯底200為硅襯底。在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)摻雜形成漂移區(qū)204和阱區(qū)201。
[0027]在本實(shí)施例中所述襯底為P型襯底，其具體的摻雜濃度不受本發(fā)明限制性的。半導(dǎo)體襯底具體的可以通過外延生長(zhǎng)形成，也可以為晶圓襯底。
[0028]采用標(biāo)準(zhǔn)的阱注入工藝在半導(dǎo)體襯底中形成P阱201。可以通過高能量注入工藝形成P阱，也可以通過低能量注入，搭配高溫?zé)嵬嘶疬^程形成P阱。在阱中可以形成LDMOS器件的源區(qū)和體引出區(qū)。漂移區(qū)和P阱形成方式相似，可以通過高能量注入工藝形成，也可以通過低能量注入，搭配高溫?zé)嵬嘶疬^程形成。
[0029]在半導(dǎo)體襯底200上形成P阱201作為體區(qū)。優(yōu)選實(shí)例中，體區(qū)的摻雜濃度范圍可以為115原子/cm3?118原子/cm3，例如摻雜濃度設(shè)置為117原子/cm3。對(duì)于N溝道LDM0S，漂移區(qū)為N型摻雜。同時(shí)還在半導(dǎo)體襯底200中形成漂移區(qū)204，漂移區(qū)位于半導(dǎo)體襯底內(nèi)，且位于源極和漏極之間，漂移區(qū)一般為輕摻雜區(qū)，漂移區(qū)的存在可提供LDMOS器件的擊穿電壓，同時(shí)減小源、漏極之間的寄生電容，對(duì)于N溝槽LDMOS，漂移區(qū)為N型摻雜，其摻雜濃度一般低于漏極的摻雜濃度，在優(yōu)選實(shí)施例中，漂移區(qū)摻雜濃度范圍可以為115原子/cm3?118原子/cm3。后續(xù)形成的漂移區(qū)場(chǎng)氧化層即是在漂移區(qū)上方形成的場(chǎng)區(qū)，所述場(chǎng)區(qū)為淺溝槽隔離結(jié)構(gòu)(STI)。
[0030]在本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中，在半導(dǎo)體襯底上形成有氮化娃層和氧化娃層，以具有漂移區(qū)的光刻膠層為掩膜，采用干法刻蝕依次刻蝕掉漂移區(qū)上方的氮化硅層和氧化硅層，以及硅層，以形成溝槽結(jié)構(gòu)，去除具有漂移區(qū)圖案的光刻膠層，采用氧化層淀積和磨平方式形成STI區(qū)208。
[0031 ] 采用淺溝槽隔離技術(shù)在半導(dǎo)體襯底200上形成隔離區(qū)氧化層203。半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成有阱區(qū)201和漂移區(qū)204。
[0032]在本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中，在半導(dǎo)體襯體200內(nèi)注入形成阱區(qū)201和漂移區(qū)204，阱區(qū)201和漂移區(qū)204都可以通過高能量注入形成，也可以通過低能量注入，搭配高溫?zé)嵬嘶鹦纬伞Ｚ鍏^(qū)201作為體區(qū)，在體區(qū)內(nèi)注入P+型雜質(zhì)形成體引出區(qū)202，以及注入N+型雜質(zhì)形成源區(qū)205。在漂移區(qū)內(nèi)注入N+型雜質(zhì)形成漏區(qū)206。源區(qū)205和漏區(qū)206的摻雜濃度可以相同，因此，二者可以同步地?fù)诫s形成。在優(yōu)選實(shí)施例中，源區(qū)205和漏區(qū)206的N型摻雜濃度范圍可以為118原子/cm3?121原子/cm3，例如摻雜濃度設(shè)置為102°原子
/ 3
/cm ο
[0033]在所述半導(dǎo)體襯底200表面上形成覆蓋所述體區(qū)201、漂移區(qū)204和所述場(chǎng)區(qū)208的柵極207。
[0034]最后在半導(dǎo)體襯底上沉積層間介質(zhì)層(未示出)，并在層間介質(zhì)層上形成相應(yīng)的通孔，在所述相應(yīng)通孔中引入金屬可將柵極、源極、漏極和體引出區(qū)與相應(yīng)的柵極G、源極S、漏極D和Bulk相連。
[0035]如圖2為根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制作的LDMOS器件的截面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，LDMOS器件包括半導(dǎo)體襯底200，位于所述半導(dǎo)體襯底200內(nèi)的體區(qū)，位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的漂移區(qū)204，位于所述體區(qū)內(nèi)與所述漂移區(qū)204相隔開的源區(qū)205和體引出區(qū)202 ;位于所述漂移區(qū)204內(nèi)的場(chǎng)區(qū)208和漏區(qū)206 ;以及位于所述半導(dǎo)體襯底200表面上部分覆蓋所述體區(qū)201、漂移區(qū)204和所述場(chǎng)區(qū)的柵極207 ;其中，所述場(chǎng)區(qū)208和所述漏區(qū)206之間具有一定距離；所述場(chǎng)區(qū)208和所述漏區(qū)206之間形成有源區(qū)209，所述柵極207位于所述源區(qū)205和所述場(chǎng)區(qū)208之間，所述場(chǎng)區(qū)208為STI (淺溝槽隔離結(jié)構(gòu))或者F0X，所述阱區(qū)201(體區(qū))與所述漂移區(qū)204彼此隔離，位于襯底200和阱區(qū)201表層交界處的場(chǎng)氧化層203。在源區(qū)、漏區(qū)以及柵極上可以分別構(gòu)圖引出源極、漏極、以及柵極。柵極結(jié)構(gòu)207可以部分的延伸至漂移區(qū)204的場(chǎng)氧化物層208上。
[0036]橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的實(shí)施方式以N型器件為例，現(xiàn)有技術(shù)為了獲得較小的導(dǎo)通電阻，盡量將漂移區(qū)尺寸做小，由此導(dǎo)致on狀態(tài)崩潰電壓普遍較低。在傳統(tǒng)的漂移區(qū)全部為場(chǎng)區(qū)的基礎(chǔ)上，本發(fā)明提供了一種既能降低導(dǎo)通電阻，同時(shí)又能提高on狀態(tài)崩潰電壓的LDMOS半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)，如圖2中所示，相比與圖1所示的LDMOS的截面示意圖，在保持原有漂移區(qū)尺寸不變的前提下，將漂移區(qū)靠近漏端的場(chǎng)區(qū)尺寸回縮，使原有全部為場(chǎng)區(qū)的漂移區(qū)，變?yōu)橐欢螆?chǎng)區(qū)(場(chǎng)氧化層)208 (STI)和一段有源區(qū)(TO) 209。虛線部分由場(chǎng)區(qū)變?yōu)橛性磪^(qū)后，使原漂移區(qū)靠近漏端的N型雜質(zhì)總量增加，相當(dāng)于獲得了一個(gè)濃度漸變的N型漂移區(qū)204，從而使on狀態(tài)崩潰電壓提高。增加的N型雜質(zhì)，使漂移區(qū)電阻降低，從而使導(dǎo)通電阻降低(Rdsm)。由于增加的N型雜質(zhì)靠近漏端，對(duì)于off態(tài)時(shí)整個(gè)N型漂移區(qū)的耗盡影響較小，off態(tài)崩潰電壓基本不變，甚至在獲得漸變濃度的漂移區(qū)后，漂移區(qū)的電勢(shì)及電場(chǎng)分布更為均勻，還可以獲得更高的off態(tài)崩潰電壓。本發(fā)明對(duì)于工藝制程部分沒有增加任何難度，可以很好的與CM0S/LDM0S集成電路制造工藝兼容。
[0037]在本發(fā)明的一【具體實(shí)施方式】中，該有源區(qū)的引入增加了漂移區(qū)與漏端N+之間的N型雜質(zhì)總量，相當(dāng)于獲得了一個(gè)濃度漸變的漂移區(qū)，從而在保持off狀態(tài)崩潰電壓不變的前提下，有效提高了 on狀態(tài)崩潰電壓，增加的N型雜質(zhì)使漂移區(qū)電阻減小，從而降低了導(dǎo)通電阻。
[0038]橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管的制造方法也以N型器件為例，包括以下步驟
[0039]步驟a:在P型襯底上采用標(biāo)準(zhǔn)的阱注入工藝，形成P阱；
[0040]步驟b:在P型襯體上注入N型雜質(zhì)形成漂移區(qū)；
[0041]步驟c:采用標(biāo)準(zhǔn)的淺溝槽隔離工藝或熱氧化生長(zhǎng)工藝，定義器件的有源區(qū)，并在場(chǎng)區(qū)形成場(chǎng)氧化層；
[0042]步驟d:利用標(biāo)準(zhǔn)的多晶硅淀積和刻蝕工藝形成柵極；
[0043]步驟e:阱區(qū)內(nèi)注入P+型雜質(zhì)形成體引區(qū)，阱區(qū)及漂移區(qū)內(nèi)注入N+雜質(zhì)形成源、漏極；
[0044]沉積形成介質(zhì)層、刻蝕接觸孔、在接觸孔中沉積金屬層、刻蝕金屬導(dǎo)線以及鈍化等步驟均是本領(lǐng)域的技術(shù)人員熟知的技術(shù)手段在此就不詳細(xì)贅述。
[0045]橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其制造方法在保持原有漂移區(qū)尺寸不變的前提下，將漂移區(qū)靠近漏端的場(chǎng)區(qū)尺寸回縮，使原有全部為場(chǎng)區(qū)的漂移區(qū)，變?yōu)橐欢螆?chǎng)區(qū)(STI或FOX)和一段有源區(qū)(T0)，使原漂移區(qū)靠近漏端的N型雜質(zhì)總量增加，相當(dāng)于獲得了一個(gè)濃度漸變的N型漂移區(qū)204，從而使on狀態(tài)崩潰電壓提高。增加的N型雜質(zhì)，使漂移區(qū)電阻降低，從而使導(dǎo)通電阻降低(Rdsm)。
[0046]圖3為制作的LDMOS的開狀態(tài)電流-柵源極電壓的特性曲線，其中曲線301為圖1所示實(shí)施例LDMOS的特性曲線，曲線302為圖2所示實(shí)施例LDMOS的特性曲線。對(duì)比曲線301和曲線302，根據(jù)本發(fā)明制作的LDMOS與現(xiàn)有技術(shù)制作的LDMOS相比，根據(jù)本發(fā)明制作的LDMOS的導(dǎo)通電阻比現(xiàn)有技術(shù)制作的LDMOS的導(dǎo)通電阻小。
[0047]圖4為制作的LDMOS的關(guān)態(tài)的擊穿電壓的特性曲線，其中曲線401為圖1所示實(shí)施例LDMOS的特性曲線，曲線402為圖2所示實(shí)施例LDMOS的特性曲線。對(duì)比曲線401和曲線402，根據(jù)本發(fā)明制作的LDMOS與現(xiàn)有技術(shù)制作的LDMOS相比，處于關(guān)態(tài)時(shí)兩者的崩潰電壓基本不變，在根據(jù)本發(fā)明制作的LDM0S，由于增加的N型雜質(zhì)靠近漏端，對(duì)于off態(tài)時(shí)整個(gè)N型漂移區(qū)的耗盡影響較小，off態(tài)崩潰電壓基本不變，甚至在獲得漸變濃度的漂移區(qū)后，漂移區(qū)的電勢(shì)及電場(chǎng)分布更為均勻，還可以獲得更高的off態(tài)崩潰電壓。
[0048]圖5為L(zhǎng)DMOS的開狀態(tài)電流-源漏極電壓的特性曲線，其中曲線501為圖1所示實(shí)施例LDMOS的特性曲線，曲線502為圖2所示實(shí)施例LDMOS的特性曲線。對(duì)比曲線501和曲線502，根據(jù)本發(fā)明制作的LDMOS與現(xiàn)有技術(shù)制作的LDMOS相比，本發(fā)明制作的LDMOS的Id開始快速上升的Vds大于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)制作的LDMOS的Ids開始快速上升的Vds的值，以曲線501a和502a為例來說明，對(duì)于曲線501a，當(dāng)Vds到達(dá)30伏左右時(shí)，Id開始快速上升，表明漏區(qū)和漂移區(qū)交界處開始發(fā)生碰撞電離；對(duì)于曲線502a，當(dāng)Vds到達(dá)37伏左右時(shí)，Id開始快速上升，表明漏區(qū)和漂移區(qū)交界處開始發(fā)生碰撞電離。因此，在開狀態(tài)下的崩潰電壓得到大大提高。調(diào)整圖2所示實(shí)施例中場(chǎng)區(qū)208及有源區(qū)209的尺寸搭配，可以獲得最優(yōu)的器件性能。
[0049]以上所示實(shí)施方式僅是以NMOS為例，也可以應(yīng)用在PM0S，本發(fā)明技術(shù)人員僅需做簡(jiǎn)單變形即可實(shí)現(xiàn)。
[0050]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，包括: 半導(dǎo)體襯底， 位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的體區(qū)； 位于所述半導(dǎo)體襯底內(nèi)的漂移區(qū)； 位于所述體區(qū)內(nèi)與所述漂移區(qū)相隔開的源區(qū)和體引出區(qū)； 位于所述漂移區(qū)內(nèi)的場(chǎng)區(qū)和漏區(qū)； 以及位于所述半導(dǎo)體襯底表面上部分覆蓋所述體區(qū)、所述漂移區(qū)和所述場(chǎng)區(qū)的柵極； 其中，所述場(chǎng)區(qū)和所述漏區(qū)之間具有一定距離。
2.如權(quán)利要求1所述的橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述場(chǎng)區(qū)和所述漏區(qū)之間形成有源區(qū)。
3.如權(quán)利要求1所述的橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述柵極位于所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間。
4.如權(quán)利要求1所述的橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述場(chǎng)區(qū)為STI或者FOX。
5.如權(quán)利要求1所述的橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述源區(qū)和所述體引出區(qū)的摻雜類型相反。
6.如權(quán)利要求1所述的橫向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特征在于，所述體區(qū)與所述漂移區(qū)彼此隔離。
【文檔編號(hào)】H01L29/78GK104377243SQ201310351199
【公開日】2015年2月25日 申請(qǐng)日期:2013年8月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月13日
【發(fā)明者】韓廣濤, 孫貴鵬, 黃楓 申請(qǐng)人:無錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司