有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及復(fù)合陰極；所述復(fù)合陰極的材料為低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及鈍化材料的混合物。這種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過在電子注入層上制備材料為低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及金屬鈍化材料的混合物的復(fù)合陰極提高出光效率，低功函數(shù)金屬功函數(shù)較低，有利于電子注入，提高電子的注入效率，同時(shí)，可對光進(jìn)行散射，使出射的光反射回到底部出射，提高出光效率。相對于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。本發(fā)明還公開了一種上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，器件內(nèi)部的光只有18%左右是可以發(fā)射到外部去的，而其他的部分會以其他形式消耗在器件外部，界面之間存在折射率的差(如玻璃與ITO之間的折射率之差，玻璃折射率為1.5，ITO為1.8，光從ITO到達(dá)玻璃，就會發(fā)生全反射)，引起了全反射的損失，從而導(dǎo)致整體出光效率較低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]基于此，有必要提供一種出光效率較高的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0004]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及復(fù)合陰極；
[0005]所述復(fù)合陰極的材料為低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及鈍化材料的混合物，所述低功函數(shù)金屬為Mg、Sr、Ca或Yb，所述鐵鹽為FeCl3、FeBr3或Fe2S3，所述鈍化材料為Si02、A1203、N1 或 CuO。
[0006]在一個(gè)實(shí)施例中，所述低功函數(shù)金屬、所述鐵鹽以及所述鈍化材料的質(zhì)量比為2:1:1 ?8: 2:10
[0007]在一個(gè)實(shí)施例中，所述復(fù)合陰極的厚度為10nm?400nm。
[0008]在一個(gè)實(shí)施例中，所述導(dǎo)電陽極基底為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃。
[0009]在一個(gè)實(shí)施例中，所述發(fā)光層的材料為4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’ -雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1，Γ-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁(Alq3)；
[0010]所述發(fā)光層的厚度為5nm?40nm。
[0011]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0012]提供導(dǎo)電陽極基底；
[0013]在所述導(dǎo)電陽極基底的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；以及
[0014]在所述電子注入層的表面電子束蒸鍍制備復(fù)合陰極，所述復(fù)合陰極的材料為低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及鈍化材料的混合物，所述低功函數(shù)金屬為Mg、Sr、Ca或Yb，所述鐵鹽為FeCl3、FeBr3 或 Fe2S3,所述鈍化材料為 Si02、A1203、N1 或 CuO。
[0015]在一個(gè)實(shí)施例中，所述低功函數(shù)金屬、所述鐵鹽以及所述鈍化材料的質(zhì)量比為2:1:1?8:2:1;
[0016]所述復(fù)合陰極的厚度為10nm?400nm。
[0017]在一個(gè)實(shí)施例中，還包括在所述導(dǎo)電陽極基底的表面蒸鍍制備所述空穴注入層前，對所述導(dǎo)電陽極基底進(jìn)行光刻剪裁后，依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇和異丙醇超聲處理15min的操作。
[0018]在一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述導(dǎo)電陽極基底的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的步驟中，工作壓強(qiáng)為2 X KT3Pa?5 X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?1nm/S。
[0019]在一個(gè)實(shí)施例中，所述在所述陰極的表面電子束蒸鍍制備復(fù)合陰極的步驟中，所述電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?lOOW/cm2。
[0020]這種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過在電子注入層上制備材料為低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及金屬鈍化材料的混合物的復(fù)合陰極提高出光效率，低功函數(shù)金屬功函數(shù)較低，有利于電子注入，提高電子的注入效率，同時(shí)，可對光進(jìn)行散射，使出射的光反射回到底部出射，提高出光效率。相對于傳統(tǒng)的有機(jī)電致發(fā)光器件，這種有機(jī)電致發(fā)光器件的出光效率較高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法的流程圖；
[0023]圖3為實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的亮度與流明效率關(guān)系圖。

【具體實(shí)施方式】
[0024]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0025]請參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50、電子注入層60及復(fù)合陰極70。
[0026]導(dǎo)電陽極基底10為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(IZ0)，優(yōu)選為IT0。
[0027]空穴注入層20的材料為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),厚度為20?80nm。優(yōu)選的，空穴注入層20的材料為MoO3,空穴注入層20厚度為40nm。
[0028]空穴傳輸層30的材料為I, 1-二 [4_[N,N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N，- (1_萘基)州，N，-二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，厚度為20?60nm。優(yōu)選的，空穴傳輸層30的材料為TCTA，空穴傳輸層30的厚度為50nm。
[0029]發(fā)光層40的材料為4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)貨8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為5?40nm。優(yōu)選的，發(fā)光層40的材料為Alq3，發(fā)光層40的厚度為I lnm。
[0030]電子傳輸層50的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度為40?300nm。優(yōu)選的，電子傳輸層50的材料為TAZ,電子傳輸層50的厚度為220nm。
[0031]電子注入層60的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)，厚度為0.5?10nm。優(yōu)選的，電子注入層60的材料為LiF，電子注入層60的厚度為2nm0
[0032]復(fù)合陰極70的材料為低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及鈍化材料的混合物，復(fù)合陰極70的厚度為10nm?400nm。。
[0033]低功函數(shù)金屬為功函數(shù)為_2eV?_3.5eV的金屬，具體的可以為鎂(Mg)、鍶(Sr)、鈣(Ca)或鐿(Yb)。
[0034]鐵鹽為氯化鐵(FeCl3)、溴化鐵(FeBr3)或硫化鐵(Fe2S3)15
[0035]鈍化材料為二氧化硅(Si02)、氧化鋁(A1203)、氧化鎳(N1)或氧化銅(CuO)。
[0036]低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及金屬鈍化材料的摻雜質(zhì)量比為2:1:1?8:2:1。
[0037]這種有機(jī)電致發(fā)光器件，通過在電子注入層60上制備材料為低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及金屬鈍化材料的混合物的復(fù)合陰極70提高出光效率，低功函數(shù)金屬功函數(shù)較低，有利于電子注入，提高電子的注入效率，同時(shí)，可對光進(jìn)行散射，使出射的光反射回到底部出射，提高出光效率。
[0038]鐵鹽熔點(diǎn)較低,容易蒸鍍,只需要少量的添加即可提高復(fù)合陰極70的HOMO能級，復(fù)合陰極70的HOMO能級得到提高，即可阻擋空穴穿越到陰極與電子復(fù)合淬滅，而且鐵鹽的自由電子較多，可提高載流子濃度，從而提高電子的傳輸速率，同時(shí)可提高器件的導(dǎo)電性。鈍化材料來源簡單，成本較低，并且鈍化材料可有效可提高器件的穩(wěn)定性，隔絕氧氣和水汽進(jìn)入到器件中。
[0039]可以理解，該有機(jī)電致發(fā)光器件中也可以根據(jù)需要設(shè)置其他功能層。
[0040]請同時(shí)參閱圖2，上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其包括以下步驟:
[0041 ] 步驟S10、提供導(dǎo)電陽極基底10。
[0042]導(dǎo)電陽極基底10為銦錫氧化物玻璃(IT0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(IZ0)，優(yōu)選為IT0。
[0043]步驟S20、在導(dǎo)電陽極基底10的表面依次蒸鍍制備空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50和電子注入層60。
[0044]在導(dǎo)電陽極基底10的表面蒸鍍制備空穴注入層20前，還包括如下操作:對導(dǎo)電陽極基底10進(jìn)行光刻剪裁后，依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇和異丙醇超聲處理15min的操作。
[0045]步驟S20中，工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa?5 X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.1nm/s?lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
[0046]空穴注入層20的材料為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5),厚度為20?80nm。優(yōu)選的，空穴注入層20的材料為MoO3,空穴注入層20厚度為40nm。
[0047]空穴傳輸層30的材料為I, 1-二 [4_[N,N' -二(p_甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N，- (1_萘基)州，N，-二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB)，厚度為20?60nm。優(yōu)選的，空穴傳輸層30的材料為TCTA，空穴傳輸層30的厚度為50nm。
[0048]發(fā)光層40的材料為4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亞萘基蒽(ADN)、4，4’_雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -聯(lián)苯(BCzVBi)貨8-羥基喹啉鋁(Alq3),厚度為5?40nm。優(yōu)選的，發(fā)光層40的材料為Alq3，發(fā)光層40的厚度為I lnm。
[0049]電子傳輸層50的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)、1，2，4_三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度為40?300nm。優(yōu)選的，電子傳輸層50的材料為TAZ,電子傳輸層50的厚度為220nm。
[0050]電子注入層60的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)、疊氮銫(CsN3)或者氟化鋰(LiF)，厚度為0.5?10nm。優(yōu)選的，電子注入層60的材料為LiF，電子注入層60的厚度為2nm0
[0051]步驟S30、在電子注入層60的表面電子束蒸鍍制備復(fù)合陰極70。
[0052]步驟S30中，電子束蒸鍍的能量密度為10W/cm2?100W/cm2。
[0053]復(fù)合陰極70的材料為低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及鈍化材料的混合物，復(fù)合陰極70的厚度為10nm?400nm。。
[0054]低功函數(shù)金屬為功函數(shù)為_2eV?-3.5eV的金屬，具體的可以為鎂(Mg)、鍶(Sr)、鈣(Ca)或鐿(Yb)。
[0055]鐵鹽為氯化鐵(FeCl3)、溴化鐵(FeBr3)或硫化鐵(Fe2S3)15
[0056]鈍化材料為二氧化硅(Si02)、氧化鋁(A1203)、氧化鎳(N1)或氧化銅(CuO)。
[0057]低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及金屬鈍化材料的摻雜質(zhì)量比為2:1:1?8:2:1。
[0058]這種有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法，制備工藝簡單；制備的有機(jī)電致發(fā)光器件，通過在電子注入層60上制備材料為低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及金屬鈍化材料的混合物的復(fù)合陰極70提高出光效率，低功函數(shù)金屬功函數(shù)較低，有利于電子注入，提高電子的注入效率，同時(shí)，可對光進(jìn)行散射，使出射的光反射回到底部出射，提高出光效率。
[0059]鐵鹽熔點(diǎn)較低,容易蒸鍍,只需要少量的添加即可提高復(fù)合陰極70的HOMO能級，復(fù)合陰極70的HOMO能級得到提高，即可阻擋空穴穿越到陰極與電子復(fù)合淬滅，而且鐵鹽的自由電子較多，可提高載流子濃度，從而提高電子的傳輸速率，同時(shí)可提高器件的導(dǎo)電性。鈍化材料來源簡單，成本較低，并且鈍化材料可有效可提高器件的穩(wěn)定性，隔絕氧氣和水汽進(jìn)入到器件中。
[0060]以下結(jié)合具體實(shí)施例對有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例及對比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)，美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時(shí)利公司的Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測試亮度和色度。
[0062]實(shí)施例1
[0063]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為ITO 玻璃 /Mo03/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ca = FeCl3 = Al2O3 的有機(jī)電致發(fā)光器件。其中，“/”表示層疊，“:”表示混合。
[0064]提供ITO玻璃作為導(dǎo)電陽極基底，并將該ITO玻璃進(jìn)行光刻剪裁后，依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇和異丙醇超聲處理15min去除沾污。
[0065]在工作壓強(qiáng)為8X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為3nm/s的條件下，在ITO玻璃的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。空穴注入層的材料為MoO3,厚度為40nm?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門CTA，厚度為50nm。發(fā)光層的材料為Alq3，厚度為llnm。電子傳輸層的材料為TAZ，厚度為220nm。電子注入層的材料為LiF，厚度為2nm。
[0066]在電子束能量為20W/cm2的條件下，在電子注入層表面電子束蒸鍍制備復(fù)合陰極。復(fù)合陰極的材料為質(zhì)量比為4: 1.5: I的Ca、FeClJP Al2O3的混合物，厚度為200nm。
[0067]請參閱圖3，所示為實(shí)施例1中制備的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線I)與對比例制備的結(jié)構(gòu)為ITO玻璃/Mo03/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag的有機(jī)電致發(fā)光器件(曲線2)的流明效率與亮度的關(guān)系。對比例制備有機(jī)電致發(fā)光器件的步驟及各層厚度與實(shí)施例1均相同。
[0068]從圖3可以看到，在不同亮度下，實(shí)施例1制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都比對比例的要大，實(shí)施例1的最大流明效率為5.81m/ff,而對比例的僅為3.581m/W。同時(shí)，隨著亮度的提高，實(shí)施例1的流明效率衰減更慢。這說明，復(fù)合陰極有利于電子注入，阻擋空穴穿越到陰極與電子復(fù)合淬滅，提高器件的導(dǎo)電性。隔絕氧氣和水汽進(jìn)入到器件中，最終提高發(fā)光效率。
[0069]以下各個(gè)實(shí)施例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的流明效率都與實(shí)施例1相類似，各有機(jī)電致發(fā)光器件也具有類似的流明效率，在下面不再贅述。
[0070]實(shí)施例2
[0071]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為AZO玻璃/V205/TCTA/ADN/TAZ/CsF/Mg = Fefc3 = S12的有機(jī)電致發(fā)光器件。其中，“/”表示層疊，“:”表示混合。
[0072]提供AZO玻璃作為導(dǎo)電陽極基底，并將該AZO玻璃進(jìn)行光刻剪裁后，依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇和異丙醇超聲處理15min去除沾污。
[0073]在工作壓強(qiáng)為2X10_3Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lOnm/s的條件下，在AZO玻璃的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閂205,厚度為80nm?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟門CTA，厚度為60nm。發(fā)光層的材料為ADN，厚度為5nm。電子傳輸層的材料為TAZ，厚度為200nm。電子注入層的材料為CsF，厚度為10nm。
[0074]在電子束能量為lOW/cm2的條件下，在電子注入層表面電子束蒸鍍制備復(fù)合陰極。復(fù)合陰極的材料為質(zhì)量比為2: I: I的Mg、FeBrJP S12的混合物，厚度為lOOnm。
[0075]實(shí)施例3
[0076]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為IZO 玻璃 /W03/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2C03/Yb:Fe2S3: N1 的有機(jī)電致發(fā)光器件。其中，“/”表示層疊，“:”表示混合。
[0077]提供IZO玻璃作為導(dǎo)電陽極基底，并將該IZO玻璃進(jìn)行光刻剪裁后，依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇和異丙醇超聲處理15min去除沾污。
[0078]在工作壓強(qiáng)為5X 10_5Pa,有機(jī)材料的蒸鍍速率為lnm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s的條件下，在IZO玻璃的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟閃O3,厚度為20nm。空穴傳輸層的材料為TAPC，厚度為30nm。發(fā)光層的材料為BCzVBi，厚度為40nm。電子傳輸層的材料為TPBi，厚度為60nm。電子注入層的材料為Cs2CO3,厚度為0.5nm。
[0079]在電子束能量為lOOW/cm2的條件下，在電子注入層表面電子束蒸鍍制備復(fù)合陰極。復(fù)合陰極的材料為質(zhì)量比為8: 2: I的Yb、Fe2S3和N1的混合物，厚度為400nm。
[0080]實(shí)施例4
[0081]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為IZO 玻璃 /Mo03/NPB/DCJTB/Bphen/CsN3/Mg = FefovCuO 的有機(jī)電致發(fā)光器件。其中，“/”表示層疊，“:”表示混合。
[0082]提供IZO玻璃作為導(dǎo)電陽極基底，并將該IZO玻璃進(jìn)行光刻剪裁后，依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇和異丙醇超聲處理15min去除沾污。
[0083]在工作壓強(qiáng)為5X 10_4Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.2nm/s,金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為5nm/s的條件下，在IZO玻璃的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層?？昭ㄗ⑷雽拥牟牧蠟镸oO3,厚度為30nm?？昭▊鬏攲拥牟牧蠟镹PB，厚度為50nm。發(fā)光層的材料為DCJTB，厚度為5nm。電子傳輸層的材料為Bphen，厚度為40nm。電子注入層的材料為CsN3,厚度為lnm。
[0084]在電子束能量為60W/cm2的條件下，在電子注入層表面電子束蒸鍍制備復(fù)合陰極。復(fù)合陰極的材料為質(zhì)量比為5: 1.8:1的Mg、FeBr3和CuO的混合物，厚度為250nm。
[0085]以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，包括依次層疊的導(dǎo)電陽極基底、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及復(fù)合陰極； 所述復(fù)合陰極的材料為低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及鈍化材料的混合物，所述低功函數(shù)金屬為Mg、Sr、Ca或Yb，所述鐵鹽為FeCl3、FeBr3或Fe2S3，所述鈍化材料為Si02、Al203、Ni0或CuO。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述低功函數(shù)金屬、所述鐵鹽以及所述鈍化材料的質(zhì)量比為2:1:1?8: 2:1。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述復(fù)合陰極的厚度為10nm ?400nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述導(dǎo)電陽極基底為銦錫氧化物玻璃、鋁鋅氧化物玻璃或銦鋅氧化物玻璃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料為4-(二腈甲基)-2_ 丁基-6- (I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亞萘基蒽、4，4’-雙(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，Γ-聯(lián)苯或8-羥基喹啉鋁(Alq3)； 所述發(fā)光層的厚度為5nm?40nm。
6.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供導(dǎo)電陽極基底； 在所述導(dǎo)電陽極基底的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；以及 在所述電子注入層的表面電子束蒸鍍制備復(fù)合陰極，所述復(fù)合陰極的材料為低功函數(shù)金屬、鐵鹽以及鈍化材料的混合物，所述低功函數(shù)金屬為Mg、Sr、Ca或Yb，所述鐵鹽為FeCl3、FeBr3 或 Fe2S3,所述鈍化材料為 Si02、A1203、N1 或 CuO。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述低功函數(shù)金屬、所述鐵鹽以及所述鈍化材料的質(zhì)量比為2:1:1?8: 2:1; 所述復(fù)合陰極的厚度為10nm?400nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，還包括在所述導(dǎo)電陽極基底的表面蒸鍍制備所述空穴注入層前，對所述導(dǎo)電陽極基底進(jìn)行光刻剪裁后，依次用洗潔精、去離子水、丙酮、乙醇和異丙醇超聲處理15min的操作。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述在所述導(dǎo)電陽極基底的表面依次蒸鍍制備空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層的步驟中，工作壓強(qiáng)為2X 10_3Pa?5X 10_5Pa，有機(jī)材料的蒸鍍速率為0.lnm/s?lnm/s，金屬及金屬化合物的蒸鍍速率為lnm/s?10nm/s。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述在所述陰極的表面電子束蒸鍍制備復(fù)合陰極的步驟中，所述電子束蒸鍍的能量密度為lOW/cm2?100W/cm2。
【文檔編號】H01L51/50GK104425725SQ201310370321
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月22日
【發(fā)明者】周明杰, 黃輝, 鐘鐵濤, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司