發(fā)光二極管的制作方法
【專(zhuān)利摘要】一種發(fā)光二極管，包括具有電路結(jié)構(gòu)的基板、至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片和封裝材料，發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板之上且與基板的電路結(jié)構(gòu)電連接，封裝材料設(shè)置在所述基板上并包覆發(fā)光二極管芯片。所述封裝材料的表面包含至少一向基板凹陷的凹槽，所述凹槽的截面呈“V”形或梯形，凹槽的斜面的截面的輪廓形成“V”形或梯形的斜邊。本發(fā)明所提供的發(fā)光二極管，利用在發(fā)光二極管芯片周?chē)姆庋b材料上形成凹槽以減少全反射現(xiàn)象的發(fā)生，從而提高了整個(gè)發(fā)光二極管的光輸出效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】發(fā)光二極管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管，特別涉及一種集成封裝的發(fā)光二極管。

【背景技術(shù)】
[0002] 發(fā)光二極管作為一種新型的光源，目前已廣泛應(yīng)用于多種場(chǎng)合。多年來(lái)發(fā)光二極 管的發(fā)展方向仍然致力于發(fā)光效率的提升上，發(fā)光效率的影響因素一般包括選用的發(fā)光二 極管芯片材料、組件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)、透明度及全反射現(xiàn)象等。
[0003] 發(fā)光二極管封裝體中最重要的元件為發(fā)光二極管芯片，其決定了發(fā)光二極管的性 能?，F(xiàn)有技術(shù)中，通常在發(fā)光二極管芯片上包覆封裝材料以進(jìn)一步保護(hù)晶粒的各項(xiàng)特性。 然而，現(xiàn)有的封裝材料的折射率大約為1. 4-1. 5,根據(jù)折射定律，例如，當(dāng)封裝材料折射率為 1. 5、入射角大于41度時(shí)，光線(xiàn)在空氣與封裝材料的界面發(fā)生全反射，再如，當(dāng)封裝材料折 射率為1. 4、入射角大于45度時(shí)，光線(xiàn)在空氣與封裝材料的界面發(fā)生全反射，如此經(jīng)過(guò)全反 射后的光線(xiàn)需要再經(jīng)過(guò)多次反射后才能從封裝材料中射出，從而造成光線(xiàn)的能量損耗、降 低整個(gè)發(fā)光二極管的光輸出效率。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明旨在提供一種發(fā)光二極管以克服上述缺陷。
[0005] -種發(fā)光二極管，包括具有電路結(jié)構(gòu)的基板、至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片和封裝材 料，發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板之上且與基板的電路結(jié)構(gòu)電連接，封裝材料設(shè)置在所述基 板上并包覆發(fā)光二極管芯片。所述封裝材料的表面包含至少一向基板凹陷的凹槽，所述凹 槽的截面呈"V"形或梯形，凹槽的斜面的截面的輪廓形成"V"形或梯形的斜邊。
[0006] 本發(fā)明所提供的發(fā)光二極管，利用在發(fā)光二極管芯片周?chē)姆庋b材料上形成凹槽 以減少全反射現(xiàn)象的發(fā)生，從而提高了整個(gè)發(fā)光二極管的光輸出效率。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007] 圖1為本發(fā)明實(shí)施方式一中的發(fā)光二極管的剖面圖。
[0008] 圖2為圖1中的一種發(fā)光二極管的平面圖。
[0009] 圖3為本發(fā)明所提供的發(fā)光二極管的原理示意圖。
[0010] 圖4為圖1中的另一種發(fā)光二極管的平面圖。
[0011] 圖5為本發(fā)明實(shí)施方式二中的發(fā)光二極管的剖面圖。
[0012] 主要元件符號(hào)說(shuō)明

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管，包括具有電路結(jié)構(gòu)的基板、至少一個(gè)發(fā)光二極管芯片和封裝材料， 發(fā)光二極管芯片設(shè)置于基板之上且與基板的電路結(jié)構(gòu)電連接，封裝材料設(shè)置在所述基板上 并包覆發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述封裝材料的表面包含至少一向基板凹陷的凹槽， 所述凹槽的截面呈"V"形或梯形，凹槽的斜面的截面的輪廓形成"V"形或梯形的斜邊。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述封裝材料的折射率為1. 4-1. 5。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述"V"形或梯形凹槽的截面的斜邊 的法線(xiàn)與發(fā)光二極管芯片的中心軸之間的夾角大于"全反射臨界角的余角"，且小于90度。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述斜邊的遠(yuǎn)離基板的一端的端點(diǎn) 與發(fā)光二極管芯片的中心軸之間的距離大于等于〇,且小于"封裝材料的厚度與全反射臨界 角的正切"的乘積。
5. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述"V"形或梯形凹槽的深度小于 等于封裝材料的厚度。
6. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述封裝材料的凹槽位于相鄰的發(fā) 光二極管芯片與發(fā)光二極管芯片之間。
7. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述相鄰的發(fā)光二極管芯片與發(fā)光 二極管芯片之間僅有一個(gè)凹槽。
8. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述封裝材料的凹槽圍繞發(fā)光二極 管芯片聚集區(qū)域的周?chē)?br> 9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述發(fā)光二極管芯片聚集區(qū)域中心 進(jìn)一步包含中心凹槽。
10. 如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管，其特征在于：所述中心凹槽呈圓錐形或圓臺(tái)形。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK104425679SQ201310396038
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2013年9月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月4日
【發(fā)明者】張忠民, 張簡(jiǎn)千琳, 吳雅婷, 楊政華 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司