有機電致發(fā)光裝置及其制備方法
【專利摘要】一種有機電致發(fā)光裝置，包括依次層疊的基板、第一透射電極、OLED發(fā)光結構、第二透射電極、緩沖層、光學破壞層及反射電極，基板選用玻璃、金屬片、硅片或高分子材料任意一種材質，第一透射電極為導電氧化物薄膜，第二透射電極為第一金屬薄膜，緩沖層選用一氧化硅、氧化鎢及三氧化錸的任意一種，光學破壞層的材質為硅的氧化物、鈦的氧化物、鉿的氧化物、鉭的氧化物或錸的氧化物，反射電極的材質為第二金屬薄膜。本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光裝置的制備方法通過在反射電極上形成光學破壞層，增加了一個緩沖層，使得利用該有機電致發(fā)光裝置的制備方法制得的有機電致發(fā)光裝置出光效率高、反射率小且成本較低。
【專利說明】有機電致發(fā)光裝置及其制備方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領域，特別涉及一種有機電致發(fā)光裝置及其制備方法。
【背景技術】
[0002] 有機電致發(fā)光（化ganic li曲t Emission Diode,簡稱0L?。┦且环N使用有機發(fā)光 材料的多層發(fā)光器件，0LED因其具有發(fā)光效率高、制作工藝簡單、響應速度快W及易實現(xiàn)全 色和柔性顯示等特點，在照明和平板顯示領域引起了越來越多的關注。
[0003] 現(xiàn)有的底發(fā)射發(fā)光裝置一般采用下出光的形式，使光線無需通過下方的半導體導 電氧化物薄膜出光，但是其采用了金屬電極作為反射電極，由于反射電極具有較高的反射 率，導致外部的環(huán)境光線在發(fā)射器件的反射電極上產生強烈的反射，從而影響0L邸顯示裝 置的對比度和顯示清晰度，現(xiàn)有的偏光膜雖然能夠抵消該些環(huán)境光線，但是偏光膜容易受 潮濕和環(huán)境溫度的影響，并且制造成本較高。
【發(fā)明內容】
[0004] 本發(fā)明的目的在于提供一種出光效率高、反射率小且成本較低的有機電致發(fā)光裝 置。
[0005] 為解決上述技術問題，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光裝置，包括依次層疊的基 板、第一透射電極、0L邸發(fā)光結構、第二透射電極、緩沖層、光學破壞層及反射電極，所述基 板選用玻璃、金屬片、娃片或高分子材料的任意一種材質，所述第一透射電極為導電氧化物 薄膜，所述0L邸發(fā)光結構包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及 電子注入層，所述第二透射電極為第一金屬薄膜，所述緩沖層的材質選用一氧化娃、氧化鶴 或H氧化練的任意一種，所述光學破壞層的材質為娃的氧化物、鐵的氧化物、給的氧化物、 粗的氧化物或練的氧化物，所述反射電極的材質為第二金屬薄膜。
[0006] 其中，所述導電氧化物薄膜的材質為鋼錫氧化物薄膜、鋼鋒氧化物、鉛鋒氧化物或 嫁鋒氧化物，且所述導電氧化物薄膜的厚度為100nm-500nm ;
[0007] 其中，所述空穴注入層選用駄菁鋒、駄菁銅或駄菁笛，所述空穴傳輸層采用4,4'， 4" -H(2-蔡基苯基氨基）H苯基胺，N，N'-二苯基-N，N'-二（1-蔡基-聯(lián) 苯-4,4'-二胺、4,4'，4" -H(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）H苯胺、N，N'-二苯基-N， N'-二（3-甲基苯基-聯(lián)苯-4,4'-二胺或者4,4'，4" -H (巧哇-9-基）H 苯胺中的一種，所述發(fā)光層的材質為客體材料W質量比為1 : 100?20 : 100的比例慘雜 在主體材料中的混合材料；所述客體材料包括4-(二膳甲基）-2-下基-6-(1，1，7, 7-四甲 基久洛呢巧-9-己帰基）-4H-化喃、雙（4,6-二氣苯基化巧-N，C2)化巧甲醜合鑲、雙（4， 6-二氣苯基化巧）-四（1-化哇基）測酸合鑲，二（2-甲基-二苯基[f，h]唾喔晰）（己醜 丙麗）合鑲、H (1-苯基-異唾晰）合鑲或H (2-苯基化巧）合鑲中的一種或幾種與主體 材料慘雜而成；所述主體材料選用4,4'-二（9-巧哇）聯(lián)苯、8-輕基唾晰鉛、1，3,5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯或N，N'-二苯基-N，N'-二（1-蔡基-聯(lián) 苯-4,4'-二胺；或者所述發(fā)光層的材質為英光材料，所述英光材料為4,4'-二（2,2-二 苯己帰基）-l，r -聯(lián)苯、4,4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯己帰基]聯(lián)苯、5,6，11， 12-四苯基蔡并蔡或二甲基唾嚇巧麗等材料中的至少一種；所述電子傳輸層選用2-(4-聯(lián) 苯基）-5-(4-叔下基）苯基-1，3,4-嗯二哇、4,7-二苯基-鄰菲咯晰、1，3,5-H (1-苯 基-1H-苯并咪哇-2-基）苯、2,9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲或1，2, 4- H哇衍 生物；及所述電子注入層選用LiF ;
[0008] 其中，所述第一金屬薄膜的材質選用金、銀、鉛、鎮(zhèn)的任意一種材料制成或者由其 中至少兩種材料組成的合金，且所述第一金屬薄膜的厚度為18nm-30nm ;
[0009] 其中，所述緩沖層的材質選用一氧化娃、氧化鶴或H氧化練的任意一種金屬氧化 物，所述緩沖層的厚度為50nm-200nm ;
[0010] 其中，所述光學破壞層包括多個依次層疊的含氧量不同的單層，各所述單層的厚 度均為10nm-30nm，所述光學破壞層的總厚度為40nm-100nm ;
[0011] 其中，所述第二金屬薄膜的材質選用金屬金、銀、鉛、銅、媒、笛或鎮(zhèn)的任意一種 材料制成或者由其中至少兩種材料組成的合金，且所述第二金屬薄膜的厚度大于或等于 70nm ；
[0012] 本發(fā)明還提供了一種有機電致發(fā)光裝置的制備方法，包括W下操作步驟：
[0013] 提供基板，在所述基板表面真空姍射形成第一透射電極，所述基板的材質為玻璃、 金屬片、娃片或高分子材料，所述第一透射電極為導電氧化物薄膜；
[0014] 采用真空蒸發(fā)技術，在所述第一透射電極上形成0L邸發(fā)光結構，所述0L邸發(fā)光結 構包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層；
[0015] 在所述0L邸發(fā)光結構上采用真空蒸發(fā)技術形成第二透射電極，所述第二透射電 極為第一金屬薄膜；
[0016] 在所述0L邸發(fā)光結構上采用蒸發(fā)技術形成緩沖層，所述緩沖層的材質為一氧化 娃、氧化鶴或H氧化練的任意一種，熱蒸發(fā)時的壓強為1 X 1〇-中a-1 X 1〇-中a ;
[0017] 采用磁控姍射技術，在所述緩沖層上形成光學破壞層，所述光學破壞層的材質的 材質為娃的氧化物、鐵的氧化物、給的氧化物、粗的氧化物或練的氧化物，所述光學破壞層 的制備條件為W金屬材料作為祀材，W氧氣和氮氣的混合氣體作為氣體氛圍，所述氧氣和 氮氣的氣體流量范圍為l〇sccm-50sccm，所述氧氣的比例為2% -50% ;
[0018] 采用真空蒸發(fā)技術，在所述光學破壞層上形成反射電極，所述反射電極的材質為 第二金屬薄膜。
[0019] 其中，所述緩沖層的厚度為50nm-2(K)nm ;
[0020] 其中，所述光學破壞層包括多個依次層疊的含氧量不同的單層，各所述單層的厚 度均為10nm-30nm，所述光學破壞層的總厚度為40nm-100nm。
[0021] 本發(fā)明提供的一種有機電致發(fā)光裝置的制備方法通過在反射電極上設置了一個 光學破壞層，提高了 0LED發(fā)光結構的對比度和清晰度。其中，所述光學破壞層的材質選用 娃的氧化物、鐵的氧化物、給的氧化物、粗的氧化物或練的氧化物，通過改變材料本身的含 氧程度，使形成的材料薄膜具有不同的介電常數(shù)，因而改變材料的折射率，從而提高了 0LED 發(fā)光結構的對比度和清晰度。同時，在所述光學破壞層與所述第二透射電極之間設置有一 個緩沖層，所述緩沖層的材質為一氧化娃、氧化鶴或H氧化練的任意一種，所述緩沖層用于 保護所述第二透射電極，防止所述光學破壞層的制備工藝破壞所述第二透射電極。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0022] 為了更清楚地說明本發(fā)明的技術方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作 簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施方式，對于本領域普 通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可W根據該些附圖獲得其他的附圖。
[0023] 圖1是本發(fā)明實施例1提供的有機電致發(fā)光裝置的示意圖；
[0024] 圖2是本發(fā)明實施例2提供的有機電致發(fā)光裝置的示意圖；
[00巧]圖3是本發(fā)明實施例3提供的有機電致發(fā)光裝置的示意圖；
[0026] 圖4是本發(fā)明實施方式提供的制備所述有機電致發(fā)光裝置的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0027] 下面將結合本發(fā)明實施方式中的附圖，對本發(fā)明實施方式中的技術方案進行清 楚、完整地描述。
[0028] 實施例1
[0029] 請參閱圖1，一種有機電致發(fā)光裝置100,其包括依次層疊的基板10、第一透射電 極11、0L邸發(fā)光結構12、第二透射電極13、緩沖層14、光學破壞層15及反射電極16。其中， 所述光學破壞層15包括第一層光學破壞層15a、第二層光學破壞層巧b及第H層光學破壞 層 15c。
[0030] 本實施例中，所述基板10選用玻璃、金屬片、娃片及高分子材料等材質制成，且由 于制備的是頂發(fā)射的發(fā)光裝置，因此所述基板10無需透明。
[0031] 所述第一透射電極11為導電氧化物薄膜，如金、銀、鉛、鎮(zhèn)等或者其合金，為了實 現(xiàn)透射的效果，所述導電氧化物薄膜13的厚度為lOOnm-500皿之間。
[0032] 所述0L邸發(fā)光結構12包括依次層疊的空穴注入層（未圖示）、空穴傳輸層（未圖 示）、發(fā)光層（未圖示）、電子傳輸層（未圖示）及電子注入層（未圖示）。本實施例中，所 述空穴注入層選用駄菁鋒狂nPc)、駄菁銅KuPc)或駄菁笛（P巧C)。
[0033] 所述空穴傳輸層采用4,4'，4" -H (2-蔡基苯基氨基）H苯基胺（2-TNATA)， N，N'-二苯基-N，N'-二（1-蔡基-聯(lián)苯-4,4'-二胺（NPB)、4,4'，4" -H (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）H苯胺（m-MTDATA)、N，N'-二苯基-N，N'-二（3-甲基苯 基-聯(lián)苯-4,4'-二胺（TPD)或者 4,4'，4" -H (巧哇-9-基）H苯胺（TCTA) 中的一種；
[0034] 所述發(fā)光層的材質為客體材料W質量比為1 : 100?20 : 100的比例慘雜在主 體材料中的混合材料；所述客體材料包括4-(二膳甲基）-2-下基-6-(1，1，7, 7-四甲基 久洛呢巧-9-己帰基）-4H-化喃值CJTB)、雙（4,6-二氣苯基化巧-N，C2)化巧甲醜合鑲 (Fbpic)、雙（4,6-二氣苯基化巧）-四（1-化哇基）測酸合鑲（FIr6)，二（2-甲基-二苯基 [f，h]唾喔晰）（己醜丙麗）合鑲（Ir(MD曲2(acac))、H (1-苯基-異唾晰）合鑲（Ir(piq)3) 或H (2-苯基化巧）合鑲（Ir(ppy) 3)中的一種或幾種與主體材料慘雜而成；所述主體材料 選用4,4'-二（9-巧哇）聯(lián)苯（CB巧、8-輕基唾晰鉛（Alq3)、l，3,5-H (1-苯基-1H-苯并 咪哇-2-基）苯（TPBi)或N，N'-二苯基-N，N'-二（1-蔡基-聯(lián)苯-4,4'-二 胺（NPB);或者所述發(fā)光層的材質為英光材料，所述英光材料為4,4'-二（2,2-二苯己帰 基-聯(lián)苯值PVBi)、4,4'-雙[4-(二對甲苯基氨基）苯己帰基]聯(lián)苯值PAVBi)、 5,6，11，12-四苯基蔡并蔡（Rubrene)或二甲基唾嚇巧麗值MQA)等材料中的至少一種；
[0035] 所述電子傳輸層選用2-(4-聯(lián)苯基）-5-(4-叔下基）苯基-1，3,4-嗯二哇（P抓）、 4,7-二苯基-鄰菲咯晰炬地en)、l，3,5-Ha-苯基-lH-苯并咪哇-2-基）苯（TPBi)、2， 9-二甲基-4, 7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲炬CP)或1，2,4-H哇衍生物（TA幻；
[0036] 所述電子注入層選用LiF。
[0037] 所述第二透射電極13的材質為第一金屬薄膜，包括金、銀、鉛、鎮(zhèn)的任意一種材料 制成或者由其中至少兩種材料組成的合金，且為了實現(xiàn)透射的效果，所述第一金屬薄膜15 的厚度為18nm-30nm。
[0038] 所述緩沖層14的材質為金屬氧化物，包括一氧化娃、氧化鶴及H氧化練的任意一 種，所述緩沖層14的厚度為50nm-200nm。
[0039] 所述光學破壞層15的材質的材質為娃的氧化物、鐵的氧化物、給的氧化物、粗的 氧化物或練的氧化物。本實施例中，所述光學破壞層15包括H個依次層疊的含氧量不同的 單層，各所述單層的厚度均為l〇nm-30nm，所述光學破壞層的總厚度為40nm-100nm。當然， 在其他實施例中，所述光學破壞層15還可包括四個、五個或更多個依次層疊的含氧量不同 的單層。
[0040] 所述反射電極16的材質為第二金屬薄膜，包括金屬金、銀、鉛、銅、媒、笛及鎮(zhèn)的 任意一種材料制成或由其中至少兩種材料組成的合金，所述第二金屬薄膜11的厚度大于 70nm。本實施例中，為了實現(xiàn)高反射的效果，所述第二金屬薄膜11的厚度為100nm-500nm。
[0041] 請參閱圖4,本實施例還提供一種有機電致發(fā)光裝置的制備方法，包括W下操作步 驟：
[0042] 步驟101 ;提供一玻璃基板，在所述玻璃基板表面采用真空姍鍛形成第一透射電 極，所述第一透射電極的材質為IT0,其中，
[0043] 由于制備的是頂發(fā)射的有機電致發(fā)光裝置，所W所述基板無需透明，姍鍛形成所 述第一透射電極時的壓強為lXl(T4Pa，所述第一透射電極的厚度為100皿。
[0044] 步驟103 ;在所述第一透射電極上采用真空蒸發(fā)形成0L邸發(fā)光結構，其中，
[0045] 所述0L邸發(fā)光結構包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸 層及電子注入層，其中，
[0046] 所述空穴注入層為IHPc，蒸鍛時的壓強為1 X l(T4Pa，蒸鍛厚度為20皿；
[0047] 所述空穴傳輸層為NPB，蒸鍛時的壓強為1 X l(T4Pa，蒸鍛厚度為20nm ;
[0048] 所述發(fā)光層采用Ir(ppy)3慘雜在CBP中，蒸鍛時的壓強為lXl(T4Pa，蒸鍛厚度為 15nm ；
[0049] 所述電子傳輸層的材質為化hen,蒸鍛時的壓強為1 X l(T4Pa，蒸鍛厚度為30nm ;
[0050] 所述電子注入層的材質為LiF，蒸鍛時的壓強為1 X l(T4Pa，蒸鍛厚度為Inm ;
[0051] 步驟105 ;在所述0L邸發(fā)光結構上采用真空蒸發(fā)工藝形成第二透射電極，所述第 二透射電極的材質為Ag，蒸鍛時的壓強為1 X l(T4Pa，蒸鍛厚度為18nm ;
[0052] 步驟107 ;在所述第二透射電極上采用真空蒸發(fā)工藝形成緩沖層，所述緩沖層的 材質為一氧化娃，蒸鍛時的壓強為1 X l(T4Pa，厚度為50皿；
[0053] 步驟109 ;在所述緩沖層上采用磁控姍射工藝形成光學破壞層，其中，選用金屬 材料鐵（Ti)作為祀材，W氧氣（0)和氮氣（Ar)的混合氣體作為氣體氛圍，在氣體流量為 10sccm-50sccm，姍鍛壓強為0. 5Pa，姍射功率為20W-100W，所述氧氣的比例為2% -50%，姍 射速度為0. Inm/s-lnm/s條件下制備所述光學破壞層，首先制備第一層光學破壞層，所述 第一層光學破壞層形成的是在富氧條件下形成的二氧化鐵；然后制備第二層光學破壞層， 所述第二層光學破壞層形成的是近似于H氧化二鐵的材質；最后制備第H層光學破壞層， 所述第H層光學破壞層由于在缺氧的環(huán)境下，因而形成的是近似氧化鐵的材質；當對所述 第一層光學破壞層單獨成膜，其厚度為20nm，對所述第二層光學破壞層單獨成膜，其厚度為 lOnm，對所述第H層光學破壞層單獨成膜，其厚度為lOnm。
[0054] 所述第一層光學破壞層、第二層光學破壞層及第H層光學破壞層的制備環(huán)境條件 如下表1所示：
[00巧]表1
[0056]
【權利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，其包括依次層疊的基板、第一透射電極、OLED 發(fā)光結構、第二透射電極、緩沖層、光學破壞層及反射電極，所述基板選用玻璃、金屬片、娃 片或高分子材料的任意一種材質，所述第一透射電極為導電氧化物薄膜，所述0LED發(fā)光結 構包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層，所述第二 透射電極為第一金屬薄膜，所述緩沖層的材質選用一氧化娃、氧化鶴或H氧化練的任意一 種，所述光學破壞層的材質為娃的氧化物、鐵的氧化物、給的氧化物、粗的氧化物或練的氧 化物，所述反射電極的材質為第二金屬薄膜。
2. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述導電氧化物薄膜的材質 為鋼錫氧化物薄膜、鋼鋒氧化物、鉛鋒氧化物或嫁鋒氧化物，且所述導電氧化物薄膜的厚度 為 100nm-500nm。
3. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述空穴注入層選用駄菁鋒、 駄菁銅或駄菁笛，所述空穴傳輸層采用4,4'，4" -H (2-蔡基苯基氨基）H苯基胺，N， N'-二苯基-N，N'-二（1-蔡基-聯(lián)苯-4,4'-二胺、4,4'，4" -H(N-3-甲基 苯基-N-苯基氨基）H苯胺、N，N'-二苯基-N，N'-二（3-甲基苯基-聯(lián)苯-4， 4'-二胺或者4,4'，4" -H (巧哇-9-基）H苯胺中的一種，所述發(fā)光層的材質為客體 材料W質量比為1 : 100?20 : 100的比例慘雜在主體材料中的混合材料；所述客體材 料包括4-(二膳甲基）-2-下基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢巧-9-己帰基）-4H-化喃、雙 (4,6-二氣苯基化巧-N，C2)化巧甲醜合鑲、雙（4,6-二氣苯基化巧）-四（1-化哇基）測 酸合鑲，二（2-甲基-二苯基化h]唾喔晰）（己醜丙麗）合鑲、S (1-苯基-異唾晰）合 鑲或H (2-苯基化巧）合鑲中的一種或幾種與主體材料慘雜而成，所述主體材料選用4， 4' -(9-巧哇）聯(lián)苯、8-輕基唾晰鉛、1，3,5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯或N， N'-二苯基-N，N'-二（1-蔡基-聯(lián)苯-4,4'-二胺；或者所述發(fā)光層的材質為 英光材料，所述英光材料為4,4' -(2,2-苯己帰基-聯(lián)苯、4,4'-雙[4-(二對甲 苯基氨基）苯己帰基]聯(lián)苯、5,6,11，12-四苯基蔡并蔡或二甲基唾嚇巧麗等材料中的至少 一種，所述電子傳輸層選用2- (4-聯(lián)苯基）-5- (4-叔下基）苯基-1，3,4-嗯二哇、4, 7-二苯 基-鄰菲咯晰、1，3,5-H (1-苯基-1H-苯并咪哇-2-基）苯、2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1， 10-鄰二氮雜菲或1，2,4-H哇衍生物；及所述電子注入層選用LiF。
4. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述第一金屬薄膜的材質選 用金、銀、鉛、鎮(zhèn)的任意一種材料制成，或者由其中至少兩種材料組成的合金，且所述第一金 屬薄膜的厚度為18nm-30nm。
5. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述緩沖層的厚度為 50nm-200nm。
6. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述光學破壞層包括多個依 次層疊的含氧量不同的單層，各所述單層的厚度均為l〇nm-30nm，所述光學破壞層的總厚度 為 40nm-100nm。
7. 如權利要求1所述的有機電致發(fā)光裝置，其特征在于，所述第二金屬薄膜的材質選 用金屬金、銀、鉛、銅、媒、笛或鎮(zhèn)的任意一種材料制成或者由其中至少兩種材料組成的合 金，且所述第二金屬薄膜的厚度大于或等于70nm。
8. -種有機電致發(fā)光裝置的制備方法，其特征在于，包括W下操作步驟： 提供基板，在所述基板表面真空姍射形成第一透射電極，所述基板的材質為玻璃、金屬片、娃片或高分子材料，所述第一透射電極為導電氧化物薄膜； 采用真空蒸發(fā)技術，在所述第一透射電極上形成0L邸發(fā)光結構，所述0L邸發(fā)光結構包 括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層及電子注入層； 在所述0L邸發(fā)光結構上采用真空蒸發(fā)技術形成第二透射電極，所述第二透射電極為 第一金屬薄膜； 在所述0L邸發(fā)光結構上采用蒸發(fā)技術形成緩沖層，所述緩沖層的材質為一氧化娃、氧 化鶴或H氧化練的任意一種，熱蒸發(fā)時的壓強為1 X 10-中a-1 X 10-中a ; 采用磁控姍射技術，在所述緩沖層上形成光學破壞層，所述光學破壞層的材質的材質 為娃的氧化物、鐵的氧化物、給的氧化物、粗的氧化物或練的氧化物，所述光學破壞層的制 備條件為W金屬材料作為祀材，W氧氣和氮氣的混合氣體作為氣體氛圍，所述氧氣和氮氣 的氣體流量范圍為l〇sccm-50sccm，所述氧氣的比例為2% -50% ; 采用真空蒸發(fā)技術，在所述光學破壞層上形成反射電極，所述反射電極的材質為第二 金屬薄膜。
9. 如權利要求8所述的有機電致發(fā)光裝置的制備方法，其特征在于，所述緩沖層的厚 度為 50nm-200nm。
10. 如權利要求8所述的有機電致發(fā)光裝置的制備方法，其特征在于，所述光學破壞層 包括多個依次層疊的含氧量不同的單層，各所述單層的厚度均為l〇nm-30nm，所述光學破壞 層的總厚度為40nm-100皿。
【文檔編號】H01L51/56GK104466009SQ201310415656
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年9月12日 優(yōu)先權日:2013年9月12日
【發(fā)明者】周明杰, 馮小明, 鐘鐵濤, 王平 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司