發(fā)光二極管的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管，包括一發(fā)光二極管芯片、封裝該發(fā)光二極管芯片的一封裝層及設(shè)置在該封裝層內(nèi)的多個(gè)第一熒光粉顆粒和多個(gè)第二熒光粉顆粒，第一熒光粉顆粒的激發(fā)效率比第二熒光粉顆粒的激發(fā)效率低，第一熒光粉顆粒的密度大于封裝層的密度，第二熒光粉顆粒的密度等于或小于封裝層的密度，第一熒光粉顆粒位于封裝層底部且靠近該發(fā)光二極管芯片，第二熒光粉顆粒位于封裝層頂部。由于第一熒光粉顆粒的密度大于封裝層的密度，激發(fā)效率較高的第二熒光粉顆粒留在封裝層頂部，激發(fā)效率較低的第一熒光粉顆粒向下沉降位于封裝層底部且靠近該發(fā)光二極管芯片，提升了第一熒光粉顆粒被發(fā)光二極管芯片激發(fā)的機(jī)率，從而使發(fā)光二極管的出光效果較佳。
【專利說明】發(fā)光二極管

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體元件，特別涉及一種發(fā)光二極管。

【背景技術(shù)】
[000引 W發(fā)光二極管（Li曲t Emitting Diode, LED)作為光源的燈具比傳統(tǒng)的白識(shí)燈耗 能減少九成，既節(jié)能又環(huán)?！，F(xiàn)有技術(shù)的發(fā)光二極管通常包括一發(fā)光二極管芯片及封裝該 發(fā)光二極管芯片的一透明的封裝層。為改善發(fā)光二極管芯片的發(fā)光特性，通常會(huì)在發(fā)光二 極管中設(shè)置英光粉。英光粉通常是均勻配置在透明封裝層之中。然而，不同的英光粉在相 同激發(fā)光源之下會(huì)產(chǎn)生不同激發(fā)效果。例如，氮化物紅光英光粉接受藍(lán)光的激發(fā)效率較氮 氧化物綠光英光粉的激發(fā)效率低。因此，將不同的英光粉均勻配置在透明封裝層之中將導(dǎo) 致發(fā)光二極管出光混色不均勻的問題產(chǎn)生。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，實(shí)有必要提供一種出光效果較佳的發(fā)光二極管。
[0004] -種發(fā)光二極管，包括一發(fā)光二極管芯片、封裝該發(fā)光二極管芯片的一封裝層及 設(shè)置在該封裝層內(nèi)的多個(gè)第一英光粉顆粒和多個(gè)第二英光粉顆粒，第一英光粉顆粒的激發(fā) 效率比第二英光粉顆粒的激發(fā)效率低，第一英光粉顆粒的密度大于封裝層的密度，第二英 光粉顆粒的密度等于或小于封裝層的密度，第一英光粉顆粒位于封裝層底部且靠近該發(fā)光 二極管芯片，第二英光粉顆粒位于封裝層頂部。
[0005] 在本發(fā)明的發(fā)光二極管中，由于第一英光粉顆粒的密度大于封裝層的密度，在封 裝層固化前，激發(fā)效率較高的第二英光粉顆粒留在封裝層頂部，激發(fā)效率較低的第一英光 粉顆粒向下沉降位于封裝層底部且靠近該發(fā)光二極管芯片，提升了第一英光粉顆粒被發(fā)光 二極管芯片激發(fā)的機(jī)率，從而使發(fā)光二極管的出光效果較佳。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006] 圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光二極管的示意圖。
[0007] 圖2是圖1中所示的發(fā)光二極管的第一英光粉顆粒的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008] 圖3是圖1中所示的發(fā)光二極管的第二英光粉顆粒的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009] 主要元件符號(hào)說明

【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光二極管，包括發(fā)光二極管芯片、封裝該發(fā)光二極管芯片的封裝層及設(shè)置在 該封裝層內(nèi)的多個(gè)第一英光粉顆粒和多個(gè)第二英光粉顆粒，其特征在于：第一英光粉顆粒 的激發(fā)效率比第二英光粉顆粒的激發(fā)效率低，第一英光粉顆粒的密度大于封裝層的密度， 第二英光粉顆粒的密度等于或小于封裝層的密度，第一英光粉顆粒位于封裝層底部且靠近 該發(fā)光二極管芯片，第二英光粉顆粒位于封裝層頂部。
2. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于；所述第一英光粉顆粒為氮化物紅色 英光粉，所述第二英光粉顆粒為氮氧化物綠色英光粉。
3. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于；該封裝層由娃膠或環(huán)氧樹脂制成。
4. 如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于；每個(gè)第一英光粉顆粒包括一英光粉 本體及包覆該英光粉本體的一透明覆蓋層。
5. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于；第一英光粉顆粒的覆蓋層與英光粉 本體的外表面相貼合。
6. 如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其特征在于；每個(gè)第二英光粉顆粒包括一英光粉 本體及包覆該英光粉本體的一透明覆蓋層。
7. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于；所述第二英光粉顆粒的覆蓋層與英 光粉本體相間隔設(shè)置，該第二英光粉顆粒的覆蓋層與英光粉本體之間進(jìn)一步形成有一空氣 層。
8. 如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，其特征在于；第一英光粉顆粒的覆蓋層的厚度大 于第二英光粉顆粒的覆蓋層的厚度。
9. 如權(quán)利要求4或6所述的發(fā)光二極管，其特征在于；覆蓋層的材料為二氧化娃。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK104465936SQ201310416126
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月13日
【發(fā)明者】謝雨倫, 黃哲瑄 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司