利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法，包括：利用機(jī)械手將晶片布置在邊緣配置有梯形導(dǎo)槽的熱板；利用熱板的中央?yún)^(qū)域的晶片放置區(qū)域上的多個(gè)溫度感測(cè)器感測(cè)熱板的溫度；比較所述多個(gè)溫度感測(cè)器感測(cè)到的溫度值，當(dāng)任意兩個(gè)溫度值之差大于預(yù)定溫度閾值時(shí)，判定晶片的放置出現(xiàn)異常；在判定晶片的放置出現(xiàn)異常時(shí)，使機(jī)臺(tái)發(fā)出警告信息。根據(jù)本發(fā)明，可以在高溫腔體的熱板內(nèi)，安裝多個(gè)溫度傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)各個(gè)位置的溫度。在晶片進(jìn)入腔體內(nèi)處理的過程中，通過各個(gè)溫度傳感器溫度的變化，判斷晶片位置是否正常。由此，當(dāng)晶片在高溫腔體內(nèi)出現(xiàn)位置偏差時(shí)，可以及時(shí)警報(bào)提示工程師，減少位置偏差而引起的不良良率問題。
【專利說明】利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在晶片加工制造過程中，有時(shí)候需要將晶片放入高溫腔體中進(jìn)行處理。
[0003]目前，在高溫腔體中，如圖1所示，晶片30被布置在邊緣配置有梯形導(dǎo)槽20的熱板10中央。
[0004]更具體地說，晶片30的位置主要通過機(jī)械手以及熱板10邊緣的梯形導(dǎo)槽20來確定。
[0005]在正常情況下，如圖2所示，機(jī)械手可以將晶片30正確地放置在熱板10中央。但是，在機(jī)械手傳送位置偏差過大時(shí)，晶片30位置會(huì)出現(xiàn)異常，晶片30有可能搭在熱板10邊緣的梯形導(dǎo)槽20上，如圖3所示，機(jī)臺(tái)無法常規(guī)地監(jiān)測(cè)這種異常情況，導(dǎo)致晶片30溫度均一'I"生異常，降低良率。
[0006]因此，希望能夠提供一種能夠有效監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的技術(shù)方案。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠利用溫度差異來有效地監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法。
[0008]根據(jù)本發(fā)明，提供了一種利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法，其包括:
[0009]第一步驟:利用機(jī)械手將晶片布置在邊緣配置有梯形導(dǎo)槽的熱板；
[0010]第二步驟:利用熱板的中央?yún)^(qū)域的晶片放置區(qū)域上的多個(gè)溫度感測(cè)器感測(cè)熱板的溫度;
[0011]第三步驟:比較所述多個(gè)溫度感測(cè)器感測(cè)到的溫度值，當(dāng)任意兩個(gè)溫度值之差大于預(yù)定溫度閾值時(shí)，判定晶片的放置出現(xiàn)異常。
[0012]優(yōu)選地，所述的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法還包括:在判定晶片的放置出現(xiàn)異常時(shí)，使機(jī)臺(tái)發(fā)出警告信息。
[0013]優(yōu)選地，所述多個(gè)溫度感測(cè)器的數(shù)量不少于4個(gè)。
[0014]優(yōu)選地，所述多個(gè)溫度感測(cè)器在熱板的中央?yún)^(qū)域的晶片放置區(qū)域上均勻分布。
[0015]優(yōu)選地，熱板的中央?yún)^(qū)域的晶片放置區(qū)域上配置了第一溫度感測(cè)器、第二溫度感測(cè)器、第三溫度感測(cè)器、第四溫度感測(cè)器、第五溫度感測(cè)器、第六溫度感測(cè)器和第七溫度感測(cè)器。
[0016]優(yōu)選地，預(yù)定溫度閾值被設(shè)置為0.35攝氏度。
[0017]在根據(jù)本發(fā)明的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法中，可以在高溫腔體的熱板內(nèi)，安裝多個(gè)溫度傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)各個(gè)位置的溫度。在晶片進(jìn)入腔體內(nèi)處理的過程中，通過各個(gè)溫度傳感器溫度的變化，判斷晶片位置是否正常。由此，當(dāng)晶片在高溫腔體內(nèi)出現(xiàn)位置偏差時(shí)，可以及時(shí)警報(bào)提示工程師，減少位置偏差而引起的不良良率問題。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中:
[0019]圖1示意性地示出了正常情況下晶片在邊緣配置有梯形導(dǎo)槽的熱板中的布置的俯視圖。
[0020]圖2示意性地示出了正常情況下晶片在邊緣配置有梯形導(dǎo)槽的熱板中的布置的側(cè)視圖。
[0021]圖3示意性地示出了異常情況下晶片在邊緣配置有梯形導(dǎo)槽的熱板中的布置的側(cè)視圖。
[0022]圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法的示意圖。
[0023]圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法的示意圖。
[0024]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0026]在根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法中，可以在高溫腔體的熱板內(nèi)，安裝多個(gè)溫度傳感器，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)各個(gè)位置的溫度。在晶片進(jìn)入腔體內(nèi)處理的過程中，通過各個(gè)溫度傳感器溫度的變化，判斷晶片位置是否正常。
[0027]具體地說，在晶片開始進(jìn)入腔體之前，熱板溫度均一性良好，在晶片進(jìn)入腔體后，熱板會(huì)對(duì)晶片進(jìn)行熱交換，其熱量有一定量的損失，溫度會(huì)跟隨下降；在晶片位置正常的情況下，熱板上的熱量損失較均一，其溫度下降也比較同步，之后，熱板根據(jù)反饋信息，進(jìn)行加熱，彌補(bǔ)之前的熱量損失。但是，在晶片位置異常的情況下，熱板上的熱量損失較不均勻。
[0028]由此，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法包括:
[0029]第一步驟:利用機(jī)械手將晶片30布置在邊緣配置有梯形導(dǎo)槽20的熱板10 ；
[0030]第二步驟:利用熱板10的中央?yún)^(qū)域的晶片放置區(qū)域上的多個(gè)溫度感測(cè)器感測(cè)熱板10的溫度；
[0031]圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法的示意圖，如圖4所示，在該實(shí)施例中，熱板10的中央?yún)^(qū)域的晶片放置區(qū)域上配置了 6個(gè)溫度感測(cè)器:第一溫度感測(cè)器1、第二溫度感測(cè)器2、第三溫度感測(cè)器3、第四溫度感測(cè)器4、第五溫度感測(cè)器5和第六溫度感測(cè)器6。[0032]圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實(shí)施例的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法的示意圖。如圖5所示，在該實(shí)施例中，熱板10的中央?yún)^(qū)域的晶片放置區(qū)域上配置了 7個(gè)溫度感測(cè)器:第一溫度感測(cè)器1、第二溫度感測(cè)器2、第三溫度感測(cè)器3、第四溫度感測(cè)器4、第五溫度感測(cè)器5、第六溫度感測(cè)器6和第七溫度感測(cè)器7。
[0033]需要說明的是，溫度感測(cè)器的數(shù)量和分布不限于上述示例。優(yōu)選地，溫度感測(cè)器的數(shù)量不少于4個(gè)，并且溫度感測(cè)器在熱板的中央?yún)^(qū)域的晶片放置區(qū)域上均勻分布。
[0034]第三步驟:比較所述多個(gè)溫度感測(cè)器感測(cè)到的溫度值，當(dāng)任意兩個(gè)溫度值之差大于預(yù)定溫度閾值時(shí)，判定晶片30的放置出現(xiàn)異常。
[0035]優(yōu)選地，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法還包括:在判定晶片30的放置出現(xiàn)異常時(shí)，可使機(jī)臺(tái)發(fā)出警告信息。
[0036]具體地說，對(duì)于圖2所示的正常情況，晶片位置正常，整個(gè)熱板的溫度變換比較一致，其最大變化在0.25攝氏度之內(nèi)；而對(duì)于圖3所示的異常情況，晶片位置異常，由于晶片與熱板之間的熱交換不平衡，熱板上的溫度變化較大，范圍在0.4攝氏度之上。通過軟件實(shí)施對(duì)熱板的溫度進(jìn)行比較，當(dāng)在溫度之差超過預(yù)定溫度閾值(在具體實(shí)施例中，例如預(yù)定溫度閾值可以設(shè)置為0.35攝氏度)時(shí)，判定晶片30的放置出現(xiàn)異常。此時(shí)，例如，機(jī)臺(tái)可以警報(bào)給工程師，由工程師后續(xù)特別處理。減少晶片位置偏差造成的影響。由此，當(dāng)晶片在高溫腔體內(nèi)出現(xiàn)位置偏差時(shí)，可以及時(shí)警報(bào)提示工程師，減少位置偏差而引起的不良良率問題。
[0037]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法，其特征在于包括:第一步驟:利用機(jī)械手將晶片布置在邊緣配置有梯形導(dǎo)槽的熱板； 第二步驟:利用熱板的中央?yún)^(qū)域的晶片放置區(qū)域上的多個(gè)溫度感測(cè)器感測(cè)熱板的溫度； 第三步驟:比較所述多個(gè)溫度感測(cè)器感測(cè)到的溫度值，當(dāng)任意兩個(gè)溫度值之差大于預(yù)定溫度閾值時(shí)，判定晶片的放置出現(xiàn)異常。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法，其特征在于還包括:在判定晶片的放置出現(xiàn)異常時(shí)，使機(jī)臺(tái)發(fā)出警告信息。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法，其特征在于，所述多個(gè)溫度感測(cè)器的數(shù)量不少于4個(gè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法，其特征在于，所述多個(gè)溫度感測(cè)器在熱板的中央?yún)^(qū)域的晶片放置區(qū)域上均勻分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法，其特征在于，熱板的中央?yún)^(qū)域的晶片放置區(qū)域上配置了第一溫度感測(cè)器、第二溫度感測(cè)器、第三溫度感測(cè)器、第四溫度感測(cè)器、第五溫度感測(cè)器、第六溫度感測(cè)器和第七溫度感測(cè)器。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的利用溫度差異監(jiān)測(cè)晶片在高溫腔體的位置偏差的方法，其特征在于，預(yù)定溫度閾值被設(shè)置為0.35攝氏度。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK103474381SQ201310432467
【公開日】2013年12月25日 申請(qǐng)日期:2013年9月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月22日
【發(fā)明者】趙開乾, 何虎, 林曉瑜 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司