有機發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法。有機發(fā)光二極管顯示裝置包括第一基板，其包括顯示區(qū)域，其中，在顯示區(qū)域中限定有多個像素區(qū)域；第一電極，所述第一電極位于第一基板之上并且位于多個像素區(qū)域中的每一個中；第一環(huán)岸，所述第一環(huán)岸位于第一電極的邊緣上并且包括用于阻擋光的穿過的絕緣材料；第二環(huán)岸，所述第二環(huán)岸位于所述第一環(huán)岸上并且包括具有疏水性質(zhì)的絕緣材料；位于第一電極以及第一環(huán)岸的一部分上的有機發(fā)光層；以及第二電極，所述第二電極位于所述有機發(fā)光層上并且覆蓋顯示區(qū)域的整個表面。
【專利說明】有機發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開涉及一種有機發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置，其可以被稱為有機電致發(fā)光顯示裝置，并且更具體地，本公開涉及具有雙層結(jié)構(gòu)的環(huán)岸的OLED顯示裝置及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]新的平板顯示裝置的OLED顯示裝置具有高亮度和低驅(qū)動電壓。OLED顯示裝置是自發(fā)光類型并且具有優(yōu)異的視角、對比度、響應(yīng)時間等等的特性。
[0003]因此，OLED顯示裝置廣泛地用于電視、監(jiān)視器、移動電話等等。
[0004]OLED顯示裝置包括陣列元件和有機發(fā)光二極管。陣列元件包括連接到選通線和數(shù)據(jù)線的開關(guān)薄膜晶體管(TFT)、連接到開關(guān)TFT的驅(qū)動TFT和連接到驅(qū)動TFT的電源線。有機發(fā)光二極管包括連接到驅(qū)動TFT的有機發(fā)光二極管，并且進一步包括有機發(fā)光層和第二電極。
[0005]在OLED顯示裝置中，來自有機發(fā)光層的光通過第一電極或第二電極以顯示圖像。其中光通過第二電極的頂發(fā)射型OLED顯示裝置在開口率方面存在優(yōu)點。
[0006]一般來說，利用蔭罩通過熱沉積方法形成有機發(fā)光層。然而，由于蔭罩隨著顯示裝置的尺寸的增大而變大使得蔭罩下垂。結(jié)果，在較大的顯示裝置中的沉積均勻性方面存在問題。另外，由于在使用蔭罩的熱沉積方法中生成遮蔽效果，因此，難以制造高分辨率(例如，250PPI (每英寸像素)以上)的OLED顯示裝置。
[0007]因此，已經(jīng)提出了一種替代利用蔭罩的熱沉積方法的新方法。
[0008]在該新方法中，利用液體釋放設(shè)備或噴嘴涂敷設(shè)備將液相有機發(fā)光材料噴射或滴落在由壁圍繞的區(qū)域中并且進行固化以形成有機發(fā)光層。
[0009]圖1A至圖1C是示出制造OLED顯示裝置的步驟中的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置的示意性截面圖并且示出了形成環(huán)岸并且通過噴射或滴落液相有機發(fā)光材料形成有機發(fā)光層的步驟。
[0010]為了利用液體釋放設(shè)備或噴嘴涂敷設(shè)備來噴射或滴落液相有機發(fā)光材料，需要形成在第一電極上并且圍繞像素區(qū)域的環(huán)岸以防止液相有機發(fā)光材料溢流到鄰近的像素區(qū)域中。因此，在形成有機發(fā)光層之前在第一電極的邊緣上形成環(huán)岸。
[0011]這時，環(huán)岸由具有疏水性質(zhì)的材料形成。疏水環(huán)岸防止了具有未水性質(zhì)的液相有機發(fā)光材料形成在環(huán)岸上并由于液體釋放設(shè)備或噴嘴涂敷設(shè)備的錯位或有機發(fā)光材料的過量而導(dǎo)致溢流到鄰近的像素區(qū)域中。
[0012]如圖1A中所示，環(huán)岸可以由掩蔽處理形成，掩蔽處理包括在具有疏水性質(zhì)的有機絕緣材料被施加到其上第一電極50形成在各像素區(qū)域P處的基板10的整個表面之后使用暴露掩模91的曝光步驟以及顯影步驟。
[0013]這里，使用暴露掩模91的曝光步驟可以包括照射幾百mW/cm2的高勒克斯UV光。
[0014]隨著顯示裝置的尺寸的增大，顯示裝置的基板更大，并且由于不能夠一次將整個大尺寸基板暴露給光而在大尺寸基板上執(zhí)行掃描型曝光。
[0015]此外，與一次將基板暴露給光的處理相比，掃描型曝光降低了每單位時間的產(chǎn)率。為了防止產(chǎn)率降低，在掃描型曝光中，使用了幾百mW/cm2的高勒克斯UV光以替代通常在曝光步驟中使用的幾十mW/cm2的通常的UV光。
[0016]當執(zhí)行利用高勒克斯UV光的曝光步驟時，掃描速度是通常的UV光的幾倍至幾十倍。因此，每單位時間的曝光步驟的處理時間減少，并且每單位時間的產(chǎn)率增加。
[0017]然而，當由利用高勒克斯UV光的掃描型曝光設(shè)備80將幾百mW/cm2的高勒克斯UV光照射到有機絕緣材料層52時,來自掃描型曝光設(shè)備80的光會由信號線30或金屬材料的電極(未示出)反射或者由曝光設(shè)備80的臺93反射并且即使光的量很少，光也會到達像素區(qū)域P的中心部分。這里，有機絕緣材料層52具有疏水性質(zhì)。
[0018]因此，如圖1B中所示，在對暴露于光的圖1A的有機絕緣材料層52進行顯影之后，沿著像素區(qū)域P的邊界形成環(huán)岸53，并且具有疏水性質(zhì)的有機絕緣材料剩余物54剩余在像素區(qū)域P的中心部分處并且處于第一電極50上。有機絕緣材料剩余物54可以被稱為有機絕緣材料剩余層。
[0019]同時，因為由于曝光步驟期間的反射光導(dǎo)致延長了拖尾，因此環(huán)岸53具有大于設(shè)計覽度wl的覽度wl’。
[0020]接下來，如圖1C中所示，通過將液相有機發(fā)光材料從液體釋放設(shè)備95噴射或滴落到由環(huán)岸53圍繞的像素區(qū)域P中，像素區(qū)域P被填充有有機發(fā)光材料。利用熱對有機發(fā)光材料進行干燥和固化以形成有機發(fā)光層55。
[0021]然而，由于剩余物54具有疏水性質(zhì)，因此剩余物54阻止了液相有機發(fā)光材料在噴射或滴落液相有機發(fā)光材料時在像素區(qū)域P中擴散。因此，如圖1C和是示出現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置中的一個像素區(qū)域的圖的圖2中所示，在疏水的環(huán)岸53周圍沒有形成有機發(fā)光層55，或者疏水的環(huán)岸53周圍的有機發(fā)光層的一部分具有比其它區(qū)域中的部分更薄的厚度。因此，在像素區(qū)域P的邊緣中顯示了較暗的圖像。另外，OLED顯示裝置由于厚度差而很快地劣化，并且OLED顯示裝置的壽命也縮短。
[0022]此外，如上所述，由于環(huán)岸53具有大于所設(shè)計的寬度Wl的寬度wl’，因此有機發(fā)光層55的面積減小，并且開口率降低。
[0023]本申請要求2013年6月28日在韓國提交的韓國專利申請N0.10-2013-0075522，通過引用將其整體并入這里，如在此完全引用一樣。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0024]因此，本發(fā)明涉及一種OLED顯示裝置，其基本上避免了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺陷導(dǎo)致的一個或多個問題。
[0025]在隨后的描述中將會部分地闡述本發(fā)明的額外的優(yōu)點、目的和特征，并且部分優(yōu)點、目的和特征對于已經(jīng)研究過下面所述的本領(lǐng)域技術(shù)人員來說將是顯而易見的，或者部分優(yōu)點、目的和特征將通過本發(fā)明的實踐來知曉。通過在給出的描述及其權(quán)利要求以及附圖中特別地指出的結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn)并且獲得本發(fā)明的目的和其它的優(yōu)點。
[0026]根據(jù)本發(fā)明，如這里具體實施和廣泛描述的，一種有機發(fā)光二極管顯示裝置包括第一基板，其包括顯示區(qū)域，其中，在顯示區(qū)域中限定有多個像素區(qū)域；第一電極，所述第一電極位于第一基板之上并且位于多個像素區(qū)域中的每一個中；第一環(huán)岸，所述第一環(huán)岸位于第一電極的邊緣上并且包括阻擋光的穿過的絕緣材料；第二環(huán)岸，所述第二環(huán)岸位于所述第一環(huán)岸上并且包括具有疏水性質(zhì)的絕緣材料；位于第一電極以及第一環(huán)岸的一部分上的有機發(fā)光層；以及第二電極，所述第二電極位于所述有機發(fā)光層上并且覆蓋顯示區(qū)域的整個表面。
[0027]在另一方面，一種制造有機發(fā)光二極管顯示裝置的方法包括:在第一基板上形成第一電極，該第一基板包括顯示區(qū)域，該顯示區(qū)域包括多個像素區(qū)域，第一電極形成在多個像素區(qū)域中的每一個中；在第一電極的邊緣上形成第一環(huán)岸，該第一環(huán)岸包括阻止光的穿過的絕緣材料并且具有第一寬度；在第一環(huán)岸上形成第二環(huán)岸，該第二環(huán)岸包括具有疏水性質(zhì)的絕緣材料并且具有小于第一寬度的第二寬度；在多個像素區(qū)域中的每一個中在第一電極以及第一環(huán)岸的由第二環(huán)岸圍繞的部分上形成有機發(fā)光層；以及在有機發(fā)光層上形成第二電極，該第二電極覆蓋顯示區(qū)域的整個表面。
[0028]將理解的是，本發(fā)明的前述一般性描述和下面的詳細描述是示例性和說明性的并且意在提供如權(quán)利要求所記載的本發(fā)明的進一步說明。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]附圖被包括進來以提供本發(fā)明的進一步理解，并且被并入本申請且構(gòu)成本申請的一部分，示出了本發(fā)明的實施方式，并且與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0030]圖1A至圖1C是示出制造OLED顯示裝置的步驟中的根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置的示意性截面圖。
[0031]圖2是示出現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置中的一個像素區(qū)域的圖。
[0032]圖3是OLED顯示裝置的一個像素區(qū)域的電路圖。
[0033]圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示裝置的示意性截面圖。
[0034]圖5是根據(jù)本發(fā)明的一個修改實施方式的OLED顯示裝置的示意性截面圖。
[0035]圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一修改實施方式的OLED顯示裝置的示意性截面圖。
[0036]圖7是示出OLED顯示裝置被驅(qū)動時的根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示裝置中的一個像素區(qū)域的圖。
[0037]圖8A至圖8H是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示裝置的制造過程的截面圖。

【具體實施方式】
[0038]現(xiàn)在將詳細參考在附圖中示出其示例的優(yōu)選實施方式。
[0039]圖3是OLED顯示裝置的一個像素區(qū)域的電路圖。
[0040]如圖3中所示，OLED顯示裝置在每個像素區(qū)域P中包括開關(guān)薄膜晶體管(TFT)STr、驅(qū)動TFT DTr、存儲電容器StgC和發(fā)光二極管E。
[0041 ] 在基板(未示出)上，形成有沿著第一方向的選通線GL和沿著第二方向的數(shù)據(jù)線DL0選通線GL和數(shù)據(jù)線DL彼此交叉以限定像素區(qū)域P。用于將電源電壓提供給發(fā)光二極管E的電源線PL形成為與數(shù)據(jù)線DL平行并且與數(shù)據(jù)線DL隔開。
[0042]開關(guān)TFT STr連接到選通線GL和數(shù)據(jù)線DL并且驅(qū)動TFT DTr和存儲電容器StgC連接到開關(guān)TFT STr和電源線PL。發(fā)光二極管E連接到驅(qū)動TFT DTr0
[0043]發(fā)光二極管E的第一電極連接到驅(qū)動TFT DTr的漏電極，并且發(fā)光二極管E的第二電極接地。
[0044]當開關(guān)TFT STr由通過選通線GL施加的選通信號接通時，來自數(shù)據(jù)線DL的數(shù)據(jù)信號被施加到驅(qū)動TFT DTr的柵電極和存儲電容器StgC的電極。當驅(qū)動TFT DTr由數(shù)據(jù)信號接通時，電流被從電源線PL提供到發(fā)光二極管E。結(jié)果，發(fā)光二極管E發(fā)光。在該情況下，當驅(qū)動TFT DTr被接通時，從電源線PL施加到發(fā)光二極管E的電流的電平被確定為使得發(fā)光二極管E能夠產(chǎn)生灰階。存儲電容器StgC用于在開關(guān)TFT STr關(guān)斷時保持驅(qū)動TFT DTr的柵電極的電壓。因此，即使開關(guān)TFT STr被關(guān)斷，從電源線PL施加到發(fā)光二極管E的電流的電平也被保持到下一幀。
[0045]圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示裝置的示意性截面圖。為了解釋的方便起見，定義了其中形成有驅(qū)動TFT DTr的驅(qū)動區(qū)域、其中形成有發(fā)光二極管E的像素區(qū)域P以及其中形成有開關(guān)TFT (未示出)的開關(guān)區(qū)域(未示出)。
[0046]如圖4中所示，本發(fā)明的OLED顯示裝置101包括其中形成有驅(qū)動TFT DTr、開關(guān)TFT(未示出)和發(fā)光二極管E的第一基板110以及用于包封的第二基板170。第二基板170可以是無機絕緣膜或有機絕緣膜。
[0047]選通線(未示出)和數(shù)據(jù)線130形成在第一基板110上。選通線和數(shù)據(jù)線130彼此交叉以限定像素區(qū)域P。用于將電壓提供給發(fā)光二極管E的電源線(未示出)形成為與數(shù)據(jù)線130平行并且隔開。
[0048]在各像素區(qū)域P中，開關(guān)TFT連接到選通線和數(shù)據(jù)線130，并且驅(qū)動TFT DTr和存儲電容器連接到開關(guān)TFT和電源線。
[0049]驅(qū)動TFT DTr包括柵電極115、柵極絕緣層118、氧化物半導(dǎo)體層120、蝕刻停止層122、源電極133和漏電極136。柵極絕緣層118覆蓋柵電極115，并且氧化物半導(dǎo)體層120布置在柵極絕緣層118上。氧化物半導(dǎo)體層120對應(yīng)于柵電極115。蝕刻停止層122覆蓋氧化物半導(dǎo)體層120的中心。源電極133和漏電極136布置在蝕刻停止層122上并且彼此隔開。源電極133和漏電極136分別接觸氧化物半導(dǎo)體層120的兩端。雖然未示出，但是開關(guān)TFT具有與驅(qū)動TFT DTr基本上相同的結(jié)構(gòu)。
[0050]在圖4中，驅(qū)動TFT DTr和開關(guān)TFT中的每一個包括氧化物半導(dǎo)體材料的氧化物半導(dǎo)體層120?；蛘撸鐖D5中所示，驅(qū)動TFT DTr和開關(guān)TFT中的每一個可以包括柵電極213、柵極絕緣層218、包括本征非晶硅的有源層220a和雜質(zhì)摻雜非晶硅的歐姆接觸層220b的半導(dǎo)體層220、源電極233和漏電極236。在圖4和圖5中，驅(qū)動TFT DTr具有其中柵電極115或213位于最下層的底柵極結(jié)構(gòu)。
[0051]同時，驅(qū)動TFT DTr和開關(guān)TFT中的每一個可以具有其中半導(dǎo)體層位于最下層的頂柵極結(jié)構(gòu)。即，如圖6中所示，驅(qū)動TFT DTr和開關(guān)TFT中的每一個可以包括位于第一基板310上的半導(dǎo)體層313，其包括本征多晶硅的有源區(qū)域313a和位于有源區(qū)域313a的兩側(cè)的雜質(zhì)摻雜區(qū)域313b ;柵極絕緣層316 ;柵電極320，其對應(yīng)于半導(dǎo)體層313的有源區(qū)域313a ;層間絕緣層323，其具有半導(dǎo)體接觸孔325，該半導(dǎo)體接觸孔暴露半導(dǎo)體層313的雜質(zhì)摻雜區(qū)域313b ；以及源電極333和漏電極336，其通過半導(dǎo)體接觸孔325分別連接到雜質(zhì)摻雜區(qū)域313b。
[0052]與底柵極結(jié)構(gòu)TFT相比，頂柵極結(jié)構(gòu)TFT要求層間絕緣層323。在頂柵極結(jié)構(gòu)TFT中，選通線(未示出)形成在柵極絕緣層316上，并且數(shù)據(jù)線(未示出)形成在層間絕緣層323上。
[0053]再次參考圖4，包括暴露驅(qū)動TFT DTr的漏電極136的漏極接觸孔143的鈍化層140形成在驅(qū)動TFT DTr和開關(guān)TFT上。例如，鈍化層140可以由有機絕緣材料(例如，光活性丙烯)形成，以具有平坦的頂表面。
[0054]通過漏極接觸孔143接觸驅(qū)動TFT DTr的漏電極136的第一電極150形成在鈍化層140上并且分離地形成在各像素區(qū)域P中。
[0055]第一電極150由具有相對較高的功函數(shù)(例如，大約4.8eV至5.2eV)的導(dǎo)電材料形成。例如，第一電極150可以由諸如銦錫氧化物(ITO)的透明導(dǎo)電材料形成以用作陽極。
[0056]具有雙層結(jié)構(gòu)的環(huán)岸153 (其包括第一環(huán)岸153a和第二環(huán)岸153b)沿著像素區(qū)域P的邊界形成在第一電極150上。環(huán)岸153與第一電極150的邊緣交疊從而由環(huán)岸153暴露第一電極150的中心。
[0057]例如，作為下層的第一環(huán)岸153a可以由具有相對較高的光吸收率并且阻止光的穿過的絕緣材料(例如，鉻氧化物(CrOx))形成。第一環(huán)岸153a具有第一寬度。第二環(huán)岸153b布置在第一環(huán)岸153a上并且具有小于第一寬度的第二寬度w’。第二環(huán)岸153b可以由具有疏水性質(zhì)的有機材料形成。有機材料可以包括含氟(F)的聚酰亞胺、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯和聚四氟乙烯中的至少一種。
[0058]在包括雙層結(jié)構(gòu)的環(huán)岸153 (其包括阻止光的穿過并且具有第一寬度的第一環(huán)岸153a和具有疏水性質(zhì)和第二寬度w’的第二環(huán)岸153b)的OLED顯示裝置101中，由于當通過利用具有高勒克斯UV光的掃描型曝光設(shè)備執(zhí)行曝光步驟而形成第二環(huán)岸153b時光沒有由位于第一環(huán)岸153a下面的諸如選通線、數(shù)據(jù)線130和電源線的金屬材料的信號線或者曝光設(shè)備的臺反射，因此在形成環(huán)岸153之后，疏水殘留物幾乎沒有殘留在第一電極150上。
[0059]因此，當噴射或滴落液相有機發(fā)光材料時，液相有機發(fā)光材料能夠在由環(huán)岸153圍繞的像素區(qū)域P中很好地擴散。
[0060]此外，由于第二環(huán)岸153b具有小于第一環(huán)岸153a的第一寬度的第二寬度w’并且第二寬度對應(yīng)于設(shè)計寬度w (其包括考慮實際曝光處理的誤差范圍)，因此，與包括具有較大的尾的圖1C的環(huán)岸53的現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置相比，改進了本發(fā)明的OLED顯示裝置的開口率。
[0061]將在下面更詳細地描述形成環(huán)岸153的方法。
[0062]在由具有雙層結(jié)構(gòu)的環(huán)岸153圍繞的各像素區(qū)域P中形成有機發(fā)光層155。有機發(fā)光層155包括位于各像素區(qū)域P中的紅、綠和藍光發(fā)光材料。
[0063]通過形成有機發(fā)光材料層并且固化有機發(fā)光材料層來形成有機發(fā)光層155。通過利用液體釋放設(shè)備或噴嘴涂敷設(shè)備涂敷(即，噴射或滴落)液相有機發(fā)光材料來形成有機發(fā)光材料層。
[0064]參考圖4至圖7，圖7是示出OLED顯示裝置被驅(qū)動時的根據(jù)本發(fā)明的OLED顯示裝置中的一個像素區(qū)域的照片，在包括具有雙層結(jié)構(gòu)的環(huán)岸153的OLED顯示裝置101中，有機發(fā)光層155形成為在各像素區(qū)域P處在由環(huán)岸153圍繞的區(qū)域的整個表面中具有均勻的厚度?；旧?，有機發(fā)光層155在由第一環(huán)岸153a圍繞的區(qū)域中具有均勻的厚度。
[0065]這是由于在第一電極150上沒有疏水殘留物而使得液相有機發(fā)光材料很好地擴散。
[0066]圖4示出了單層有機發(fā)光層155?；蛘?，為了改進發(fā)光效率，有機發(fā)光層155可以具有多層結(jié)構(gòu)。例如，有機發(fā)光層155可以包括堆疊在作為陽極的第一電極150上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層。有機發(fā)光層155可以是空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層的四層結(jié)構(gòu)或者可以是空穴傳輸層、發(fā)光材料層和電子傳輸層的三層結(jié)構(gòu)。
[0067]第二電極160形成在有機發(fā)光層155上并且覆蓋第一基板110的顯示區(qū)域的整個表面。第二電極160由具有相對較低的功函數(shù)的金屬材料形成，所述金屬材料例如為鋁(Al)、諸如鋁釹(AlNd)的Al合金、銀(Ag)、鎂(Mg)、金(Au)或鋁鎂合金(AlMg)。第二電極160用作陰極。
[0068]第一電極150、有機發(fā)光層155和第二電極160構(gòu)成發(fā)光二極管E。
[0069]熔塊材料或密封劑的密封圖案(未示出)形成在第一基板110或第二基板170的邊緣上。第一和第二基板110和170利用密封圖案附接在一起。第一基板110與第二基板170之間的空間具有真空狀態(tài)或惰性氣體狀態(tài)。第二基板170可以是柔性塑料基板或玻璃基板。
[0070]或者，第二基板170可以是接觸第二電極160的膜。在該情況下，膜型第二基板由粘附層附接到第二電極160。
[0071]另外，有機絕緣膜或無機絕緣膜可以形成在第二電極160上作為覆蓋層。在該情況下，有機絕緣膜或無機絕緣膜用作包封膜而沒有第二基板170。
[0072]下面，將參考附圖描述制造OLED顯示裝置的方法。圖8A至圖8H是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的OLED顯示裝置的制造過程的截面圖。主要描述具有雙層結(jié)構(gòu)的環(huán)岸。
[0073]如圖8A中所示，選通線(未示出)、數(shù)據(jù)線130和電源線(未示出)形成在第一基板110上。另外，連接到選通線和數(shù)據(jù)線130的開關(guān)TFT (未示出)以及連接到開關(guān)TFT和電源線的驅(qū)動TFT DTr分別形成在開關(guān)區(qū)域(未示出)以及驅(qū)動區(qū)域中。
[0074]如上所述，開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT DTr中的每一個具有包括圖4的柵電極115或圖5的柵電極213作為最下層的底柵極型TFT或者包括圖6的半導(dǎo)體層313作為最下層的頂柵極型TFT。底柵極型TFT包括圖4的氧化物半導(dǎo)體層120或者包括有源層220a和歐姆接觸層220b的圖5的非晶硅半導(dǎo)體層220，并且頂柵極型TFT包括圖6的多晶硅半導(dǎo)體層313。
[0075]這里，開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT DTr可以是包括氧化物半導(dǎo)體層的底柵極型TFT。因此，驅(qū)動TFT DTr的柵電極115形成在第一基板110上，柵極絕緣層118形成在柵電極115上，并且氧化物半導(dǎo)體層120形成在柵極絕緣層118上對應(yīng)于柵電極115。蝕刻停止層122形成在氧化物半導(dǎo)體層120上并且覆蓋氧化物半導(dǎo)體層120的中心，源電極133和漏電極136形成在蝕刻停止層122上并且彼此隔開。
[0076]接下來，有機絕緣材料(例如，光活性亞克力)涂敷在開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT DTr上并且被圖案化以形成具有平坦的頂表面并且包括漏極接觸孔143的鈍化層140。通過漏極接觸孔143暴露驅(qū)動TFT DTr的漏電極136。
[0077]接下來，具有相對較高的功函數(shù)的透明導(dǎo)電材料沉積在鈍化層140上并且被圖案化以形成第一電極150。第一電極150通過漏極接觸孔143接觸驅(qū)動TFT DTr的漏電極136并且分離地位于各像素區(qū)域P中。例如，透明導(dǎo)電材料可以是銦錫氧化物(ITO)。
[0078]接下來，如圖SB中所示，具有相對較高的光吸收率并且阻止光的穿過的無機絕緣材料(例如，鉻氧化物(CrOx))沉積在第一電極150和鈍化層140上并且被圖案化，從而形成第一環(huán)岸153a。第一環(huán)岸153a對應(yīng)于像素區(qū)域P的邊界并且與第一電極150的邊緣交疊。第一環(huán)岸153a具有第一寬度。
[0079]如圖SC中所示，有機絕緣材料層152形成在第一環(huán)岸153以及第一電極150上。例如，有機絕緣材料層152可以通過將有機絕緣材料施加到第一基板110的基本上整個表面來形成。有機絕緣材料有利地可以具有光敏性質(zhì)和疏水性質(zhì)。有機絕緣材料可以包括包含氟(F)的聚酰亞胺、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯和聚四氟乙烯中的至少一種。
[0080]包括光透射區(qū)域TA和光阻擋區(qū)域BA的曝光掩模191布置在有機絕緣材料層152上，并且包括100至990mW/cm2的高勒克斯UV光的掃描型曝光設(shè)備195布置在曝光掩模191上。通過將高勒克斯UV光選擇性地照射到有機絕緣材料層152來利用掃描型曝光設(shè)備195掃描有機絕緣材料層152，從而執(zhí)行曝光處理。
[0081]有機絕緣材料層152的對應(yīng)于曝光掩模191的光透射區(qū)域TA的部分暴露于UV光，并且有機絕緣材料層152的對應(yīng)于光阻擋區(qū)域BA的部分沒有暴露于UV光。這里，有機絕緣材料層152被示出為具有負型光敏性質(zhì)，利用該負型光敏性質(zhì)使得在顯影處理之后剩余有機絕緣材料層152的暴露部分?；蛘?，有機絕緣材料層152可以具有正型光敏性質(zhì)，并且這時，光透射區(qū)域TA和光阻擋區(qū)域BA的位置被互換。
[0082]這時，通過曝光掩模191的光透射區(qū)域TA到達有機絕緣材料層152的高勒克斯UV光通過有機絕緣材料層152并且朝向有機絕緣材料層152下面的元件前進。然而，UV光被由具有較高的光吸收率并且阻止光的穿過的絕緣材料形成的第一環(huán)岸153a阻擋，并且通過有機絕緣材料層152的UV光被阻止入射到第一環(huán)岸153a下面的元件上。
[0083]更具體地，第一環(huán)岸153a可以具有與用于形成圖8D的第二環(huán)岸153b的曝光掩模191的光透射區(qū)域TA相同的形狀，并且第一環(huán)岸153a可以具有大于圖8D的第二環(huán)岸153b的第二寬度的第一寬度。光透射區(qū)域TA可以具有與圖8D的第二環(huán)岸153b的第二寬度基本上相同的寬度。
[0084]因此，高勒克斯UV光可以僅照射到有機絕緣材料層152的對應(yīng)于圖8D的第二環(huán)岸153b的部分。此外，由于第一環(huán)岸153a具有大于曝光掩模191的光透射區(qū)域TA的寬度的第一寬度，因此通過光透射區(qū)域TA照射的高勒克斯UV光在穿過有機絕緣材料層152之后入射到第一環(huán)岸153a上并且沒有入射到其它區(qū)域上。
[0085]這時，由于第一環(huán)岸153吸收光并且阻止了光的穿過，因此沒有UV光通過第一環(huán)岸 153a。
[0086]因此，即使高勒克斯UV光照射到用于形成圖8D的第二環(huán)岸153b的有機絕緣材料層152，UV光也沒有到達有機絕緣材料層152下面反射光的金屬材料的選通線、數(shù)據(jù)線130和電源線或者其上布置有第一基板110的掃描型曝光設(shè)備195的臺，并且沒有由上述元件反射的光。此外，在由上述元件反射之后，沒有光入射到像素區(qū)域P中的第一電極150上的有機絕緣材料層152的底表面上。
[0087]接下來，如圖8D中所示，第二環(huán)岸153b通過對暴露于光的圖8C的有機絕緣材料層152進行顯影和移除來在第一環(huán)岸153a上形成第二環(huán)岸153b。第二環(huán)岸153b具有小于第一環(huán)岸153a的第一寬度的第二寬度。第二環(huán)岸153b被布置在第一環(huán)岸153a的邊緣處。
[0088]這里，接觸第一電極150的圖8C的有機絕緣材料層152被完全地移除，并且因此，在第一電極150上沒有疏水殘留物。因此,用于形成圖8H的有機發(fā)光層155的液相有機發(fā)光材料在被噴射或滴落時很好地擴散。
[0089]此外，第二環(huán)岸153b沒有由于周圍反射的UV光而具有尾，并且具有與設(shè)計的寬度基本上相等的第二寬度。
[0090]同時，第一環(huán)岸153a具有薄于第二環(huán)岸153b的厚度。
[0091]接下來，如圖SE中所示，在形成了具有雙層結(jié)構(gòu)的環(huán)岸153之后，通過利用液體釋放設(shè)備199或噴嘴涂敷設(shè)備(未示出)將液相有機發(fā)光材料噴射在像素區(qū)域P中由環(huán)岸153圍繞的區(qū)域(更具體地，由第二環(huán)岸153b圍繞的區(qū)域)來在暴露在第二環(huán)岸153b的側(cè)表面外側(cè)的第一電極150和第一環(huán)岸153a上形成有機發(fā)光材料層154。
[0092]即使有機發(fā)光材料層由于液體釋放設(shè)備199或噴嘴涂敷設(shè)備的錯位而被噴射或滴落在第二環(huán)岸153b上，有機發(fā)光材料也由于第二環(huán)岸153b具有疏水性質(zhì)而集中到像素區(qū)域P的中心。另外，即使噴射或滴落了過量的有機發(fā)光材料，有機發(fā)光材料也由于第二環(huán)岸153b的疏水性質(zhì)而沒有流過第二環(huán)岸153b。
[0093]此外，由于疏水殘留物沒有存在于第一電極150上，因此液相有機發(fā)光材料在第一電極150上很好地擴散。此外，有機發(fā)光材料層154由于第二環(huán)岸153b具有小于第一環(huán)岸153a的第二寬度而形成在第一環(huán)岸153a上，并且有機發(fā)光材料在被噴射或滴落時集中在像素區(qū)域P的中心。因此，防止了有機發(fā)光材料層154的厚度在第二環(huán)岸153b周圍變厚。
[0094]因此，有機發(fā)光材料層154在由第一環(huán)岸153a圍繞的像素區(qū)域P中具有平坦的頂表面和均勻的厚度而沒有厚度的偏差。由第一環(huán)岸153a圍繞的像素區(qū)域P對應(yīng)于圖像顯示給觀看者的有效發(fā)光區(qū)域，并且有效發(fā)光區(qū)域大于包括圖1C的環(huán)岸53的現(xiàn)有技術(shù)的OLED顯示裝置。因此增加了開口率。
[0095]接下來，如圖8F中所示，通過執(zhí)行固化處理，圖8E的有機發(fā)光材料層154中的溶劑和潮氣被移除，使得有機發(fā)光層155形成在像素區(qū)域P中。
[0096]這里，有機發(fā)光層155具有單層結(jié)構(gòu)?；蛘?通過改進發(fā)光效率,有機發(fā)光層155可以具有可以通過與單層結(jié)構(gòu)的方法相同的方法形成的多層結(jié)構(gòu)或者可以通過沉積方法形成在顯示區(qū)域的整個表面中。例如，有機發(fā)光層155可以包括堆疊在作為陽極的第一電極150上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層。有機發(fā)光層155可以是空穴傳輸層、發(fā)光材料層、電子傳輸層和電子注入層的四層結(jié)構(gòu)或者空穴傳輸層、發(fā)光材料層和電子傳輸層的三層結(jié)構(gòu)。
[0097]接下來，如圖8G中所示，通過沉積具有相對較低的功函數(shù)的金屬材料來在有機發(fā)光層155上形成第二電極160。第二電極160形成在顯不區(qū)域的整個表面上。金屬材料包括 Al、諸如 AlNd 的 Al 合金、Ag、Mg、Au 和 AlMg。
[0098]如上所述，第一電極150、有機發(fā)光層155和第二電極160構(gòu)成了發(fā)光二極管E。
[0099]接下來，如圖8H中所示，在第一基板110或第二基板170的邊緣上形成密封圖案(未示出)之后，第一基板I1和第二基板170在真空狀態(tài)或惰性氣體狀態(tài)下附接在一起，從而制造了 OLED顯示裝置?；蛘?，由熔塊材料、有機絕緣材料或具有透明度和粘附性質(zhì)的聚合物材料形成的粘合密封件(未示出)形成在第一基板110的整個表面上，并且然后第一基板110和第二基板170附接在一起。如上所述，替代第二基板170，可以使用無機絕緣膜或有機絕緣膜來進行包封并且可以通過粘合層來附接。
[0100]在本發(fā)明的OLED顯示裝置中，由于環(huán)岸具有阻擋光的穿過并且具有第一寬度的第一環(huán)岸和具有疏水性質(zhì)和小于第一寬度的第二寬度的第二環(huán)岸的雙層結(jié)構(gòu)，因此即使使用利用高勒克斯UV光的掃描型曝光設(shè)備形成環(huán)岸，疏水殘留物也幾乎沒有剩余在第一電極上。
[0101]因此，液相有機發(fā)光材料在被噴射或滴落時在由環(huán)岸圍繞的像素區(qū)域中良好地擴散。
[0102]此外，有機發(fā)光層在像素區(qū)域中具有均勻的厚度，并且防止了有機發(fā)光層被劣化，從而延長了裝置的壽命。
[0103]此外，其中有機發(fā)光層具有平坦的頂表面(B卩，均勻厚度)的有效發(fā)光區(qū)域由于第二環(huán)岸的小于第一寬度的第二寬度而增大。結(jié)果，改進了 OLED顯示裝置的開口率。
[0104]對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的情況下能夠在本發(fā)明中進行各種修改和變化。因此，本發(fā)明意在涵蓋本發(fā)明的修改和變化，只要它們落入所附權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)即可。
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，所述有機發(fā)光二極管顯示裝置包括: 第一基板，所述第一基板包括顯示區(qū)域，其中，在所述顯示區(qū)域中限定有多個像素區(qū)域； 第一電極，所述第一電極位于所述第一基板上并且位于所述多個像素區(qū)域中的每一個像素區(qū)域中； 第一環(huán)岸，所述第一環(huán)岸位于所述第一電極的邊緣上并且包括具有阻止光的穿過的性質(zhì)的絕緣材料； 第二環(huán)岸，所述第二環(huán)岸位于所述第一環(huán)岸上并且包括具有疏水性質(zhì)的絕緣材料；有機發(fā)光層，所述有機發(fā)光層位于所述多個像素區(qū)域中的每一個像素區(qū)域中的所述第一電極和所述第一環(huán)岸的由所述第二環(huán)岸圍繞的部分上；以及 第二電極，所述第二電極位于所述有機發(fā)光層上并且覆蓋所述顯示區(qū)域的整個表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一環(huán)岸中包括的絕緣材料是光吸收材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一環(huán)岸具有第一寬度并且所述第二環(huán)岸具有小于所述第一寬度的第二寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，其中，所述第一環(huán)岸包括鉻氧化物CrOx，并且所述第二環(huán)岸包括含氟的聚酰亞胺、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯和聚四氟乙烯中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，所述有機發(fā)光二極管顯示裝置進一步包括: 開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管，所述開關(guān)薄膜晶體管和所述驅(qū)動薄膜晶體管位于所述多個像素區(qū)域中的每一個像素區(qū)域中并且位于所述第一電極下面；以及 鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述開關(guān)薄膜晶體管和所述驅(qū)動薄膜晶體管并且暴露所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏電極， 其中，所述第一電極被布置在所述鈍化層上并且接觸所述驅(qū)動薄膜晶體管的所述漏電極。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，所述有機發(fā)光二極管顯示裝置進一步包括: 選通線和數(shù)據(jù)線，所述選通線和所述數(shù)據(jù)線連接到所述開關(guān)薄膜晶體管并且彼此交叉以限定所述多個像素區(qū)域中的每一個像素區(qū)域；以及 電源線，所述電源線連接到所述驅(qū)動薄膜晶體管并且與所述選通線或所述數(shù)據(jù)線平行。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光二極管顯示裝置，所述有機發(fā)光二極管顯示裝置進一步包括面對所述第一基板的第二基板或者接觸所述第二電極的包封膜。
8.—種制造有機發(fā)光二極管顯示裝置的方法，所述方法包括: 在第一基板上形成第一電極，所述第一基板包括顯示區(qū)域，所述顯示區(qū)域包括多個像素區(qū)域，所述第一電極形成在所述多個像素區(qū)域中的每一個像素區(qū)域中； 在所述第一電極的邊緣上形成第一環(huán)岸并且所述第一環(huán)岸包括阻止光的穿過的絕緣材料； 在所述第一環(huán)岸上形成第二環(huán)岸，所述第二環(huán)岸包括具有疏水性質(zhì)的絕緣材料；在所述多個像素區(qū)域中的每一個像素區(qū)域中在所述第一電極和所述第一環(huán)岸的由所述第二環(huán)岸圍繞的部分上形成有機發(fā)光層；以及 在所述有機發(fā)光層上形成第二電極，所述第二電極覆蓋所述顯示區(qū)域的整個表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一環(huán)岸中包括的絕緣材料是光吸收材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一環(huán)岸包括鉻氧化物CrOx，并且所述第二環(huán)岸包括含氟的聚酰亞胺、苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯和聚四氟乙烯中的至少一種。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述第一環(huán)岸具有第一寬度并且所述第二環(huán)岸具有小于所述第一寬度的第二寬度。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，形成第二環(huán)岸的步驟包括: 通過將具有疏水性質(zhì)的絕緣材料施加到所述第一基板的整個表面來在所述第一環(huán)岸上形成有機絕緣材料層； 在所述有機絕緣材料層上布置包括光透射區(qū)域和光阻擋區(qū)域的曝光掩模并且通過所述曝光掩模將100至990mW/cm2的UV光照射到所述有機絕緣材料層；以及對暴露于所述UV光的所述有機絕緣材料層進行顯影， 其中，所述光透射區(qū)域被布置在所述第一環(huán)岸與所述第二環(huán)岸的交疊區(qū)域上，使得所述UV光僅照射到對應(yīng)于所述第二寬度的所述交疊區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，形成所述有機發(fā)光層的步驟包括: 通過利用液體釋放設(shè)備或者噴嘴涂敷設(shè)備噴射或滴落液相有機發(fā)光材料來在所述多個像素區(qū)域中的每一個像素區(qū)域中在所述第一電極以及所述第一環(huán)岸的由所述第二環(huán)岸圍繞的部分上形成有機發(fā)光材料層；以及 對所述有機發(fā)光材料層進行固化以形成所述有機發(fā)光層。
14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，所述方法進一步包括: 在形成所述第一電極之前，形成選通線和數(shù)據(jù)線以及電源線并且在所述多個像素區(qū)域中的每一個像素區(qū)域中形成開關(guān)薄膜晶體管和驅(qū)動薄膜晶體管，所述選通線和所述數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定所述多個像素區(qū)域中的每一個像素區(qū)域，所述電源線與所述選通線或所述數(shù)據(jù)線平行，所述開關(guān)薄膜晶體管連接到所述選通線和所述數(shù)據(jù)線，并且所述驅(qū)動薄膜晶體管連接到所述電源線以及所述開關(guān)薄膜晶體管；以及 形成鈍化層，所述鈍化層覆蓋所述開關(guān)薄膜晶體管和所述驅(qū)動薄膜晶體管并且暴露所述驅(qū)動薄膜晶體管的漏電極， 其中，所述第一電極被布置在所述鈍化層上并且接觸所述驅(qū)動薄膜晶體管的所述漏電極。
【文檔編號】H01L27/32GK104253141SQ201310712007
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2013年12月20日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】金剛鉉, 梁基燮, 崔大正, 崔乘烈, 金漢熙, 樸璟鎮(zhèn) 申請人:樂金顯示有限公司