有機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置及其制造方法
【專利說明】
[0001] 本申請要求2014年7月3日提交的韓國專利申請No. 10-2014-0083049的優(yōu)先權(quán)， 該專利申請的全部內(nèi)容特此以引用方式并入。
技術(shù)領(lǐng)域
[0002] 本申請涉及有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示裝置及其制造方法。更具體地，本申請涉 及適于增強(qiáng)透射率和良率的0LED顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003] 近來，正在開發(fā)與陰極射線管（CRT)的缺點(diǎn)對應(yīng)的重量和體積減少的各種平板顯 示裝置。平板顯示裝置包括液晶顯示（LCD)裝置、場發(fā)射顯示（FED)裝置、等離子體顯示面 板（PDP)、電致發(fā)光（EL)裝置等。
[0004] 電致發(fā)光裝置基于發(fā)光層的形成材料被分類成無機(jī)發(fā)光二極管顯示裝置和有機(jī) 發(fā)光二極管（0LED)顯示裝置。這種電致發(fā)光裝置因使用自發(fā)光元件而具有諸如高響應(yīng)時(shí) 間、高發(fā)光效率、高亮度和廣視角的特征。
[0005] 為了顯示圖像，有源矩陣型OLED(AMOLED)顯示裝置使用薄膜晶體管控制流過有 機(jī)發(fā)光元件的電流。這種0LED顯示裝置可按頂部發(fā)光模式和底部發(fā)光模式中的一種顯示 圖像，頂部發(fā)光模式和底部發(fā)光模式是基于有機(jī)發(fā)光元件包括第一電極、第二電極和有機(jī) 發(fā)光層的結(jié)構(gòu)。
[0006] 底部發(fā)光模式允許從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的可見光在設(shè)置有薄膜晶體管的基板的向 下方向上輸出。相反，頂部發(fā)光模式迫使從有機(jī)發(fā)光層發(fā)射的可見光在設(shè)置有薄膜晶體管 的基板的向上方向上輸出。這種底部發(fā)光模式0LED顯示裝置可確保穩(wěn)定性和大工藝裕量。 然而，底部發(fā)光模式0LED顯示裝置的孔徑比必須受到限制。由于這樣，導(dǎo)致底部發(fā)光模式 0LED顯示裝置不能被應(yīng)用于高清電器。依據(jù)這點(diǎn)，正在積極研究具有高孔徑比和高清晰度 的頂部發(fā)光模式0LED顯示裝置。
[0007] 頂部發(fā)光模式0LED顯示裝置可用作透明顯示裝置，允許用戶通過它觀看與用戶 相對的其后側(cè)的物體和/或圖像。詳細(xì)地，在關(guān)閉狀態(tài)下，用戶通過0LED顯示裝置觀看0LED 顯示裝置后方的物體和/或圖像。在開啟狀態(tài)下，用戶可觀看通過0LED顯示裝置實(shí)現(xiàn)的圖 像。
[0008] 在根據(jù)相關(guān)技術(shù)的頂部發(fā)光模式的透明0LED顯示裝置中，第二電極具有低透射 率。例如，第二電極的透射率的范圍是大約40%~50%。從小尺寸移動顯示裝置測量這個(gè) 透射率值。
[0009] 大尺寸顯示裝置隨著其面積增大來增加布線。由于這樣，相比于小尺寸顯示裝置， 大尺寸顯示裝置一定具有較高的電阻。為了降低大尺寸顯示裝置的電阻，可形成較厚的第 二電極。在這種情況下，必須降低第二電極的透射率。如此，大尺寸顯示裝置的發(fā)光效率一 定也劣化。
[0010] 另外，在頂部發(fā)光型0LED顯示裝置中使用包括鎂（Mg)的第二電極。包括鎂（Mg) 的這種第二電極由于外來物質(zhì)會造成有機(jī)發(fā)光元件的短路。在這種情況下，必須針對帶缺 陷的有機(jī)發(fā)光元件來執(zhí)行使非發(fā)光像素正常發(fā)光的修復(fù)處理。然而，因?yàn)殒V（Mg)被快速氧 化，所以難以向頂部發(fā)光模式OLED顯示裝置應(yīng)用修復(fù)處理。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]因此，本申請的實(shí)施方式涉及基本上消除了由于相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)導(dǎo)致的一 個(gè)或更多個(gè)問題的0LED顯示裝置及其制造方法。
[0012] 實(shí)施方式將提供適于通過將第二電極形成為具有第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層的雙 層結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)具有低電阻和高透射率的大尺寸面板。
[0013] 實(shí)施方式將通過在第一電極和第二電極彼此靠近設(shè)置的區(qū)域中形成氧化物層來 防止第一電極和第二電極之間電連接。
[0014] 本發(fā)明的額外特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的描述中闡述，部分將根據(jù)描述而顯而易見， 或者可通過實(shí)踐實(shí)施方式而得知。將通過書面描述及其權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的 結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得實(shí)施方式的優(yōu)點(diǎn)。
[0015] 根據(jù)用于解決上述問題的本實(shí)施方式的總體方面，一種0LED顯示裝置包括：第一 基板，其被限定成發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)；第一電極，其形成在所述第一基板上；堤圖案，其被 構(gòu)造成暴露所述第一電極的與所述發(fā)光區(qū)相對的部分；有機(jī)發(fā)光層，其形成在所述第一電 極的與所述發(fā)光區(qū)對應(yīng)的暴露部分上；第二電極，其包括形成在所述有機(jī)發(fā)光層上的第一 導(dǎo)電層和所述第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，其中，所述第一導(dǎo)電層由鎂（Mg)和銀（Ag)的合 金形成，并且所述第二導(dǎo)電層由銀（Ag)形成。
[0016] 根據(jù)本實(shí)施方式的另一個(gè)總體方面的一種0LED顯示裝置的制造方法包括：在被 限定成發(fā)光區(qū)和非發(fā)光區(qū)的第一基板上形成第一電極；形成堤圖案，所述堤圖案被構(gòu)造成 暴露所述第一電極的與所述發(fā)光區(qū)相對的部分；在所述發(fā)光區(qū)內(nèi)的所述第一電極的被暴露 部分上，形成有機(jī)發(fā)光層；形成第二電極，所述第二電極包括在設(shè)置有所述有機(jī)發(fā)光層的所 述第一基板的整個(gè)表面上形成的第一導(dǎo)電層和形成在所述第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，其 中，所述第一導(dǎo)電層由鎂（Mg)和銀（Ag)的合金形成，所述第二導(dǎo)電層由銀（Ag)形成。
[0017] 本領(lǐng)域的技術(shù)人員在閱讀了下面的附圖和【具體實(shí)施方式】后，其它系統(tǒng)、方法、特征 和優(yōu)點(diǎn)將顯而易見，或者將變得顯而易見。所有這種額外的系統(tǒng)、方法、特征和優(yōu)點(diǎn)旨在被 包括在本描述中，在本公開的范圍內(nèi)，受下面權(quán)利要求書的保護(hù)。這個(gè)部分中的內(nèi)容不應(yīng)該 被當(dāng)作是對這些權(quán)利要求的限制。以下，結(jié)合實(shí)施方式討論其它方面和優(yōu)點(diǎn)。要理解，對本 公開的以上總體描述和以下詳細(xì)描述都是示例性和說明性的并且旨在對要求保護(hù)的本公 開提供進(jìn)一步說明。
【附圖說明】
[0018] 附圖被包括以提供對實(shí)施方式的進(jìn)一步理解，并入本文中且構(gòu)成本申請的一部 分，附圖示出本公開的實(shí)施方式并且與描述一起用于說明本公開。在附圖中：
[0019] 圖1是示出根據(jù)本公開的第一實(shí)施方式的0LED顯示裝置的剖視圖；
[0020] 圖2是示出根據(jù)本公開的第二實(shí)施方式的0LED顯示裝置的剖視圖；以及
[0021] 圖3A至圖3D是示出根據(jù)本公開的第三實(shí)施方式的制造0LED顯示裝置的方法的 剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022] 現(xiàn)在，將詳細(xì)參照本公開的實(shí)施方式，在附圖中示出這些實(shí)施方式的示例。下文中 介紹的這些實(shí)施方式被作為示例提供，以將它們的精神傳達(dá)給本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員。因 此，這些實(shí)施方式會以不同形狀實(shí)施，所以不限于這里描述的這些實(shí)施方式。在附圖中，為 了方便說明，可夸大器件的尺寸、厚度等。在任何可能的地方，在包括附圖的整個(gè)本公開中， 將使用相同的參考標(biāo)號來表示相同或類似的部件。
[0023] 圖1是示出根據(jù)本公開的第一實(shí)施方式的0LED顯示裝置的剖視圖。參照圖1，根 據(jù)本公開的第一實(shí)施方式的0LED顯示裝置包括：第一基板10,其被限定成發(fā)光區(qū)和非發(fā)光 區(qū)；薄膜晶體管Tr和有機(jī)發(fā)光元件111、120和130,其順序形成在第一基板10上；第二基 板20,其與第一基板10相對設(shè)置。薄膜晶體管Tr包括半導(dǎo)體層100、柵絕緣膜104、柵極 105、源極107和漏極108。與薄膜晶體管Tr接觸的有機(jī)發(fā)光元件111、120和130包括第一 電極111、與第一電極111相對形成并且形成為雙層結(jié)構(gòu)的第二電極120、以及形成在第一 電極111和第二電極120之間的有機(jī)發(fā)光層130。
[0024] 半導(dǎo)體層100形成在第一基板10上。另外，半導(dǎo)體層100包括源區(qū)101、溝道區(qū) 102和漏區(qū)103。另一方面，在形成半導(dǎo)體層100之前，緩沖層可形成在第一基板10的整個(gè) 表面上。
[0025] 柵絕緣膜104形成在設(shè)置有半導(dǎo)體層100的第一基板10的整個(gè)表面上。柵極105 形成在柵絕緣膜105上，與半導(dǎo)體層100相對。另外，柵極105可由從包括銅（Cu)、銀（Ag)、 鋁（A1)、鉻（Cr)、鈦（Ti)、鉭（Ta)及其合金的材料組中選擇的一種形成。盡管如圖中所示 柵極形成為單個(gè)金屬層，但可通過根據(jù)需要堆疊至少兩個(gè)金屬層來形成柵極105。
[0026] 層間絕緣膜106形成在設(shè)置有柵極105的第一基板10的整個(gè)表面上。另外，暴露 源區(qū)101以及漏區(qū)101和漏區(qū)103的接觸孔形成在層間絕緣膜106和柵絕緣膜104中。
[0027] 此后，源極107和漏極108形成在設(shè)置有接觸孔的層間絕緣膜106上。源極107 和漏極108通過接觸孔連接到半導(dǎo)體層100的源區(qū)101和漏區(qū)103。這種源極107和漏極 108可由從包括銅（Cu)、銀（Ag)、鋁（A1)、鉻（Cr)、鈦（Ti)、鉭（Ta)及其合金的材料組中選 擇的一種形成。盡管如圖中所示源極107和漏極108形成為單個(gè)金屬層，但源極107和漏極 108不限于此。另選地，可通過根據(jù)需要堆疊至少兩個(gè)金屬層來形成源極107和漏極108。
[0028] 以此方式，薄膜晶體管Tr形成在第一基板10上。盡管在附圖中示出單個(gè)薄膜晶體 管Tr形成在第一基板10上，但多個(gè)薄膜晶體管以相互分開的方式形成在第一基板10上。
[0029] 此后，鈍化膜109形成在設(shè)置有薄膜晶體管