一種缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器的制造方法
【專利摘要】一種缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，在介質(zhì)基片的兩側(cè)各打一排金屬化通孔，電磁波被限制在介質(zhì)基片的上下兩個金屬面和兩排金屬化通孔之間的區(qū)域傳播，形成了介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線；在形成的介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線上沿垂直于水平中心線打兩對左右對稱的金屬化通孔，將介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線分割成三個部分，這三個部分則為介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔，而這兩對左右對稱的金屬化通孔構(gòu)成磁耦合結(jié)構(gòu)；在輸入輸出微帶線到上述的介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線的上層金屬面加載雙L型過渡結(jié)構(gòu)完成微帶線到介質(zhì)波導(dǎo)的過渡，同時與上述雙L型過渡結(jié)構(gòu)相鄰的介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔下層金屬面加載缺陷地結(jié)構(gòu)。本發(fā)明達(dá)到低插損，高帶外抑制優(yōu)點(diǎn)，可用于射頻前端、鏡像抑制、雜散抑制等領(lǐng)域。
【專利說明】一種缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，屬于微波工程領(lǐng)域，是一種微波無源器件。
【背景技術(shù)】
[0002]集成介質(zhì)波導(dǎo)濾波器是一種較為新穎的微帶平面濾波器，它利用微帶線打金屬化通孔構(gòu)成平面波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，通過波導(dǎo)諧振腔間電磁耦合或者波導(dǎo)本身的高通特性來實(shí)現(xiàn)濾波器的實(shí)現(xiàn)。它繼承了波導(dǎo)的損耗低、品質(zhì)因數(shù)高、功率容量大等優(yōu)點(diǎn)，同時也集合了微帶的低剖面、尺寸小、易于與其他平面電路集成等優(yōu)點(diǎn)。
[0003]缺陷接地結(jié)構(gòu)是通過在微波電路的接地金屬平面上人為地蝕刻出周期性或非周期性的小孔來改變接地電流的分布，從而改變傳輸線的頻率特性，使得某些頻率的電磁波無法在其中傳輸，在頻譜上形成帶隙。該結(jié)構(gòu)由于設(shè)計(jì)方便，常常用于濾波器的設(shè)計(jì)中。
[0004]目前，針對缺陷地結(jié)構(gòu)加載的集成介質(zhì)波導(dǎo)濾波器的文獻(xiàn)與專利主要是利用集成介質(zhì)波導(dǎo)本身的高通特點(diǎn)，在一段集成介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線金屬地上加載缺陷地結(jié)構(gòu)(圖1)。該濾波器基板正面的兩排金屬化通孔之間(11)代表了普通的集成介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線，該傳輸線的橫截面積決定了高通的截止頻率，濾波器基板背面(虛線部分)(12A) (12B)為一種缺陷地結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)采用的是電容加載型的慢波形式，其本身產(chǎn)生諧振并與主傳輸線的耦合產(chǎn)生陷波點(diǎn)，完成帶阻抑制，從而達(dá)到了帶通濾波器的設(shè)計(jì)。由于缺陷地結(jié)構(gòu)本身在特定頻點(diǎn)范圍處具有帶阻特性，通過設(shè)計(jì)可將其帶阻頻段設(shè)置到高頻部分，故組成了一種低通濾波器加高通濾波器，整體組合為帶通濾波器的形式。這種濾波器設(shè)計(jì)方便易行，在實(shí)際操作中，只需根據(jù)低端所需抑制頻率來推算出集成介質(zhì)波導(dǎo)的尺寸，再根據(jù)高端所需抑制頻率來推算出缺陷地結(jié)構(gòu)的諧振頻段，就可實(shí)現(xiàn)功能。但此種濾波器的帶外抑制度則不高，其低端抑制主要靠集成介質(zhì)波導(dǎo)的模式傳播特性來保證，而根據(jù)理論計(jì)算其主模模式抑制度只由介質(zhì)的介電常數(shù)有關(guān)，所以在選定基材后，其低端抑制度便以確定，只能通過調(diào)節(jié)集成介質(zhì)波導(dǎo)的橫截面選擇不同的截止頻率，而抑制度則不能通過設(shè)計(jì)控制；其高端抑制主要靠缺陷地結(jié)構(gòu)來保證，通過缺陷地結(jié)構(gòu)的諧振性形成阻帶，而其抑制度只由加載的缺陷地結(jié)構(gòu)的有載Q值決定，一旦所需阻帶的帶寬確定，則抑制度也就確定，這樣使得高端抑制也變得不可調(diào)節(jié)。
[0005]為了彌補(bǔ)上面所述濾波器的帶外抑制的不足，就產(chǎn)生了基于電磁耦合的集成介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，請參考張玉林、洪偉等，“一種新型基片集成波導(dǎo)腔體濾波器的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)”，微波學(xué)報，第21卷增刊，2005年4月，138-141頁(圖2)。該濾波器將左邊波導(dǎo)諧振腔(21A)和右邊波導(dǎo)諧振腔(21B)通過電磁耦合(22)組合起來，輸入輸出用微帶到介質(zhì)集成波導(dǎo)的抽頭過渡(23A) (23B)來實(shí)現(xiàn)，附圖2為此種濾波器的基本形式，左邊波導(dǎo)諧振腔(21A)和右邊波導(dǎo)諧振腔(21B)，其體積大小決定了濾波器的中心頻率；兩個介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔間的磁耦合孔形式(22)，孔間距決定了耦合能力的大小，決定了濾波器的整個帶寬；輸入輸出的抽頭過渡形式(23A) (23B)，決定了濾波器帶內(nèi)平坦度和駐波。該濾波器(圖2)比較上面的缺陷地結(jié)構(gòu)加載集成介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線結(jié)構(gòu)的濾波器(圖1)，帶外抑制更佳且可通過設(shè)計(jì)調(diào)節(jié)。但該結(jié)構(gòu)濾波器的缺點(diǎn)是高端帶外抑制還不是很高，尤其在收發(fā)抑制、鏡像抑制濾波器的應(yīng)用中，對于高端的抑制受到波導(dǎo)高次模影響達(dá)不到設(shè)計(jì)要求，使得集成介質(zhì)波導(dǎo)濾波器的使用受限。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006]本發(fā)明技術(shù)解決問題:克服上述兩種濾波器的缺點(diǎn)，提供一種缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，達(dá)到低插損，高帶外抑制的優(yōu)點(diǎn)，可用于射頻前端、鏡像抑制、雜散抑制等領(lǐng)域。
[0007]本發(fā)明技術(shù)解決方案:一種缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，其特征在于:在介質(zhì)基片的兩側(cè)各打一排金屬化通孔(I)，電磁波被限制在介質(zhì)基片的上下兩個金屬面和兩排金屬化通孔之間的區(qū)域傳播，形成了介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線；在形成的介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線上沿垂直于水平中心線打兩對左右對稱的金屬化通孔(2)，將介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線分割成三個部分，這三個部分則為介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔(3)，而這兩對左右對稱的金屬化通孔(2)構(gòu)成磁耦合結(jié)構(gòu)；在輸入輸出微帶線(6)到上述的介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線的上層金屬面加載雙L型過渡結(jié)構(gòu)(4)完成微帶線到介質(zhì)波導(dǎo)的過渡，同時與上述雙L型過渡結(jié)構(gòu)(4)相鄰的介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔(3 )下層金屬面加載缺陷地結(jié)構(gòu)(5 )。
[0008]所述濾波器的兩側(cè)各打的一排金屬化通孔(I)的孔直徑小于五分之一波導(dǎo)波長，每個孔之間的間隔要小于兩倍的孔直徑長度。
[0009]所述介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔(3)采用的磁耦合形式，通過兩對左右對稱的金屬化通孔(2 )的位置和數(shù)量來調(diào)節(jié)其性能，即通過改變左右對稱的金屬化通孔(2 )的上下位置或改變左右對稱的金屬化通孔(2)的數(shù)量。
[0010]所述雙L型過渡結(jié)構(gòu)(4)為在介質(zhì)基片的上層面刻蝕出L型金屬空缺，且L型金屬空缺的長度即L型水平和垂直刻蝕出的條帶長度之和為四分之一波導(dǎo)波長。
[0011]所述缺陷地結(jié)構(gòu)(5)為在介質(zhì)基片的下金屬面上刻蝕出一個圖案，該圖案包括介質(zhì)基片的下金屬面的外圍地(34)、左右對稱的傳輸過渡結(jié)構(gòu)(31A、3IB)、上下對稱的高阻枝節(jié)(33A、33B)、并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A、32B);在左右對稱的傳輸過渡結(jié)構(gòu)(31A、31B)上沿該缺陷地的垂直中心線(41)處上下垂直伸出兩支對稱高阻枝節(jié)(33A、33B)，上下對稱的高阻枝節(jié)(33A、33B)的末端水平伸出兩支并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A、32B)，整個缺陷地結(jié)構(gòu)
(5)沿結(jié)構(gòu)的水平條帶中心線(42)呈上下對稱的結(jié)構(gòu)，整個缺陷地結(jié)構(gòu)(5)鑲嵌在介質(zhì)基片的下金屬面上即該缺陷地結(jié)構(gòu)(5)的外圍地(34)上。
[0012]所述并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A)的右半邊長度(43)加高阻枝節(jié)(33A)的長度(44)之和為所需諧振頻率的四分之一波長，并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A)的左半邊長度(45)加高阻枝節(jié)(33A)的長度(44)之和同樣為所需諧振頻率的四分之一波長，且上述兩個長度之和可以不一致，此結(jié)構(gòu)具有多個四分之一波長諧振點(diǎn)的寬帶效應(yīng)，同時和高低阻抗(32) (33)相互作用能夠有效增大諧振帶寬，且該單元諧振點(diǎn)在設(shè)計(jì)時方便可調(diào)。
[0013]所述的并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A、32B)和介質(zhì)基片的下金屬面即外圍金屬地(34)之間形成電容慢波效應(yīng)，調(diào)節(jié)外圍地(34)和并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A、32B)之間的距離來縮小并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A、32B)的長度和寬帶。[0014]本發(fā)明的優(yōu)越性在于:
[0015](I)本發(fā)明的缺陷地加載磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器將缺陷地和磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器結(jié)合起來，通過改變?nèi)毕莸亟Y(jié)構(gòu)中高阻和低阻條帶的長度，可將其諧振頻率調(diào)節(jié)到需要產(chǎn)生抑制的頻點(diǎn)處，加載在磁耦合的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器上就產(chǎn)生了對應(yīng)其諧振頻率的阻帶效應(yīng)。普通磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器的高端抑制由于波導(dǎo)高次模式的影響會惡化，而若將加載的缺陷地結(jié)構(gòu)的諧振頻率調(diào)諧到磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器的阻帶高端，則該濾波器的高端抑制度由缺陷地結(jié)構(gòu)的帶來的阻帶和磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器的高端抑制共同疊加而成，故對比普通缺陷地結(jié)構(gòu)加載介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線構(gòu)成的濾波器(圖1)和普通諧振腔電磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器(圖2)，其具有同節(jié)數(shù)同體積的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器中較好的帶外抑制度，擴(kuò)大了其應(yīng)用領(lǐng)域。
[0016](2)本發(fā)明提出新穎的缺陷地結(jié)構(gòu)，具有多四分之一諧振波長即多點(diǎn)諧振和高低阻抗拓展帶寬的效果，同時上下沿結(jié)構(gòu)的水平條帶中心線(42)對稱，以提高諧振能力，設(shè)計(jì)時方便優(yōu)化調(diào)節(jié)，改善了缺陷地結(jié)構(gòu)的阻帶抑制。
[0017](3)本發(fā)明缺陷地結(jié)構(gòu)上下兩端左右突出的低阻條帶(32A、32B)和外圍金屬地
(34)之間形成電容慢波效應(yīng)，可以有效壓縮低阻條帶的長度，使得結(jié)構(gòu)更加緊湊。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0018]圖1為現(xiàn)有普通缺陷地結(jié)構(gòu)加載集成介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線濾波器示意圖；
[0019]圖2為現(xiàn)有普通諧振腔電磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器示意圖；
[0020]圖3為本發(fā)明所涉及的加載缺陷地結(jié)構(gòu)的磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器正面示意圖；
[0021]圖4為本發(fā)明所涉及的加載缺陷地結(jié)構(gòu)的磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器底面示意圖；
[0022]圖5為本發(fā)明的陷地結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖6為本發(fā)明的陷地結(jié)構(gòu)尺寸示意圖；
[0024]圖7為本發(fā)明所涉及的加載缺陷地結(jié)構(gòu)的磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器頻譜特性?！揪唧w實(shí)施方式】
[0025]如圖3、4所示，本發(fā)明提出的一種加載缺陷地結(jié)構(gòu)的磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器是在介質(zhì)基片的兩側(cè)各打一排金屬化通孔I，金屬化通孔I的直徑小于五分之一波導(dǎo)波長，孔之間的間隔要小于兩倍的孔直徑長度，電磁波被限制在基片的上下兩個金屬面和兩列金屬通孔之問的區(qū)域傳播，形成了介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線。在形成的介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線上沿垂直于水平中心線打兩對左右對稱的金屬化通孔2，將介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線分割成三個部分，這三個部分則為介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔3，而這兩對左右對稱的金屬化通孔2構(gòu)成磁耦合結(jié)構(gòu)。這里通過兩對金屬化通孔2的位置和數(shù)量來調(diào)節(jié)其磁耦合度，當(dāng)需要寬帶對應(yīng)較大耦合度時，對應(yīng)的金屬化通孔的間距要變大，金屬化通孔的數(shù)量要變少。介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔3的體積則解決了濾波器的中心頻率，其體積越大則中心頻率越低。在輸入輸出微帶線6到上述的介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線的上層金屬面加載雙L型過渡結(jié)構(gòu)4完成微帶線到介質(zhì)波導(dǎo)的過渡。雙L型過渡結(jié)構(gòu)4為在上層金屬面刻蝕出的L型金屬空缺，且L型過渡長度即L型水平和垂直刻蝕出的條帶長度之和約為四分之一波導(dǎo)波長，具體長度值需要根據(jù)輸入輸出端口的有載3dBQ值來確定。與上述過渡結(jié)構(gòu)相鄰的介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔3下層金屬面則加載缺陷地結(jié)構(gòu)5，構(gòu)成了加載缺陷地結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器。其中兩缺陷地結(jié)構(gòu)5依次平行對稱排列，排列時整體沿濾波器中心軸線。
[0026]本發(fā)明提出的一種缺陷地結(jié)構(gòu)，采用多四分之一諧振波長即多點(diǎn)諧振和高低阻抗結(jié)合的形式拓展阻帶帶寬，利用低阻線和下金屬面即外圍地產(chǎn)生慢波諧振形式減小相應(yīng)體積。本發(fā)明提出的一種缺陷地結(jié)構(gòu)圖5，其特征是在于該圖案包括介質(zhì)基片的下金屬面的外圍地34、左右對稱的傳輸過渡結(jié)構(gòu)31A、31B、上下對稱的高阻枝節(jié)33A、33B、并聯(lián)形式低阻枝節(jié)32A、32B ;在左右對稱的傳輸過渡結(jié)構(gòu)31A、31B上沿該缺陷地的垂直中心線41處上下垂直伸出兩支對稱高阻枝節(jié)33A、33B，上下對稱的高阻枝節(jié)33A、33B的末端水平伸出兩支并聯(lián)形式低阻枝節(jié)32A、32B，整個缺陷地結(jié)構(gòu)5沿結(jié)構(gòu)的水平條帶中心線42呈上下對稱的結(jié)構(gòu)，整個缺陷地結(jié)構(gòu)5鑲嵌在介質(zhì)基片的下金屬面上即該缺陷地結(jié)構(gòu)5的外圍地34上。并聯(lián)形式低阻枝節(jié)32A的右半邊長度43加高阻枝節(jié)33A的長度44之和為所需諧振頻率的四分之一波長，并聯(lián)形式低阻枝節(jié)32A的左半邊長度45加高阻枝節(jié)33A的長度44之和同樣為所需諧振頻率的四分之一波長，且上述兩個長度之和可以不一致，此結(jié)構(gòu)具有多個四分之一波長諧振點(diǎn)的寬帶效應(yīng)，同時和高低阻抗32A、32B、33A、33B相互作用能夠有效增大諧振帶寬，且該單元諧振點(diǎn)在設(shè)計(jì)時方便可調(diào)。一般高低阻抗需要滿足高阻為低阻的二倍關(guān)系。同時所述的并聯(lián)形式低阻枝節(jié)32A、32B和介質(zhì)基片的下金屬面即外圍金屬地34之間形成電容慢波效應(yīng)，調(diào)節(jié)外圍地34和并聯(lián)形式低阻枝節(jié)32A、32B之間的距離來縮小并聯(lián)形式低阻枝節(jié)32A、32B的長度和寬帶。當(dāng)?shù)妥钘l帶32A、32B和金屬外圍地34距離越近，其帶來的電容加載效應(yīng)越明顯，則低阻條帶的對應(yīng)長度尺寸就越小，使得電路結(jié)構(gòu)更加緊湊。
[0027]本發(fā)明提出的一種加載缺陷地結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，其自身就為磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，故帶外的抑制已經(jīng)達(dá)到一定的程度，但由于介質(zhì)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的高次模式影響，高端抑制度會惡化。而加載上述缺陷地結(jié)構(gòu)，缺陷地結(jié)構(gòu)5通過改變高阻和低阻條帶的長度，可將其諧振頻率調(diào)節(jié)到需要產(chǎn)生高端抑制的頻點(diǎn)處，這樣加載在磁耦合的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器上就產(chǎn)生了對應(yīng)其諧振頻率的阻帶效應(yīng)。此種濾波器成功結(jié)合了普通缺陷地結(jié)構(gòu)加載集成介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線濾波器和普通諧振腔磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器的特點(diǎn)，在保證輸入輸出抽頭有載Q值要求的情況下，提高了濾波器帶外抑制度。由于其是在諧振腔磁耦合介質(zhì)波導(dǎo)濾波器的抑制度基礎(chǔ)上又加上了缺陷地結(jié)構(gòu)帶來的抑制度，尤其是高端抑制度，所以其解決了普通介質(zhì)波導(dǎo)濾波器普遍的高端帶外抑制由于波導(dǎo)高次模式影響而不足的問題。將缺陷地結(jié)構(gòu)的諧振陷波點(diǎn)設(shè)置為濾波器阻帶的高端，則會使抑制度得到優(yōu)化，從而克服了原有濾波器高端帶外抑制不高的缺點(diǎn)。本發(fā)明提出的一種加載缺陷地結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器的頻譜特性如圖7所示，71為濾波器頻率響應(yīng)Sll曲線，72為濾波器頻率響應(yīng)S21曲線，其在高端的帶外抑制度可以達(dá)到大于80dBc，滿足了應(yīng)用的要求。
【權(quán)利要求】
1.一種缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，其特征在于:在介質(zhì)基片的兩側(cè)各打一排金屬化通孔(I)，電磁波被限制在介質(zhì)基片的上下兩個金屬面和兩排金屬化通孔之間的區(qū)域傳播，形成了介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線；在形成的介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線上沿垂直于水平中心線打兩對左右對稱的金屬化通孔(2)，將介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線分割成三個部分，這三個部分則為介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔(3)，而這兩對左右對稱的金屬化通孔(2)構(gòu)成磁耦合結(jié)構(gòu)；在輸入輸出微帶線(6)到上述的介質(zhì)波導(dǎo)傳輸線的上層金屬面加載雙L型過渡結(jié)構(gòu)(4)完成微帶線到介質(zhì)波導(dǎo)的過渡，同時與上述雙L型過渡結(jié)構(gòu)(4)相鄰的介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔(3)下層金屬面加載缺陷地結(jié)構(gòu)(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述兩側(cè)各打的一排金屬化通孔(I)的孔直徑小于五分之一波導(dǎo)波長，每個孔之間的間隔要小于兩倍的孔直徑長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述介質(zhì)波導(dǎo)諧振腔(3)采用的磁耦合形式，通過兩對左右對稱的金屬化通孔(2)的位置和數(shù)量來調(diào)節(jié)其性能，即通過改變左右對稱的金屬化通孔(2)的上下位置或改變左右對稱的金屬化通孔(2)的數(shù)量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述雙L型過渡結(jié)構(gòu)(4)為在介質(zhì)基片的上層面刻蝕出L型金屬空缺，且L型金屬空缺的長度即L型水平和垂直刻蝕出的條帶長度之和為四分之一波導(dǎo)波長。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述缺陷地結(jié)構(gòu)(5)在介質(zhì)基片的下金屬面上刻蝕出一個圖案，該圖案包括介質(zhì)基片的下金屬面的外圍地(34)、左右對稱的傳輸過渡結(jié)構(gòu)(31A、31B)、上下對稱的高阻枝節(jié)(33A、33B)、并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A、32B);在左右對稱的傳輸過渡結(jié)構(gòu)(31A、31B)上沿該缺陷地的垂直中心線(41)處上下垂直伸出兩支對稱高阻枝節(jié)(33A、33B)，上下對稱的高阻枝節(jié)(33A、33B)的末端水平伸出兩支并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A、32B)，整個缺陷地結(jié)構(gòu)(5)沿結(jié)構(gòu)的水平條帶中心線(42)呈上下對稱的結(jié)構(gòu)，整個缺陷地結(jié)構(gòu)(5)鑲嵌在介質(zhì)基片的下金屬面上即該缺陷地結(jié)構(gòu)(5)的外圍地(34)上。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A)的右半邊長度(43)加高阻枝節(jié)(33A)的長度(44)之和為所需諧振頻率的四分之一波長，并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A)的左半邊長度(45)加高阻枝節(jié)(33A)的長度(44)之和同樣為所需諧振頻率的四分之一波長，且上述兩個長度之和可以不一致，此結(jié)構(gòu)具有多個四分之一波長諧振點(diǎn)的寬帶效應(yīng)，同時和高低阻抗(32) (33)相互作用能夠有效增大諧振帶寬，且該單元諧振點(diǎn)在設(shè)計(jì)時方便可調(diào)。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的缺陷地加載磁耦合結(jié)構(gòu)的介質(zhì)波導(dǎo)濾波器，其特征在于:所述的并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A、32B)和介質(zhì)基片的下金屬面即外圍金屬地(34)之間形成電容慢波效應(yīng)，調(diào)節(jié)外圍地(34)和并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A、32B)之間的距離來縮小并聯(lián)形式低阻枝節(jié)(32A、32B)的長度和寬帶。
【文檔編號】H01P1/207GK103682534SQ201310732410
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月26日
【發(fā)明者】李梁, 史少洪, 張磊, 蘇敏, 郭棟, 高蔚, 張思晛 申請人:航天恒星科技有限公司