陣列基板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種陣列基板、顯示裝置，屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，其可解決現(xiàn)有的陣列基板透過率低、制造工藝復(fù)雜的問題。本實用新型的陣列基板包括柵極、柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極、隔離層、源極、漏極，且所述柵極、柵線包括透明導(dǎo)電材料層；所述柵絕緣層不超出柵極和柵線上方；所述隔離層覆蓋柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、柵線、像素電極；所述源極、漏極位于隔離層上方，并分別通過隔離層中的源極過孔和漏極過孔與半導(dǎo)體層電連接；漏極還通過隔離層中的第一過孔與像素電極電連接。
【專利說明】陣列基板、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種陣列基板、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]TN(扭曲向列)模式的液晶顯示裝置具有響應(yīng)速度快、成本低等優(yōu)點，是液晶顯示裝置的一種重要模式。
[0003]如圖1所示，在TN模式的陣列基板中，薄膜晶體管的柵極21/柵線22形成在基底9上，柵絕緣層31覆蓋柵極21/柵線22，柵絕緣層31上設(shè)有半導(dǎo)體層41 (半導(dǎo)體層41加上歐姆接觸層、過渡層等即構(gòu)成薄膜晶體管的有源區(qū))、像素電極11、源極71、漏極72，源極71、漏極72與半導(dǎo)體層41電連接，漏極72還與像素電極11電連接。同時，陣列基板中還可設(shè)有數(shù)據(jù)線、公共電極線、配向膜等其他結(jié)構(gòu)(圖中未示出)；而在與陣列基板對盒的彩膜基板上，還設(shè)有公共電極等其他結(jié)構(gòu)。
[0004]如圖1所示，在現(xiàn)有的TN模式的陣列基板中，柵絕緣層31覆蓋了整個基底9，即柵絕緣層31在像素電極11處也有分布，而該位置的柵絕緣層31會影響透光，從而降低陣列基板的透過率。
[0005]同時，柵極21/柵線22、半導(dǎo)體層41、像素電極11需要分別在不同的構(gòu)圖工藝中制造，即為制造這些結(jié)構(gòu)至少需要進行3次光刻，因此其制備工藝復(fù)雜。
實用新型內(nèi)容
[0006]本實用新型所要解決的技術(shù)問題包括，針對現(xiàn)有的TN模式的陣列基板透過率低、制備工藝復(fù)雜的問題，提供一種透過率高、制備工藝簡單的陣列基板、顯示裝置。
[0007]解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種陣列基板，其包括柵極、柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極、隔離層、源極、漏極，且
[0008]所述柵極、柵線包括透明導(dǎo)電材料層；
[0009]所述柵絕緣層不超出柵極和柵線上方；
[0010]所述隔離層覆蓋柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、柵線、像素電極；
[0011]所述源極、漏極位于隔離層上方，并分別通過隔離層中的源極過孔和漏極過孔與半導(dǎo)體層電連接；漏極還通過隔離層中的第一過孔與像素電極電連接。
[0012]本實用新型的陣列基板中，柵絕緣層不超出柵極和柵線上方，故其像素電極處沒有柵絕緣層，因此柵絕緣層不會對光的透過產(chǎn)生影響，透過率高；同時，由于其柵線/柵極包括透明導(dǎo)電材料層，因此其柵線/柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極可在一次構(gòu)圖工藝中同時形成，制備工藝簡單、效率高。
[0013]優(yōu)選的是，所述柵絕緣層和半導(dǎo)體層圖形相同，且只位于柵極上方。
[0014]優(yōu)選的是，所述柵極、柵線還包括位于透明導(dǎo)電材料層上的柵金屬層。
[0015]優(yōu)選的是，所述半導(dǎo)體層由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。
[0016]優(yōu)選的是，所述隔離層為平坦化層、鈍化層、刻蝕阻擋層中的任意一種。[0017]進一步優(yōu)選的是，所述隔離層為平坦化層，所述隔離層由感光樹脂材料制成。
[0018]優(yōu)選的是，所述源極、漏極位于隔離層上。
[0019]解決本實用新型技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種顯示裝置，其包括上述陣列基板。
[0020]由于本實用新型的顯示裝置包括上述陣列基板，因此其透過率高、制備工藝簡單、效率高。
[0021]其中，本實用新型的陣列基板、顯示裝置優(yōu)選均是用于液晶顯示的，即其陣列基板優(yōu)選為TN型的液晶顯示陣列基板，顯示裝置優(yōu)選為TN型的液晶顯示裝置，但應(yīng)當理解，本實用新型也可用于有機發(fā)光二極管(0LED)顯示裝置，即其陣列基板中的像素電極可相當于有機發(fā)光二極管的陽極或陰極。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1為現(xiàn)有的TN模式陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖2為本實用新型的實施例2的陣列基板在制備過程中的一個俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖3為圖2的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4為本實用新型的實施例2的陣列基板在制備過程中的一個俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖5為圖4的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖6為本實用新型的實施例2的陣列基板在制備過程中的一個俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028]圖7為圖6的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖8為本實用新型的實施例2的陣列基板在制備過程中的一個俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖9為圖8的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖10為本實用新型的實施例2的陣列基板在制備過程中的一個俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖11為圖10的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖12為本實用新型的實施例2的陣列基板在制備過程中的一個俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖13為圖12的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖14為本實用新型的實施例2的陣列基板在制備過程中的一個俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖15為圖14的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖16為本實用新型的實施例2的陣列基板在制備過程中的一個剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖17為本實用新型的實施例2的陣列基板在制備過程中的一個剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖18為本實用新型的實施例2的陣列基板的俯視結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖19為圖18的沿AA’面的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]其中附圖標記為:1、透明導(dǎo)電材料層；11、像素電極；2、柵金屬層；21、柵極；22、柵線；3、絕緣材料層；31、柵絕緣層；4、半導(dǎo)體材料層；41、半導(dǎo)體層；5、平坦化層；51、源極過孔；52、漏極過孔；53、第一過孔；7、源漏金屬層；71、源極；72、漏極；8、光刻膠層；9、基底；Q1、柵極位置；Q2、柵線位置；Q3、像素電極位置；Q4、其余位置；Q71、源極位置；Q72、漏極位置。
【具體實施方式】
[0042]為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本實用新型的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實施方式】對本實用新型作進一步詳細描述。
[0043]實施例1:
[0044]本實施例提供一種陣列基板，其包括柵極、柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極、隔離層、源極、漏極，且
[0045]所述柵極、柵線包括透明導(dǎo)電材料層；
[0046]所述柵絕緣層不超出柵極和柵線上方；
[0047]所述隔離層覆蓋柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、柵線、像素電極；
[0048]所述源極、漏極位于隔離層上方，并分別通過隔離層中的源極過孔和漏極過孔與半導(dǎo)體層電連接；漏極還通過隔離層中的第一過孔與像素電極電連接。
[0049]本實施例的陣列基板中，柵絕緣層不超出柵極和柵線上方，故其像素電極處沒有柵絕緣層，因此柵絕緣層不會對光的透過產(chǎn)生影響，透過率高；同時，由于其柵線/柵極包括透明導(dǎo)電材料層，因此其柵線/柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極可在一次構(gòu)圖工藝中同時形成，制備工藝簡單、效率高。
[0050]具體的，本實施例的陣列基板可通過包括以下步驟的方法制備:
[0051]步驟1:在基底上通過使用階梯曝光的構(gòu)圖工藝形成包括柵線、柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極的圖形；其中，柵絕緣層不超出柵線和柵極的上方；
[0052]步驟2:在完成前述步驟的基底上形成隔離層，在隔離層中形成與半導(dǎo)體層相連的源極過孔和漏極過孔，以及與像素電極相連的第一過孔；
[0053]步驟3:在完成前述步驟的基底上通過構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極的圖形；其中，源極、漏極分別通過源極過孔、漏極過孔與半導(dǎo)體層電連接，漏極通過第一過孔與像素電極電連接。
[0054]其中，“構(gòu)圖工藝”包括形成膜層、涂布光刻膠、曝光、顯影、刻蝕、剝離光刻膠等步驟，其可通過上述步驟除去膜層中不需要的部分，從而使膜層的剩余部分形成所需圖形。
[0055]其中，“階梯曝光”是指對光刻膠層的不同位置進行不同程度的曝光，從而使顯影后的光刻膠層在不同位置的厚度不同，以便完成后續(xù)的構(gòu)圖工藝。
[0056]實施例2:
[0057]如圖2至19所示，本實施例提供一種陣列基板，其包括柵極21、柵線22、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41、像素電極11、源極71、漏極72、隔離層。
[0058]如圖19所示，本實施例的陣列基板中，柵極21、柵線22包括透明導(dǎo)電材料層1。
[0059]也就是說，本實施例的陣列基板的柵極21、柵線22可由像素電極11的材料構(gòu)成，故它們可與像素電極11同步形成，從而簡化制備工藝。
[0060]優(yōu)選的，柵極21、柵線22還包括位于透明導(dǎo)電材料層1上的柵金屬層2，即柵極21、柵線22可由透明導(dǎo)電材料層1和柵金屬層2共同組成，從而加強其導(dǎo)電性能。
[0061]當然，理論上也可沒有柵金屬層2，而直接用透明導(dǎo)電材料層1形成柵極21、柵線22。
[0062]其中，柵絕緣層31不超出柵極21和柵線22上；因此，其像素電極11處沒有柵絕緣層31，透過率高。
[0063]優(yōu)選的，柵絕緣層31和半導(dǎo)體層41圖形相同，且只位于柵極21上方。
[0064]由于柵絕緣層31和半導(dǎo)體層41圖形相同，故它們可在一次刻蝕中同時形成，制備
效率高。
[0065]當然，柵絕緣層31也可與半導(dǎo)體層41圖形不同，并在柵線22上方也有分布(半導(dǎo)體層41只位于柵極21上方)，這樣可以增大柵線22與數(shù)據(jù)線間的距離，降低二者間的耦合電容。
[0066]優(yōu)選的，半導(dǎo)體層41由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。
[0067]其中，隔離層覆蓋柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41、柵線22、像素電極11。
[0068]優(yōu)選的，隔離層為平坦化層5，即其除了隔離外，還可用于將薄膜晶體管等引起的段差“填平”，使陣列基板的表面整體上趨于平坦，以便于后續(xù)取向膜膜層均勻形成，并利于摩擦取向工藝的均勻摩擦。
[0069]優(yōu)選的，上述平坦化層5是由感光樹脂材料制成的，從而在其上形成過孔時不必
使用光刻膠等，工藝簡單。
[0070]優(yōu)選的，隔離層也可為用于防止半導(dǎo)體層41被刻蝕的刻蝕阻擋層，或者為用于絕緣的鈍化層等其他結(jié)構(gòu)；刻蝕阻擋層、鈍化層等主要由氮化硅、氧化硅等無機材料構(gòu)成，它們的厚度比平坦化層5薄，故通常不起消除段差的作用，而僅用于將源極71、漏極72等與其他結(jié)構(gòu)隔開。
[0071]源極71、漏極72位于平坦化層5上方(優(yōu)選直接設(shè)在平坦化層5上)，并分別通過平坦化層5中的源極過孔51和漏極過孔52與半導(dǎo)體層41電連接；同時，漏極72還通過平坦化層5中的第一過孔53與像素電極11電連接，從而將半導(dǎo)體層41與像素電極11連
接在一起。
[0072]當然，本實施例的陣列基板中，還應(yīng)具有數(shù)據(jù)線、公共電極線、配向膜(圖中未示出)等其他已知結(jié)構(gòu)，這些結(jié)構(gòu)可根據(jù)需要設(shè)置在相應(yīng)位置。
[0073]如圖2至圖19所示，本實施例的陣列基板的制備方法可包括以下步驟:
[0074]S101、在基底9上依次形成透明導(dǎo)電材料層1、絕緣材料層3、半導(dǎo)體材料層4，并在半導(dǎo)體材料層4上涂布光刻膠層8。
[0075]優(yōu)選的，在透明導(dǎo)電材料層1和絕緣材料層3之間，還可形成柵金屬層2。
[0076]其中，透明導(dǎo)電材料層1是由透明且導(dǎo)電的材料形成的，例如氧化銦錫(ΙΤ0)，其用于形成像素電極11、柵極21、柵線22。
[0077]柵金屬層2通常由鑰、鋁等金屬或合金構(gòu)成，主要用于與透明導(dǎo)電材料層1共同形成柵極21、柵線22，從而改善柵極21、柵線22的導(dǎo)電性能。
[0078]顯然，由于具有透明導(dǎo)電材料層1，因此理論上也可不形成柵金屬層2，而直接用透明導(dǎo)電材料層1形成柵極21、柵線22。應(yīng)當理解，若本步驟中未形成柵金屬層2，則后續(xù)步驟中“除去柵金屬層2”的操作也相應(yīng)的不再進行。
[0079]絕緣材料層3可為氮化硅或氧化硅等，其主要用于形成柵絕緣層31，從而使柵極21與半導(dǎo)體層41絕緣并形成載流子的運動界面。[0080]半導(dǎo)體材料層4是由半導(dǎo)體材料形成的，其主要用于形成半導(dǎo)體層41。優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體層41 (半導(dǎo)體材料層4)由金屬氧化物半導(dǎo)體制成，例如氧化鎵銦鋅(IGZ0)。
[0081]其中，在基底9上還可預(yù)先形成有緩沖層等已知結(jié)構(gòu)；各層也可采用其他已知的材料；形成各層的方法可為濺射、蒸鍍、化學氣相沉積、涂覆等已知的工藝。由于上述的形成各種膜層的材料、工藝、參數(shù)等均是已知的，故對這些內(nèi)容在本實施例中均不再詳細描述。
[0082]S102、如圖2、圖3所示，對光刻膠層8階梯曝光并顯影，在柵極位置Q1保留第一厚度的光刻膠層8，柵線位置Q2保留第二厚度的光刻膠層8，像素電極位置Q3保留第三厚度的光刻膠層8，其余位置Q4無光刻膠層8，其中第一厚度大于第二厚度，第二厚度大于第三厚度。
[0083]也就是說，通過對光刻膠層8的不同位置進行不同程度的曝光，使顯影后的光刻膠層8如圖3所示分為三種不同的厚度，另外還有部分區(qū)域無光刻膠層8。
[0084]優(yōu)選的，階梯曝光可通過灰度掩膜板或半色調(diào)掩膜板實現(xiàn)。
[0085]S103、除去無光刻膠區(qū)域的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3、柵金屬層2、透明導(dǎo)電材料層1，得到如圖4、圖5所示的結(jié)構(gòu)。
[0086]也就是說，通過刻蝕等方法，依次除去無光刻膠區(qū)域Q4的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3、柵金屬層2、透明導(dǎo)電材料層1，從而將像素電極區(qū)域Q1的透明導(dǎo)電材料層1與其他區(qū)域的透明導(dǎo)電材料層1隔開。
[0087]其中，刻蝕可采用已知的方法進行，依照各層材料和刻蝕工藝的不同，可以是在一次刻蝕中同時除去多個膜層，也可以是每次刻蝕只除去一個膜層；由于刻蝕工藝、刻蝕參數(shù)等均是已知的，故對這些內(nèi)容在本實施例中均不再詳細描述。
[0088]S104、除去第三厚度的光刻膠層8，使像素電極位置Q3的半導(dǎo)體材料層4暴露，得到如圖6、圖7所示的結(jié)構(gòu)。
[0089]也就是說，通過灰化(Ashing)工藝根據(jù)光刻膠層8的厚度差除去第三厚度的光刻膠層8，這樣像素電極位置Q3的光刻膠層8被徹底除去，其半導(dǎo)體材料層4暴露，而柵極位置Q1和柵線位置Q2的光刻膠層8只是相應(yīng)減薄，從而得到如圖6、圖7所示的結(jié)構(gòu)。
[0090]其中，由于灰化工藝的特性，故柵極位置Q1和柵線位置Q2的光刻膠層8面積實際也會稍微縮小，但因其對最終產(chǎn)品的結(jié)構(gòu)不會產(chǎn)生實質(zhì)影響，故圖中未示出。
[0091]S105、如圖8、圖9所示，除去像素電極位置Q3的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3、柵金屬層2，形成像素電極11的圖形。
[0092]此時，由于像素電極位置Q3的光刻膠層8已被除去，故可通過刻蝕工藝依次除去該位置的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3、柵金屬層2，使透明導(dǎo)電材料層1暴露，形成透明像素電極11的圖形。
[0093]S106、除去厚度等于柵線位置Q2剩余光刻膠層8厚度的光刻膠層8，使柵線位置Q2的半導(dǎo)體層41暴露，得到如圖10、圖11所示的結(jié)構(gòu)。
[0094]也就是說，通過灰化工藝除去柵線位置Q2剩余的光刻膠層8 (其厚度可等于第二厚度減去第三厚度)，使該處的半導(dǎo)體層41暴露，同時，柵極位置Q1的光刻膠層8繼續(xù)減薄，從而得到如圖10、圖11所示的結(jié)構(gòu)。
[0095]S107、除去柵線位置Q2的半導(dǎo)體材料層4，并優(yōu)選同時除去該位置的絕緣材料層3，形成柵線22的圖形，得到如圖12、圖13所示的結(jié)構(gòu)。[0096]也就是說，通過刻蝕工藝除去柵線位置Q2的半導(dǎo)體材料層4、絕緣材料層3，使柵金屬層2暴露，形成柵線22的圖形。
[0097]其中，本步驟中將柵線位置Q2的絕緣材料層3也一起除去了，從而最終產(chǎn)品中柵線22上方?jīng)]有柵絕緣層31，柵絕緣層31與半導(dǎo)體層41的圖形重合，且均只位于柵極21上方；這種工藝的優(yōu)點在于，可選用一定的腐蝕劑直接一次將半導(dǎo)體材料層4和絕緣材料層3除去，從而簡化工藝。
[0098]但是，應(yīng)當理解，如果在本步驟中，只除去柵線位置Q2的半導(dǎo)體材料層4，而保留絕緣材料層3也是可行的；這樣，在最終產(chǎn)品中，在柵線22上方仍有柵絕緣層31 (但半導(dǎo)體層41僅位于柵極21上方)，該柵絕緣層31可增大柵線22與數(shù)據(jù)線間距離，從而降低二者間的耦合電容。
[0099]其中，本實施例是以具有柵金屬層2的情況為例子的，即其柵線22由柵金屬層2和透明導(dǎo)電材料層1共同組成，從而改善柵線22的導(dǎo)電性能；但應(yīng)當理解，如果步驟S101中未形成柵金屬層2，則此時柵線位置Q2僅剩余透明導(dǎo)電材料層1，即柵線22也可直接由透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。
[0100]S108、如圖14、圖15所示，除去全部剩余的光刻膠層8，形成柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41的圖形。
[0101 ] 也就是說，剝離全部剩余的光刻膠層8 (即柵極位置Q1的光刻膠層8)，使半導(dǎo)體層41暴露，形成柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41的圖形。
[0102]可見，在本實施例中，只通過一次曝光就同時制備出了柵線22/柵極21、柵絕緣層31、半導(dǎo)體層41、像素電極11的圖形，故其曝光次數(shù)明顯減少，制備方法簡單、效率高。
[0103]同時，在本實施例的陣列基板中，柵絕緣層31不超出柵極21和柵線22的上方，即其像素電極11處沒有柵絕緣層31，因此柵絕緣層31不會對光的透過產(chǎn)生影響，透過率高。
[0104]S109、如圖16所示，形成隔離層，并在隔離層中形成與半導(dǎo)體層41相連的源極過孔51和漏極過孔52，以及與像素電極相連的第一過孔53。
[0105]優(yōu)選的，所述隔離層可為平坦化層5，平坦化層5通常由樹脂等材料制成，其除了隔離作用外，還可將薄膜晶體管等結(jié)構(gòu)引起的段差“填平”，使陣列基板的表面整體上趨于平坦，以便于后續(xù)取向膜膜層均勻形成，并利于摩擦取向工藝的均勻摩擦。
[0106]當然，如果隔離層不是平坦化層5，其也可為用于防止半導(dǎo)體層41被刻蝕的刻蝕阻擋層，或者為用于絕緣的鈍化層等其他結(jié)構(gòu)；刻蝕阻擋層、鈍化層等主要由氮化硅、氧化硅等無機材料構(gòu)成，它們的厚度比平坦化層5薄，故通常不起消除段差的作用，而僅用于將源極71、漏極72等與其他結(jié)構(gòu)隔開。
[0107]具體的，上述的各過孔可通過構(gòu)圖工藝形成，即可在平坦化層5上涂布光刻膠，之后依次進行曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等。
[0108]由于平坦化層5通常為樹脂等材料，而其下方的半導(dǎo)體層41、像素電極11等為半導(dǎo)體、導(dǎo)體等無機材料，二者的刻蝕選擇性差別很大，故雖然不同位置的過孔深度不同，但刻蝕時也不會產(chǎn)生對半導(dǎo)體層41、像素電極11等的破壞。
[0109]但優(yōu)選的，也可以是平坦化層5本身就由感光樹脂材料制成，則此時可不涂布光刻膠，而是直接對平坦化層5進行曝光、顯影，從而在其中形成過孔。
[0110]總之，在平坦化層5中形成過孔的方法是已知的，在此不再詳細描述。[0111]S110、形成源漏金屬層7。
[0112]源漏金屬層7由鑰、鋁等導(dǎo)電金屬或合金制成，用于形成源極71和漏極72。
[0113]其中，由于平坦化層5上具有過孔，故源漏金屬層7自然會通過源極過孔51和漏極過孔52與半導(dǎo)體層41相連，并通過第一過孔53與像素電極11相連。
[0114]S111、形成光刻膠層8并曝光，在相互分開的源極位置Q71和漏極位置Q72保留光刻膠層8，其余位置無光刻膠層8 ;其中，源極位置Q71包括源極過孔51，漏極位置Q72包括漏極過孔52和第一過孔53 ;得到如圖17、18所示的結(jié)構(gòu)。
[0115]也就是說，只在最終要形成源極71、漏極72的位置保留光刻膠層8，而將其余位置的光刻膠層8除去，其中源極位置Q71和漏極位置Q72相互分開，且源極位置Q71涵蓋源極過孔51，而漏極位置Q72則涵蓋漏極過孔52以及第一過孔53。
[0116]通常而言，由于數(shù)據(jù)線需要與源極71相連，且公共電極線與數(shù)據(jù)線平行而不相交，因此，優(yōu)選可使數(shù)據(jù)線和公共電極線與源極71、漏極72同步形成；即在除去光刻膠層8時，也保留數(shù)據(jù)線位置(與源極位置Q72相連)的光刻膠層8，以及公共電極線位置(獨立位置)的光刻膠層8，從而在后續(xù)的刻蝕步驟中同時形成數(shù)據(jù)線和公共電極線。
[0117]當然，應(yīng)當理解，數(shù)據(jù)線和/或公共電極線也可在后續(xù)步驟中通過單獨的構(gòu)圖工藝形成，在此不做限制。
[0118]S112、除去無光刻膠覆蓋的源漏金屬層7，再除去剩余的光刻膠層8，形成數(shù)據(jù)線、公共電極線(圖中未示出)、源極71和漏極72的圖形，得到如圖19所示的結(jié)構(gòu)。
[0119]也就是說，刻蝕除去暴露的源漏金屬層7，從而剩余兩塊分開的源漏金屬層7，其中一塊與半導(dǎo)體層41電連接，為源極71，另一塊將半導(dǎo)體層41與像素電極11連接在一起，為漏極72。
[0120]當然，如果在S111步驟中也保留了數(shù)據(jù)線位置及公共電極線位置的光刻膠層8，則本步驟中會同時形成數(shù)據(jù)線和公共電極線。
[0121]S113、繼續(xù)形成配向膜(圖中未示出)等結(jié)構(gòu)，完成陣列基板的制備。
[0122]實施例3:
[0123]本實施例提供一種顯示裝置，其包括上述的陣列基板。
[0124]由于本實施例的顯示裝置包括上述陣列基板，因此其透過率高、制備工藝簡單、效率高。
[0125]本實施例的顯示裝置可以為:液晶顯示面板、0LED顯示面板、電子紙、手機、平板電腦、電視機、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0126]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本實用新型的原理而采用的示例性實施方式，然而本實用新型并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實用新型的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本實用新型的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，其包括柵極、柵線、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、像素電極、隔離層、源極、漏極，其特征在于，所述柵極、柵線包括透明導(dǎo)電材料層；所述柵絕緣層不超出柵極和柵線上方；所述隔離層覆蓋柵極、柵絕緣層、半導(dǎo)體層、柵線、像素電極；所述源極、漏極位于隔離層上方，并分別通過隔離層中的源極過孔和漏極過孔與半導(dǎo)體層電連接；漏極還通過隔離層中的第一過孔與像素電極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層和半導(dǎo)體層圖形相同，且只位于柵極上方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極、柵線還包括位于透明導(dǎo)電材料層上的柵金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體層由金屬氧化物半導(dǎo)體材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述隔離層為平坦化層、鈍化層、刻蝕阻擋層中的任意一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述隔離層為平坦化層，所述隔離層由感光樹脂材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源極、漏極位于隔離層上。
8.一種顯示裝置，其特征在于，包括:如權(quán)利要求1至7中任意一項所述的陣列基板。
【文檔編號】H01L29/423GK203521411SQ201320604809
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】劉圣烈, 崔承鎮(zhèn), 金熙哲, 宋泳錫 申請人:京東方科技集團股份有限公司