沉積裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】一種用于通過(guò)使用關(guān)于基板的掩膜執(zhí)行沉積過(guò)程的沉積裝置，所述沉積裝置包括：室；在所述室中的支撐單元，所述支撐單元包括第一孔并且被配置為支撐所述基板；供應(yīng)單元，被配置為向所述基板供應(yīng)至少一種沉積原材料；和通過(guò)所述支撐單元的所述第一孔的能移動(dòng)的對(duì)齊單元，所述對(duì)齊單元被配置為支撐所述掩膜，并且將所述掩膜關(guān)于所述基板對(duì)齊。
【專(zhuān)利說(shuō)明】沉積裝置
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2012年12月12日遞交到韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)N0.10-2012-0144673的權(quán)益，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)引用全部并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]示例實(shí)施例涉及沉積裝置。更具體而言，示例實(shí)施例涉及一種提供有效沉積過(guò)程和具有改進(jìn)特性的沉積膜的沉積裝置。
【背景技術(shù)】
[0004]半導(dǎo)體設(shè)備、顯示設(shè)備和其它電子設(shè)備包括多個(gè)薄膜。各種方法可被用于形成多個(gè)薄膜，其中一種方法即為沉積方法。
[0005]沉積方法使用例如一種或多種氣體等各種原材料來(lái)形成薄膜。沉積方法包括化學(xué)氣相沉積(CVD)方法、原子層沉積(ALD)方法等。
[0006]在顯示裝置中，有機(jī)發(fā)光顯示裝置由于其寬視角、高對(duì)比性和快速反應(yīng)速度而被期望成為下一代顯示裝置。傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括具有在彼此面對(duì)的第一電極和第二電極之間的有機(jī)發(fā)射層的中間層，還包括一個(gè)或多個(gè)具有不同特性的薄膜。在此情形下，使用沉積過(guò)程形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的薄膜。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]示例實(shí)施例提供一種可被用于有效地執(zhí)行沉積過(guò)程以便容易地改進(jìn)沉積膜的特性的沉積裝置。
[0008]根據(jù)示例實(shí)施例的方面，提供一種用于通過(guò)使用與基板有關(guān)的掩膜執(zhí)行沉積過(guò)程的沉積裝置，所述沉積裝置包括:室；在所述室中的支撐單元，包括第一孔并且被配置為支撐所述基板；供應(yīng)單元，被配置為向所述基板供應(yīng)至少一種沉積原材料；和通過(guò)所述支撐單元的所述第一孔的能移動(dòng)的對(duì)齊單元，所述對(duì)齊單元被配置為支撐所述掩膜，并且將所述掩膜與所述基板對(duì)齊。
[0009]所述沉積裝置可進(jìn)一步包括對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件，所述對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件被配置為通過(guò)所述支撐單元中的第二孔確認(rèn)所述基板和所述掩膜的對(duì)齊狀態(tài)。
[0010]所述對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件可被配置為檢查所述基板上的對(duì)齊標(biāo)記與所述掩膜上的對(duì)齊標(biāo)記的對(duì)齊，以便確認(rèn)所述基板和所述掩膜的對(duì)齊狀態(tài)。
[0011]所述支撐單元中的所述第二孔可比所述第一孔更靠近所述支撐單元的中心區(qū)域。
[0012]所述對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件可比所述支撐單元更遠(yuǎn)離所述供應(yīng)單元。
[0013]所述支撐單元可位于所述對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件與所述供應(yīng)單元之間。
[0014]所述室可包括與所述第二孔重疊的透明窗，所述對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件被配置為通過(guò)所述透明窗確認(rèn)所述基板和所述掩膜的對(duì)齊狀態(tài)。
[0015]所述對(duì)齊單元的橫截面積可小于所述第一孔的尺寸，所述對(duì)齊單元在所述第一孔中能三維移動(dòng)。
[0016]所述對(duì)齊單元可被配置為支撐所述掩膜的同時(shí)在所述第一孔內(nèi)豎直和水平地移動(dòng)。
[0017]所述支撐單元的上表面可為彎曲的。
[0018]所述支撐單元的所述上表面的中心區(qū)域可相對(duì)于所述支撐單元的所述上表面的端部區(qū)域向上凸出。
[0019]所述支撐單元的下表面根據(jù)所述支撐單元的所述上表面的曲度而被彎曲。
[0020]所述支撐單元的下表面可為平的。
[0021]所述沉積裝置可進(jìn)一步包括通過(guò)所述支撐單元中的第三孔的升降銷(xiāo)，所述升降銷(xiāo)被配置為支撐所述基板，并且在所述第三孔中豎直移動(dòng)以便將所述基板布置在所述支撐單元上。
[0022]所述第三孔可比所述第一孔更靠近所述支撐單元的中心區(qū)域。
[0023]所述沉積裝置可進(jìn)一步包括被配置為支撐所述供應(yīng)單元的基底板，所述基底板被定位為比所述供應(yīng)單元更遠(yuǎn)離所述支撐單元。
[0024]所述沉積裝置可進(jìn)一步包括被配置為向所述供應(yīng)單元和所述支撐單元之間施加電壓以便產(chǎn)生等離子體的電力單元。
[0025]所述沉積裝置可進(jìn)一步包括被配置為產(chǎn)生等離子體并且將所述等離子體添入所述室中以便清潔所述室的內(nèi)部的清潔單元。
[0026]所述支撐單元可能夠向上和向下豎直移動(dòng)。
[0027]所述室可包括至少一個(gè)出入口，所述基板或所述掩膜通過(guò)所述至少一個(gè)出入口被插入所述室中。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述示例性實(shí)施例，特征對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)將變得明顯，在附圖中:
[0029]圖1例示出根據(jù)實(shí)施例的沉積裝置的示意圖；
[0030]圖2例不出通過(guò)使用圖1的沉積裝置的對(duì)齊單兀對(duì)齊的掩I旲和基板的視圖；
[0031]圖3例示出圖1的部分R的放大視圖；
[0032]圖4例示出圖1的支撐單元的詳細(xì)平面視圖；
[0033]圖5例示出圖4的支撐單元的一個(gè)第一孔的詳細(xì)平面視圖；
[0034]圖6A例示出圖1的支撐單元的剖視圖；
[0035]圖6B和圖6C例示出圖1的支撐單元的修改示例；
[0036]圖7例示出根據(jù)另一實(shí)施例的沉積裝置的示意圖；
[0037]圖8例示出圖7的部分R的放大視圖；
[0038]圖9例示出圖7的支撐單元210的詳細(xì)平面視圖；
[0039]圖10例示出使用根據(jù)實(shí)施例的沉積裝置制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的示意性剖視圖；以及
[0040]圖11例示出圖10的部分F的放大視圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0041]現(xiàn)在將在下文中參照附圖更充分地描述示例實(shí)施例；然而，它們可以被實(shí)施為不同的形式，并且不應(yīng)被解釋為限于本文提出的實(shí)施例。而是，這些實(shí)施例被提供為使得本公開(kāi)將完全和完整，并且將示例性實(shí)施方式充分傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0042]在附圖中，層和區(qū)域的尺寸為了例示的清楚可能被夸大。還將理解的是，當(dāng)一層或元件被提及為在另一層或基板“上”時(shí)，其能夠直接在另一層或基板上，或者還可存在中間層。另外，還將理解的是，當(dāng)一層被提及為在兩層“之間”時(shí)，其能夠是這兩層之間的唯一的層，或者還可存在一個(gè)或多個(gè)中間層。全文中，同樣的附圖標(biāo)記指代同樣的元件。
[0043]下文中,將參照示出本申請(qǐng)的示例性實(shí)施例的附圖更充分地描述示例實(shí)施例。
[0044]圖1為根據(jù)實(shí)施例的沉積裝置100的示意圖。圖2為通過(guò)使用沉積裝置100的對(duì)齊單元140對(duì)齊的掩膜130和基板S。
[0045]參照?qǐng)D1和圖2，沉積裝置100可包括室101、支撐單元110、供應(yīng)單元120、對(duì)齊單元140和對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150。
[0046]室101可被連接到泵(未示出)以便在沉積過(guò)程期間控制氣壓，并且可容納和保護(hù)基板S、支撐單元110和供應(yīng)單元120。而且，室101可包括至少一個(gè)出入口 101a，通過(guò)該出入口 101a，基板S或掩膜130可移入或移出。
[0047]用于沉積過(guò)程的基板S布置在支撐單元110上。支撐單元110使基板S能夠在在基板S上執(zhí)行的沉積過(guò)程期間不可移動(dòng)或不可晃動(dòng)。對(duì)此，支撐單元110可包括夾具(未示出)。而且，支撐單元110可包括一個(gè)或多個(gè)吸附孔(未示出)用于支撐單元110與基板S之間的吸附。支撐單元110包括第一孔111和第二孔112，這將在下面更詳細(xì)地描述。
[0048]對(duì)齊單元140被放置為穿過(guò)支撐單元110的第一孔111。例如線形構(gòu)件的對(duì)齊單元140被形成為可在支撐掩膜130的下表面的同時(shí)移動(dòng)。具體地，對(duì)齊單元140可沿Z軸移動(dòng)，如圖2中所示。而且，對(duì)齊單元140可沿X軸方向和與圖1和圖2中的X-Z平面垂直的方向移動(dòng)(將在稍后詳細(xì)描述)。對(duì)齊單元140布置在基板S的外側(cè)，例如各個(gè)對(duì)齊單元140可與基板S的相鄰邊緣水平地分開(kāi)，從而至少沿豎直方向不與基板S重疊。
[0049]掩膜130具有與沉積圖案(即要形成在基板S上的圖案)對(duì)應(yīng)的開(kāi)口單元(未示出)。而且，掩膜130可為開(kāi)放式掩膜。在沉積過(guò)程期間，掩膜130和基板S可被定位為彼此緊密靠近，如圖2中所示。
[0050]供應(yīng)單元120布置為與基板S相對(duì)，從而沿朝向基板S的方向供應(yīng)一種或多種原材料，即沉積材料，以便針對(duì)基板S推進(jìn)沉積過(guò)程。也就是，供應(yīng)單元120被放置在支撐單元110上方以便與基板S重疊。例如，供應(yīng)單元120可為沿朝向基板S的方向供應(yīng)一種或多種氣體的噴頭類(lèi)型。
[0051]另外，可在供應(yīng)單元120和支撐單元110之間施加電壓，以便將作為氣態(tài)從供應(yīng)單元120沿朝向基板S的方向供應(yīng)的原材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體態(tài)。也就是，沉積裝置100可為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)裝置。例如，電壓可被施加到供應(yīng)單元120和支撐單元110的每一個(gè)上。然而，示例實(shí)施例不限于此，并且獨(dú)立的電極(未示出)可布置在沉積裝置100中，以便在供應(yīng)單元120和支撐單元110之間產(chǎn)生等離子體。
[0052]供應(yīng)單元120的尺寸不限，只要供應(yīng)單元120可被形成為具有比基板S大的面積，例如供應(yīng)單元120的面對(duì)基板S的表面的面積可比基板S的面對(duì)供應(yīng)單元120的表面的面積大。因此，可形成在基板S的整個(gè)表面上都均勻的沉積層。
[0053]圖3為圖1的部分R的放大視圖。圖4為圖1的支撐單元110的詳細(xì)平面視圖。圖5為圖4的支撐單元110的一個(gè)第一孔111的詳細(xì)平面視圖。
[0054]參照?qǐng)D3至圖5，支撐單元110包括第一孔111和第二孔112。
[0055]每個(gè)對(duì)齊單元140被放置為穿過(guò)一個(gè)第一孔111。也就是，第一孔111的數(shù)量對(duì)應(yīng)于對(duì)齊單元140的數(shù)量。例如，如圖4中所示，第一孔111可被定位在支撐單元110的四個(gè)角處，例如鄰近于支撐單元110的四個(gè)角，并且對(duì)齊單元140可布置為穿透四個(gè)第一孔111，如圖3中所示。也就是，對(duì)齊單元140的數(shù)量和第一孔111的數(shù)量可相同。
[0056]另外，第一孔111被形成為至少大于對(duì)齊單元140的橫截面積。也就是，如圖5中所示，每個(gè)第一孔111的直徑可大于對(duì)應(yīng)的對(duì)齊單元140的截面的直徑，例如，在對(duì)齊單元的外側(cè)壁和對(duì)應(yīng)的第一孔111的內(nèi)壁之間(圖3)可限定一空間。因此，對(duì)齊單元140可移動(dòng)通過(guò)第一孔111。亦即，如圖2所示，對(duì)齊單元140可豎直(沿圖2的Z軸)移動(dòng)通過(guò)第一孔111，并且如圖5中所示，對(duì)齊單元140還可平行于平面X-Y，即沿圖5的方向X1、X2、Yl和Y2中的任一方向,在第一孔111內(nèi)移動(dòng)。
[0057]對(duì)齊單元140接觸掩膜130的下表面以便支撐掩膜130。對(duì)齊單元140可在支撐掩膜130的同時(shí)沿X、Y或Z軸(即3維)移動(dòng)。因此，被對(duì)齊單元140支撐的掩膜130也可由于對(duì)齊單元140的移動(dòng)而沿X、Y或Z軸移動(dòng)。
[0058]第二孔112被定位為與基板S重疊，例如對(duì)應(yīng)。例如，如圖3中例示，基板S可覆蓋第二孔112。第二孔112可被定位為比第一孔111更靠近支撐單元110的中心區(qū)域。例如，如圖4中所例示，每個(gè)第二孔112可在支撐單元110的中心與對(duì)應(yīng)的第一孔111之間從而形成通過(guò)支撐單元的中心的斜線。
[0059]對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150被放置在室101下方，以便與第二孔112重疊，例如對(duì)應(yīng)。而且，對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150被定位為不移動(dòng)到支撐單元110的外側(cè)，例如支撐單元110可被定位為完全覆蓋對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150的上表面或與其完全重疊。因此，可防止對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150被從供應(yīng)單元120噴濺的原材料污染，因此可以保持對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150的精確的確認(rèn)能力。
[0060]對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150可通過(guò)支撐單元110的第二孔112確認(rèn)基板S和掩膜130的對(duì)齊狀態(tài)。對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150可為例如照相機(jī)。透明窗IOlb可形成在位于室101的下部處的與第二孔112重疊(例如對(duì)應(yīng))的區(qū)域處，以便使對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150的確認(rèn)容易執(zhí)行。例如，對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150可與基板S—起位于通過(guò)透明窗IOlb和第二孔112的光軸上(圖3中的虛線)。而且，盡管未示出，但可在基板S和掩膜130中每一個(gè)上形成對(duì)齊標(biāo)記(未示出)，并且因此對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150可通過(guò)檢查基板S和掩膜130中每一個(gè)的對(duì)齊標(biāo)記來(lái)確認(rèn)基板S和掩膜130的對(duì)齊狀態(tài)。
[0061]下文中，將簡(jiǎn)略描述根據(jù)實(shí)施例的沉積裝置100的操作。
[0062]基板S被插入沉積裝置100的室101中，并且布置在支撐單元110上。而且，掩膜130被插入室101中并且布置在對(duì)齊單元140上，以便被對(duì)齊單元140支撐。
[0063]對(duì)齊單元140在平行于基板S的平面運(yùn)動(dòng)方式移動(dòng)時(shí)將掩膜130關(guān)于基板S對(duì)齊。也就是，對(duì)齊單元140在沿X軸或Y軸在支撐單元110的第一孔111中移動(dòng)時(shí)執(zhí)行對(duì)齊任務(wù)。這里，對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150實(shí)時(shí)地確認(rèn)掩膜130的對(duì)齊標(biāo)記(未示出)和基板S的對(duì)齊標(biāo)記(未示出)。對(duì)此，對(duì)齊單元140可容易地將掩膜130關(guān)于基板S對(duì)齊。[0064]在X-Y平面上執(zhí)行對(duì)齊任務(wù)之后，對(duì)齊單元140沿Z軸移動(dòng)。也就是，如圖2中所示，對(duì)齊單元140向下朝基板S移動(dòng)，并將掩膜130和基板S定位為緊密靠近。在對(duì)齊任務(wù)之后，期望的原材料被從供應(yīng)單元120提供，因此期望圖案的沉積層可容易地形成在基板S上。
[0065]圖6A為圖1的支撐單元110的剖視圖。圖6B和圖6C為支撐單元110’和110’’的修改示例。為了便于說(shuō)明，支撐單元110、110’或110’’、基板S和掩膜130之外的其它元
件被省略。
[0066]如圖6A中所示，例如，支撐單元110可具有平坦上表面?；錝和掩膜130布置在支撐單元110的平坦上表面上。
[0067]而且，如圖6B中所示，支撐單元110’可具有彎曲上表面。具體地，中心區(qū)域與支撐單元110’的上表面的端部區(qū)域相比可向上凸出。并且，支撐單元110’的下表面也可彎曲，以便與支撐單元110’的上表面對(duì)應(yīng)。由于支撐單元110’的這種彎曲，當(dāng)基板S布置在支撐單元110’上時(shí)，基板S也可具有與支撐單元110’的上表面對(duì)應(yīng)的彎曲。因此，基板S和支撐單元110’可被有效地彼此附著。當(dāng)基板S和支撐單元110’被彼此附著時(shí)，可有效地防止基板S的下表面和支撐單元110’的上表面被從供應(yīng)單元120噴濺的原材料污染。而且，掩膜130也可被彎曲以便對(duì)應(yīng)于基板S，因此基板S和掩膜130可被有效地彼此附著，從而有利于對(duì)基板S上的期望圖案的沉積層的精確控制。
[0068]彎曲的程度可變，但支撐單元110’的上表面的中心區(qū)域的最凸出部分與支撐單元110’的上表面的端部區(qū)域之間的在豎直方向(Z軸方向)上的距離為大約Imm或更少。也就是，當(dāng)支撐單元110’的上表面彎曲太大時(shí)，基板S可能彎曲的太大，因此導(dǎo)致其上的沉積層在沉積過(guò)程中品質(zhì)降低。特別是，當(dāng)無(wú)機(jī)沉積層形成在基板S上時(shí)，諸如裂縫等的缺陷可發(fā)生，因此彎曲的程度需要按照如上所述被控制。
[0069]另外，如圖6C中所示，支撐單元110”的上表面可被彎曲，而支撐單元110”的下表面可為平坦的。在此情形下，可以在室101中容易地執(zhí)行支撐單元110”的穩(wěn)定定位。
[0070]根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的沉積裝置100，基板S布置在支撐單元110的上表面上，并且供應(yīng)單元120布置在支撐單元110的上方并且與基板S相對(duì)。而且，掩膜130可布置在基板S的上表面上，以便形成期望圖案的沉積層。掩膜130可通過(guò)使用對(duì)齊單元140而與基板S容易地對(duì)齊。特別是，通過(guò)將穿透支撐單元110的第一孔111以便接觸掩膜130的對(duì)齊單元140三維移動(dòng)從而將掩膜130與基板S對(duì)齊，掩膜130和基板S可在不影響供應(yīng)單元120的情況下被對(duì)齊。
[0071]進(jìn)一步，被設(shè)置在支撐單元110的下方的對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150可通過(guò)支撐單元110的第二孔112實(shí)時(shí)地檢查和確認(rèn)基板S和掩膜130的對(duì)齊狀態(tài)，因此基板S和掩膜130的對(duì)齊任務(wù)可被有效地執(zhí)行。具體地，對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150可布置為與供應(yīng)單元120相對(duì)，支撐單元110位于它們之間。也就是，供應(yīng)單元120布置在支撐單元110的上方，并且對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150布置在支撐單元110的下方。因此，對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150可屏蔽于供應(yīng)單元120，從而由從供應(yīng)單元120噴濺的沉積原材料導(dǎo)致的針對(duì)對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件150的污染可被防止或基本最小化。
[0072]而且，當(dāng)使用具有彎曲上表面的支撐單元110’或110”時(shí)，基板S和掩膜130可容易地彼此附著。因此，可提供為基板S上的沉積層形成精確圖案。[0073]圖7為根據(jù)另一實(shí)施例的沉積裝置200的示意圖。圖8為圖7的部分R的放大視圖。圖9為圖7的支撐單元210的詳細(xì)平面視圖。
[0074]參照?qǐng)D7和圖8，沉積裝置200可包括室201、支撐單元210、供應(yīng)單元220、對(duì)齊單元240、對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250、電力單元275、升降銷(xiāo)260、基底板225和清潔單元290。
[0075]室201可被連接到泵(未示出)以便在沉積過(guò)程期間控制氣壓，并且可容納和保護(hù)基板S、支撐單元210和供應(yīng)單元220。而且，室201可包括至少一個(gè)出入口 201a，通過(guò)該出入口 201a，基板S或掩膜230可移入和移出。
[0076]用于沉積過(guò)程的基板S布置在支撐單元210上。具體地，當(dāng)基板S通過(guò)室201的出入口 201a插入室201中時(shí)，基板被布置在升降銷(xiāo)260上。升降銷(xiāo)260可豎直移動(dòng)，即沿圖7的Z軸移動(dòng)，因此其上具有基板S的升降銷(xiāo)260沿朝向支撐單元210的方向向下移動(dòng)以便將基板S放置在支撐單元210上。升降銷(xiāo)260布置為穿透支撐單元210的第三孔213。升降銷(xiāo)260沿豎直方向移動(dòng)通過(guò)第三孔213。
[0077]支撐單元210能夠使基板S在基板S上執(zhí)行沉積過(guò)程期間不可移動(dòng)或不可晃動(dòng)。在此情形下，支撐單元210可包括夾具(未示出)。而且，支撐單元210可包括吸附孔(未示出)用于支撐單元210和基板S之間的吸附。支撐單元210包括第一孔211、第二孔212和第三孔213。并且，支撐單元210被形成為豎直地移動(dòng)。也就是，支撐單元210如圖7所示那樣沿Zl或Z2方向移動(dòng)。在此情形下，在基板S布置在支撐單元210上之后，基板S與供應(yīng)單元220之間的空間可被控制，從而可改變沉積狀況，特別是等離子體產(chǎn)生狀況。
[0078]對(duì)齊單元240被放置為穿透支撐單元210的第一孔211。對(duì)齊單元240被形成為可在支撐掩膜230的下表面的同時(shí)移動(dòng)。特別地，對(duì)齊單元240可以與先前實(shí)施例中描述的方式相同的方式，在支撐掩膜130時(shí)沿X、Y或Z軸移動(dòng)。對(duì)齊單元240布置在基板S的外側(cè)，至少不與基板S重疊。
[0079]掩膜230包括掩膜主體231和掩膜框架232。掩膜主體231具有與將形成在基板S上的沉積圖案對(duì)應(yīng)的開(kāi)口單元(未示出)。這里，掩膜主體231可具有多個(gè)圖案化的開(kāi)口單元。在另一實(shí)施例中，掩膜230可為開(kāi)放式掩膜，并且具體地，掩膜231可具有一個(gè)延伸類(lèi)型的開(kāi)口單元，不具有分開(kāi)的圖案。在沉積過(guò)程期間，掩膜230和基板S可被定位為彼此緊密靠近。
[0080]供應(yīng)單元220布置為與基板S相對(duì)，從而沿朝向基板S的方向供應(yīng)一種或多種原材料，以便關(guān)于基板S進(jìn)行沉積過(guò)程。也就是，供應(yīng)單元220被放置在支撐單元210的上方。例如，供應(yīng)單元220可為沿朝向基板S的方向供應(yīng)一種或多種氣體的噴頭。而且，供應(yīng)單元220可被形成為將原材料均勻地供應(yīng)到基板S的整個(gè)表面上，并且可為擴(kuò)散器類(lèi)型。
[0081]基底板225可布置在供應(yīng)單元220的上方。也就是，基底板225可被布置為比供應(yīng)單元220更遠(yuǎn)離基板S?；装?25支撐供應(yīng)單元220。
[0082]另外，電壓可施加在供應(yīng)單元220和支撐單元210之間以便將作為氣態(tài)從供應(yīng)單元220沿朝向基板S的方向被供應(yīng)的原材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體態(tài)。例如，電壓可被施加到供應(yīng)單元220和支撐單元210中的每一個(gè)上。在另一示例中，電壓可被施加到基底板225。并且，當(dāng)電壓被施加時(shí)，地電壓可施加到一側(cè)。
[0083]電力單元275提供電壓用于將作為氣態(tài)從供應(yīng)單元220沿朝向基板S的方向被供應(yīng)的原材料轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體態(tài)。電力單元275可提供各種類(lèi)型的電壓，例如射頻(RF)電壓。電力單元275可布置在室201的外部。然而，示例實(shí)施例不限于此，并且獨(dú)立的電極(未示出)可布置在沉積裝置200中以便在供應(yīng)單元220和支撐單元210之間產(chǎn)生等離子體。
[0084]供應(yīng)單元220的尺寸不限，只要供應(yīng)單元220可被形成為具有比基板S大的面積即可。因此，可形成在基板S的整個(gè)表面上都均勻的沉積層。
[0085]清潔單元290可布置為被連接到室201。當(dāng)室201在執(zhí)行沉積過(guò)程時(shí)被污染時(shí)，清潔單元290清潔室201。清潔單元290可產(chǎn)生并提供遠(yuǎn)程等離子體到室201中，以便清潔室201。例如，當(dāng)清潔單元290被提供有NF3氣體時(shí)，氣體被轉(zhuǎn)變?yōu)榈入x子體，并且等離子體被添入室201中，從而等離子體可接觸形成在室201的內(nèi)壁上的層，因此室201的內(nèi)壁可被清潔。
[0086]將詳細(xì)描述對(duì)齊單元240、支撐單元210等。
[0087]一個(gè)對(duì)齊單元240被放置為穿透一個(gè)第一孔211。也就是，第一孔211的數(shù)量對(duì)應(yīng)于對(duì)齊單元240的數(shù)量。例如，如圖9中所示，第一孔211可被定位為與支撐單元210的四個(gè)角相鄰，并且盡管未示出，對(duì)齊單元240也可布置為穿透四個(gè)第一孔211。另外，第一孔211被形成為至少大于對(duì)齊單元240的橫截面積。因此，對(duì)齊單元240可移動(dòng)通過(guò)第一孔 211。
[0088]對(duì)齊單元240接觸掩膜230的下表面，以便支撐掩膜230。對(duì)齊單元240在支撐掩膜230的同時(shí)可沿X、Y或Z軸(即3維)移動(dòng)。因此，被對(duì)齊單元240支撐的掩膜230也可由于對(duì)齊單元240的移動(dòng)而沿X、Y或Z軸移動(dòng)。
[0089]第二孔212被定位為對(duì)應(yīng)于基板S。第二孔212可被定位為比第一孔211更靠近支撐單元210的中心區(qū)域。
[0090]對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250被放置在室201的下方，以便對(duì)應(yīng)于第二孔212。而且，對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250被定位為不移動(dòng)到支撐單元210的外側(cè)。因此，可防止對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250被從供應(yīng)單元220噴濺的原材料污染，從而可保持對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250的精確的確認(rèn)能力。
[0091]對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250可通過(guò)支撐單元210的第二孔212確認(rèn)基板S和掩膜230的對(duì)齊狀態(tài)。對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250可為例如照相機(jī)。透明窗(未示出)可形成在位于室201的下部處的與第二孔212對(duì)應(yīng)的區(qū)域處，以便使對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250的確認(rèn)容易執(zhí)行。而且，盡管未示出，對(duì)齊標(biāo)記(未示出)形成在基板S和掩膜230中的每一個(gè)上，并且因此對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250通過(guò)檢查基板S和掩膜230中的每一個(gè)的對(duì)齊標(biāo)記來(lái)確認(rèn)基板S和掩膜230的對(duì)齊狀態(tài)。
[0092]第三孔213被定位為比第一孔211和第二孔212更靠近支撐單元210的中心區(qū)域。升降銷(xiāo)260被放置為穿透第三孔213，并且第三孔213的尺寸可被形成為大于升降銷(xiāo)260的橫截面積。因此，升降銷(xiāo)260可容易地豎直移動(dòng)通過(guò)第三孔213，即不接觸第三孔213的側(cè)壁。
[0093]下文中，將簡(jiǎn)略描述根據(jù)另一實(shí)施例的沉積裝置200的操作。
[0094]當(dāng)基板S被插入沉積裝置200的室201中時(shí)，基板S被布置為穿透支撐單元210的第三孔213的升降銷(xiāo)260支撐。升降銷(xiāo)260在支撐基板S的同時(shí)向下朝支撐單元210移動(dòng)，并且將基板S布置在支撐單元210的上表面上。為了允許升降銷(xiāo)260的豎直移動(dòng)，升降銷(xiāo)260可被布置在室201中，或者如圖7和圖8中所示，升降銷(xiāo)260的某些區(qū)域可布置為穿透室201。[0095]而且，掩膜230被插入室201中，并且布置在對(duì)齊單元240上以便被對(duì)齊單元240支撐。對(duì)齊單元240在平行于基板S以平面運(yùn)動(dòng)方式移動(dòng)時(shí)將掩膜230關(guān)于基板S對(duì)齊。也就是，對(duì)齊單元240在沿X軸或Y軸在支撐單元210的第一孔211中移動(dòng)時(shí)執(zhí)行對(duì)齊任務(wù)。這里，對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250實(shí)時(shí)地確認(rèn)掩膜230的對(duì)齊標(biāo)記(未示出)和基板S的對(duì)齊標(biāo)記(未示出)。在此情形下，對(duì)齊單元240可將掩膜230關(guān)于基板S容易地對(duì)齊。
[0096]在X-Y平面上執(zhí)行對(duì)齊任務(wù)之后，對(duì)齊單元240沿Z軸朝支撐單元210移動(dòng)。也就是，對(duì)齊單元240向下朝支撐單元210移動(dòng)，并且將掩膜230和基板S定位為緊密靠近。在對(duì)齊任務(wù)之后，期望的原材料從供應(yīng)單元220被提供，因此期望圖案的沉積層可容易地形成在基板S上。這里，為了增加原材料供應(yīng)的效率，供應(yīng)單元220和基板S之間的距離可通過(guò)支撐單元210的豎直移動(dòng)而被控制。
[0097]如上所述，可產(chǎn)生等離子體用于沉積過(guò)程。
[0098]盡管未示出，當(dāng)前實(shí)施例的支撐單元210也可具有平坦表面或彎曲表面，如參照?qǐng)D6A至圖6C描述的那樣。
[0099]根據(jù)當(dāng)前實(shí)施例的沉積裝置200，基板S布置在支撐單元210的上表面上，并且供應(yīng)單元220布置在支撐單元210上方并且與基板S相對(duì)。而且，掩膜230可布置在基板S的上表面上，以便形成期望圖案的沉積層。通過(guò)使用對(duì)齊單元240，掩膜230可容易地與基板S對(duì)齊。特別地，通過(guò)在支撐單元210的第一孔211中移動(dòng)對(duì)齊單元240，可在不影響供應(yīng)單元220的情況下將掩膜230和基板S對(duì)齊。進(jìn)一步，由于對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250設(shè)置在支撐單元210的下方，并且對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250通過(guò)支撐單元210的第二孔212實(shí)時(shí)確認(rèn)基板S和掩膜230的對(duì)齊狀態(tài)，從而推進(jìn)對(duì)齊任務(wù)，因此基板S和掩膜230的對(duì)齊任務(wù)可被有效地執(zhí)行。
[0100]具體地，對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250可布置為與供應(yīng)單元220相對(duì)，支撐單元210位于它們之間。也就是，供應(yīng)單元220布置在支撐單元210的上方，并且對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250布置在支撐單元210的下方。因此，可防止從供應(yīng)單元220噴濺的原材料對(duì)對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件250造成污染。
[0101]而且，當(dāng)基板S布置在支撐單元210上時(shí)，通過(guò)使用穿透支撐單元210的第三孔213的升降銷(xiāo)260，來(lái)放置基板S。因此，基板S可被不可移動(dòng)或不可晃動(dòng)地布置在支撐單元210上的期望位置處。特別地，第三孔213可被定位為比第一孔211和第二孔212更靠近支撐單元210的中心區(qū)域，以便升降銷(xiāo)260不影響掩膜230的對(duì)齊任務(wù)。另外，如果支撐單元210的上表面是彎曲的，則基板S和掩膜230可被彼此附著，因此可在基板S的沉積層上形成精確的圖案。
[0102]圖10為使用根據(jù)實(shí)施例的沉積裝置100和200制造的有機(jī)發(fā)光顯示裝置10的示意性剖視圖。圖11為圖10的部分F的放大視圖。
[0103]參照?qǐng)D10和圖11，有機(jī)發(fā)光顯示裝置10可包括基板30?；?0可由例如玻璃材料、塑料材料或金屬形成。緩沖層31可形成在基板30上，以便提供平坦化表面，并防止?jié)駳夂彤愇锵蚧?0滲透。
[0104]薄膜晶體管(TFT)40、電容器50和有機(jī)發(fā)光器件60可形成在緩沖層31上。TFT40可包括有源層41、柵電極42和源/漏電極43。有機(jī)發(fā)光器件60可包括第一電極61、第二電極62和中間層63。電容器50可包括第一電容器電極51和第二電容器電極52。[0105]更具體而言，形成為預(yù)定圖案的有源層41可布置在緩沖層31的上表面上。有源層41可包括例如硅的無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料、有機(jī)半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料，并且可通過(guò)選擇性地?fù)诫sP型摻雜劑或η型摻雜劑而被形成。
[0106]柵極絕緣膜32可形成在有源層41上。柵電極42可形成在柵極絕緣膜32上以對(duì)應(yīng)于有源層41。通過(guò)使用與形成柵電極42所使用的材料相同的材料，第一電容器電極51可形成在柵極絕緣膜32上。
[0107]覆蓋柵電極42的層間絕緣層33可被形成，并且源/漏電極43可在層間絕緣層33上被形成為接觸有源層41的預(yù)定區(qū)域。通過(guò)使用與形成源/漏電極43所使用的材料相同的材料，第二電容器電極52可形成在層間絕緣層33上。
[0108]覆蓋源/漏電極43的鈍化層34可被形成，并且附加絕緣層可進(jìn)一步形成在鈍化層34上，以便使TFT40平坦化。
[0109]第一電極61可形成在鈍化層34上。第一電極61可形成為被電連接到源/漏電極43中的一個(gè)。之后，覆蓋第一電極61的像素限定膜35可被形成。在像素限定膜35中形成預(yù)定開(kāi)口 64之后，包括有機(jī)發(fā)光層的中間層63可形成在開(kāi)口 64所限定的區(qū)域中。第二電極62可形成在中間層63上。
[0110]封裝層70可形成在第二電極62上。封裝層70可包含有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料，并且可具有有機(jī)材料和無(wú)機(jī)材料被交替堆疊的結(jié)構(gòu)。例如，封裝層70可通過(guò)使用沉積裝置100或200形成。也就是，在其上形成有第二電極62的基板30被插入室101或201中之后，可通過(guò)使用沉積裝置100或200形成期望的層。
[0111]特別地，封裝層70可包括無(wú)機(jī)層71和有機(jī)層72。無(wú)機(jī)層71可包括多個(gè)層71a、71b和71c，并且有機(jī)層72可包括多個(gè)層72a、72b和72c。在此情形下，無(wú)機(jī)層71的層71a、71b和71c可通過(guò)使用沉積裝置100或200而形成。
[0112]然而，示例實(shí)施例不限于此。也就是，緩沖層31、柵極絕緣膜32、層間絕緣層33、鈍化層34、像素限定膜35和其它絕緣層也可通過(guò)使用根據(jù)示例實(shí)施例的沉積裝置100或200形成。而且，有源層41、柵電極42、源/漏電極43、第一電極61、中間層63、第二電極62和其它各種薄膜可通過(guò)使用根據(jù)示例實(shí)施例的沉積裝置100或200形成。
[0113]如上所述，當(dāng)使用根據(jù)示例實(shí)施例的沉積裝置100或200時(shí)，形成在有機(jī)發(fā)光顯示裝置10中的沉積膜的特性改進(jìn)，例如電特性和圖像質(zhì)量特性改進(jìn)。而且，包括在液晶顯示(LCD)裝置中的薄膜以及包括在除了有機(jī)發(fā)光顯示裝置10之外的各種顯示裝置中的薄膜可通過(guò)使用根據(jù)示例實(shí)施例的沉積裝置100或200形成。
[0114]相反，當(dāng)傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的尺寸增加并且被期望具有高清晰度時(shí)，可能難以沉積具有期望特性的大薄膜。而且，在對(duì)形成大薄膜的過(guò)程的效率增加方面可具有限制。
[0115]本文已經(jīng)公開(kāi)了示例實(shí)施例，盡管采用了具體術(shù)語(yǔ)，但它們僅以通用和描述性的含義被使用和解釋?zhuān)挥糜谙拗频哪康?。在一些?shí)例中，對(duì)于在本申請(qǐng)遞交時(shí)的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員明顯的是，結(jié)合特定實(shí)施例描述的特征、特點(diǎn)和/或元件可被單獨(dú)使用或與結(jié)合其它實(shí)施例描述的特征、特點(diǎn)和/或元件組合使用，除非另有專(zhuān)門(mén)指定。因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可在不脫離由所述權(quán)利要求給出的示例實(shí)施例的精神和范圍的情況下進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。
【權(quán)利要求】
1.一種用于通過(guò)使用與基板有關(guān)的掩膜執(zhí)行沉積過(guò)程的沉積裝置，該沉積裝置包括: 室; 在所述室中的支撐單元，包括第一孔并且被配置為支撐所述基板； 供應(yīng)單元，被配置為向所述基板供應(yīng)至少一種沉積原材料；和 通過(guò)所述支撐單元的所述第一孔的能移動(dòng)的對(duì)齊單元，所述對(duì)齊單元被配置為支撐所述掩膜，并且將所述掩膜與所述基板對(duì)齊。
2.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件，所述對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件被配置為通過(guò)所述支撐單元中的第二孔確認(rèn)所述基板和所述掩膜的對(duì)齊狀態(tài)。
3.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置，其中所述對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件被配置為檢查所述基板上的對(duì)齊標(biāo)記與所述掩膜上的對(duì)齊標(biāo)記的對(duì)齊，以便確認(rèn)所述基板和所述掩膜的對(duì)齊狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置，其中所述支撐單元中的所述第二孔比所述第一孔更靠近所述支撐單元的中心區(qū)域。
5.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置，其中所述對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件比所述支撐單元更遠(yuǎn)離所述供應(yīng)單元。
6.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置，其中所述支撐單元位于所述對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件與所述供應(yīng)單元之間。
7.如權(quán)利要求2所述的沉積裝置，其中所述室包括與所述第二孔重疊的透明窗，所述對(duì)齊確認(rèn)構(gòu)件被配置為通過(guò)所述透明窗確認(rèn)所述基板和所述掩膜的對(duì)齊狀態(tài)。
8.如權(quán)利要求1所述的 沉積裝置，其中所述對(duì)齊單元的橫截面積小于所述第一孔的尺寸，所述對(duì)齊單元能在所述第一孔中三維移動(dòng)。
9.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中所述對(duì)齊單元被配置為支撐所述掩膜的同時(shí)在所述第一孔內(nèi)豎直和水平地移動(dòng)。
10.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中所述支撐單元的上表面是彎曲的。
11.如權(quán)利要求10所述的沉積裝置，其中所述支撐單元的所述上表面的中心區(qū)域相對(duì)于所述支撐單元的所述上表面的端部區(qū)域向上凸出。
12.如權(quán)利要求11所述的沉積裝置，其中所述支撐單元的下表面根據(jù)所述支撐單元的所述上表面的曲度而彎曲。
13.如權(quán)利要求11所述的沉積裝置，其中所述支撐單元的下表面是平的。
14.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括通過(guò)所述支撐單元中的第三孔的升降銷(xiāo)，所述升降銷(xiāo)被配置為支撐所述基板，并且在所述第三孔中豎直移動(dòng)以便將所述基板布置在所述支撐單元上。
15.如權(quán)利要求14所述的沉積裝置，其中所述第三孔比所述第一孔更靠近所述支撐單元的中心區(qū)域。
16.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括被配置為支撐所述供應(yīng)單元的基底板，所述基底板被定位為比所述供應(yīng)單元更遠(yuǎn)離所述支撐單元。
17.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括被配置為向所述供應(yīng)單元和所述支撐單元之間施加電壓以便產(chǎn)生等離子體的電力單元。
18.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，進(jìn)一步包括被配置為產(chǎn)生等離子體并且將所述等離子體添入所述室中以便清潔所述室的內(nèi)部的清潔單元。
19.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中所述支撐單元能夠向上和向下豎直移動(dòng)。
20.如權(quán)利要求1所述的沉積裝置，其中所述室包括至少一個(gè)出入口，所述基板或所述掩膜通過(guò)所述至少一個(gè)出 入口被插入所述室中。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK203582967SQ201320630234
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2013年10月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月12日
【發(fā)明者】許明洙, 鄭石源, 李正浩, 洪祥赫, 李勇錫 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司