一種適用于igbt的電壓源型換流單元的低感母排的制作方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，所述低感母排包括復合絕緣母排，所述低感母排包括同所述復合絕緣母排適配的U型短接母排；所述U型短接母排的兩極分別與一個IGBT的對應端連接，實現(xiàn)兩個IGBT短接。所述復合絕緣母排的兩端分別與電容器端子和IGBT的對應端連接。本實用新型提供的技術(shù)方案安裝更加方便，不僅少了螺栓連接的工序，也減小了母排的分布電感；與所述復合絕緣母排相結(jié)合更加減小了回路中的分布電感。
【專利說明】一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排
【技術(shù)領(lǐng)域】:
[0001]本實用新型涉及一種母排，具體講涉及一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排。
【背景技術(shù)】:
[0002]現(xiàn)有的低感母排雖然結(jié)構(gòu)緊湊，外形美觀，也在一定程度上能夠滿足特定的應用環(huán)境需求，但卻存在一些不足，例如套在母排外層的塑料管受熱后，絕緣層絕緣性能差，母排的低感性也不夠好。
[0003]本實用新型提供的技術(shù)方案中的絕緣層是采用噴覆技術(shù)制得的，這樣的絕緣材料可以牢固的附著在母排表面，既可起到良好的絕緣作用也可將噴覆絕緣層做得比較薄，從而降低母排的厚度，使母排貼的更近，具有更好的低感性能。
[0004]將兩只IGBT的一端短接在一起的低感母排除了有復合絕緣母排，還有短接母排?，F(xiàn)有的短接母排是將兩只母排通過螺栓疊加在一起的。本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案設計了一種U形母排。這種母排體積小，更便于安裝。此種母排和絕緣復合母排配合使用，使低感性能更好。
實用新型內(nèi)容:
[0005]本實用新型的目的是提供一種適用于IGBT電壓源型換流單元的母排，該母排降低導電回路的分布電感。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案:一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，所述低感母排包括復合絕緣母排，所述低感母排包括同所述復合絕緣母排適配的U型短接母排；所述U型短接母排的兩極分別與一個IGBT的對應端連接，實現(xiàn)兩個IGBT短接。
[0007]本實用新型提供的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，所述復合絕緣母排包括直角彎段和平行段。
[0008]本實用新型提供的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，所述直角轉(zhuǎn)彎段的內(nèi)弧度為半徑6mm以下。
[0009]本實用新型提供的另一優(yōu)選的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，所述復合絕緣母排通過另一端其設置的直角彎段與電容器端子連接。
[0010]本實用新型提供的又一優(yōu)選的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，所述平行段外部設有噴覆式絕緣層；所述絕緣層厚度為2mm以下。
[0011]本實用新型提供的再一優(yōu)選的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，所述直角彎段的內(nèi)弧度為半徑6mm。
[0012]本實用新型提供的又一優(yōu)選的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，所述絕緣層厚度為2mm。
[0013]和最接近的現(xiàn)有技術(shù)比，本實用新型提供技術(shù)方案具有以下優(yōu)異效果:[0014]1、本實用新型中的復合絕緣母排噴覆有絕緣層更薄、使得復合絕緣母排的結(jié)構(gòu)牢固；
[0015]2、本實用新型中的復合絕緣母排設有的近似直角彎結(jié)構(gòu)，使得復合絕緣母排與電容器端子緊密貼緊在一起，進一步改善低感母排回路的低感性；
[0016]3、本實用新型中U形短接母排，實現(xiàn)IGBT端子的短接；與現(xiàn)有的短接母排搭接相t匕，U形短接母排安裝方便，不僅少了螺栓連接的工序，同時減小了低感母排的分布電感；
[0017]4、本實用新型復合絕緣母排和U形母排的結(jié)合使用，導致回路具有低分布電感；
[0018]5、本實用新型中的噴覆式絕緣層具有良好的絕緣性能和耐老化性能，由于絕緣層的很薄，兩只復合絕緣母排可以貼得很近，從而降低分布電感。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為本實用新型母排結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0020]下面結(jié)合實施例對實用新型作進一步的詳細說明。
[0021]實施例1:
[0022]如圖1所示，本例的發(fā)實用新型低感母排，所述低感母排包括復合絕緣母排和同所述復合絕緣母排適配的U型短接母排；所述U型短接母排的兩極分別與一個IGBT的對應端連接，實現(xiàn)兩個IGBT短接。
[0023]所述復合絕緣母排包括直角彎段和平行段，所述直角彎段的內(nèi)弧度為半徑在6mm以內(nèi)的弧，本實施例中的內(nèi)弧度為半徑等于6_的弧。所述復合絕緣陰陽極母排分別通過其一端設置的轉(zhuǎn)彎段與電容器端子連接；所述復合絕緣陰陽極母排分別通過其另一端與IGBT對應端連接；所述平行段外部設有噴覆式絕緣層；采用噴覆工藝，改善了絕緣層的穩(wěn)固性，同時改善了兩個復合絕緣陰陽極母排之間的絕緣性；所述絕緣層厚度為2mm之內(nèi)，本實施例中的厚度為2_。所述復合絕緣陰陽極母排之間可承受約3Kv的高電壓。
[0024]所述復合絕緣母排的陰陽極的一端通過其轉(zhuǎn)彎段與所述對應電容端子貼緊連接。
[0025]最后應該說明的是:以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案而非對其限制，盡管參照上述實施例對本實用新型進行了詳細說明，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應當理解:依然可以對本實用新型的【具體實施方式】進行修改或者等同替換，而未脫離本實用新型精神和范圍的任何修改或者等同替換，其均應涵蓋在本權(quán)利要求范圍當中。
【權(quán)利要求】
1.一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，所述低感母排包括復合絕緣母排，其特征在于:所述低感母排包括同所述復合絕緣母排適配的U型短接母排；所述U型短接母排的兩極分別與一個IGBT的對應端連接，實現(xiàn)兩個IGBT短接。
2.如權(quán)利要求1所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于:所述復合絕緣母排包括直角彎段和平行段。
3.如權(quán)利要求2所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于:所述直角轉(zhuǎn)彎段的弧度為半徑6mm以下。
4.如權(quán)利要求3所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于:所述復合絕緣母排通過另一端其設置的直角彎段與電容器端子連接。
5.如權(quán)利要求2所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于:所述平行段外部設有噴覆式絕緣層；所述絕緣層厚度為2mm以下。
6.如權(quán)利要求3所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于:所述直角彎段的內(nèi)弧度為半徑為6mm以下。
7.如權(quán)利要求5所述的一種適用于IGBT的電壓源型換流單元的低感母排，其特征在于:所述絕緣層厚度為2_。
【文檔編號】H01B7/02GK203562212SQ201320699559
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年11月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月6日
【發(fā)明者】賀之淵, 徐龍澤, 屈海濤, 李云鵬, 欒洪洲 申請人:國家電網(wǎng)公司, 國網(wǎng)智能電網(wǎng)研究院, 中電普瑞電力工程有限公司, 國網(wǎng)遼寧省電力有限公司大連供電公司