一種可編程芯片與flash die封裝的布圖裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種可編程芯片與FLASH?DIE封裝的布圖裝置。該裝置包括可編程芯片和FLASH?DIE，其特征在于，所述可編程芯片的一個bank中設(shè)有與FLASH?DIE對應的管腳，所述bank中與FLASH?DIE對應的管腳均設(shè)有兩個焊盤，所述一焊盤接外部的封裝管腳，所述另一焊盤通過金屬引線引到可編程芯片內(nèi)部適當位置，以便與FLASH?DIE管腳相接。本實用新型通過采用內(nèi)部接線端口，可把FLASH?DIE和接同類電源的端口放在同一個bank中，便于系統(tǒng)工程師做芯片應用，可兼容其它的產(chǎn)品，并且管腳集中便于PCB板布線，減少布線層數(shù)，提高系統(tǒng)性能，增加靈活性。
【專利說明】—種可編程芯片與FLASH DIE封裝的布圖裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及半導體器件封裝【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種可編程芯片與FLASHDIE封裝的布圖裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]半導體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品型號及功能需求加工得到獨立芯片的過程。封裝過程為:來自晶圓前道工藝的晶圓通過劃片工藝后被切割為小的晶片(Die)，然后將切割好的晶片用膠水貼裝到相應的基板(引線框架)架的小島上，再利用超細的金屬(金錫銅鋁)導線或者導電性樹脂將晶片的接合焊盤(Bond Pad)連接到基板的相應引腳(Lead)，并構(gòu)成所要求的電路；然后再對獨立的晶片用塑料外殼加以封裝保護，塑封之后還要進行一系列操作，封裝完成后進行成品測試，通常經(jīng)過入檢Incoming、測試Test和包裝Packing等工序,最后入庫出貨。
[0003]目前，可編程芯片與FLASH DIE進行疊封，通常采用的做法如圖1所示:把FLASHDIE放置在可編程芯片上，待放置好后，由于受到引線角度的要求，F(xiàn)LASH DIE上的上邊的管腳只能通過引線直接拉到可編程芯片上邊bank中管腳的一焊盤上，通過另一焊盤接外部封裝管腳。FLASH DIE上的下邊的管腳只能通過引線直接拉到可編程芯片上下邊bank中管腳的一焊盤上，通過另一焊盤接外部封裝管腳。這樣操作會導致FLASH DIE上的8個管腳不能集中在一起，并且由于可編程芯片的電壓是要求可變化的，電壓鎖定在1.2v-3.3v，而FLASH DIE的電壓是固定的，一般是2.5v或者3.3v，如果FLASH管腳的管腳分布在對邊的2個BANK中，2個BANK中的所有輸入輸出管腳的電壓都必須鎖定在2.5v或者3.3v，這些約束對系統(tǒng)級設(shè)計師會造成困擾，不便于系統(tǒng)工程師做芯片應用，不可以和同類產(chǎn)品兼容。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，從而提供一種可編程芯片與FLASH DIE封裝的布圖裝置。
[0005]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供了一種可編程芯片與FLASH DIE封裝的布圖裝置。該裝置包括可編程芯片和FLASH DIE，其特征在于，所述可編程芯片的一個bank中設(shè)有與FLASH DIE對應的管腳，所述bank中與FLASHDIE對應的管腳均設(shè)有兩個焊盤，所述一焊盤接外部的封裝管腳，所述另一焊盤通過金屬引線引到可編程芯片內(nèi)部適當位置，以便與FLASH DIE管腳相接。
[0006]優(yōu)選地，所述通過金屬引線引到芯片內(nèi)部的焊盤無固定位置，可根據(jù)封裝廠打線需求任意放置。
[0007]優(yōu)選地，所述金屬引線的連接方法和層次是根據(jù)芯片的頻率要求進行確定的。
[0008]優(yōu)選地，所述FLASH DIE的尺寸小于可編程芯片。
[0009]優(yōu)選地，所述FLASH DIE放置在可編程芯片上。
[0010]優(yōu)選地，所述FLASH DIE距離可編程芯片邊緣lOOum。[0011]優(yōu)選的，所述FLASH DIE可以為一個或多個。
[0012]優(yōu)選地，所述金屬引線為銅線、錫線或鋁線中的一種。
[0013]本實用新型的有益效果是:當現(xiàn)場可編程芯片和FLASH DIE進行多芯片封裝的時候，可以讓現(xiàn)場可編程芯片的FLASH DIE的8個管腳集中在一起，和其它的3.3V或2.5V設(shè)備使用同一塊IO的電壓，兼容其它的產(chǎn)品，并且管腳集中，便于PCB板布線，減少布線層數(shù)，提高系統(tǒng)性能，增加靈活性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]圖1是現(xiàn)有技術(shù)的可編程芯片與FLASH DIE封裝的布圖裝置；
[0015]圖2是根據(jù)本實用新型實施例的可編程芯片與FLASH DIE封裝的布圖裝置。
【具體實施方式】
[0016]為了使本【技術(shù)領(lǐng)域】的人員更好的理解本實用新型實施例中的技術(shù)方案，并使本實用新型實施例的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面通過附圖和實施例，對本實用新型的技術(shù)方案做進一步的詳細描述?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0017]圖2是根據(jù)本實用新型實施例的可編程芯片與FLASH DIE封裝的布圖裝置。
[0018]如圖2所示，可編程芯片與FLASH DIE封裝的布圖裝置中，I為可編程芯片、2為FLASH DIE,3為焊盤金屬引線，F(xiàn)LASH DIE2的尺寸小于可編程芯片1，且FLASH DIE2放置在可編程芯片I上，距離可編程芯片I邊緣lOOum。FLASH DIE2有8個管腳，分別為:CS、SO、WP、VSS、VDD、HOLD、SCLK和SI。可編程芯片I設(shè)有多個bank，其中一個bank中設(shè)有與FLASHDIE2對應的管腳，分別為VSS、VDD、CS、S1、WP、SO、SCLK和HOLD，且每一個管腳上都設(shè)有兩個焊盤，一焊盤接外部的封裝管腳，另一焊盤通過金屬引線3引到可編程芯片I內(nèi)部適當位置，引到芯片內(nèi)部的上下4個焊盤可以隨意放，無固定位置，只要滿足封裝廠打線需求，8條金屬引線3的連接方法和層次只要滿足芯片的頻率要求，也沒有固定的位置和畫法。金屬引線3可采用銅線、錫線或鋁線中的一種。圖示中從左邊管腳的焊盤連到芯片外部封裝FRAME8條引線、從上邊4個焊盤連到FLASH DIE上的4條引線、以及從下邊4個焊盤連到FLASH DIE上的4條引線，這16條引線是屬于芯片外邊的封裝線，是后期要處理的線，是為說明本實用新型后期如何封裝。
[0019]需要說明的是，本實用新型布圖裝置還可以是一個可編程芯片和多個FLASH DIE進行疊封，疊封原理與上述一致，在此不做一一贅述。
[0020]以上所述的【具體實施方式】，對本實用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本實用新型的【具體實施方式】而已，并不用于限定本實用新型的保護范圍，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種可編程芯片與FLASH DIE封裝的布圖裝置，所述裝置包括可編程芯片和FLASHDIE，其特征在于，所述可編程芯片的一個bank中設(shè)有與FLASH DIE對應的管腳，所述bank中與FLASH DIE對應的管腳均設(shè)有兩個焊盤，所述一焊盤接外部的封裝管腳，所述另一焊盤通過金屬引線引到可編程芯片內(nèi)部適當位置，以便與FLASH DIE管腳相接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程芯片與FLASHDIE封裝的布圖裝置，其特征在于，所述通過金屬引線引到芯片內(nèi)部的焊盤無固定位置，可根據(jù)封裝廠打線需求任意放置。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程芯片與FLASHDIE封裝的布圖裝置，其特征在于，所述FLASH DIE的尺寸小于可編程芯片。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程芯片與FLASHDIE封裝的布圖裝置，其特征在于，所述FLASH DIE放置在可編程芯片上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程芯片與FLASHDIE封裝的布圖裝置，其特征在于，所述FLASH DIE距離可編程芯片邊緣lOOum。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程芯片與FLASHDIE封裝的布圖裝置，所述FLASH DIE可以為一個或多個。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可編程芯片與FLASHDIE封裝的布圖裝置，其特征在于，所述金屬引線為銅線、錫線或鋁線中的一種。
【文檔編號】H01L25/18GK203733796SQ201320889677
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】劉成利, 陳子賢, 劉明 申請人:京微雅格（北京）科技有限公司