移動體裝置、曝光裝置以及器件制造方法
【專利摘要】載臺裝置包括載臺(WST、MST)和平面馬達(dá)，所述載臺能夠在載臺底座上沿XY平面移動，所述平面馬達(dá)具有設(shè)置在各個載臺(WST、MST)上的第一和第二磁鐵單元(51A、51B)、以及包括二維排列在載臺底座上的多個線圈的線圈單元(60)，并且所述平面馬達(dá)通過由于與磁鐵單元(51A、51B)之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動載臺(WST、MST)。按照以下方式來確定磁鐵的布局：在載臺(WST、MST)在載臺底座上在Y軸方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)下，構(gòu)成磁鐵單元(51A)的磁鐵和構(gòu)成磁鐵單元(51B)的磁鐵不同時與構(gòu)成線圈單元的同一個線圈(38)相對。
【專利說明】移動體裝置、曝光裝置以及器件制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及移動體裝置、曝光裝置以及器件制造方法，尤其涉及具有由平面馬達(dá)驅(qū)動的兩個移動體的移動體裝置、具有該移動體裝置的曝光裝置、以及使用該曝光裝置的器件制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，在制造半導(dǎo)體元件(集成電路等)、液晶顯示元件等的電子器件(微器件)的光刻工序中，使用各種曝光裝置。例如，作為用于制造半導(dǎo)體元件的曝光裝置，已知有經(jīng)由光學(xué)系統(tǒng)和液體對晶片進(jìn)行曝光的液浸曝光裝置。作為這種曝光裝置，例如已知有具有載置晶片的晶片載臺和設(shè)置有測量部件的測量用載臺這種類型的液浸曝光裝置(例如參照專利文獻(xiàn)1)、和具有兩個晶片載臺的雙晶片載臺類型的液浸曝光裝置(例如參照專利文獻(xiàn)2)等。
[0003]在專利文獻(xiàn)1公開的液浸曝光裝置中，為了始終在投影光學(xué)系統(tǒng)的正下方保持液浸區(qū)域，在測量用載臺和晶片載臺接觸或者接近(相隔預(yù)定距離以內(nèi))的狀態(tài)下在兩者之間進(jìn)行液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移。另外，在專利文獻(xiàn)2公開的液浸曝光裝置中，出于同樣的目的，在兩個晶片載臺相互接觸或者接近(相隔預(yù)定距離以內(nèi))的狀態(tài)下在兩者之間進(jìn)行液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移。
[0004]但是，晶片載臺隨著晶片的大型化而大型化，作為今后晶片載臺的驅(qū)動源，平面馬達(dá)被認(rèn)為是有希望的。但是，在與專利文獻(xiàn)1、2等公開的類型相同的液浸曝光裝置中采用平面馬達(dá)、特別是動磁型平面馬達(dá)來作為晶片載臺等的驅(qū)動源的情況下，當(dāng)用于上述液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移的兩個載臺接近了時，兩個載臺各自具有的磁鐵與同一線圈相對，由該線圈產(chǎn)生的電場(磁場)作用在兩個載臺的磁鐵上(例如電磁相互作用)，從而可能會導(dǎo)致難以獨立、穩(wěn)定地驅(qū)動兩個晶片載臺。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:美國專利申請公開第2008/0088843號說明書
[0008]專利文獻(xiàn)2:美國專利申請公開第2011/0025998號說明書
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]用于解決問題的手段
[0010]根據(jù)本發(fā)明的第一方式，提供第一移動體裝置，其包括:第一移動體，其能夠在載臺底座上沿二維平面移動；第二移動體，其能夠在所述載臺底座上與所述第一移動體獨立地沿二維平面移動；以及平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動體上的多個磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動體上的多個磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺底座上的多個線圈，通過由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第一移動體，通過由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第二移動體；根據(jù)所述線圈單元的線圈的大小和配置來確定所述第一和第二磁鐵單元各自的周邊部的多個磁鐵在所述第一或第二移動體上的配置，使得在所述第一移動體和所述第二移動體位于所述載臺底座上的預(yù)定范圍內(nèi)并在與所述二維平面相平行的第一方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下、并且在所述第一移動體和所述第二移動體在所述二維平面內(nèi)在與所述第一方向相垂直的第二方向上至少具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，構(gòu)成所述第一磁鐵單元的磁鐵和構(gòu)成所述第二磁鐵單元的磁鐵不同時與構(gòu)成所述線圈單元的同一個第一方向驅(qū)動用線圈相對。
[0011]由此，能夠在預(yù)定的平面內(nèi)相互獨立且穩(wěn)定地驅(qū)動第一和第二移動體。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的第二方式，提供第二移動體裝置，其包括:第一移動體，其能夠在載臺底座上沿二維平面移動；第二移動體，其能夠在所述載臺底座上與所述第一移動體獨立地沿二維平面移動；以及平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動體上的多個磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動體上的多個磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺底座上的多個線圈，通過由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第一移動體，通過由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第二移動體；根據(jù)所述線圈單元的線圈的大小和配置來確定所述第一和第二磁鐵單元各自的周邊部的多個磁鐵在所述第一或第二移動體上的配置，使得在所述第一移動體和所述第二移動體位于所述載臺底座上的預(yù)定范圍內(nèi)并在與所述二維平面相平行的第一方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下、并且在所述第一移動體和所述第二移動體在所述二維平面內(nèi)至少在與所述第一方向相垂直的第二方向上具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，在構(gòu)成所述線圈單元的預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的磁場和構(gòu)成所述第一磁鐵單元的磁鐵之間產(chǎn)生電磁相互作用，在所述預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的所述磁場和構(gòu)成所述第二磁鐵單元的磁鐵之間不產(chǎn)生電磁相互作用。
[0013]由此，能夠在預(yù)定的平面內(nèi)相互獨立且穩(wěn)定地驅(qū)動第一和第二移動體。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的第三方式，提供第三移動體裝置，其包括:第一移動體，其能夠在載臺底座上沿二維平面移動；第二移動體，其能夠在所述載臺底座上與所述第一移動體獨立地沿二維平面移動；以及平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動體上的多個磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動體上的多個磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺底座上的多個線圈，通過由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第一移動體，通過由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第二移動體；在與所述二維平面相平行的第一方向上，從所述第一移動體的一側(cè)的端部到所述第一磁鐵單元的所述一側(cè)的端部的距離與從所述第二移動體的另一側(cè)的端部到所述第二磁鐵單元的所述另一側(cè)的端部的距離之和大于等于所述第一方向上的至少一個所述線圈的長度。
[0015]由此，能夠在預(yù)定的平面內(nèi)相互獨立且穩(wěn)定地驅(qū)動第一和第二移動體。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的第四方式，提供曝光裝置，其經(jīng)由光學(xué)系統(tǒng)和液體并通過能量束對物體進(jìn)行曝光，并且包括:在所述第一和第二移動體的至少一者上載置所述物體的、上述第一和第二移動體裝置中的一者；以及向所述光學(xué)系統(tǒng)的正下方供應(yīng)液體并在所述光學(xué)系統(tǒng)和所述第一及第二移動體中的至少一者之間形成液浸區(qū)域的液浸裝置；當(dāng)所述第一和第二移動體處于所述第一狀態(tài)時，在兩者之間進(jìn)行所述液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移。
[0017]由此，能夠?qū)⒌谝缓偷诙苿芋w之間的間隙尺寸維持為恒定，由此能夠防止兩個移動體之間的沖突、以及液體從兩者的間隙泄露出來。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的第五方式，提供器件制造方法，其包括:通過上述曝光裝置對感應(yīng)物體進(jìn)行曝光；以及對被曝光了的所述物體進(jìn)行顯像。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]圖1是簡要地表示一個實施方式的曝光裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0020]圖2是表示圖1的載臺裝置的俯視圖。
[0021]圖3是放大表示圖2的測量用載臺的俯視圖。
[0022]圖4是用于說明晶片載臺和測量用載臺接近或者接觸的狀態(tài)下的線圈單元和磁鐵單元的位置關(guān)系的圖。
[0023]圖5是通過仰視圖來表示圖4的狀態(tài)下的晶片載臺和測量用載臺的圖。
[0024]圖6是表示以一個實施方式的曝光裝置的控制系統(tǒng)為中心構(gòu)成的主控制裝置的輸入輸出關(guān)系的框圖。
[0025]圖7是用于說明一個實施方式的曝光裝置的動作的圖。
[0026]圖8是用于說明第一變形例的圖。
[0027]圖9是用于說明第二變形例的圖。
【具體實施方式】
[0028]以下，基于圖1至圖7來說明一個實施方式。
[0029]在圖1中，簡要地表示了一個實施方式的曝光裝置100的結(jié)構(gòu)。該曝光裝置100是步進(jìn)掃描式的掃描型曝光裝置、即所謂的掃描儀。如后所述，在本實施方式中，設(shè)置有投影光學(xué)系統(tǒng)PL,以下將與該投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向設(shè)為Z軸方向，將在與Z軸方向垂直的平面內(nèi)相對掃描標(biāo)線片和晶片的方向設(shè)為Y軸方向，將與Z軸和Y軸垂直的方向設(shè)為X軸方向，并將圍繞X軸、Y軸、Z軸旋轉(zhuǎn)(傾斜)的方向分別設(shè)為θχ、0y、θ ζ方向來進(jìn)行說明。
[0030]曝光裝置100包括:照明系統(tǒng)ILS ;標(biāo)線片載臺RST，其保持標(biāo)線片R并向預(yù)定的掃描方向(這里，是圖1中的紙面上的左右方向、即Υ軸方向)移動，其中，所述標(biāo)線片R通過來自所述照明系統(tǒng)ILS的曝光用照明光(以下簡稱為照明光)IL而被照明；投影單元其包括投影光學(xué)系統(tǒng)PL，所述投影光學(xué)系統(tǒng)PL將從標(biāo)線片R射出的照明光IL投射到晶片W上；載臺裝置150，其包括載置晶片W的晶片載臺WST和用于測量曝光的測量用載臺MST ；以及上述各部件的控制系統(tǒng)等。
[0031]照明系統(tǒng)ILS例如如美國專利申請公開第2003/0025890號說明書等所公開的那樣包括光源和照明光學(xué)系統(tǒng)，其中所述照明光學(xué)系統(tǒng)具有包括光學(xué)積分器等的照度均勻化光學(xué)系統(tǒng)和標(biāo)線片遮簾(reticle blind)等(均未圖示)。照明系統(tǒng)ILS通過照明光(曝光用光)IL以大致均勻的照度對通過標(biāo)線片遮簾(也稱為光罩(masking)系統(tǒng))設(shè)定(限制)的標(biāo)線片R上的狹縫狀的照明區(qū)域IAR進(jìn)行照明。這里，作為照明光IL的一個例子，使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長193nm)。
[0032]在其圖案面(圖1中的下表面)上形成了電路圖案等的標(biāo)線片R例如通過真空吸附被固定在標(biāo)線片載臺RST上。標(biāo)線片載臺RST例如能夠由包括線性馬達(dá)等的標(biāo)線片載臺驅(qū)動系統(tǒng)55在XY平面內(nèi)微小地驅(qū)動，并且能夠以指定的掃描速度向預(yù)定的掃描方向(這里，是圖1中的紙面上的左右方向、即Y軸方向)驅(qū)動。
[0033]標(biāo)線片載臺RST的XY平面內(nèi)的位置信息(包括θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)始終由標(biāo)線片激光干涉儀(以下稱為“標(biāo)線片干涉儀”)52經(jīng)由移動鏡65 (實際上，設(shè)置有Y移動鏡(或激光反射器(retro reflector))和X移動鏡，所述Y移動鏡具有與Y軸方向垂直的反射面，所述X移動鏡具有與X軸方向垂直的反射面)例如以0.25nm左右的分辨能力進(jìn)行檢測。將標(biāo)線片干涉儀52的測量值發(fā)送給主控制裝置20，在主控制裝置20中，基于標(biāo)線片干涉儀52的測量值，經(jīng)由標(biāo)線片載臺驅(qū)動系統(tǒng)55控制標(biāo)線片載臺RST在X軸方向、Y軸方向、以及ΘΖ方向(圍繞Ζ軸的旋轉(zhuǎn)方向)上的位置(和速度)。
[0034]由TTR(Through The Reticle,經(jīng)由標(biāo)線片)對準(zhǔn)系統(tǒng)構(gòu)成的一對標(biāo)線片對準(zhǔn)檢測系統(tǒng)RAa、RAb在X軸方向上間隔預(yù)定的距離而設(shè)置在標(biāo)線片R的上方，所述TTR對準(zhǔn)系統(tǒng)使用用于經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL同時觀察以下標(biāo)記的、曝光波長的光，所述標(biāo)記是標(biāo)線片R上的一對標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記和與其對應(yīng)的、設(shè)置在測量用載臺MST上的基準(zhǔn)標(biāo)記板FM(參照圖2等)上的一對基準(zhǔn)標(biāo)記(以下稱為“第一基準(zhǔn)標(biāo)記”)。作為標(biāo)線片對準(zhǔn)檢測系統(tǒng)RAa、RAb，例如使用結(jié)構(gòu)與美國專利第5，646，413號說明書等公開的結(jié)構(gòu)相同的系統(tǒng)。
[0035]在圖1中，投影單元TO配置在標(biāo)線片載臺RST的下方。投影單元TO包括鏡筒140、以及由以預(yù)定的位置關(guān)系被保持在鏡筒140內(nèi)的多個光學(xué)元件構(gòu)成的投影光學(xué)系統(tǒng)PL。作為投影光學(xué)系統(tǒng)PL，例如使用由具有Z軸方向的共同的光軸AX的多個透鏡(透鏡部件)構(gòu)成的折射光學(xué)系統(tǒng)。投影光學(xué)系統(tǒng)PL例如通過兩側(cè)焦闌具有預(yù)定的投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8倍)。因此，如果通過來自照明系統(tǒng)ILS的照明光IL對標(biāo)線片R上的照明區(qū)域IAR進(jìn)行照明，則通過透過了圖案面與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第一面(物體面)基本一致地配置的標(biāo)線片R的照明光IL，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL (投影單元TO)，將其照明區(qū)域IAR內(nèi)的標(biāo)線片R的電路圖案的縮小像(電路圖案的一部分的縮小像)形成在晶片W上的、與上述照明區(qū)域IAR共軛的區(qū)域(以下也稱為曝光區(qū)域)IA上，所述晶片W配置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第二面(像面)側(cè)，并且其表面上涂布有抗蝕劑(感應(yīng)劑)。并且，通過標(biāo)線片載臺RST和晶片載臺WST的同步驅(qū)動，使標(biāo)線片R在掃描方向(Y軸方向)上相對于照明區(qū)域IAR(照明光IL)進(jìn)行相對移動，并且使晶片W在掃描方向(Y軸方向)上相對于曝光區(qū)域IA(照明光IL)進(jìn)行相對移動，由此對晶片W上的一個曝光區(qū)域(shot reg1n)(劃分區(qū)域)進(jìn)行掃描曝光，向該曝光區(qū)域轉(zhuǎn)印標(biāo)線片R的圖案。即，在本實施方式中，通過照明系統(tǒng)ILS和投影光學(xué)系統(tǒng)PL在晶片W上生成標(biāo)線片R的圖案，通過基于照明光IL實現(xiàn)的晶片W上的感應(yīng)層(抗蝕劑層)的曝光在晶片W上形成該圖案。
[0036]另外，在本實施方式的曝光裝置100中，由于進(jìn)行了適用液浸法的曝光，因此標(biāo)線片側(cè)的開口隨著開口數(shù)NA實質(zhì)性地增加而變大。因此，在僅由透鏡構(gòu)成的折射光學(xué)系統(tǒng)中，難以滿足珀茲伐(Petzval)的條件，投影光學(xué)系統(tǒng)存在大型化的趨勢。為了避免該投影光學(xué)系統(tǒng)的大型化，也可以使用包括反射鏡和透鏡的反射折射系統(tǒng)(catad1ptricsystem)。
[0037]另外，在本實施方式的曝光裝置100中，在構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最靠近像面?zhèn)?晶片W側(cè))的作為終端光學(xué)元件的透鏡(以下也稱為“頂端透鏡”)191的附近，設(shè)置有構(gòu)成液浸裝置132的一部分的液體供應(yīng)嘴131A和液體回收嘴131B。
[0038]液體供應(yīng)嘴131A經(jīng)由未圖示的供應(yīng)管與液體供應(yīng)裝置138 (在圖1中未圖示，參照圖6)連接，液體回收嘴131B經(jīng)由未圖示的回收管與液體回收裝置139 (在圖1中未圖示，參照圖6)連接。
[0039]在本實施方式中，液浸用的液體Lq(參照圖1)使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長為193nm的光)能夠透過的純水來制備。純水的優(yōu)點是:在半導(dǎo)體制造工廠等能夠容易、大量地獲得，并且對于晶片W上的抗蝕劑和光學(xué)透鏡等的不良影響少。純水對ArF準(zhǔn)分子激光的折射率η大致為1.44。在該純水中，照明光IL的波長被短波長化為193nmX 1/n =約134nm。
[0040]包括液體供應(yīng)嘴131A和液體回收嘴131B的液浸裝置132由主控制裝置20控制(參照圖6)。主控制裝置20經(jīng)由液體供應(yīng)嘴131A向頂端透鏡191和晶片W之間供應(yīng)液體Lq，并且經(jīng)由液體回收嘴131B從頂端透鏡191和晶片W之間回收液體Lq。此時，主控制裝置20執(zhí)行控制以使從液體供應(yīng)嘴131A供應(yīng)到頂端透鏡191和晶片W之間的液體Lq的量與經(jīng)由液體回收透鏡131B回收的液體Lq的量始終相等。因此，在頂端透鏡191和晶片W之間保持恒定量的液體L1 (參照圖1)，通過該恒定量的液體形成液浸區(qū)域14(例如參照圖2)。在該情況下，經(jīng)常更換保持在頂端透鏡191和晶片W之間的液體Lq。
[0041]另外，在測量用載臺MST位于投影單元PU下方的情況下，也能夠與上述說明同樣地在測量臺MTB和頂端透鏡191之間充滿液體Lq、即形成液浸區(qū)域。
[0042]在投影單元PU的+Y側(cè)，如圖1所示，設(shè)置有通過光學(xué)方式檢測晶片W上的對準(zhǔn)標(biāo)記等檢測對象標(biāo)記的離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)(以下簡稱為“對準(zhǔn)系統(tǒng)”)ALG。另外，作為對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG，可以使用各種方式的傳感器，在本實施方式中，使用圖像處理方式的傳感器。另外，例如美國專利第5，493，403號說明書等公開了圖像處理方式的傳感器。將來自對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的攝像信號提供給主控制裝置20 (參照圖6)。
[0043]如圖1和圖2所示，載臺裝置150包括:底座盤12、配置在底座盤12上的載臺底座21、配置在載臺底座21上的晶片載臺WST和測量用載臺MST、測量上述兩個載臺WST和MST的位置的干涉儀系統(tǒng)118 (參照圖6)、以及驅(qū)動上述兩個載臺WST和MST的載臺驅(qū)動系統(tǒng)124 (參照圖6)。
[0044]經(jīng)由防振機構(gòu)(未圖示)將底座盤12大致水平(平行于XY平面)地支承在地板面F上。經(jīng)由空氣軸承(未圖示)將載臺底座21支承在底座盤12上。在載臺底座21的上部各納有后述的定子60 (參照圖4)。在本實施方式中，在后述的晶片載臺WST驅(qū)動時和測量用載臺MST驅(qū)動時，載臺底座21作為配重塊(counter mass)發(fā)揮功能。因此,也可以將驅(qū)動載臺底座21的微調(diào)馬達(dá)(trim motor)設(shè)置在載臺底座21和底座盤12之間，以使載臺底座21從基準(zhǔn)位置的移動量收斂于預(yù)定范圍內(nèi)。
[0045]晶片載臺WST和測量用載臺MST分別由載臺驅(qū)動系統(tǒng)124相互獨立地驅(qū)動。晶片載臺WST和測量用載臺MST的6個自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、θχ、0y、θζ的各個方向)的位置信息由干涉儀系統(tǒng)118檢測。另外，在圖1中，為了便于說明，僅圖示了用于測量晶片載臺WST在Υ軸方向上的位置的Υ軸干涉儀116、以及用于測量測量用載臺MST在Υ軸方向上的位置的Y軸干涉儀117。將干涉儀系統(tǒng)118的測量值傳送給主控制裝置20，主控制裝置20基于干涉儀系統(tǒng)118的測量值并經(jīng)由載臺驅(qū)動系統(tǒng)124來控制晶片載臺WST和測量用載臺MST的位置(和速度)。另外，后面將進(jìn)一步說明載臺驅(qū)動系統(tǒng)124。
[0046]如圖1所不，晶片載臺WST包括晶片載臺主體91和固定在該晶片載臺主體91上的晶片臺WTB。在本實施方式中，如圖4所示，由容納在載臺底座21的上部的定子60和固定在晶片載臺主體91的底部(底座相對面?zhèn)?上的磁鐵單元51Α構(gòu)成的平面馬達(dá)作為晶片載臺驅(qū)動系統(tǒng)50Α(參照圖6)來使用。
[0047]在晶片臺WTB上，設(shè)置有通過真空吸附等來保持晶片W的晶片保持器(未圖示)。該晶片保持器包括板狀的主體部和板件(Plate) 93 (參照圖1、圖2)，該板件93固定在上述主體部的上表面，并且在其中央形成有直徑比晶片W的直徑大0.1?2mm左右的圓形開口。在板件93的圓形開口內(nèi)部的主體部的區(qū)域配置有多個銷，晶片W在通過該多個銷而被支承的狀態(tài)下被真空吸附。在該情況下，在真空吸附晶片W的狀態(tài)下，該晶片W的表面和板件93的表面成為大致相同的高度。板件93的整個表面涂覆有氟類樹脂材料和丙烯酸類樹脂材料等疏液性材料(疏水材料)，形成有疏液膜。另外，在晶片W的表面涂布有抗蝕劑(感應(yīng)劑)，通過該涂布的抗蝕劑形成了抗蝕劑膜。在該情況下，抗蝕劑膜優(yōu)選使用對于液浸用的液體Lq具有疏液性的材料。另外，也可以在晶片W的表面上以覆蓋上述抗蝕劑膜的方式形成頂層涂覆膜(層)。作為該頂層涂覆膜，優(yōu)選使用對于液浸用的液體Lq具有疏液性的材料。
[0048]另外，也可以使用包括晶片載臺主體和晶片臺的晶片載臺，所述晶片載臺主體能夠在XY平面內(nèi)的3個自由度方向上移動，所述晶片臺經(jīng)由未圖示的Z校平機構(gòu)(例如包括音圈馬達(dá)等的致動器)搭載在上述晶片載臺主體上，并且相對于晶片載臺主體在Z軸方向、θχ方向、以及9y方向上被微小地驅(qū)動。
[0049]如圖1所示，測量用載臺MST包括測量用載臺主體92和固定在該測量用載臺主體92上的測量臺MTB。在本實施方式中，如圖4所示，由定子60和固定在測量用載臺主體92的底部(底座相對面?zhèn)?的磁鐵單元51B構(gòu)成的平面馬達(dá)作為測量用載臺驅(qū)動系統(tǒng)50B(參照圖6)來使用。
[0050]測量臺MTB包括上表面開口的中空長方體形狀的框體、以及封閉該框體的上表面并例如由聚四氟乙烯(特氟隆(注冊商標(biāo)))等具有疏液性的材料形成的預(yù)定厚度的板部件101 (參照圖3)，該測量臺MTB具有高度方向的尺寸遠(yuǎn)小于寬度方向和進(jìn)深方向的尺寸的長方體形狀的外觀。
[0051]如圖3所示，板部件101中形成有:以Y軸方向為長度方向的長方形的開口 101a，X軸方向的尺寸與上述開口 101a大致相同并以該X軸方向為長度方向的長方形的開口 101b,以及三個圓形開口 101d、101e、101f。
[0052]在板部件101的開口 101b的內(nèi)側(cè)和開口 101b下方的框體(測量臺MTB)的內(nèi)部配置有照度監(jiān)控器(照射量監(jiān)控器)122。在照度監(jiān)控器122的上表面涂覆有氟類樹脂材料或丙烯酸類樹脂材料等疏液性材料(疏水材料)，由此形成了疏液膜。在本實施方式中，將該疏液膜的上表面和板部件101的上表面設(shè)定成大致同一個平面(齊平)。
[0053]本實施方式的照度監(jiān)控器122例如具有與美國專利第5，721，608號說明書等公開的照度監(jiān)控器(照射量監(jiān)控器)同樣的結(jié)構(gòu)，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面上經(jīng)由液體Lq來測量照明光IL的照度。
[0054]如圖3所示，在板部件101的開口 101a的內(nèi)部配置有在俯視觀察時為長方形的基準(zhǔn)標(biāo)記板FM。將基準(zhǔn)標(biāo)記板FM的上表面設(shè)定為與板部件101的表面大致相同的高度(齊平)。能夠通過上述一對標(biāo)線片對準(zhǔn)檢測系統(tǒng)RAa、RAb對每一對同時進(jìn)行測量的三對第一基準(zhǔn)標(biāo)記RMn?觀32、以及通過對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG進(jìn)行檢測的三個第二基準(zhǔn)標(biāo)記?WM3以預(yù)定的位置關(guān)系形成在基準(zhǔn)標(biāo)記板FM的表面上。這些基準(zhǔn)標(biāo)記分別由通過在鉻層上以上述預(yù)定的位置關(guān)系進(jìn)行圖案化而形成的開口圖案形成，所述鉻層大致遍及整個表面地形成在構(gòu)成基準(zhǔn)標(biāo)記板FM的部件(例如極低膨脹率玻璃陶瓷，例如CLEARCERAM(注冊商標(biāo)))的表面上。另外，也可以通過鋁等的圖案(剩余圖案)來形成各個基準(zhǔn)標(biāo)記。
[0055]在本實施方式中，例如與美國專利第5，243，195號說明書等公開的內(nèi)容相同地，按照以下方式來確定上述各個基準(zhǔn)標(biāo)記的配置:能夠經(jīng)由液體Lq并通過上述一對標(biāo)線片對準(zhǔn)檢測系統(tǒng)RAa、RAb來同時測量上述第一基準(zhǔn)標(biāo)記RMyRMpG.= 1?3)，并且能夠在測量該第一基準(zhǔn)標(biāo)記RMyRMp的同時不經(jīng)由液體Lq地通過對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG來測量第二基準(zhǔn)標(biāo)記麗」。在基準(zhǔn)標(biāo)記板FM的上表面上，雖未進(jìn)行圖示，但在上述鉻層的上部形成有由上述氟類樹脂材料或丙烯酸類樹脂材料等疏液性材料形成的疏液膜。
[0056]在板部件101的開口 101d的內(nèi)側(cè)和開口 101d下方的框體的內(nèi)部配置有具有圖案板103的照度不均測量器104，所述圖案板103在俯視觀察時為圓形。
[0057]照度不均測量器104具有上述圖案板103、以及由配置在該圖案板下方的未圖示的受光元件(上述硅光二極管或光電倍增管)構(gòu)成的傳感器。圖案板103由石英玻璃等構(gòu)成，在其表面形成有鉻等的遮光膜，在該遮光膜的中央形成有作為光透過部的銷孔103a。并且，在該遮光膜上形成有由上述氟類樹脂材料或丙烯酸類樹脂材料等疏液性材料構(gòu)成的疏液膜。
[0058]照度不均測量器104例如具有與美國專利第4，465，368號說明書等公開的照度不均測量器相同的結(jié)構(gòu)，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面上經(jīng)由液體Lq來測量照明光IL的照度不均。
[0059]在板部件101的開口 101e的內(nèi)部，俯視觀察時圓形的狹縫板105在其表面與板部件101的表面大致為同一表面(齊平)的狀態(tài)下配置。狹縫板105具有石英玻璃和在該石英玻璃的表面上形成的鉻等的遮光膜，在該遮光膜的預(yù)定部位形成有作為光透過部的、向X軸方向和Y軸方向延伸的狹縫圖案。并且，在該遮光膜上形成有由上述氟類樹脂材料或丙烯酸類樹脂材料等疏液性材料構(gòu)成的疏液膜。該狹縫板105構(gòu)成了空間像測量器的一部分，所述空間像測量器測量通過投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影的圖案的空間像(投影像)的光強度。在本實施方式中，在該狹縫板105下方的測量臺MTB(框體)的內(nèi)部設(shè)置有受光系統(tǒng)，所述受光系統(tǒng)經(jīng)由所述狹縫圖案接受經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液體Lq照射在板部件101上的照明光IL，由此構(gòu)成了例如與美國專利申請公開第2002/0041377號說明書等公開的空間像測量器相同的空間像測量器。
[0060]在板部件101的開口 101f的內(nèi)部，俯視觀察時圓形的波面像差測量用圖案板107以其表面與板部件101的表面大致為同一表面(齊平)的狀態(tài)配置。該波面像差測量用圖案板107具有石英玻璃和形成在該石英玻璃的表面上的鉻等的遮光膜，在該遮光膜的中央形成有圓形的開口。并且，在該遮光膜上形成有由上述氟類樹脂材料或丙烯酸類樹脂材料等疏液性材料構(gòu)成的疏液膜。在該波面像差測量用圖案板107下方的測量臺MTB (框體)的內(nèi)部設(shè)置有受光系統(tǒng)，所述受光系統(tǒng)包括經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液體Lq接受照明光IL的例如微透鏡陣列，由此構(gòu)成了例如歐洲專利第1，079，223號說明書等公開的波面像差測量器。
[0061]另外，從抑制熱的影響的觀點來看，也可以僅將上述空間像測量器和波面像差測量器等中的例如光學(xué)系統(tǒng)等的一部分搭載在測量用載臺MST上。
[0062]并且，在本實施方式的曝光裝置100中，雖然在圖1中未進(jìn)行圖示，但是設(shè)置有包括照射系統(tǒng)110a和受光系統(tǒng)110b (參照圖6)的、例如與美國專利第5，448，332號說明書等公開的內(nèi)容相同的斜入射方式的多點焦點位置檢測系統(tǒng)。
[0063]在本實施方式中，如圖2的A-A剖視圖即圖4所示，在晶片載臺主體91的底部以矩陣狀配置有多個永久磁鐵(以下簡稱為磁鐵)53，由這些磁鐵53構(gòu)成了磁鐵單元51A。另夕卜，圖4是從X軸方向觀察的圖，實際上在XY平面上配置成矩陣狀。作為多個磁鐵53，+Z偵偽N極且-Z側(cè)為S極的N極磁鐵和極性相反的S極磁鐵在XY平面內(nèi)以預(yù)定間隔交替地配置，在N磁鐵和S磁鐵之間配置有與N極磁鐵相對的一側(cè)的磁極為N且與S極磁鐵相對的一側(cè)的磁極為S、并在X軸方向或Y軸方向上磁化的磁鐵，由此構(gòu)成了磁鐵單元51A。另夕卜，在測量用載臺主體92的底部，與磁鐵單元51A —樣，配置有多個磁鐵53并由該多個磁鐵構(gòu)成了磁鐵單元51B。另外，圖4是用于說明線圈單元60的線圈38和磁鐵單元51A、51B的位置關(guān)系的圖，在該圖4中簡化地表示了磁鐵單元51A、51B的磁鐵的配置，與實際不同。線圈單元60的線圈38的配置也是一樣的。
[0064]如圖2所示，載臺底座21包括上表面開口的中空的主體部35、以及封閉主體部35的開口部的陶瓷板36 (參照圖4)。
[0065]在由主體部35和陶瓷板36形成的載臺底座21的內(nèi)部空間內(nèi)，在XY 二維方向上多個電樞線圈(以下簡稱為線圈)38配置成矩陣狀(參照圖2)。由這些線圈38構(gòu)成了作為平面馬達(dá)(以下適當(dāng)?shù)乇硎緸槠矫骜R達(dá)50a、50B)的定子60的線圈單元(以下也適當(dāng)?shù)胤Q為線圈單元60)，所述平面馬達(dá)是構(gòu)成晶片載臺驅(qū)動系統(tǒng)50A和測量用載臺驅(qū)動系統(tǒng)50B中的每一個的動磁型的電磁驅(qū)動式的磁懸浮型平面馬達(dá)。如圖2所示，使用正方形的線圈來作為多個線圈38中的每一個線圈。提供給構(gòu)成定子60的多個線圈38中的每一個的電流的大小和方向由主控制裝置20(參照圖6)控制。另外，如上所述，配置成矩陣狀的多個磁鐵(N極磁鐵和S極磁鐵)以預(yù)定的間隔交替地配置，該預(yù)定的間隔(磁極間距)、多個線圈的大小、以及相鄰線圈之間的間隔作為馬達(dá)(平面馬達(dá))的規(guī)格值而被預(yù)先設(shè)定為具有預(yù)定的關(guān)系。并且，在本實施方式中，向一部分電樞線圈38例如如美國專利第6，304，320號說明書公開的那樣疊加地提供X推力用電流和Z推力用電流，被提供了這樣的電流的電樞線圈38在與構(gòu)成磁鐵單元51A、51B中的每一個的一部分磁鐵53之間產(chǎn)生電磁相互作用，從而產(chǎn)生X軸方向和Z軸方向的驅(qū)動力(推力)。另外，在本實施方式中，向一部分線圈38疊加地提供Y推力用電流和Z推力用電流，被提供了這樣的電流的線圈38在與構(gòu)成磁鐵單元51A、51B中的每一個的一部分磁鐵之間產(chǎn)生電磁相互作用，從而產(chǎn)生Y軸方向和Z軸方向的驅(qū)動力(推力)。即，在本實施方式中，通過平面馬達(dá)50，能夠向6個自由度方向(X軸、Y軸、Z軸、Θ X、Θ y、θ Z的各個方向)驅(qū)動晶片載臺WST。在該情況下,通過平面馬達(dá)50A，在X軸方向和Y軸方向上以長的行程來驅(qū)動晶片載臺WST，在其余的4個自由度方向上微小地驅(qū)動晶片載臺WST。另外，通過平面馬達(dá)50B，與晶片載臺WST同樣地在6個自由度方向上驅(qū)動測量用載臺MST。在本實施方式中，通過構(gòu)成晶片載臺驅(qū)動系統(tǒng)的平面馬達(dá)50A和構(gòu)成測量用載臺驅(qū)動系統(tǒng)的平面馬達(dá)50B，構(gòu)成了載臺驅(qū)動系統(tǒng)124 (參照圖6)。
[0066]在圖5中表示了晶片載臺WST和測量用載臺MST的仰視圖。如該圖5所示，在晶片載臺WST的晶片載臺主體91的底部，大致遍及整個面地配置有磁鐵單元51A。另一方面，在測量用載臺MST的測量用載臺主體92的底部，在除了其+Y側(cè)的端部以外的其他區(qū)域配置有磁鐵單元51B。在該情況下，在晶片載臺WST和測量用載臺MST在Y軸方向上相互間隔預(yù)定距離、例如接近至300 μ m以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)下，磁鐵單元51A和磁鐵單元51B的間隔如圖4所示為Lm，在該間隔Lm與線圈38的Y軸方向上的長度Lc之間，Lm ^ Lc的關(guān)系成立。即，在Y軸方向上，從晶片載臺WST的一側(cè)(-Y側(cè))的端部到磁鐵單元51A的一側(cè)的端部的距離(D1)和從測量用載臺MST的另一側(cè)(+Y側(cè))的端部到磁鐵單元51B的另一側(cè)的端部的距離(D2)的合計至少大于等于1個線圈38的Y軸方向上的長度。即，在本實施方式中，根據(jù)線圈單元60的線圈38的大小、配置來確定磁鐵單元51A的周邊部的多個磁鐵在晶片載臺WST上的配置和磁鐵單元51B的周邊部的多個磁鐵在測量用載臺MST上的配置，使得Lm彡(D1+D2)彡Lc的關(guān)系成立，換言之，使得在晶片載臺WST和測量用載臺MST位于載臺底座21上的預(yù)定范圍(與定子60相對的范圍)內(nèi)并在Y軸方向上相互接近至預(yù)定距離(例如300 μ m以內(nèi))或者接觸的狀態(tài)下，構(gòu)成磁鐵單元51A的磁鐵53和構(gòu)成磁鐵單元51B的磁鐵53不同時與構(gòu)成線圈單元60的同一個線圈38相對。另外，將Lm設(shè)定為至少大于等于Y軸方向上的線圈長度Lc，并且優(yōu)選比2個線圈的長度小，例如也可以設(shè)定為2Lc彡Lm彡(D1+D2)彡Lc的關(guān)系成立?；蛘咭部梢员纫粋€半的線圈的長度小，1.5Lc彡Lm彡(D1+D2)彡Lc的關(guān)系成立。另外，也可以基于磁鐵單元51A(或者磁鐵單元51B)中的上述磁極間距來設(shè)定間隔Lm。例如，也可以設(shè)定為間隔Lm大于等于2個磁極間距。
[0067]在圖6中圖示了框圖，該框圖表示了以曝光裝置100的控制系統(tǒng)為中心構(gòu)成并綜合地控制各個構(gòu)成部分的主控制裝置20的輸入輸出關(guān)系。主控制裝置20包括工作站(或微型計算機)等，綜合地控制構(gòu)成曝光裝置100的各個部分。在圖6中，附圖標(biāo)記143表示設(shè)置在上述測量臺MTB上的照度監(jiān)控器122、照度不均測量器104、空間像測量器、波面像差測量器等測量器組。
[0068]接下來，基于圖7等來說明本實施方式的曝光裝置100中的、使用了晶片載臺WST和測量用載臺MST的并行處理動作。另外，在以下的動作中，主控制裝置20控制液浸裝置132，從液體供應(yīng)嘴131A供應(yīng)預(yù)定量的液體Lq，并且從液體回收嘴131B回收預(yù)定量的液體Lq,由此通過液體Lq來持續(xù)地充滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊墓饴房臻g。
[0069]在圖7中，圖示了對晶片載臺WST上的晶片W(這里，作為一個例子，設(shè)定為某一批(一批為25片或50片)的最后的晶片)執(zhí)行步進(jìn)掃描式的曝光的狀態(tài)。此時，測量用載臺MST實際上在不與晶片載臺WST沖突的預(yù)定的待機位置待機。
[0070]上述曝光動作通過在主控制裝置20的控制下，基于事先執(zhí)行的例如增強型全晶片對準(zhǔn)(EGA)等晶片對準(zhǔn)的結(jié)果等，重復(fù)地執(zhí)行曝光間移動動作和掃描曝光動作來執(zhí)行，所述曝光間移動動作是用于晶片W上的各個曝光區(qū)域的曝光的、使晶片載臺WST向掃描開始位置(加速開始位置)移動的動作，所述掃描曝光動作是通過掃描曝光方式來轉(zhuǎn)印形成在對各個曝光區(qū)域的標(biāo)線片R上的圖案的動作。另外，上述曝光動作在頂端透鏡191和晶片W之間保持有液體Lq的狀態(tài)下進(jìn)行。
[0071 ] 并且，在晶片載臺WST側(cè)，在對晶片W的曝光結(jié)束了的階段，主控制裝置20基于干涉儀系統(tǒng)118的測量值來控制載臺驅(qū)動系統(tǒng)124的平面馬達(dá)50B，并如圖2所示那樣使測量用載臺MST(測量臺MTB)移動至與位于曝光結(jié)束位置的晶片載臺WST的-Y側(cè)接近的位置。此時，主控制裝置20檢測干涉儀系統(tǒng)118中的、監(jiān)控各個臺在Y軸方向上的位置的干涉儀的測量值，使測量臺MTB和晶片臺WTB在Y軸方向上間隔例如300 μ m左右，保持非接觸的狀態(tài)。另外，不限于此，主控制裝置20也可以使測量臺MTB的-Y側(cè)面和晶片臺WTB的+Y側(cè)面接觸。
[0072]接下來，主控制裝置20在保持晶片臺WTB和測量臺MTB在Y軸方向上的位置關(guān)系的同時，開始執(zhí)行將兩個載臺WST、MST同時向+Y方向驅(qū)動的動作。
[0073]這樣，當(dāng)通過主控制裝置20使晶片載臺WST、測量用載臺MST同時移動了時，伴隨著該晶片載臺WST和測量用載臺MST向+Y方向的移動，保持在投影單元TO的頂端透鏡191和晶片W之間的液體Lq依次移動到晶片W—板件93(晶片臺WTB)—測量臺MTB上。即，成為在測量臺MTB和頂端透鏡191之間保持有液體Lq的狀態(tài)。
[0074]這里，在本實施方式中，根據(jù)圖4可知，當(dāng)將上述液體Lq (液浸區(qū)域14)從晶片臺WTB上轉(zhuǎn)移到測量臺MTB上時，構(gòu)成磁鐵單元51A的一部分磁鐵53和構(gòu)成磁鐵單元51B的一部分磁鐵53不同時與任一個線圈38相對。因此，在本實施方式中，能夠通過主控制裝置20并經(jīng)由平面馬達(dá)50A和50B，在將晶片載臺WST和測量用載臺MST維持為在Y軸方向上相互接近或者接觸的狀態(tài)的同時使晶片載臺WST和測量用載臺MST向+Y方向移動并使液體Lq(液浸區(qū)域14)從晶片臺WTB上轉(zhuǎn)移到測量臺MTB上。在該情況下，由于同一線圈38產(chǎn)生的磁場不會同時作用于磁鐵單元51A和磁鐵單元51B，因此能夠穩(wěn)定地驅(qū)動晶片載臺WST和測量用載臺MST，不會出現(xiàn)兩者沖突、兩者間的間隙局部地擴大并導(dǎo)致液體Lq從該間隙泄露水的情況。
[0075]當(dāng)上述液體Lq(液浸區(qū)域14)從晶片臺WTB上向測量臺MTB上的轉(zhuǎn)移結(jié)束了時，主控制裝置20基于干涉儀系統(tǒng)118對晶片載臺WST的位置的測量值來控制平面馬達(dá)50A，使晶片載臺WST移動到預(yù)定的晶片更換位置并更換為下一批的最初的晶片，與此并行，根據(jù)需要使用測量用載臺MST來執(zhí)行預(yù)定的測量。
[0076]作為上述預(yù)定的測量，例如可以將對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的基線測量作為一個例子。具體地說，主控制裝置20使用上述的標(biāo)線片對準(zhǔn)檢測系統(tǒng)RAa、RAb同時檢測設(shè)置在測量臺MTB上的基準(zhǔn)標(biāo)記板FM上的一對第一基準(zhǔn)標(biāo)記和對應(yīng)的標(biāo)線片R上的一對標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記，并檢測與一對第一基準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系。此時，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL和液體Lq檢測第一基準(zhǔn)標(biāo)記。另外，與此同時，主控制裝置20通過對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG檢測上述基準(zhǔn)標(biāo)記板FM上的第二基準(zhǔn)標(biāo)記，由此檢測對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測中心和第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系。
[0077]然后，主控制裝置20基于上述一對第一基準(zhǔn)標(biāo)記和對應(yīng)的標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系、對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測中心和第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系、以及已知的一對第一基準(zhǔn)標(biāo)記和第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置關(guān)系，求出基于投影光學(xué)系統(tǒng)PL產(chǎn)生的標(biāo)線片圖案的投影中心和對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的檢測中心的距離(或位置關(guān)系)、即對準(zhǔn)系統(tǒng)ALG的基線。
[0078]然后，在上述兩個臺WST、MST上的操作結(jié)束了的階段，主控制裝置20將測量用載臺MST和晶片載臺WST設(shè)定為上述接近或者接觸的狀態(tài)，并且在保持晶片載臺WST和測量用載臺MST在Y軸方向上的位置關(guān)系的同時，在將液體Lq保持在投影光學(xué)系統(tǒng)PL下的狀態(tài)下與剛才相反地將兩個臺WST、MST向-Y方向驅(qū)動，使晶片載臺WST(晶片)移動到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的下方。這里，當(dāng)液體Lq(液浸區(qū)域14)從測量臺MTB上轉(zhuǎn)移到晶片臺WTB上時，構(gòu)成磁鐵單元51A的一部分磁鐵53和構(gòu)成磁鐵單元51B的一部分磁鐵53也不會同時與任一個線圈38相對。因此，在本實施方式中，能夠通過主控制裝置20并經(jīng)由平面馬達(dá)50A和50B的每一個，在將晶片載臺WST和測量用載臺MST維持為在Y軸方向上相互接近或者接觸的狀態(tài)的同時使晶片載臺WST和測量用載臺MST向-Y方向移動并使液體Lq(液浸區(qū)域14)從測量臺MTB上轉(zhuǎn)移到晶片臺WTB上。在該情況下，由于與上述相同的理由，也能夠穩(wěn)定地驅(qū)動晶片載臺WST和測量用載臺MST，不會出現(xiàn)兩者沖突、兩者間的間隙局部地擴大并導(dǎo)致液體Lq從該間隙泄露水的情況。
[0079]當(dāng)晶片載臺WST(晶片)向投影光學(xué)系統(tǒng)PL下方的移動結(jié)束了時，主控制裝置20使測量用載臺MST退回到預(yù)定的位置。
[0080]然后，主控制裝置20對新的晶片執(zhí)行晶片對準(zhǔn)、步進(jìn)掃描式的曝光動作，向晶片上的多個曝光區(qū)域依次轉(zhuǎn)印標(biāo)線片圖案。之后，重復(fù)同樣的動作。
[0081]如上所述，根據(jù)本實施方式的曝光裝置100，載臺裝置150包括:晶片載臺WST和測量用載臺MST，其能夠在載臺底座21上相互獨立地向6個自由度方向移動；以及平面馬達(dá)50A、50B(載臺驅(qū)動系統(tǒng)124)，其設(shè)置在晶片載臺WST和測量用載臺MST的每一個上，具有包括分別具有多個磁鐵53的磁鐵單元51A、51B和二維地配置在載臺底座21上的多個線圈38的線圈單元60，通過由于磁鐵單元51A、51B之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動晶片載臺WST和測量用載臺MST。另外，根據(jù)線圈單元60的線圈38的大小、配置來確定磁鐵單元51A和51B各自的周邊部的多個磁鐵在晶片載臺WST或測量用載臺MST上的配置，使得在晶片載臺WST和測量用載臺MST位于載臺底座21上的預(yù)定范圍內(nèi)并在Y軸方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)下，構(gòu)成磁鐵單元51A的磁鐵和構(gòu)成磁鐵單元51B的磁鐵53不同時與構(gòu)成線圈單元60的同一個線圈38相對。因此，能夠通過主控制裝置20來相互獨立地在XY平面內(nèi)穩(wěn)定地驅(qū)動晶片載臺WST和測量用載臺MST。
[0082]另外，根據(jù)本實施方式的曝光裝置100，即使在上述液體Lq (液浸區(qū)域14)于晶片臺WTB與測量臺MTB之間轉(zhuǎn)移時，也能夠通過主控制裝置20在XY平面內(nèi)相互獨立且穩(wěn)定地驅(qū)動晶片載臺WST和測量用載臺MST。具體地說，在液體Lq(液浸區(qū)域14)轉(zhuǎn)移時，主控制裝置20也能夠在將晶片載臺WST和測量用載臺MST維持為在Y軸方向上相互接近或者接觸的狀態(tài)的同時獨立地在Y軸方向上驅(qū)動晶片載臺WST和測量用載臺MST。因此，能夠?qū)⒕d臺WST和測量用載臺MST之間的間隙尺寸維持為恒定，由此能夠防止兩個臺WST、MST之間的沖突、以及液體從兩者的間隙泄露出來。因此，根據(jù)曝光裝置100，能夠有效地抑制兩個載臺WST、MST之間的沖突和液體的泄露等異常的發(fā)生，進(jìn)而能夠有效地抑制由于該異常的發(fā)生而造成的裝置停止運轉(zhuǎn)等所導(dǎo)致的生產(chǎn)率的降低。
[0083]另外，根據(jù)本實施方式的曝光裝置100，通過液浸曝光來執(zhí)行高析像度且焦點深度比空氣中的焦點深度大的曝光，由此能夠高精度地將標(biāo)線片R的圖案轉(zhuǎn)印到晶片上，例如能夠通過ArF準(zhǔn)分子激光作為器件規(guī)則(device rule)來實現(xiàn)45?lOOnm左右的精細(xì)圖案的轉(zhuǎn)印。
[0084]另外，在上述實施方式中說明了以下情況:使用XY二維排列的正方形線圈38來構(gòu)成線圈單元60，并且與其相對應(yīng)地使用由配置在正方形區(qū)域中的多個磁鐵構(gòu)成的磁鐵單元51A、51B。但是，不限于此，例如也可以采用如圖8中分別由仰視圖示出的晶片載臺WST'、MST,那樣在晶片載臺主體91、測量用載臺主體92的底面的Y軸方向上的一個端部和另一個端部上的、如存在凹凸那樣的區(qū)域中配置磁鐵單元51A、51B的磁鐵的陣列。在具有該圖8的變形例的晶片載臺WST'、MST'的載臺裝置和具有該載臺裝置的液浸曝光裝置中，根據(jù)線圈單元60的線圈38的大小、配置來確定磁鐵單元51A和51B各自的周邊部的多個磁鐵在晶片載臺WST'或測量用載臺MST'上的配置，使得在圖8所示的位置關(guān)系，即晶片載臺WST'和測量用載臺MST'位于載臺底座21上的預(yù)定范圍內(nèi)且在Y軸方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)，并且在兩者在X軸方向上處于圖8所示的預(yù)定位置關(guān)系的狀態(tài)下，構(gòu)成磁鐵單元51A的磁鐵和構(gòu)成磁鐵單元51B的磁鐵不同時與構(gòu)成線圈單元60的同一線圈38相對。因此，主控制裝置20能夠獨立地驅(qū)動圖8所示的晶片載臺WST'和測量用載臺MST'，并且能夠通過在維持這兩個載臺的位置關(guān)系的同時，一邊向+Y方向或-Y方向驅(qū)動晶片載臺WST和測量用載臺MST、一邊進(jìn)行上述液體Lq在兩者之間的轉(zhuǎn)移，來有效地抑制兩個載臺WST、MST之間的沖突和液體的泄露等異常的發(fā)生，進(jìn)而能夠有效地抑制由于該異常的發(fā)生而造成的裝置停止運轉(zhuǎn)等所導(dǎo)致的生產(chǎn)率的降低。
[0085]另外，在上述實施方式中，通過使構(gòu)成磁鐵單元51A的Y驅(qū)動用磁鐵和構(gòu)成磁鐵單元51B的Y驅(qū)動用磁鐵不同時與構(gòu)成線圈單元60的同一 Y軸方向驅(qū)動用線圈相對，能夠獨立地驅(qū)動晶片載臺WST和測量用載臺MST，但是不限于此。
[0086]例如，也可以根據(jù)線圈單元60的線圈的大小和配置來確定磁鐵單元51A、51B各自的周邊部的多個磁鐵(特別是Y驅(qū)動用磁鐵)在晶片載臺WST或測量用載臺MST上的配置，以使得構(gòu)成線圈單元60的預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的磁場和構(gòu)成磁鐵單元51A的磁鐵之間產(chǎn)生電磁相互作用，并且該預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的磁場和構(gòu)成磁鐵單元51B的磁鐵之間不產(chǎn)生電磁相互作用。在該情況下，不產(chǎn)生電磁相互作用既包括上述預(yù)定的線圈產(chǎn)生的磁場不影響構(gòu)成磁鐵單元51B的磁鐵，從而完全不產(chǎn)生電磁相互作用的情況，也包括即便產(chǎn)生電磁相互作用并產(chǎn)生了驅(qū)動力，其大小也足夠小，從而處于能夠相互獨立地控制晶片載臺WST和測量用載臺MST的狀態(tài)的情況。
[0087]另外，在上述實施方式中說明了具有與晶片載臺WST分體的測量用載臺MST的曝光裝置，但是不限于此，例如具有多個如美國專利申請公開第2011/0025998號說明書和美國專利第5，969，441號說明書等公開的那樣的、保持晶片的晶片載臺的多載臺型曝光裝置也可以適用上述實施方式。在該情況下，也可以如圖9所示的變形例那樣，在構(gòu)成兩個晶片載臺WST1、WST2中的每一個的晶片載臺主體91的上部搭載具有一對突出部的晶片臺WTB，所述一對晶片臺從上述晶片載臺主體91的Y軸方向上的兩個側(cè)面突出Lm/2或者更多。在該情況下，也可以遍及晶片載臺主體91的整個底面來配置磁鐵單元。并且，在該情況下，既可以僅在一個晶片臺WTB上設(shè)置Y軸方向上的尺寸大于等于Lm的一對突出部，也可以僅在兩個晶片臺WTB的Y軸方向上的一側(cè)設(shè)置Y軸方向上的尺寸大于等于Lm的突出部?？偠灾?，只要在兩個晶片臺WTB在Y軸方向上接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)下，兩個晶片載臺WST所具有的晶片載臺主體91相互之間的Y軸方向上的間隔大于等于Lm即可。不言而喻，也可以代替設(shè)置突出部，而使晶片載臺主體91和晶片臺WTB在俯視觀察時為相同的形狀，并使兩個晶片載臺主體91的底面上的磁鐵單元的布局如下:在兩個晶片載臺WST在Y軸方向上接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)下，磁鐵單元相互之間的Y軸方向上的距離大于等于Lm。對于上述實施方式的晶片載臺WST和測量用載臺MST的組合也是一樣的。
[0088]另外，在上述實施方式中說明了在測量用載臺MST上設(shè)置能夠同時執(zhí)行標(biāo)線片對準(zhǔn)和對準(zhǔn)系統(tǒng)的基線測量的大型的基準(zhǔn)標(biāo)記板FM的情況，但是不限于此，在標(biāo)線片對準(zhǔn)時和基線測量時，也可以在晶片載臺WST上設(shè)置需要相對于基準(zhǔn)標(biāo)記板的投影光學(xué)系統(tǒng)和對準(zhǔn)系統(tǒng)進(jìn)行移動的小型的基準(zhǔn)標(biāo)記板。
[0089]另外，還已知有以下的平面馬達(dá)裝置:代替正方形線圈，而是例如如美國專利第6，445，093號說明書等公開的那樣二維地配置長方形線圈或六邊形線圈，將各個線圈設(shè)定為X驅(qū)動用線圈、Y驅(qū)動用線圈，并且與此相對應(yīng)，磁鐵單元也使用X驅(qū)動用磁鐵、Y驅(qū)動用磁鐵。具有該平面馬達(dá)裝置的載臺裝置和曝光裝置也可以適用上述實施方式。在該情況下，也可以不針對所有的磁鐵，根據(jù)線圈單元60的線圈的大小和配置來確定磁鐵單元51A、51B各自的周邊部的多個磁鐵(特別是Y驅(qū)動用磁鐵)在晶片載臺WST或測量用載臺MST上的配置，使得在晶片載臺WST (第一移動體)和測量用載臺MST (第二移動體)位于載臺底座21上的預(yù)定范圍內(nèi)并在Y軸方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的狀態(tài)，并且在X軸方向上至少處于預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，構(gòu)成磁鐵單元51A的Y驅(qū)動用磁鐵和構(gòu)成磁鐵單元51B的Y驅(qū)動用磁鐵不同時與構(gòu)成線圈單元60的同一個Y軸方向驅(qū)動用線圈相對。
[0090]另外，在上述實施方式中說明了載臺裝置150具有磁懸浮型平面馬達(dá)的情況，但是不限于此，載臺裝置(移動體裝置)也可以具有氣懸浮型平面馬達(dá)。在該情況下，在成為晶片載臺WST和測量用載臺MST移動時的引導(dǎo)面的載臺底座21的上表面上非接觸地支承晶片載臺WST和測量用載臺MST的空氣軸承等氣體靜壓軸承設(shè)置在晶片載臺WST和測量用載臺MST各自的底面上。
[0091]另外，在上述實施方式中說明了晶片載臺WST和測量用載臺MST均為能夠在6個自由度方向上驅(qū)動的單一載臺的情況，但是不限于此，也可以是包括所謂的粗動載臺和微動載臺的粗動載臺。在該情況下，設(shè)置在粗動載臺上的磁鐵單元的磁鐵的配置滿足上述條件即可。
[0092]另外，在上述實施方式中，液體供應(yīng)嘴和液體回收嘴各設(shè)置有1個，但是不限于此，例如也可以如國際公開第99/49504號公開的那樣采用具有多個嘴的結(jié)構(gòu)。另外，液浸裝置132也可以采用歐洲專利申請公開第1，598，855號公報等公開的結(jié)構(gòu)?？偠灾灰軌蛳驑?gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最下端的光學(xué)部件(頂端透鏡)191和晶片W之間供應(yīng)液體，液浸裝置132的結(jié)構(gòu)就可以是任意的。另外，不限于液浸曝光裝置，也可以對不使用液體的干式曝光型的通常的曝光裝置適用上述實施方式和變形例。
[0093]另外，在上述實施方式中說明了曝光裝置為步進(jìn)掃描式等的掃描型曝光裝置的情況，但是不限于此，也可以是步進(jìn)重復(fù)式的投影曝光裝置、步進(jìn)拼接式(step-and-stitch)的曝光裝置、或者接近式曝光裝置等。
[0094]另外，在上述實施方式中說明了使用干涉儀系統(tǒng)來測量晶片載臺WST和測量用載臺MST的位置的情況，但是也可以代替干涉儀系統(tǒng)而使用編碼器系統(tǒng)，或者也可以與干涉儀系統(tǒng)同時使用編碼器系統(tǒng)。作為該情況下的編碼器系統(tǒng)，既可以采用例如如美國專利申請公開第2008/0088843號說明書等公開的那樣在晶片臺或測量臺上設(shè)置刻度(scale)、并與其相對地在晶片臺WTB、測量臺MTB的外部配置編碼器頭(encoder head)部的編碼器系統(tǒng)，或者也可以采用例如如美國專利申請公開第2006/0227309號說明書等公開的那樣在晶片臺WTB、測量臺MTB上設(shè)置多個編碼器頭部，并與其相對地在晶片臺WTB、測量臺MTB的外部配置網(wǎng)格部(例如二維網(wǎng)格或二維地配置的一維的網(wǎng)格部)的結(jié)構(gòu)的編碼器系統(tǒng)。
[0095]另外，上述實施方式的曝光裝置中的投影光學(xué)系統(tǒng)不僅可以是縮小系統(tǒng)，也可以是等倍及放大系統(tǒng)的任一種，投影光學(xué)系統(tǒng)PL不僅可以是折射系統(tǒng)，也可以是反射系統(tǒng)及反射折射系統(tǒng)的任一種，其投影像可以是倒立像或正立像。
[0096]另外，上述實施方式的曝光裝置的光源不限于發(fā)出ArF準(zhǔn)分子激光的設(shè)備，也可以使用發(fā)出KrF準(zhǔn)分子激光(輸出波長為248nm)、F2激光(輸出波長為157nm)、Ar2激光(輸出波長為126nm)、Kr2激光(輸出波長為146nm)等的脈沖激光光源，以及發(fā)出g線(波長為436nm)、i線(波長為365nm)等輝線的超高壓水銀燈等。另外，也可以使用YAG激光的高次諧波產(chǎn)生裝置等。另外，也可以使用例如通過摻雜了鉺(或鉺和鐿這兩者)的光纖放大器將從DFB半導(dǎo)體激光或光纖激光振蕩的紅外區(qū)域或可視區(qū)域的單一波長的激光放大并使用非線性光學(xué)晶體將波長轉(zhuǎn)換為紫外線的高次諧波。另外，投影光學(xué)系統(tǒng)不僅可以是縮小系統(tǒng)，也可以是等倍或放大系統(tǒng)。
[0097]另外，在上述實施方式中，使用在光透過性的基板上形成了預(yù)定的遮光圖案(或相位圖案、減光圖案)的光透過型光罩，但是代替該光罩，也可以例如如美國專利第6，778，257號說明書公開的那樣使用基于應(yīng)曝光圖案的電子數(shù)據(jù)形成透過圖案、反射圖案或發(fā)光圖案的電子光罩。
[0098]另外，也可以對如國際公開第2001/035168號等公開的那樣通過在晶片W上形成干涉條紋而在晶片W上形成線與間隙(line and space)圖案的曝光裝置(光刻系統(tǒng))適用上述實施方式。
[0099]另外，也可以對例如如美國專利第6，611，316號說明書公開的那樣經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)在晶片上合成兩個標(biāo)線片圖案并通過一次的掃描曝光基本上同時地對晶片上的一個曝光區(qū)域進(jìn)行雙重曝光的曝光裝置適用上述實施方式。
[0100]另外，在上述實施方式中應(yīng)形成圖案的物體(被照射能量束的曝光對象的物體)不限于晶片，也可以是玻璃板(glass plate)、陶瓷基板、膜部件或空白光罩(mask blanks)等其他的物體。
[0101]作為曝光裝置的用途，不限于半導(dǎo)體制造用的曝光裝置，例如也可以廣泛地適用于向方形的玻璃板轉(zhuǎn)印液晶顯示元件圖案的液晶用的曝光裝置，用于制造有機EL、薄膜磁頭、攝像元件(<XD等)、微機械(Micro machine)、以及DNA芯片等的曝光裝置。另外，不僅是半導(dǎo)體元件等微器件，為了制造光曝光裝置、EUV曝光裝置、X線曝光裝置、以及電子線曝光裝置等所使用的標(biāo)線片或光罩而向玻璃基板或硅晶片等轉(zhuǎn)印電路圖案的曝光裝置也可以適用上述實施方式。
[0102]另外，經(jīng)過以下步驟來制造半導(dǎo)體器件:設(shè)計器件的功能、性能的步驟；制造基于上述設(shè)計步驟設(shè)計出的標(biāo)線片的步驟；通過硅材料來制造晶片的步驟；通過上述實施方式的曝光裝置將形成在標(biāo)線片上的圖案通過上述液浸曝光轉(zhuǎn)印到晶片等物體上的光刻步驟；器件組裝步驟(包括切割工序、接合(bonding)工序、封裝工序)；檢查步驟等。在該情況下，在光刻步驟中，由于使用上述實施方式的曝光裝置執(zhí)行上述液浸曝光方法在物體上形成器件圖案，因此能夠以高的成品率來制造高集成度的器件。
[0103]另外，援引在此前的說明中引用的與曝光裝置等相關(guān)的所有公報、國際公開、美國專利申請公開說明書、以及美國專利說明書的公開內(nèi)容來作為本說明書的記載的一部分。
[0104]產(chǎn)業(yè)上的可利用性
[0105]如上所述，本發(fā)明的移動體裝置適于在預(yù)定面內(nèi)驅(qū)動兩個移動體。另外，本發(fā)明的曝光裝置和器件制造方法適用制造微器件。
【權(quán)利要求】
1.一種移動體裝置，包括: 第一移動體，其能夠在載臺底座上沿二維平面移動； 第二移動體，其能夠在所述載臺底座上與所述第一移動體獨立地沿二維平面移動；以及 平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動體上的多個磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動體上的多個磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺底座上的多個線圈，通過由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第一移動體，通過由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第二移動體， 根據(jù)所述線圈單元的線圈的大小和配置來確定所述第一磁鐵單元和第二磁鐵單元各自的周邊部的多個磁鐵在所述第一移動體或第二移動體上的配置，使得在所述第一移動體和所述第二移動體位于所述載臺底座上的預(yù)定范圍內(nèi)并在與所述二維平面相平行的第一方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下、并且在所述第一移動體和所述第二移動體在所述二維平面內(nèi)在與所述第一方向相垂直的第二方向上至少具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，構(gòu)成所述第一磁鐵單元的磁鐵和構(gòu)成所述第二磁鐵單元的磁鐵不同時與構(gòu)成所述線圈單元的同一個第一方向驅(qū)動用線圈相對。
2.一種移動體裝置，包括: 第一移動體，其能夠在載臺底座上沿二維平面移動； 第二移動體，其能夠在所述載臺底座上與所述第一移動體獨立地沿二維平面移動；以及 平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動體上的多個磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動體上的多個磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺底座上的多個線圈，通過由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第一移動體，通過由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第二移動體， 根據(jù)所述線圈單元的線圈的大小和配置來確定所述第一磁鐵單元和第二磁鐵單元各自的周邊部的多個磁鐵在所述第一移動體或第二移動體上的配置，使得在所述第一移動體和所述第二移動體位于所述載臺底座上的預(yù)定范圍內(nèi)并在與所述二維平面相平行的第一方向上相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下、并且在所述第一移動體和所述第二移動體在所述二維平面內(nèi)在與所述第一方向相垂直的第二方向上至少具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，在構(gòu)成所述線圈單元的預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的磁場和構(gòu)成所述第一磁鐵單元的磁鐵之間產(chǎn)生電磁相互作用，在所述預(yù)定的線圈所產(chǎn)生的所述磁場和構(gòu)成所述第二磁鐵單元的磁鐵之間不產(chǎn)生電磁相互作用。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的移動體裝置，其中， 根據(jù)所述線圈單元的線圈的大小和配置來確定所述第一磁鐵單元和第二磁鐵單元各自的周邊部的多個磁鐵在所述第一移動體或第二移動體上的配置，使得當(dāng)所述第一移動體和所述第二移動體處于所述第一狀態(tài)時，無論兩者在所述第二方向上的位置關(guān)系如何，構(gòu)成所述第一磁鐵單元的磁鐵和構(gòu)成所述第二磁鐵單元的磁鐵不同時與構(gòu)成所述線圈單元的同一個第一方向驅(qū)動用線圈相對。
4.一種移動體裝置，包括: 第一移動體，其能夠在載臺底座上沿二維平面移動； 第二移動體，其能夠在所述載臺底座上與所述第一移動體獨立地沿二維平面移動；以及 平面馬達(dá)，其具有第一磁鐵單元、第二磁鐵單元、以及線圈單元，所述第一磁鐵單元包括設(shè)置在所述第一移動體上的多個磁鐵，所述第二磁鐵單元包括設(shè)置在所述第二移動體上的多個磁鐵，所述線圈單元包括二維排列在所述載臺底座上的多個線圈，通過由于所述第一磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第一移動體，通過由于所述第二磁鐵單元和所述線圈單元之間的電磁相互作用而產(chǎn)生的驅(qū)動力來驅(qū)動所述第二移動體； 在與所述二維平面相平行的第一方向上，從所述第一移動體的一側(cè)的端部到所述第一磁鐵單元的所述一側(cè)的端部的距離與從所述第二移動體的另一側(cè)的端部到所述第二磁鐵單元的所述另一側(cè)的端部的距離的合計包含所述第一方向上的至少一個所述線圈的長度。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的移動體裝置，其中， 在所述第一移動體和所述第二移動體位于所述載臺底座上的預(yù)定范圍內(nèi)、并且在所述第一方向上所述第一移動體的所述一側(cè)的端部和所述第二移動體的所述另一側(cè)的端部相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下，并且在所述第一移動體和所述第二移動體在所述二維平面內(nèi)在與所述第一方向相垂直的第二方向上至少具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，當(dāng)在所述第一軸方向上將從所述第一移動體的所述一側(cè)的端部到所述第一磁鐵單元的所述一側(cè)的端部的距離設(shè)為D1、將從所述第二移動體的所述另一側(cè)的端部到所述第二磁鐵單元的所述另一側(cè)的端部的距離設(shè)為D2，并且將所述第一方向上的一個所述線圈的長度設(shè)為Lc時，成立(D1+D2)彡Lc的關(guān)系。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的移動體裝置，其中， 在所述第一移動體和所述第二移動體位于所述載臺底座上的預(yù)定范圍內(nèi)、并且在所述第一方向上所述第一移動體的所述一側(cè)的端部和所述第二移動體的所述另一側(cè)的端部相互接近至預(yù)定距離以內(nèi)或者接觸的第一狀態(tài)下，并且在所述第一移動體和所述第二移動體在所述二維平面內(nèi)在與所述第一方向相垂直的第二方向上至少具有預(yù)定的位置關(guān)系的狀態(tài)下，當(dāng)將所述第一方向上的所述第一磁鐵單元和所述第二磁鐵單元之間的間隔設(shè)為Lm，并將所述第一方向上的一個所述線圈的長度設(shè)為Lc時，成立Lm ^ Lc的關(guān)系。
7.—種曝光裝置，經(jīng)由光學(xué)系統(tǒng)和液體利用能量束對物體進(jìn)行曝光，其包括: 在所述第一移動體和第二移動體的至少一者上載置所述物體的、權(quán)利要求1至6中的任一項所述的移動體裝置；以及 向所述光學(xué)系統(tǒng)的正下方供應(yīng)液體并在所述光學(xué)系統(tǒng)與所述第一移動體及第二移動體中的至少一者之間形成液浸區(qū)域的液浸裝置， 當(dāng)所述第一移動體和第二移動體處于所述第一狀態(tài)時，在兩者之間進(jìn)行所述液浸區(qū)域的轉(zhuǎn)移。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其中， 所述第一移動體是載置所述物體的物體載臺， 所述第二移動體是設(shè)置有測量部件的測量用載臺。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的曝光裝置，其中， 在所述物體載臺上，在與所述載臺底座相對側(cè)的面的幾乎整面上配置有所述第一磁鐵單元， 在所述測量用載臺上，在與所述載臺底座相對側(cè)的面的、除了所述第一方向上的一個端部、且是能夠接近所述物體載臺側(cè)的端部以外的區(qū)域配置有所述第二磁鐵單元。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的曝光裝置，其中， 所述第一移動體和第二移動體均是載置所述物體的物體載臺。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的曝光裝置，其中， 在所述第一移動體和第二移動體上，在各自的上端部的所述第一方向上的至少一側(cè)設(shè)置有向外部突出的突出部， 根據(jù)所述第一方向驅(qū)動用線圈的第一方向上的尺寸來確定所述突出部在第一方向上的關(guān)出尺寸。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至11中的任一項所述的曝光裝置，其中， 對經(jīng)過了所述光學(xué)系統(tǒng)的所述能量束，在所述第一方向上掃描載置于所述第一移動體或第二移動體上的所述物體，由此對所述物體進(jìn)行曝光。
13.一種器件制造方法，包括: 通過權(quán)利要求7至12中的任一項所述的曝光裝置對感應(yīng)物體進(jìn)行曝光；以及 對被曝光了的所述物體進(jìn)行顯像。
【文檔編號】H01L21/027GK104364881SQ201380031270
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月13日
【發(fā)明者】森本樹 申請人:株式會社尼康