硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器及其制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器及其制造方法，探測(cè)器包括p型摻雜硅單晶襯底，金字塔減反射結(jié)構(gòu)分別形成于p型摻雜硅單晶襯底的上、下表面，硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜形成于p型摻雜硅單晶襯底的上表面的金字塔減反射結(jié)構(gòu)的表面；硅氧化物介質(zhì)鈍化層形成于硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜的表面；正面接觸柵電極形成在硅氧化物介質(zhì)鈍化層的表面；背面接觸電極形成在p型摻雜硅單晶襯底的下表面的金字塔減反射結(jié)構(gòu)的表面。本發(fā)明在硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜的制備過(guò)程加入了表面減反射結(jié)構(gòu)，這可以增強(qiáng)它的紅外吸收。
【專(zhuān)利說(shuō)明】硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于新型硅基紅外探測(cè)器領(lǐng)域，具體涉及一種硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]普通的晶體硅光電探測(cè)器早已商業(yè)化了，它的響應(yīng)波長(zhǎng)范圍從200nm到llOOnm，峰值響應(yīng)波長(zhǎng)大約在800nm左右。它不能探測(cè)到更長(zhǎng)波長(zhǎng)的光，比如1310nm和1550nm這2個(gè)重要的光纖通訊波長(zhǎng)，是因?yàn)槭覝叵戮w硅的帶隙為1.12eV，對(duì)應(yīng)的光子波長(zhǎng)為IIOOnm,更長(zhǎng)波長(zhǎng)(或更低能量)的光子不能激發(fā)晶體娃價(jià)帶的電子躍遷到導(dǎo)帶，也就不能產(chǎn)生光電流，因此也就沒(méi)有光響應(yīng)了。因此，若想拓展晶體硅光電探測(cè)器的響應(yīng)波長(zhǎng)，首先要對(duì)晶體硅材料進(jìn)行改性，使它可以吸收更長(zhǎng)波長(zhǎng)的紅外光。
[0003]1998年哈佛大學(xué)的Eric Mazur教授領(lǐng)導(dǎo)的研究小組發(fā)現(xiàn)在六氟化硫氣氛中，用飛秒激光掃描娃表面，可以獲得一種后來(lái)稱(chēng)之為黑娃的新型娃材料(Appl.Phys.Lett.73,1673 (1998))。這種黑硅材料可以全部吸收波長(zhǎng)從250nm到2500nm范圍內(nèi)的光，并且吸收率都在90%以上(Appl.Phys.Lett.78,1850(2001))。后來(lái)的研究表明，黑硅表面布滿(mǎn)了微米級(jí)的尖錐結(jié)構(gòu)，減少反射率的效果非常好；另外，黑硅內(nèi)部硫的摻雜濃度達(dá)到了 1020cm_3，對(duì)應(yīng)的原子百分比大約為1%，這比硫在硅中的飽和溶解度高5個(gè)數(shù)量級(jí)，這些硫原子在硅中以各種形態(tài)存在，它們形成的雜質(zhì)帶填滿(mǎn)了硅的禁帶。這兩方面的原因共同造就了黑硅材料寬光譜、強(qiáng)吸收的優(yōu)異光吸收特性。Mazur教授領(lǐng)導(dǎo)的研究小組將黑硅做成了探測(cè)器，他們發(fā)現(xiàn)這種新型探測(cè)器在400nm到1700nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)都有響應(yīng)，最高響應(yīng)在1060nm波長(zhǎng)，達(dá)到了 100A/W，是商用硅探測(cè)器的100倍；它在通訊波長(zhǎng)1330nm和1550nm處的響應(yīng)分別為50mA/W和35mA/W，比商用的硅探測(cè)器高5個(gè)數(shù)量級(jí)，但比商用的鍺和銦鎵砷探測(cè)器小I個(gè)數(shù)量級(jí)(Opt.Lett.30，1773(2005))。黑硅在紅外波段的強(qiáng)吸收與低響應(yīng)之間的巨大反差是由于皮秒激光在刻蝕晶硅表面的時(shí)候形成了大量的晶格缺陷，硫原子在晶硅內(nèi)部也形成大量的缺陷，這些表面和內(nèi)部的晶格缺陷是光生載流子的有效復(fù)合中心，導(dǎo)致光生載流子的壽命短，遷移率低，俄歇復(fù)合嚴(yán)重等，這些原因共同造成了黑硅在紅外波段的低響應(yīng)度。
[0004]2006年哈佛大學(xué)另一位教授Michel Aziz領(lǐng)導(dǎo)的研究小組用離子注入加納秒激光退火的方法，也制備出了硫超飽和摻雜的硅材料。這種硅材料表面平整，內(nèi)部結(jié)晶性也很好，它在可見(jiàn)波長(zhǎng)的吸收為70%，在紅外波長(zhǎng)的吸收為30%左右(Appl.Phys.Lett.88，241902(2006))。表面平整可以保證襯底與金屬電極之間能夠形成良好的接觸；晶格缺陷少可以使光生載流子的壽命變長(zhǎng)，對(duì)電極收集光生載流子有利。用它制成的探測(cè)器不加反向電壓時(shí)，在可見(jiàn)光波段的量子效率比商用硅探測(cè)器小I倍，在紅外光波段的最長(zhǎng)探測(cè)波長(zhǎng)沒(méi)有拓展；當(dāng)在這種探測(cè)器上加12V反向偏壓時(shí)，在可見(jiàn)光波段量子效率提高了 I個(gè)數(shù)量級(jí)以上，在紅外光波段的響應(yīng)波長(zhǎng)拓展到了 1250nm(Appl.Phys.Lett.99，073503 (2011))。這些探測(cè)器的性能并不盡如人意，比如不加電壓時(shí)它的性能還不如商用的硅探測(cè)器，加了 12V的反向電壓后它的紅外探測(cè)波長(zhǎng)也只是延伸到了 1250nm，這個(gè)響應(yīng)波長(zhǎng)遠(yuǎn)小于材料出現(xiàn)強(qiáng)吸收的波長(zhǎng)(2500nm以上)。出現(xiàn)上述問(wèn)題的原因，一方面是材料內(nèi)部仍舊遺留有透射電鏡(TEM)難以探測(cè)到的點(diǎn)缺陷(J.Vac.Sc1.Technol.B25，1847(2007))，這會(huì)減少光生載流子的壽命和遷移率；另一方面是材料的紅外吸收太低(30% )，這會(huì)導(dǎo)致光生載流子的產(chǎn)額小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005](一 )要解決的技術(shù)問(wèn)題
[0006]本發(fā)明所要解決的問(wèn)題是提高硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器的響應(yīng)度，延長(zhǎng)這種硅紅外探測(cè)器的紅外響應(yīng)波長(zhǎng)。
[0007]( 二 )技術(shù)方案
[0008]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明一方面提出了一種硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器，其包括P型摻雜硅單晶襯底、金字塔減反射結(jié)構(gòu)、硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜、硅氧化物介質(zhì)鈍化層、正面接觸柵電極和背面接觸電極，其中，所述金字塔減反射結(jié)構(gòu)分別形成于所述P型摻雜硅單晶襯底的上、下表面，金字塔減反射結(jié)構(gòu)是指硅(100)取向單晶襯底在例如異丙醇和氫氧化鈉組成的刻蝕液中，由于對(duì)硅各晶向的刻蝕速率不同而在襯底表面形成了金字塔形的結(jié)構(gòu)；所述硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜形成于所述P型摻雜硅單晶襯底的上表面的金字塔減反射結(jié)構(gòu)的表面；所述硅氧化物介質(zhì)鈍化層形成于硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜的表面；所述正面接觸柵電極形成在所述硅氧化物介質(zhì)鈍化層的表面；所述背面接觸電極形成在所述P型摻雜硅單晶襯底的下表面的金字塔減反射結(jié)構(gòu)的表面。
[0009]本發(fā)明另一方面提出一種制造硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器的方法，包括如下步驟:
[0010]步驟S1:在P型摻雜硅單晶襯底的上下表面進(jìn)行制絨，以在該上下表面形成金字塔減反射結(jié)構(gòu)；
[0011]步驟S2、在制絨后的P型摻雜硅單晶襯底的下表面蒸鍍一層背面接觸電極材料膜，然后在高溫下對(duì)背面接觸電極材料膜進(jìn)行熱退火，形成背面接觸電極；
[0012]步驟S3:在制絨后的p型摻雜硅單晶襯底的上表面生長(zhǎng)硫族元素超飽和摻雜的硅非晶薄膜，并對(duì)該非晶薄膜進(jìn)行退火，得到硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜；
[0013]步驟S4、在硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜表面制作硅氧化物介質(zhì)鈍化層，并在該鈍化層上制作正面接觸柵電極。
[0014](三)有益效果
[0015]1、本發(fā)明提出的這種硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器及其制作方法，是利用超高真空分子束外延技術(shù)可以精確控制薄膜的組分和厚度這一獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，制備出高吸收系數(shù)和超薄的硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜作為紅外光的吸收層。超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜越薄，光生少數(shù)載流子在它內(nèi)部淬滅的幾率越小，而高的紅外吸收系數(shù)又可以保證紅外光被大部分吸收。另外，本發(fā)明在硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜的制備過(guò)程，加入了表面減反射結(jié)構(gòu)，這可以增強(qiáng)它的紅外吸收。
[0016]2、本發(fā)明選用較薄的硅單晶襯底，有利于光生載流子盡快被背面電極收集，避免它們重新擴(kuò)散到超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜內(nèi)被淬滅。另外，在P型摻雜硅單晶襯底背面形成的招背場(chǎng)，與襯底之間構(gòu)建起一個(gè)p/p+的內(nèi)建電場(chǎng)，這也有利于光生載流子的快速遷移和收集。
[0017]3、本發(fā)明提出的這種硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器及其制作方法，工藝過(guò)程可以與標(biāo)準(zhǔn)硅工藝集成，這可以大大降低生產(chǎn)成本。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1為本發(fā)明的硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器的示意圖；
[0019]圖2為本發(fā)明的制造硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0020]本發(fā)明提出了一種硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器及其制作方法，通過(guò)加入表面化學(xué)制絨這一步驟，來(lái)提高硫族元素超飽和摻雜硅在紅外波段的光吸收。
[0021]由于光生載流子在硫族元素超飽和摻雜硅內(nèi)遷移率低、壽命短，并考慮到硫族元素超飽和摻雜硅薄膜在紅外波段的高吸收系數(shù)(KMcnT1)，真空沉積較薄的硫族元素超飽和摻雜硅薄膜一方面可以保證對(duì)紅外光的吸收，另一方面可以減少光生載流子的淬滅；背面接觸鋁電極與P型摻雜硅單晶襯底之間形成的p/p+梯度電場(chǎng)，以及選用較薄的硅單晶襯底，都有利于光生載流子在探測(cè)器背面的收集。
[0022]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。
[0023]圖1為本發(fā)明的硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器的示意圖。請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明提供一種硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器，該探測(cè)器包括P型摻雜硅單晶襯底1、金字塔減反射結(jié)構(gòu)2、硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜4、硅氧化物介質(zhì)鈍化層5、正面接觸柵電極6和背面接觸電極3。
[0024]所述P型摻雜硅單晶襯底I的厚度為20至200 μ m,電阻率為I至1000 Ω.cm。
[0025]所述金字塔減反射結(jié)構(gòu)2分別形成于該P(yáng)型摻雜硅單晶襯底I的上、下表面。金字塔減反射結(jié)構(gòu)是指硅(100)取向單晶襯底在例如異丙醇和氫氧化鈉組成的刻蝕液中，由于對(duì)硅各晶向的刻蝕速率不同而在襯底表面形成了金字塔形的結(jié)構(gòu)。
[0026]所述硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜4形成于P型摻雜硅單晶襯底I的上表面的金字塔減反射結(jié)構(gòu)2的表面，作為紅外探測(cè)器的光吸收層。該硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜是指硫族元素以遠(yuǎn)高于它在硅中的飽和溶解度的濃度摻入硅中，并且在硅襯底的表面層以晶態(tài)薄膜的形式存在，其厚度通常為300nm左右。
[0027]所述硅氧化物介質(zhì)鈍化層5形成于硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜4的表面，用于鈍化器件的表面，減少載流子在表面的復(fù)合，其厚度為150nm左右；
[0028]所述正面接觸柵電極6形成在硅氧化物介質(zhì)鈍化層5的表面，用于收集光生電子，可由貴金屬材料構(gòu)成，比如Ti/Pd/Ag等；
[0029]所述背面接觸電極3形成在P型摻雜硅單晶襯底的下表面的金字塔減反射結(jié)構(gòu)的表面，用于收集光生空穴，通常采用鋁材料；
[0030]本發(fā)明還提出制造上述硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器的方法，圖2為本發(fā)明的制造硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器的方法的流程圖，舅圖2所示，本發(fā)明的方法包括如下步驟:
[0031]步驟S1:在p型摻雜硅單晶襯底I的上下表面進(jìn)行化學(xué)制絨，以在該上下表面形成金字塔減反射結(jié)構(gòu)2。
[0032]該步驟首先選擇一個(gè)p型摻雜硅單晶襯底，然后，一般需要將p型摻雜硅單晶襯底表面清洗干凈，然后再對(duì)它的上下表面進(jìn)行化學(xué)制絨。所謂化學(xué)制絨是指采用化學(xué)刻蝕溶液腐蝕娃襯底表面，在襯底表面形成一些可以對(duì)入射光減反射的微結(jié)構(gòu)，比如金字塔結(jié)構(gòu)等?？梢圆捎卯惐己蜌溲趸c的混合水溶液來(lái)對(duì)P型摻雜硅單晶襯底進(jìn)行化學(xué)制絨。
[0033]步驟S2、在制絨后的p型摻雜硅單晶襯底I的下表面蒸鍍一層背面接觸電極材料(如鋁)膜，然后在高溫下對(duì)背面接觸電極材料膜進(jìn)行熱退火，形成背面接觸電極3。
[0034]步驟S3:在制絨后的p型摻雜硅單晶襯底I的上表面生長(zhǎng)硫族元素超飽和摻雜的硅非晶薄膜4，并對(duì)該非晶薄膜進(jìn)行退火，得到硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜4。
[0035]可以在較低的生長(zhǎng)溫度下，例如室溫，通過(guò)真空共沉積硫族元素原子和硅原子，并通過(guò)控制它們的沉積速率比，獲得硫族元素超飽和摻雜硅非晶薄膜4。
[0036]可以利用納秒激光對(duì)該非晶薄膜4進(jìn)行激光退火，使非晶薄膜晶化。
[0037]步驟S4、在硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜4表面制作硅氧化物介質(zhì)鈍化層5，并在鈍化層上制作正面接觸柵電極6。
[0038]可以通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)在硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜4表面制作硅氧化物介質(zhì)鈍化層5，然后光刻硅氧化物介質(zhì)鈍化層5，制作正面接觸柵電極6，完成器件制作。
[0039]下面通過(guò)實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明。
[0040]該實(shí)施例選擇一個(gè)p型摻雜硅單晶襯底1，它的晶面取向?yàn)?001)，雙面拋光，硼摻雜，電阻率為I~10 Q Cm,晶片厚度為200 i! m ;
[0041]然后，分別在三氯乙烯和異丙醇中旋轉(zhuǎn)清洗硅單晶襯底I三次，除去表面的有機(jī)污染物；再分別在濃H2SO4: H2O2 (體積比1:1)溶液和HF: C2H5OH (體積比1: 10)溶液中清洗硅單晶襯底1，除去襯底表面的金屬污染物和氧化層；再用去離子水將硅單晶襯底I表面沖洗干凈，使用刻蝕液(NaOH:異丙醇:水=2g: 4ml: 45ml)在80°C對(duì)硅單晶襯底I制絨40分鐘，使硅單晶襯底I上下表面布滿(mǎn)金字塔減反射結(jié)構(gòu)2 ；
[0042]接著，用去離子水將硅單晶襯底I沖洗干凈，高純氮?dú)獯蹈?，迅速傳入真空熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)內(nèi)，在室溫下，在娃單晶襯底I的下表面的金字塔減反射結(jié)構(gòu)2的表面蒸鍍一層鋁膜，厚度為eym;再取出硅單晶襯底1，放置在高溫管式爐內(nèi)，在高純氮?dú)獾谋Ｗo(hù)下，在850°C高溫退火鋁膜3分鐘，形成了背面接觸電極3。
[0043]再接著，將娃單晶襯底I傳入超聞?wù)婵辗肿邮庋酉到y(tǒng)的生長(zhǎng)室內(nèi)；將娃源的蒸發(fā)速率調(diào)整為10埃每秒(A/s)，將硫源的蒸發(fā)速率調(diào)整為0.1埃每秒(A/s)，在室溫下，在硅單晶襯底I的上表面的金字塔減反射結(jié)構(gòu)2的表面，沉積一層厚度為IOOnm的硫超飽和摻雜硅非晶薄膜，這樣硫的摻雜濃度為5X 1020cm_3 ;選用KrF(248nm)納秒激光器對(duì)硫超飽和摻雜硅非晶薄膜進(jìn)行激光退火，脈沖寬度為20ns，光束形狀為3mmXlmm矩形，平均每點(diǎn)的脈沖數(shù)為4個(gè)，能量密度選用為0.5J/cm2，這樣就得到了硫超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜4。
[0044]最后，在硫超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜4的表面，使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)(PECVD)蒸鍍一層硅氧化物鈍化層5，厚度為IOOnm ;再對(duì)硅氧化物鈍化層5進(jìn)行光刻，蒸鍍正面接觸柵電極6 (Ti/Pd/Ag)，完成器件制作。
[0045]以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器，其特征在于，包括P型摻雜硅單晶襯底、金字塔減反射結(jié)構(gòu)、硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜、硅氧化物介質(zhì)鈍化層、正面接觸柵電極和背面接觸電極，其中， 所述金字塔減反射結(jié)構(gòu)分別形成于所述P型摻雜硅單晶襯底的上、下表面，金字塔減反射結(jié)構(gòu)是指硅(100)取向單晶襯底在刻蝕液中，由于對(duì)硅各晶向的刻蝕速率不同而在襯底表面形成的金字塔形的結(jié)構(gòu)； 所述硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜形成于所述P型摻雜硅單晶襯底的上表面的金字塔減反射結(jié)構(gòu)的表面； 所述硅氧化物介質(zhì)鈍化層形成于硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜的表面； 所述正面接觸柵電極形成在所述硅氧化物介質(zhì)鈍化層的表面； 所述背面接觸電極形成在所述P型摻雜硅單晶襯底的下表面的金字塔減反射結(jié)構(gòu)的表面。
2.如權(quán)利要求1所述的硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器，其特征在于，所述P型摻雜硅單晶襯底的厚度為20至200 u m,電阻率為I至1000 Q ? cm。
3.如權(quán)利要求1所述的硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器，其特征在于，所述硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜的厚度為300nm。
4.如權(quán)利要求1所述的硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器，其特征在于，所述正面接觸柵電極由貴金屬材料構(gòu)成。
5.如權(quán)利要求1所述的硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器，其特征在于，所述背面接觸柵電極由鋁材料構(gòu)成。
6.一種制造硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器的方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟S1:在p型摻雜硅單晶襯底的上下表面進(jìn)行制絨，以在該上下表面形成金字塔減反射結(jié)構(gòu)； 步驟S2、在制絨后的p型摻雜硅單晶襯底的下表面蒸鍍一層背面接觸電極材料膜，然后在高溫下對(duì)背面接觸電極材料膜進(jìn)行熱退火，形成背面接觸電極； 步驟S3:在制續(xù)后的p型慘雜娃單晶襯底的上表面生長(zhǎng)硫族兀素超飽和慘雜的娃非晶薄膜，并對(duì)該非晶薄膜進(jìn)行退火，得到硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜； 步驟S4、在硫族元素超飽和摻雜硅晶態(tài)薄膜表面制作硅氧化物介質(zhì)鈍化層，并在該鈍化層上制作正面接觸柵電極。
7.如權(quán)利要求6所述的硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器，其特征在于，所述p型摻雜硅單晶襯底的厚度為20至200 u m,電阻率為I至1000 Q ? cm。
8.如權(quán)利要求6所述的制作硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器的方法，其特征在于，所述硫族元素超飽和摻雜娃晶態(tài)薄膜的厚度為300nm。
9.如權(quán)利要求6所述的制作硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器的方法，其特征在于，所述正面接觸柵電極由貴金屬材料構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求6所述的制作硫族元素超飽和摻雜硅紅外探測(cè)器的方法，其特征在于，所述背面接觸柵電極由鋁材料構(gòu)成。
【文檔編號(hào)】H01L31/0352GK103762255SQ201410035355
【公開(kāi)日】2014年4月30日 申請(qǐng)日期:2014年1月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月24日
【發(fā)明者】王科范, 彭成曉, 劉孔, 谷城, 曲勝春, 王占國(guó) 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所