切削殘余部除去裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種切削殘余部除去裝置，其目的在于提高晶片的生產(chǎn)成品率。根據(jù)本發(fā)明，第一噴嘴(30)噴射流體而在切削殘余部(601)與晶片列(60)之間設(shè)置間隙，保持臂(710)使切削殘余部(601)旋轉(zhuǎn)，而擴(kuò)寬切削殘余部(601)與晶片列(60)之間的間隙且使切片基座(50)與切削殘余部(601)剝離，使切削殘余部(601)向與切削殘余部(601)分開的方向移動(dòng)，從而能將切削殘余部(601)從切片基座(50)除去。由此，在取出晶片(600)時(shí)，能抑制晶片(600)與切削殘余部(601)接觸而產(chǎn)生的晶片(600)的裂紋、缺口等的品質(zhì)異常，進(jìn)而能提高晶片的生產(chǎn)成品率。
【專利說明】切削殘余部除去裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及切削殘余部除去裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]太陽能電池、半導(dǎo)體的基板材料等所用的硅晶片等晶片通過對(duì)被稱作鑄錠的塊狀物進(jìn)行切片將其片狀化而獲得。圖7表示對(duì)鑄錠進(jìn)行切片而獲得的多張晶片(以下稱作晶片列60)。在獲得圖7所示那樣的晶片列60時(shí)，首先，利用粘接劑63將鑄錠固定于被稱作切片基座的保持體上，利用鋼絲鋸對(duì)固定于切片基座50上的鑄錠進(jìn)行切片而成為晶片。
[0003]圖8表示一般的晶片制造方法的流程。在晶片的制造中，經(jīng)由圖8(a)所示的粘接工序、圖8(b)所示的切片工序、圖8 (c)所示的清洗工序、然后是剝離工序，而獲得成為制品的晶片。
[0004]首先，在圖8(a)所示的粘接工序中，利用粘接劑63使鑄錠65粘接于切片基座50的粘接面55。
[0005]接著，在圖8(b)所不的切片工序中，利用具備一對(duì)王棍210和鋼絲220的鋼絲銀200等的切斷裝置將粘貼于切片基座50的鑄錠65切斷為薄片狀而獲得晶片列60。另外，作為切斷裝置的鋼絲鋸200例如是使用多個(gè)鋼絲220 —次獲得多張晶片的多鋼絲鋸或利用與鑄錠65之間的放電現(xiàn)象進(jìn)行熔融加工的線放電加工機(jī)等。此時(shí)，鑄錠65的兩端部成為相對(duì)于晶片具有足夠的厚度的切削殘余部601。
[0006]然后，在圖8(c)所示的清洗工序中，利用清洗槽300中的水對(duì)固定于切片基座50的晶片列60進(jìn)行清洗。使晶片列60與切片基座50及切削殘余部601 —起浸潰于水中，利用超聲波單元310對(duì)晶片列60照射超聲波或利用噴流噴嘴320對(duì)晶片列60施加水的噴流，從而對(duì)晶片列60進(jìn)行清洗。
[0007]然后，在剝離工序中，將晶片從切片基座50剝離。例如，在專利文獻(xiàn)I中公開了如下的晶片剝尚方法:如圖9 (a)所不，使將切削殘余部601和晶片列60粘接在一起的切片基座50浸潰于包含熱水或藥液的剝離液15中，從而使粘接劑63軟化而進(jìn)行剝離。根據(jù)該方法，通過粘接劑63軟化，從而切削殘余部601、晶片600與切片基座50的粘接力變?nèi)?，因此，能將切削殘余?01和晶片600從切片基座50剝離。被剝離的切削殘余部601和晶片600落下到托盤40中而被回收。
[0008]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)1:日本特開平9-326374號(hào)公報(bào)
[0011]但是，在上述以往的晶片剝離方法中，例如，如圖9 (b)所示，在從切片基座50剝離的切削殘余部601和晶片600落下到托盤40時(shí)，切削殘余部601和晶片600接觸(參照符號(hào)X)，可能會(huì)使晶片600產(chǎn)生裂紋(參照符號(hào)Y)或產(chǎn)生缺口。這是由于，切削殘余部601與晶片600相比相當(dāng)厚且強(qiáng)度也較高。即，在以往的晶片剝離方法中，存在切削殘余部601與晶片600接觸而產(chǎn)生晶片600的裂紋、缺口等的品質(zhì)異常、使晶片600的生產(chǎn)成品率降低這樣的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0012]因此，本發(fā)明是為了解決上述課題而做成的，其目的在于抑制晶片的裂紋、缺口的品質(zhì)異常的廣生、進(jìn)而提聞晶片的生廣成品率。
[0013]用于解決課題的手段
[0014]本發(fā)明的切削殘余部除去裝置從利用粘接劑粘接有晶片列和切削殘余部的切片基座除去所述切削殘余部，所述晶片列通過對(duì)鑄錠進(jìn)行切片而形成，所述切削殘余部配備于所述鑄錠的端部，所述切削殘余部除去裝置的特征在于，具備:槽，其儲(chǔ)存液體；保持構(gòu)件，其保持所述切片基座；保持臂，其保持所述切削殘余部且使所述切屑?xì)堄嗖恳苿?dòng)；第一噴嘴，其向所述晶片列中的位于與所述切削殘余部相鄰位置的晶片的、與所述切削殘余部對(duì)置的面噴射流體；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其保持所述切削殘余部，使所述切削殘余部以所述切削殘余部與所述切片基座的粘接部位為軸向從所述晶片列離開的方向旋轉(zhuǎn)；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述切削殘余部向從所述切片基座離開的方向移動(dòng)。
[0015]發(fā)明效果
[0016]根據(jù)本發(fā)明，第一噴嘴噴射流體而在切削殘余部與晶片列之間設(shè)置間隙，利用保持臂使切削殘余部移動(dòng)，從而能將切削殘余部從切片基座除去。由此，在取出晶片時(shí)，能抑制晶片與切削殘余部接觸而廣生的晶片的裂紋、缺口等的品質(zhì)異常，進(jìn)而能提聞晶片的生產(chǎn)成品率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1的(a)是本發(fā)明的實(shí)施方式I涉及的切削殘余部除去裝置的主視圖，(b)是從正下方觀察該切削殘余部除去裝置A-A面的剖視圖。
[0018]圖2表示該切削殘余部除去裝置的各工序，(a)是表示保持工序的圖，(b)是表示噴射工序的圖，(C)是表不旋轉(zhuǎn)工序的圖，(d)是表不移動(dòng)工序的圖。
[0019]圖3的(a)是本發(fā)明的實(shí)施方式2涉及的切削殘余部除去裝置的主視圖，(b)是從正下方觀察該切削殘余部除去裝置A-A面的剖視圖。
[0020]圖4表示該切削殘余部除去裝置的各工序，(a)是表示保持工序的圖，(b)是表示噴射工序的圖，(C)是表不旋轉(zhuǎn)工序的圖，(d)是表不移動(dòng)工序的圖。
[0021]圖5的(a)是本發(fā)明的實(shí)施方式3涉及的切削殘余部除去裝置的主視圖，(b)是從正下方觀察該切削殘余部除去裝置A-A面的剖視圖。
[0022]圖6表示該切削殘余部除去裝置的各工序，(a)是表示保持工序的圖，(b)是表示噴射工序的圖，(C)是表不旋轉(zhuǎn)工序的圖，(d)是表不移動(dòng)工序的圖。
[0023]圖7是表不粘接于切片基座的晶片列及切削殘余部的立體圖。
[0024]圖8表不一般的晶片制造方法的各工序，(a)是表不粘接工序的圖，(b)是表不切片工序的圖，(C)是表示清洗工序的圖。
[0025]圖9的(a)是表示以往的晶片剝離裝置的概要的圖，(b)是表示在該晶片剝離裝置中晶片產(chǎn)生了品質(zhì)異常的狀態(tài)的圖。
[0026]符號(hào)說明
[0027]10槽
[0028]20保持構(gòu)件
[0029]30第一噴嘴
[0030]50切片基座
[0031]60晶片列
[0032]63粘接劑
[0033]65鑄錠
[0034]70第二噴嘴
[0035]80蒸汽噴嘴
[0036]600晶片
[0037]601切削殘余部
[0038]602切削面
[0039]710保持臂
[0040]711吸附墊

【具體實(shí)施方式】
[0041 ] 以下，參照【專利附圖】

【附圖說明】本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0042](實(shí)施方式I)
[0043]晶片是通過對(duì)鑄錠進(jìn)行切片而形成的，在被切片而成的鑄錠的端部形成有切削殘余部。晶片及切削殘余部例如經(jīng)由圖8的(a)所示的粘接工序和圖8的(b)所示的切片工序而形成。
[0044]從鑄錠切片而成的晶片600及切削殘余部601各自的一個(gè)側(cè)面通過粘接劑63與切片基座50粘接在一起，晶片600分別平行地排列而形成晶片列60。另外，切削殘余部601形成于鑄錠65的端部，晶片列60被兩個(gè)切削殘余部601夾著。
[0045]本發(fā)明的特征在于在剝離晶片時(shí)預(yù)先除去切削殘余部。圖1表示本實(shí)施方式涉及的切削殘余部除去裝置。如圖1的(a) (b)所示，切削殘余部除去裝置701具備儲(chǔ)存水的槽10、保持切片基座50的保持構(gòu)件20、噴射水的第一噴嘴30和保持切削殘余部601的保持臂710。
[0046]切削殘余部601及晶片列60粘接于被保持構(gòu)件20保持的切片基座50，晶片列60的各晶片600各自的至少一部分浸潰于槽10的水中。通過將各晶片600浸潰于槽10的水中，能防止晶片600干燥而污垢固著，而且，槽10的水能緩沖晶片600彼此的沖撞，從而抑制對(duì)晶片600造成損傷。
[0047]第一噴嘴30向與切削殘余部601相鄰的晶片600的、與切削殘余部601對(duì)置的面噴射水，而使粘接于切片基座50的切削殘余部601與晶片列60之間產(chǎn)生間隙。
[0048]S卩，切削殘余部601由于相對(duì)于晶片600具有足夠的厚度，因此，與切片基座50粘接的粘接面積較大，由此，粘接部位的剛性較高，從而，不易以與切片基座50粘接的粘接部位為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。另一方面，晶片600的粘接面積較小，因此，粘接部位的剛性較低，從而，能利用噴流的水使晶片600以與切片基座50粘接的粘接部位為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
[0049]因此，通過對(duì)與切削殘余部601相鄰的晶片600的、與切削殘余部601對(duì)置的面施加水的噴流，該噴流進(jìn)入切削殘余部601與晶片列60之間而使與切削殘余部601相鄰的晶片600向與切削殘余部601分開的方向旋轉(zhuǎn)，從而能在切削殘余部601與晶片列60之間產(chǎn)生間隙。
[0050]保持臂710具有吸附墊711，吸附墊711對(duì)粘接于切片基座50的切削殘余部601的與切削面602相反的面進(jìn)行吸附保持。另外，保持臂710具有力點(diǎn)部712及支點(diǎn)軸750。力點(diǎn)部712及支點(diǎn)軸750作為保持臂710所配備的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)及移動(dòng)機(jī)構(gòu)發(fā)揮作用。支點(diǎn)軸750位于切片基座50與切削殘余部601的粘接部位的延長(zhǎng)線上，通過對(duì)力點(diǎn)部712施加晶片列60的排列方向上的力，從而保持臂710能使切削殘余部601以切片基座50與切削殘余部601的粘接部位為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。而且，保持臂710利用其移動(dòng)機(jī)構(gòu)的功能，能在利用吸附墊711吸附保持切削殘余部601的狀態(tài)下使切削殘余部601平行移動(dòng)。
[0051]接著，參照?qǐng)D2的(a)?圖2的(d)說明本實(shí)施方式涉及的切削殘余部除去方法。需要說明的是，在圖2的(a)?(d)中，僅圖示切削殘余部601的一方，但相反面也同樣。
[0052]首先，在圖2的(a)所示的保持工序中，在切片基座50被保持構(gòu)件20保持的狀態(tài)下，保持臂710的吸附墊711吸附切削殘余部601的與切削面602相反的面，從而保持臂710對(duì)切削殘余部601進(jìn)行保持。
[0053]接著，在圖2的(b)所示的噴射工序中，第一噴嘴30向箭頭31的方向噴射水，對(duì)與切削殘余部601相鄰的晶片600的、與切削殘余部601對(duì)置的面噴出水的噴流。在該噴流作用下，與切削殘余部601相鄰的晶片600以與切片基座50粘接的粘接部位為軸向從切削殘余部601離開的方向(箭頭610的方向)旋轉(zhuǎn)，在切削殘余部601與晶片列60之間產(chǎn)生間隙。以后，一直到圖2的(d)所示的移動(dòng)工序完畢，第一噴嘴30持續(xù)進(jìn)行水的噴流，從而維持切削殘余部601與晶片列60之間的間隙。
[0054]接著，在圖2的(C)所示的旋轉(zhuǎn)工序中，對(duì)保持臂710的力點(diǎn)部712沿箭頭740的方向施加力。于是，保持臂710以支點(diǎn)軸750為旋轉(zhuǎn)軸向箭頭760的方向旋轉(zhuǎn)。即，被保持臂710保持的切削殘余部601以切削殘余部601與切片基座50的粘接部位為軸向從晶片列60離開的方向(箭頭760的方向)旋轉(zhuǎn)。由此，能使切削殘余部601與晶片列60之間的間隙進(jìn)一步擴(kuò)寬，且能將切削殘余部601的至少一部分從切片基座50剝離。
[0055]接著，在圖2的(d)所示的移動(dòng)工序中，保持臂710維持使切削殘余部601旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)且使切削殘余部601向沿著切削殘余部601的切削面602且從切片基座50離開的方向(箭頭770的方向)平行移動(dòng)。由此，切削殘余部601從切片基座50完全地分離，從而能僅將切削殘余部601從切片基座50除去。
[0056]然后，使用片狀裝置(分離器)從切片基座50—片一片地取出晶片600，進(jìn)行清洗、干燥、檢查而成為制品。
[0057]根據(jù)實(shí)施方式1，在第一噴嘴30噴射水而在切削殘余部601與晶片列60之間設(shè)置間隙的期間，保持臂710使切削殘余部601旋轉(zhuǎn)，從而使切削殘余部601與晶片列60之間的間隙擴(kuò)寬且將切片基座50與切削殘余部601剝離，使切削殘余部601向沿著切削殘余部601的切削面602的方向移動(dòng)，從而能僅將切削殘余部601從切片基座50除去。由此，在取出晶片600時(shí)，能抑制晶片600與切削殘余部601接觸而引起的晶片600的裂紋、缺口等的品質(zhì)異常。
[0058]假設(shè)想要在晶片600與切削殘余部601相接近的狀態(tài)下使切削殘余部601移動(dòng)時(shí)，與切削殘余部601接近的晶片600追隨切削殘余部601的移動(dòng)而從切片基座50落下，
可能產(chǎn)生品質(zhì)異常。
[0059]但是，在本實(shí)施方式中，利用第一噴嘴30進(jìn)行的水的噴射和保持臂710的旋轉(zhuǎn)來在切削殘余部601與晶片列60之間充分地設(shè)置間隙，因此，在切削殘余部601移動(dòng)時(shí)，能防止晶片600追隨切削殘余部601的移動(dòng)而從切片基座50落下，能抑制品質(zhì)異常。
[0060]另外，在不使切削殘余部601旋轉(zhuǎn)而拉伸除去的情況下，與使其旋轉(zhuǎn)而剝離的情況相比較，需要更大的力。對(duì)粘接劑63施加這樣的大的力時(shí)，在拉伸粘接劑63時(shí)，晶片600與切片基座50的粘接部位也被剝離，晶片600從切片基座50落下，可能產(chǎn)生晶片600的品質(zhì)異常。
[0061]但是，在本實(shí)施方式中，由于使切削殘余部601以與切片基座50粘接的粘接部位為軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)而進(jìn)行剝離，因此，與拉伸切削殘余部601而將其從切片基座50除去的情況相比，能以較少的力可靠地除去切削殘余部601。因此，能維持晶片600與切片基座50的粘接，且能僅除去切削殘余部601，能抑制晶片600的品質(zhì)異常。
[0062]另外，在切削殘余部601旋轉(zhuǎn)后，只要是從切片基座50離開的方向，可以向任一方向移動(dòng)，但在使切削殘余部601移動(dòng)時(shí)，在使切削殘余部601移動(dòng)的方向上產(chǎn)生水流，在該水流較大的情況下，由于水流，晶片600可能從切片基座50落下，可能產(chǎn)生晶片600的品質(zhì)異常。
[0063]但是，在本實(shí)施方式中，由于使切削殘余部601向沿著切削面602的方向移動(dòng)，因此，能將使切削殘余部601移動(dòng)而產(chǎn)生的水流抑制為最小限度，從而能防止因這樣的水流而使晶片600從切片基座50落下，能抑制品質(zhì)異常的產(chǎn)生。
[0064]根據(jù)以上，通過防止晶片600從切片基座50落下且僅將切削殘余部601從切片基座50除去，能抑制晶片600與切削殘余部601接觸而產(chǎn)生的裂紋、缺口等的品質(zhì)異常，進(jìn)而能提聞晶片600的生廣成品率。
[0065]晶片600例如是作為太陽能電池、半導(dǎo)體的基板使用的硅晶片等。晶片600例如是厚度200 μ m左右、一邊的長(zhǎng)度為156_見方的切片狀。切削殘余部601為與晶片600相同的材料，一邊的長(zhǎng)度也相同，但厚度相對(duì)于晶片600而言足夠厚,例如為1.5?3.0_。
[0066]切片基座50是在為了對(duì)鑄錠65進(jìn)行切片而獲得晶片列60時(shí)用于固定鑄錠65的板狀的構(gòu)件。切片基座50的材料沒有特別限定，可以是碳材料等導(dǎo)電性材料，可以是玻璃等絕緣無機(jī)材料，也可以是環(huán)氧樹脂等有機(jī)材料。另外，在本實(shí)施方式中，作為將鑄錠65粘貼于切片基座50的粘接劑63，使用了環(huán)氧粘接劑，但不限定于此。
[0067]另外，為了使第一噴嘴30對(duì)與切削殘余部601相鄰的晶片600的、與切削殘余部601對(duì)置的面施加水的噴流，并使該噴流進(jìn)入切削殘余部601與晶片列60之間，優(yōu)選第一噴嘴30相對(duì)于晶片列60的排列方向傾斜地保持。圖1的(b)所示的第一噴嘴的傾斜角度720優(yōu)選為30°以上60°以下，例如為45°。另外，來自第一噴嘴30的水的噴出量為例如
1.4?1.6L/min為好，以避免由于來自第一噴嘴30的水的噴流而使晶片600彼此沖撞，而導(dǎo)致晶片600從切片基座50落下。
[0068]需要說明的是，在本實(shí)施方式中，說明了保持臂710的吸附墊711對(duì)切削殘余部601進(jìn)行吸附而使保持臂710保持切削殘余部601的情況，但不限于此，保持臂710也可以利用吸附以外的方法保持切削殘余部601。
[0069](實(shí)施方式2)
[0070]在實(shí)施方式I中，說明了具備槽10、保持構(gòu)件20、第一噴嘴30和保持臂710的切削殘余部除去裝置701，在實(shí)施方式2中，對(duì)于在實(shí)施方式I的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上還具備噴射水的第二噴嘴70的切削殘余部除去裝置702進(jìn)行說明。
[0071]如圖3的(a)、(b)所示，本實(shí)施方式涉及的切削殘余部除去裝置702在保持臂710上具有第二噴嘴70，第二噴嘴70構(gòu)成為與保持臂710成為一體而進(jìn)行動(dòng)作。
[0072]另外，本實(shí)施方式涉及的切削殘余部除去方法與實(shí)施方式I同樣地具有圖4的(a)所示的保持工序、圖4的(b)所示的噴射工序、圖4的(c)所示的旋轉(zhuǎn)工序、圖4的(d)所示的移動(dòng)工序，但在圖4的(b)的噴射工序中，在第一噴嘴30噴射水的同時(shí)第二噴嘴70也噴射水這一點(diǎn)與實(shí)施方式I不同。
[0073]如圖4的(C)所示，保持臂710使切削殘余部601旋轉(zhuǎn)時(shí)，在旋轉(zhuǎn)的方向上產(chǎn)生水流(箭頭760的方向)。而且，由于產(chǎn)生的水流，可能導(dǎo)致晶片600旋轉(zhuǎn)而接近切削殘余部601或晶片600較大旋轉(zhuǎn)而導(dǎo)致晶片600從切片基座50落下，從而產(chǎn)生品質(zhì)異常。
[0074]根據(jù)實(shí)施方式2，第二噴嘴70與保持臂710成為一體而進(jìn)行動(dòng)作，因此，第二噴嘴70產(chǎn)生噴流，該噴流的產(chǎn)生方向?yàn)槭挂蚯邢鳉堄嗖?01的旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的水流緩和的方向(箭頭71的方向)。具體而言，第二噴嘴70使具有與切削殘余部601的旋轉(zhuǎn)方向相反的方向的分量的方向上產(chǎn)生噴流。由此，能防止晶片600旋轉(zhuǎn)，抑制晶片600的品質(zhì)異常。
[0075]如前所述，第二噴嘴70用于緩和在切削殘余部601旋轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的水流(箭頭760的方向)，因此，應(yīng)對(duì)與切削殘余部601的切削面602垂直的方向施加水的噴流。但是，當(dāng)與切削殘余部601的切削面602垂直地賦予水的噴流時(shí)，水的噴流被切削殘余部601遮擋，從而無法對(duì)與切削殘余部601相鄰的晶片600施加水的噴流。因此，通過將第二噴嘴70相對(duì)于晶片列60的排列方向稍微傾斜地保持，對(duì)與切削殘余部601相鄰的晶片600施加水的噴流，從而能有效地抑制由于切削殘余部601旋轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的水流而使晶片600旋轉(zhuǎn)，更優(yōu)選。
[0076]因此，第二噴嘴70的傾斜角度730優(yōu)選為小于第一噴嘴30的傾斜角度720的角度(優(yōu)選晶片600的與切削殘余部601對(duì)置的面和第二噴嘴70的噴射方向所成的角中的銳角大于晶片600的與切削殘余部601對(duì)置的面和第一噴嘴30的噴射方向所成的角中的銳角)。傾斜角度730具體而言優(yōu)選為25°以下5°以上，例如為20° (參照?qǐng)D3的(b))。另外，來自第二噴嘴70的水的噴出量與第一噴嘴30同樣地為例如1.4?1.6L/min為好，以避免晶片600彼此沖撞而導(dǎo)致晶片600從切片基座50落下。
[0077]另外，切削殘余部601與晶片600之間的距離越近，使切削殘余部601旋轉(zhuǎn)時(shí)產(chǎn)生的水流對(duì)晶片600的影響越強(qiáng)，因此，在圖4的(c)所示的旋轉(zhuǎn)工序開始時(shí)，期望從第二噴嘴70向晶片600噴射比較強(qiáng)的噴流。另一方面，隨著進(jìn)行旋轉(zhuǎn)工序，由切削殘余部601的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的水流的影響逐漸變小，因此，優(yōu)選以追隨切削殘余部601的旋轉(zhuǎn)的方式使向晶片600噴射的來自第二噴嘴70的噴流較弱。這是由于:過強(qiáng)的噴流會(huì)導(dǎo)致晶片600的品質(zhì)異常。因此，在圖4的(c)所示的旋轉(zhuǎn)工序中，應(yīng)利用第二噴嘴70抵消的水流的強(qiáng)度期望控制為在開始時(shí)最強(qiáng)、隨著切削殘余部601由于旋轉(zhuǎn)而與晶片600之間的距離變寬而變?nèi)酢Ｔ摽刂仆ㄟ^使第二噴嘴70與切削殘余部601的旋轉(zhuǎn)同步地移動(dòng)而能實(shí)現(xiàn)。而且，第二噴嘴70的同步移動(dòng)通過將第二噴嘴70設(shè)于保持臂710能實(shí)現(xiàn)。
[0078]需要說明的是，在本實(shí)施方式中，說明了第二噴嘴70設(shè)于保持臂710的情況，但不限于此，只要第二噴嘴70與切削殘余部601的旋轉(zhuǎn)同步地移動(dòng)，則也可以分開地設(shè)置。
[0079](實(shí)施方式3)
[0080]在實(shí)施方式I中，說明了具備槽10、保持構(gòu)件20、第一噴嘴30和保持臂710的切削殘余部除去裝置701，但在實(shí)施方式3中，對(duì)于在實(shí)施方式I的結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上還具備作為使粘接劑63軟化的軟化機(jī)構(gòu)的蒸汽噴嘴80的切削殘余部除去裝置703進(jìn)行說明。另外，本實(shí)施方式中的切削殘余部除去裝置703也可以還具備在實(shí)施方式2中說明的第二噴嘴70。
[0081]如圖5的(a)、(b)所示，蒸汽噴嘴80位于切削殘余部601的與切削面602相反偵牝構(gòu)成為向粘接劑63的、切片基座50與切削殘余部601的粘接部位噴射水蒸氣而進(jìn)行加熱。
[0082]另外，本實(shí)施方式涉及的切削殘余部除去方法與實(shí)施方式I同樣地具有圖6的(a)所示的保持工序、圖6的(b)所示的噴射工序、圖6的(c)所示的旋轉(zhuǎn)工序、圖6的(d)所示的移動(dòng)工序，但在圖6的(b)所示的噴射工序中，在第一噴嘴30噴射水的同時(shí)或之后、且在圖6的(c)所示的旋轉(zhuǎn)工序之前，蒸汽噴嘴80噴嘴水蒸氣而對(duì)粘接劑63進(jìn)行加熱這一點(diǎn)與實(shí)施方式I不同。
[0083]另外，在將切削殘余部601從切片基座50除去之后，如圖6的(d)所示，迅速地使蒸汽噴嘴80的噴射停止。這是由于:對(duì)晶片600與切片基座50的粘接部位持續(xù)地施加水蒸氣時(shí)，該粘接部位的粘接劑63軟化而粘接力變?nèi)?，可能?dǎo)致晶片600落下。關(guān)于除此以外的結(jié)構(gòu)，與實(shí)施方式I相同，因此省略。
[0084]需要說明的是，在圖5及圖6中，圖示了具備第二噴嘴70的切削殘余部除去裝置703，但也可以不具備第二噴嘴70。
[0085]在實(shí)施方式3中，作為粘接劑63使用了環(huán)氧粘接劑，因此，粘接劑63被加熱至80°C?100°C左右而軟化。由于切削殘余部601與切片基座50的粘接部位的軟化，該粘接部位的粘接力較弱，因此，在使切削殘余部601旋轉(zhuǎn)而將切削殘余部601從切片基座50剝離時(shí)，能以比實(shí)施方式I小的力可靠地將切削殘余部601從切片基座50剝離。
[0086]當(dāng)以較大的力將切削殘余部601從切片基座50除去時(shí)，可能發(fā)生該力傳遞至晶片600與切片基座50的粘接部位，導(dǎo)致晶片600從切片基座50剝離而落下，產(chǎn)生晶片600的品質(zhì)異常。
[0087]但是，在本實(shí)施方式中，通過使切削殘余部601與切片基座50的粘接部位軟化，該部位的粘接力變?nèi)?，因此能以較少的力除去切削殘余部601，能更可靠地防止晶片600從切片基座50落下，從而能抑制晶片600的品質(zhì)異常。
[0088]需要說明的是，只要是使粘接劑63軟化的機(jī)構(gòu)，不限定于蒸汽噴嘴，但作為軟化機(jī)構(gòu)，像本實(shí)施方式這樣采用蒸汽噴嘴特別優(yōu)選。
[0089]例如，作為軟化機(jī)構(gòu)，代替蒸汽噴嘴80，也可以考慮采用噴射干燥了的高溫氣體的機(jī)構(gòu)、噴射高溫的液體例如熱水的機(jī)構(gòu)，但當(dāng)噴射干燥了的高溫氣體時(shí)，可能發(fā)生晶片干燥而污垢固著于晶片的情況，另外，當(dāng)噴射熱水時(shí)，可能發(fā)生該熱水與槽10的水混合而使槽10的水的溫度上升，熱經(jīng)由晶片600傳遞至粘接劑63而使粘接劑63的切片基座50與晶片列60的粘接部位軟化，導(dǎo)致晶片600落下的情況。
[0090]通過采用噴射水蒸氣的蒸汽噴嘴80作為軟化機(jī)構(gòu)，能抑制晶片600的干燥，防止污垢固著于晶片600。
[0091]另外，通過以各晶片600的一部分浸潰于槽10的水中、粘接劑63與槽10的水非接觸的方式利用保持構(gòu)件20保持切片基座50，從而不會(huì)由于軟化機(jī)構(gòu)的作用而使槽10的內(nèi)部的水的溫度上升，因此，能防止晶片600落下。
[0092]另外，在本實(shí)施方式中，說明了作為粘接劑63而使用環(huán)氧粘接劑的情況，但不限于此。另外，軟化機(jī)構(gòu)不限于對(duì)粘接劑63進(jìn)行加熱的機(jī)構(gòu)，例如也可以噴射與粘接劑的種類相應(yīng)的溶劑等而使粘接劑軟化。
[0093]需要說明的是，在實(shí)施方式I?3中，說明了槽10儲(chǔ)存水，但儲(chǔ)存于槽10中的液體只要是防止晶片600的干燥、緩沖晶片600彼此的沖撞的液體即可，不限定于水。另外，說明了第一噴嘴及第二噴嘴噴射水的情況，但第一噴嘴及第二噴嘴只要噴射流體即可，不限定于噴射水。例如，可以噴射不活性氣體等氣體，也可以噴射水以外的液體。
[0094]工業(yè)上的可利用性
[0095]本發(fā)明的切削殘余部除去裝置及切削殘余部除去方法例如適合用于太陽能電池用基板等所用的晶片的制造等。
【權(quán)利要求】
1.一種切削殘余部除去裝置，其從利用粘接劑粘接有晶片列和切削殘余部的切片基座除去所述切削殘余部，所述晶片列通過對(duì)鑄錠進(jìn)行切片而形成，所述切削殘余部配備于所述鑄錠的端部， 所述切削殘余部除去裝置的特征在于，具備: 槽，其儲(chǔ)存液體； 保持構(gòu)件，其保持所述切片基座； 保持臂，其保持所述切削殘余部且使所述切屑?xì)堄嗖恳苿?dòng)； 第一噴嘴，其向所述晶片列中的位于與所述切削殘余部相鄰位置的晶片的、與所述切削殘余部對(duì)置的面噴射流體； 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其保持所述切削殘余部，使所述切削殘余部以所述切削殘余部與所述切片基座的粘接部位為軸向從所述晶片列離開的方向旋轉(zhuǎn)； 移動(dòng)機(jī)構(gòu)，其使所述切削殘余部向從所述切片基座離開的方向移動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的切削殘余部除去裝置，其中， 所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述切削殘余部向沿著所述切削殘余部的切削面且從所述切片基座離開的方向移動(dòng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的切削殘余部除去裝置，其中， 該切削殘余部除去裝置還具備與所述切削殘余部的旋轉(zhuǎn)同步地進(jìn)行移動(dòng)的第二噴嘴。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的切削殘余部除去裝置，其中， 與所述切削殘余部對(duì)置的所述面和所述第二噴嘴的噴射方向所成的銳角大于與所述切削殘余部對(duì)置的所述面和所述第一噴嘴的噴射方向所成的銳角。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的切削殘余部除去裝置，其中， 所述保持構(gòu)件以所述晶片列浸潰于所述槽的液體中、且所述粘接劑與所述槽的液體非接觸的方式保持所述切片基座。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的切削殘余部除去裝置，其中， 該切削殘余部除去裝置還具備使所述切削殘余部與所述切片基座之間的所述粘接劑軟化的軟化機(jī)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的切削殘余部除去裝置，其中， 所述第一噴嘴在所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述切削殘余部旋轉(zhuǎn)的期間噴射流體。
8.根據(jù)權(quán)利要求1?7中任一項(xiàng)所述的切削殘余部除去裝置，其中， 所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)在所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)使所述切削殘余部進(jìn)行的旋轉(zhuǎn)完畢之后使所述切削殘余部移動(dòng)。
【文檔編號(hào)】H01L21/301GK104183476SQ201410065865
【公開日】2014年12月3日 申請(qǐng)日期:2014年2月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月28日
【發(fā)明者】中村浩二郎, 吉野道朗, 古重徹 申請(qǐng)人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社