雙圖案化技術(shù)中減少顏色密度差異的針腳嵌入的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及雙圖案化技術(shù)中減少顏色密度差異的針腳嵌入，揭示能減少兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模及/或布局的窗口之間的密度差異的方法以及用于執(zhí)行該方法的設(shè)備。具體實(shí)施例包括：決定具有待由第一及第二掩模解析的特征的IC設(shè)計(jì)中的層；通過比較所述特征的第一集合的第一密度與所述特征的第二集合的第二密度來決定密度差異；決定在待由該第一掩模解析的第一特征的層上的區(qū)域；以及基于該密度差異，在該區(qū)域內(nèi)嵌入待由該第二掩模解析的多邊形。
【專利說明】雙圖案化技術(shù)中減少顏色密度差異的針腳嵌入

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本揭示內(nèi)容是有關(guān)于半導(dǎo)體裝置利用雙圖案化技術(shù)(DPT)的制造。本揭示內(nèi)容尤其在設(shè)計(jì)階段期間可用來在集成電路(IC)設(shè)計(jì)中產(chǎn)生針腳以減少DPT程序的兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模之間的密度差異。

【背景技術(shù)】
[0002]在制造半導(dǎo)體裝置時(shí)，企圖減少兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模之間的顏色密度差異的傳統(tǒng)方法包括使用著色分配或使用有色虛擬填充物(colored dummy fill)及填充針腳。不過，著色分配很多時(shí)候過于嚴(yán)格；由于設(shè)計(jì)規(guī)則約束，改變著色分配會要求完全重新設(shè)計(jì)IC設(shè)計(jì)。此外，改變著色分配可能擾亂IC設(shè)計(jì)的設(shè)計(jì)階層。例如，標(biāo)準(zhǔn)單元在大芯片中的每個(gè)實(shí)例化可能因背景的改變而需要不同的著色，因此，階層無法保留。設(shè)計(jì)階層的此一欠缺使標(biāo)準(zhǔn)IC設(shè)計(jì)工具(例如，設(shè)計(jì)規(guī)則檢查引擎與自動(dòng)化路由器)的運(yùn)行時(shí)間變慢，這會增加整體設(shè)計(jì)周期。依賴虛擬填充物以嵌入有色多邊形于IC設(shè)計(jì)的閑置空間(white space)中得以使著色分配更有設(shè)計(jì)彈性。不過，由于IC設(shè)計(jì)的密度隨著每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放而增力口，所以可用的閑置空間減少。也一直有人提議填充針腳(其為嵌入寬金屬線的有色多邊形)用來緩和密度平衡。不過，由于每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)的設(shè)計(jì)縮放，而可能不使用寬金屬線。
[0003]因此，亟須一種方法能減少DPT程序的兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模之間的密度差異而允許IC設(shè)計(jì)有設(shè)計(jì)彈性，特別是高密度IC設(shè)計(jì)，以及用于完成該方法的設(shè)備。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本揭示內(nèi)容的一方面為一種用以減少DPT程序的兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模的特征及/或布局中相鄰窗口之間的密度差異的方法，其主要通過嵌入待由第一掩模解析的多邊形(例如，針腳)至待由第二掩模解析的特征的區(qū)域內(nèi)。
[0005]本揭示內(nèi)容的另一方面為一種設(shè)備，其經(jīng)組構(gòu)成可決定待由第一掩模解析的多邊形可嵌入待由第二掩模解析的特征的區(qū)域內(nèi)。
[0006]本揭示內(nèi)容的其它方面及特征會在以下說明中提出以及部分在本技藝一般技術(shù)人員審查以下內(nèi)容或?qū)W習(xí)本揭示內(nèi)容的實(shí)施后會明白。按照權(quán)利要求書所特別提示，可實(shí)現(xiàn)及得到本揭示內(nèi)容的優(yōu)點(diǎn)。
[0007]根據(jù)本揭示內(nèi)容，一些技術(shù)效果部分可用一種方法達(dá)成，該方法包括下列步驟:決定具有待由第一及第二掩模解析的特征的IC設(shè)計(jì)中的層；通過比較所述特征的第一集合的第一密度與所述特征的第二集合的第二密度來決定密度差異；決定在待由該第一掩模解析的第一特征的層上的區(qū)域；以及基于該密度差異，在該區(qū)域內(nèi)嵌入待由該第二掩模解析的多邊形。
[0008]數(shù)個(gè)方面包括:決定該區(qū)域的外緣與待由該第二掩模解析的特征的距離，其中該多邊形的嵌入更基于該距離。其它方面包括:比較該距離與和該第一及/或該第二掩模關(guān)連的臨界距離，其中該多邊形的嵌入更基于該距離與該臨界距離的比較。一些方面包括:通過比較所述特征的該第一集合的第一密度與所述特征的該第二集合的第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異；以及基于該第一及/或該第二密度差異來決定該區(qū)域的一部分，其中該多邊形位于該部分內(nèi)。其它方面包括:決定在待由該第一掩模解析的第二特征的層上的第二區(qū)域；基于該第一及該第二區(qū)域的面積比較來選擇該第一或該第二區(qū)域，其中該多邊形的嵌入更基于該第一及該第二區(qū)域的該面積比較；以及開始僅該IC設(shè)計(jì)中的一部分的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，該部分包含該多邊形。一些方面包括一種方法，其中該第一集合特征將會由該第一掩模解析，以及該第二集合特征將會由該第二掩模解析。其它方面包括一種方法，其中該第一集合特征安置于該層的第一部分內(nèi)，以及該第二集合特征安置于該層中與該第一部分分開的第二部分內(nèi)。其它方面包括:通過比較所述特征的該第一集合的第一密度與所述特征的該第二集合的第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異；比較該第二密度差異與閾值；以及基于該第二密度差異與該閾值的比較來決定是否嵌入待由該第二掩模解析的另一多邊形。
[0009]本揭示內(nèi)容的另一方面為一種裝置，其經(jīng)組構(gòu)成可:決定具有待由第一及第二掩模解析的特征的IC設(shè)計(jì)中的層；通過比較所述特征的第一集合的第一密度與所述特征的第二集合的第二密度來決定密度差異；決定在待由該第一掩模解析的第一特征的層上的區(qū)域；以及基于該密度差異，在該區(qū)域內(nèi)嵌入待由該第二掩模解析的多邊形。
[0010]數(shù)個(gè)方面包括一種裝置，其經(jīng)組構(gòu)成:決定該區(qū)域的外緣與待由該第二掩模解析的特征的距離，其中該多邊形的嵌入更基于該距離。一些方面包括一種裝置，其經(jīng)組構(gòu)成可:比較該距離與和該第一及/或該第二掩模關(guān)連的臨界距離，其中該多邊形的嵌入更基于該距離與該臨界距離的比較。其它方面包括一種裝置，其經(jīng)組構(gòu)成可:通過比較所述特征的該第一集合的第一密度與所述特征的該第二集合的第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異；以及基于該第一及/或該第二密度差異來決定該區(qū)域的一部分，其中該多邊形位于該部分內(nèi)。其它方面包括一種裝置，其經(jīng)組構(gòu)成可:決定第二區(qū)域在待由該第一掩模解析的第二特征的層上；基于該第一及該第二區(qū)域的面積比較來選擇該第一或該第二區(qū)域，其中該多邊形的嵌入更基于該第一及該第二區(qū)域的該面積比較；以及開始僅該IC設(shè)計(jì)的一部分的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，該部分包含該多邊形。其它方面包括:其中該第一特征集合將會由該第一掩模解析，以及該第二特征集合將會由該第二掩模解析。一些方面包括，其中該第一特征集合安置于該層的第一部分內(nèi)，以及該第二特征集合安置于該層中與該第一部分分開的第二部分內(nèi)。其它方面包括一種裝置，其經(jīng)組構(gòu)成可:通過比較所述特征的該第一集合的第一密度與所述特征的該第二集合的第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異；比較該第二密度差異與閾值；以及基于該第二密度差異與該閾值的比較來決定是否嵌入待由該第二掩模解析的另一多邊形。
[0011]本揭示內(nèi)容的另一方面為一種方法，其包括:決定具有待由至少第一及第二掩模解析的特征的IC設(shè)計(jì)中的層；決定所述特征的第一及第二集合的第一及第二密度；通過比較該第一及該第二密度來決定第一密度差異；決定所述特征的第三集合在待由該第一掩模解析的層中；基于各個(gè)特征的外緣是否與待由該第二掩模解析的特征分開臨界距離，從該第三集合選出由一個(gè)或多個(gè)特征組成的第四集合，該臨界距離與該第一及/或該第二掩模關(guān)連；根據(jù)該第一密度差異來決定目標(biāo)區(qū)域；基于該第四集合的各個(gè)特征與該目標(biāo)區(qū)域的面積比較，從該第四集合選出特征；決定該層中對應(yīng)至該選定特征的位置及面積的區(qū)域；在該區(qū)域內(nèi)嵌入待由該第二掩模解析的第一多邊形；通過比較所述特征的該第一集合的第一密度與所述特征的該第二集合的第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異；以及在該第二密度差異超過閾值時(shí)，基于該第二密度差異來決定待由該第二掩模解析的另一多邊形。
[0012]一些方面包括:基于該第一及/或該第二密度差異來決定該區(qū)域的一部分，其中該第一多邊形位于該區(qū)域的該部分內(nèi)；以及開始僅該IC設(shè)計(jì)中的一部分的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，該IC設(shè)計(jì)的該部分包含該第一多邊形。其它方面包括一種方法，其中該第一特征集合將會由該第一掩模解析，以及該第二特征集合將會由該第二掩模解析。一些方面包括一種方法，其中該第一集合特征安置于該層的第一部分內(nèi)，以及該第二集合特征安置于該層中與該第一部分分開的第二部分內(nèi)。
[0013]熟諳此藝者由以下詳細(xì)說明可明白本揭示內(nèi)容的其它方面及技術(shù)效果，其中僅以預(yù)期可實(shí)現(xiàn)本揭示內(nèi)容的最佳模式舉例描述本揭示內(nèi)容的具體實(shí)施例。應(yīng)了解，本揭示內(nèi)容能夠做出其它及不同的具體實(shí)施例，以及在各種明顯的方面，能夠修改數(shù)個(gè)細(xì)節(jié)而不脫離本揭示內(nèi)容。因此，附圖及說明內(nèi)容本質(zhì)上應(yīng)被視為圖解說明用而不是用來限定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]在此用附圖舉例說明而不是限定本揭示內(nèi)容，圖中類似的組件用相同的組件符號表不。
[0015]圖1及圖2根據(jù)示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)針腳的形成；
[0016]圖3根據(jù)示范具體實(shí)施例圖標(biāo)用于嵌入針腳的系統(tǒng)；
[0017]圖4的流程圖根據(jù)示范具體實(shí)施例圖標(biāo)用于嵌入針腳的程序；
[0018]圖5至圖11根據(jù)示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)用于減少DPT程序的兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模之間的密度差異的程序；以及
[0019]圖12圖標(biāo)可用來實(shí)施示范具體實(shí)施例的芯片組。
[0020]主要組件符號說明
[0021]100 襯底
[0022]103、105 特征
[0023]201針腳
[0024]300系統(tǒng)
[0025]301布局日志
[0026]303掩模密度模塊
[0027]305針腳嵌入模塊
[0028]307修改布局日志
[0029]309設(shè)計(jì)規(guī)則遵從模塊
[0030]400方法
[0031]401決定布局的密度差異是否超過閾值
[0032]403決定至少一個(gè)針腳可嵌入該布局
[0033]405決定該針腳是否遵從設(shè)計(jì)規(guī)則
[0034]407嵌入針腳
[0035]500襯底
[0036]501、503特征
[0037]601、801區(qū)域
[0038]603距離
[0039]701針腳
[0040]703特征
[0041]901、1101針腳
[0042]1200芯片組
[0043]1201總線
[0044]1203處理器
[0045]1205內(nèi)存
[0046]1207數(shù)字訊號處理器(DSP)
[0047]1209特殊應(yīng)用集成電路(ASIC)。

【具體實(shí)施方式】
[0048]為了解釋，在以下的說明中，提出各種特定的細(xì)節(jié)供徹底了解示范具體實(shí)施例。不過，顯然沒有所述特定細(xì)節(jié)或用等價(jià)配置仍可實(shí)施示范具體實(shí)施例。在其它情況下，眾所周知的結(jié)構(gòu)及裝置用方塊圖圖標(biāo)以免不必要地混淆示范具體實(shí)施例。此外，除非明示，在本專利說明書及權(quán)利要求書中表示成分、反應(yīng)狀態(tài)等等的數(shù)量、比例及數(shù)值性質(zhì)的所有數(shù)字應(yīng)被理解為在所有情況下可用措辭“約”來修飾。
[0049]本揭示內(nèi)容針對及解決目前DPT程序的兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模及/或布局中相鄰窗口的密度不平衡問題，特別是高密度IC設(shè)計(jì)。根據(jù)本揭示內(nèi)容的具體實(shí)施例，主要是通過嵌入一個(gè)或多個(gè)針腳來解決問題。
[0050]此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員由以下詳細(xì)說明可明白本揭示內(nèi)容的其它方面、特征及技術(shù)效果，其中僅以預(yù)期可實(shí)現(xiàn)本揭示內(nèi)容的最佳模式舉例描述本揭示內(nèi)容的具體實(shí)施例。應(yīng)了解，本揭示內(nèi)容能夠做出其它及不同的具體實(shí)施例，以及在各種明顯的方面，能夠修改數(shù)個(gè)細(xì)節(jié)而不脫離本揭示內(nèi)容。因此，附圖及說明內(nèi)容本質(zhì)上應(yīng)被視為圖解說明用而不是用來限定。
[0051]請注意圖1，根據(jù)示范具體實(shí)施例，襯底100 (例如，塊硅襯底)設(shè)有DPT程序的特征103以及各自被分解成兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模的第一及第二個(gè)的特征105。不過，特征103有比特征105的組合還低的密度，這可能導(dǎo)致由兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模形成襯底100的可制造性及良率很差。如上述，利用顏色規(guī)則以及嵌入虛擬填充物及填充針腳以減少兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模之間的密度差異不具彈性(inflexible)及/或無法減少密度差異。
[0052]請注意圖2，根據(jù)示范具體實(shí)施例，在部分的特征105上方添加針腳201，而不違反任何設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(DRC)。如圖標(biāo)，針腳201實(shí)作成附加單元，因而不擾亂設(shè)計(jì)階層。此外，針腳201與被另一掩模使用的空間重疊，因而不需要使用襯底100上的閑置空間。如圖標(biāo)，圖1有87.5%的密度差異減到圖2的68.1%，而有19.4%的改善。雖然圖標(biāo)成直線，然而針腳(例如，201)可具有各種尺寸及/或形狀，例如，L形、圓形、矩形、方形及其類似者。
[0053]請注意圖3，系統(tǒng)300包含布局日志(layout log) 301、掩模密度模塊303、具有經(jīng)修改的布局日志307的針腳嵌入模塊305、以及設(shè)計(jì)規(guī)則遵從模塊309。可組合模塊303、305及309。另外，或替換地，可組合日志301及307。
[0054]掩模密度模塊303經(jīng)組構(gòu)成比較擷取自布局日志301的密度與閾值?？蓻Q定布局窗口之間的密度差異以致能減少芯片的密度差異梯度。例如，掩模密度模塊303通過比較第一部分的特征或布局的窗口的密度與第二部分的特征或布局的窗口的密度而決定密度差異。或者，可決定第一掩模所解析的特征與第二掩模所解析的特征在整個(gè)布局(例如，遍及芯片)(的一部分)內(nèi)的密度差異以致能減少互補(bǔ)曝光掩模之間的密度差異。例如，掩模密度模塊303通過比較要以第一掩模解析的第一特征的密度與要以第二掩模解析的第二特征的密度而決定密度差異。接下來，掩模密度模塊303比較密度差異與閾值。該閾值可由晶圓廠定義為百分比密度差異、基于良率的評分及其類似者。掩模密度模塊303可量化密度差異以及辨識區(qū)域及/或掩模(例如，感色模式(color-aware))以允許決定嵌入那些有色多邊形(例如，針腳)。另外，掩模密度模塊303在嵌入針腳(或數(shù)個(gè))(例如，動(dòng)態(tài)地)后可比較掩模密度以保證改善密度平衡。
[0055]嵌入模塊305經(jīng)組構(gòu)成嵌入針腳于布局日志301中。例如，嵌入模塊305接收一些密度以添加至布局日志301的第一掩模。接下來，嵌入模塊305進(jìn)行下列步驟:產(chǎn)生經(jīng)修改的布局日志307，其對應(yīng)至具有待由第一掩模解析的嵌入針腳的布局日志301 ;初始化經(jīng)修改的布局日志307的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查；以及基于設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，嵌入針腳于布局日志301中。在設(shè)計(jì)規(guī)則檢查表示由嵌入引起的不遵從時(shí)及/或在與該針腳的密度比較表示密度不平衡提高時(shí)，嵌入模塊305可移除嵌入針腳。例如，嵌入模塊305移除具有密度超過密度不平衡的閾值的針腳。
[0056]遵從模塊309經(jīng)組構(gòu)成驗(yàn)證布局遵從規(guī)則集合。例如，遵從模塊309執(zhí)行辨識遵從設(shè)計(jì)規(guī)則的第一部分集合的特征集合的過濾功能。在另一實(shí)施例中，遵從模塊309驗(yàn)證特定多邊形或特征是在離該特定特征或多邊形的預(yù)定距離內(nèi)遵從設(shè)計(jì)規(guī)則的第二部分集合。在另一實(shí)施例中，遵從模塊309用設(shè)計(jì)規(guī)則的全集(full set)驗(yàn)證整個(gè)布局。如本文所使用的，設(shè)計(jì)規(guī)則可包含DRC規(guī)則、DRC/DPT規(guī)則及其類似者。
[0057]請注意圖4，根據(jù)示范具體實(shí)施例，其流程圖是圖標(biāo)用于嵌入針腳的程序。為了圖解說明，用圖3的系統(tǒng)描述程序400。應(yīng)注意，程序400的步驟可用任何適當(dāng)順序完成，以及用任何適當(dāng)方式組合或分離。
[0058]在步驟401，掩模密度模塊303決定布局的密度差異是否超過閾值。例如，掩模密度模塊303決定密度差異，其通過比較待由儲存于布局日志301 (或日志307)中的整個(gè)布局的第一掩模解析的特征與待由儲存于布局日志301 (或日志307)中的整個(gè)布局的第二掩模解析的特征。掩模密度模塊303則在密度差異在閾值內(nèi)時(shí)結(jié)束程序400，以及在差異超過閾值時(shí)開始步驟403。
[0059]在步驟403，遵從模塊309決定布局中是否有至少一個(gè)區(qū)域可嵌入待由特定掩模解析的針腳。例如，遵從模塊309通過對儲存于布局日志301中的整個(gè)布局進(jìn)行一部分集合的規(guī)則檢查來過濾可能嵌入針腳的區(qū)域及/或過濾先前由遵從模塊309標(biāo)示成不遵從的區(qū)域。遵從模塊309則在無法辨識此一區(qū)域時(shí)結(jié)束程序400，以及在可辨識此一區(qū)域時(shí)開始步驟405。
[0060]在步驟405，遵從模塊309決定針腳(如果嵌入的話)是否遵從設(shè)計(jì)規(guī)則集。例如，遵從模塊309用在步驟403決定的多邊形驗(yàn)證儲存于布局日志301 (或307)中的整個(gè)布局是否遵從規(guī)則的全集。遵從模塊309則在多邊形造成不遵從時(shí)更新指出多邊形造成不遵從的日志以及開始步驟401，以及在整個(gè)布局遵從時(shí)開始嵌入(步驟407)針腳于日志301 (或 307)中。
[0061]圖5至圖11根據(jù)示范具體實(shí)施例示意圖標(biāo)用于減少DPT程序的兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模的密度差異的程序。為了圖解說明，用圖3的系統(tǒng)描述該程序。應(yīng)注意，該程序的步驟可用任何適當(dāng)順序完成，以及用任何適當(dāng)方式組合或分離。
[0062]圖5至圖11包含襯底500 (例如，塊硅襯底)，其設(shè)有DPT程序的特征501以及各自被分解成兩個(gè)互補(bǔ)曝光掩模的第一及第二個(gè)的特征503。
[0063]請注意圖5，掩模密度模塊303用至少一閾值決定特征501的密度超過特征503的組合密度，以及開始決定用于嵌入待由解析特征503的掩模解析的針腳的區(qū)域。
[0064]請注意圖6，遵從模塊309用與特征503分開的距離603 (例如，臨界距離)決定區(qū)域601為用于嵌入針腳的可能區(qū)域。接下來，如圖7所示，嵌入模塊305嵌入待由解析特征503的掩模解析的針腳701。遵從模塊309則對整個(gè)(或部分)布局進(jìn)行完整的遵從檢查以及辨識針腳701因?yàn)獒樐_701鄰近特征703而造成不遵從。嵌入模塊305則舍棄加上的針腳701。
[0065]請注意圖8，遵從模塊309用各自與特征503及703分開的距離603決定區(qū)域601及801為用于嵌入針腳的可能區(qū)域。接下來，如圖9所示，嵌入模塊305嵌入待由解析特征503的掩模解析的針腳901，因?yàn)閰^(qū)域601比區(qū)域801更靠近由掩模密度模塊303辨識的目標(biāo)區(qū)域。遵從模塊309則決定整個(gè)布局有遵從設(shè)計(jì)規(guī)則的全集的針腳901。接下來，掩模密度模塊303用至少一閾值決定特征501的密度仍然超過特征503及針腳901的組合密度，以及開始決定用于嵌入待由解析特征503的掩模解析的附加針腳及針腳901的區(qū)域。
[0066]請注意圖10，遵從模塊309用與特征503及針腳901分開的距離603決定區(qū)域801為用于嵌入針腳的可能區(qū)域。如圖11所示，嵌入模塊305嵌入待由解析特征503的掩模解析的針腳1101。如圖標(biāo)，針腳1101的尺寸小于區(qū)域801，使得針腳1101所增加的密度不會超過密度不平衡的數(shù)量。掩模密度模塊303決定特征501與特征503、901及1101的組合密度的密度差異在閾值內(nèi)，因此，結(jié)束程序400。
[0067]圖1至圖11的方法已在22x72微米平方的布局上證明過，其通過來自GL0BALF0UNDRIES9T20-LPM標(biāo)準(zhǔn)單元庫的44個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的隨機(jī)布置產(chǎn)生。44個(gè)單元中，辨識及修改9個(gè)單元以便使用上述方法改善密度平衡。所述方法都在ml_el(例如，El)及ml_e2(例如，E2)層上進(jìn)行。
[0068]表I匯總每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)單元的密度平衡改善。只有嵌入E2針腳以緩和范例中的密度差異，因?yàn)橛捎诠潭娷壷乖O(shè)計(jì)偏向E1。撇號(也就是，’)表示經(jīng)修改的布局的性質(zhì)。該范例實(shí)現(xiàn)達(dá)9.1%的改善。
[0069]

【權(quán)利要求】
1.一種方法，其包括: 決定具有待由第一及第二掩模解析的特征的集成電路(IC)設(shè)計(jì)的層； 通過比較所述特征的第一集合的第一密度與所述特征的第二集合的第二密度來決定密度差異； 決定在待由該第一掩模解析的第一特征的該層上的區(qū)域；以及 基于該密度差異，在該區(qū)域內(nèi)嵌入待由該第二掩模解析的多邊形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括: 決定該區(qū)域的外緣與待由該第二掩模解析的特征的距離，其中，該多邊形的嵌入更基于該距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，包括: 比較該距離與和該第一及/或該第二掩模關(guān)連的臨界距離，其中，該多邊形的嵌入更基于該距離與該臨界距離的比較。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括: 通過比較所述特征的該第一集合的該第一密度與所述特征的該第二集合的該第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異；以及 基于該第一及/或該第 二密度差異來決定該區(qū)域的一部分，其中，該多邊形位于該部分內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括: 決定第二區(qū)域在待由該第一掩模解析的第二特征的該層上； 基于各該第一及該第二區(qū)域的面積比較來選擇該第一或該第二區(qū)域，其中，該多邊形的嵌入更基于各該第一及該第二區(qū)域的該面積比較；以及 開始僅該IC設(shè)計(jì)中的一部分的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，該部分包含該多邊形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第一集合特征將會由該第一掩模解析，以及該第二集合特征將會由該第二掩模解析。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第一集合特征安置于該層的第一部分中，以及該第二集合特征安置于該層與該第一部分分開的第二部分中。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包括: 通過比較所述特征的該第一集合的該第一密度與所述特征的該第二集合的該第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異； 比較該第二密度差異與閾值；以及 基于該第二密度差異與該閾值的比較來決定是否嵌入待由該第二掩模解析的另一多邊形。
9.一種設(shè)備，其包括: 至少一個(gè)處理器；以及 包含用于一個(gè)或多個(gè)程序的計(jì)算機(jī)程序代碼的至少一個(gè)內(nèi)存， 該至少一個(gè)內(nèi)存及該計(jì)算機(jī)程序代碼經(jīng)組構(gòu)成以該至少一個(gè)處理器造成該設(shè)備至少執(zhí)行下列: 決定具有待由第一及第二掩模解析的特征的集成電路(IC)設(shè)計(jì)的層； 通過比較所述特征的第一集合的第一密度與所述特征的第二集合的第二密度來決定密度差異； 決定在待由該第一掩模解析的第一特征的層上的區(qū)域；以及 基于該密度差異，在該區(qū)域內(nèi)嵌入待由該第二掩模解析的多邊形。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，更造成該設(shè)備: 決定該區(qū)域的外緣與待由該第二掩模解析的特征的距離，其中，該多邊形的嵌入更基于該距離。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中，更造成該設(shè)備: 比較該距離與和該第一及/或該第二掩模關(guān)連的臨界距離，其中，該多邊形的嵌入更基于該距離與該臨界距離的比較。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，更造成該設(shè)備: 通過比較所述特征的該第一集合的該第一密度與所述特征的該第二集合的該第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異；以及 基于該第一及/或該第二密度差異來決定該區(qū)域的一部分，其中，該多邊形位于該部分內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要 求9所述的設(shè)備，其中，更造成該設(shè)備: 決定在待由該第一掩模解析的第二特征的層上的第二區(qū)域； 基于各該第一及該第二區(qū)域的面積比較來選擇該第一或該第二區(qū)域，其中，該多邊形的嵌入更基于各該第一及該第二區(qū)域的該面積比較；以及 開始僅該IC設(shè)計(jì)的一部分的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，該部分包含該多邊形。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，該第一集合特征將會由該第一掩模解析，以及該第二集合特征將會由該第二掩模解析。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，該第一集合特征安置于該層的第一部分中，以及該第二集合特征安置于該層與該第一部分分開的第二部分中。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，更造成該設(shè)備: 通過比較所述特征的該第一集合的該第一密度與所述特征的該第二集合的該第二密度及該多邊形的密度來決定第二密度差異； 比較該第二密度差異與閾值；以及 基于該第二密度差異與該閾值的比較來決定是否嵌入待由該第二掩模解析的另一多邊形。
17.一種方法，其包含: 決定具有待由至少第一及第二掩模解析的特征的集成電路(IC)設(shè)計(jì)的層； 各自決定所述特征的第一及第二集合的第一及第二密度； 通過比較該第一及該第二密度來決定第一密度差異； 決定所述特征的第三集合在待由該第一掩模解析的該層中； 基于各個(gè)特征的外緣是否與待由該第二掩模解析的特征分開臨界距離，從該第三集合選出由一個(gè)或多個(gè)特征組成的第四集合，該臨界距離與該第一及/或該第二掩模關(guān)連； 根據(jù)該第一密度差異來決定目標(biāo)區(qū)域； 基于該第四集合的各個(gè)特征與該目標(biāo)區(qū)域的面積比較來選擇該第四集合的特征； 決定該層中對應(yīng)至該選定特征的位置及面積的區(qū)域；在該區(qū)域內(nèi)嵌入待由該第二掩模解析的第一多邊形； 通過比較所述特征的該第一集合的該第一密度與所述特征的該第二集合的該第二密度及該第一多邊形的密度來決定第二密度差異；以及 在該第二密度差異超過閾值時(shí)，基于該第二密度差異來決定待由該第二掩模解析的另一多邊形。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，包括: 基于該第一及/或該第二密度差異來決定該區(qū)域的一部分，其中，該第一多邊形位于該區(qū)域的該部分內(nèi)；以及 開始僅該IC設(shè)計(jì)中的一部分的設(shè)計(jì)規(guī)則檢查，該IC設(shè)計(jì)的該部分包含該第一多邊形。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，該第一集合特征將會由該第一掩模解析，以及該第二集合特征將會由該第二掩模解析。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，該第一集合特征安置于該層的第一部分中，以及該第二集合特征安 置于該層與該第一部分分開的第二部分中。
【文檔編號】H01L21/02GK104051234SQ201410092693
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2014年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月14日
【發(fā)明者】王道寧, S·馬達(dá)范, 路易奇卡波迪耶西 申請人:格羅方德半導(dǎo)體公司