制作透光性基板的配方、透光性基板、led發(fā)光模塊及燈的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種制作透光性基板的配方，包括氧化鋁及多種稀土，利用該配方可以制作出透光性較好的透光性基板，利用該透光性基板制作的LED發(fā)光模塊的透光性較好，能充分發(fā)揮LED燈的優(yōu)勢，該LED發(fā)光模塊能克服現有的發(fā)光模塊發(fā)光角度的缺陷形成120～360°的發(fā)光角度，包含該LED發(fā)光模塊的燈的光照性能較好。
【專利說明】制作透光性基板的配方、透光性基板、LED發(fā)光模塊及燈
【技術領域】
[0001]本發(fā)明屬于LED照明領域，具體涉及一種制作透光性基板的配方、由該配方制作的透光性基板、具有該透光性基板的LED發(fā)光模塊及具有該LED發(fā)光模塊燈。
【背景技術】
[0002]半導體照明是一種非傳統照明的固態(tài)照明，具有節(jié)能，環(huán)保，長壽命，體積小等優(yōu)勢，已成為國家及世界推薦的21世紀新的照明技術。傳統的工藝是將半導體發(fā)光元件封裝在鋁、陶瓷基板、藍寶石基板上，由于這些材料的自身特點，半導體發(fā)光元件一般在平面或接近平面上發(fā)光，從而限制了半導體發(fā)光元件向各個方向的發(fā)光優(yōu)勢(正面，背面，側面發(fā)光)，同時大量的光被轉化為熱能，這樣不僅減少了半導體發(fā)光元件的發(fā)光效率，還導致了半導體發(fā)光元件溫度的上升，影響了半導體芯片的光輸出能力和壽命。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明旨在克服現有技術缺陷，提供一種制作透光性基板的配方，利用該配方可以制作出透光性較好的透光性基板，利用該透光性基板制作的LED發(fā)光模塊的透光性較好，能充分發(fā)揮LED燈的優(yōu)勢，該LED發(fā)光模塊能克服現有的發(fā)光模塊發(fā)光角度的缺陷形成120?360°的發(fā)光角度，包含該LED發(fā)光模塊的燈的光照性能較好。
[0004]為實現上述目的，本發(fā)明提供的一種制作透光性基板的配方的技術方案為:
[0005]一種制作透光性基板的配方，包括氧化鋁及多種稀土。
[0006]作為上述方案的優(yōu)選，所述的氧化鋁為納米級氧化鋁，所述的多種稀土包括氧化釔、氧化鑭和氧化鎂，各成份的具體含量為:氧化招90%?100%,氧化釔O?5%,氧化鑭O?
5%,氧化鎂O?5%。
[0007]本發(fā)明提供的一種制作透光性基板的配方，可以制作出透光性較好的基板。
[0008]本發(fā)明還提供一種透光性基板，由上述的配方制作而成，該透光性基板的透光性較好。
[0009]下面將幾種傳統基板和本發(fā)明提供的含有稀土成份的透光性基板的性能進行比較:
[0010]
【權利要求】
1.一種制作透光性基板的配方，其特征在于，包括氧化鋁及多種稀土。
2.根據權利要求1所述的制作透光性基板的配方，其特征在于，所述的氧化鋁為納米級氧化鋁，所述的多種稀土包括氧化釔、氧化鑭和氧化鎂，各成份的具體含量為:氧化鋁90%?100%，氧化釔O?5%，氧化鑭O?5%，氧化鎂O?5%。
3.—種透光性基板，其特征在于，由權利要求1或2所述的配方制作而成。
4.一種LED發(fā)光模塊,其特征在于，包括權利要求3所述的透光性基板,還包括依次層疊后設置于所述的透光性基板上的金屬電路層、LED芯片層及封裝層。
5.根據權利要求4所述的LED發(fā)光模塊，其特征在于，所述的透光性基板上設有定位孔及接線孔。
6.—種燈,其特征在于，包括權利要求4所述的LED發(fā)光模塊,支撐所述的LED發(fā)光模塊的立柱，從外部接收電力的燈頭，連接所述的燈頭與LED發(fā)光模塊并向所述的LED發(fā)光模塊供電的供電用引線，設置于所述的燈頭的一端并容納所述的LED發(fā)光模塊、立柱及供電用引線的燈罩。
7.根據權利要求6所述的燈，其特征在于，所述的透光性基板上設有定位孔及接線孔，所述的立柱與所述的定位孔相配合將所述的LED發(fā)光模塊固定于所述的立柱上，所述的供電用引線的一端固定于所述的接線孔中、另一端與所述的燈頭相連接，中間部分設置于所述的立柱的內部。
【文檔編號】H01L33/48GK103824929SQ201410109619
【公開日】2014年5月28日 申請日期:2014年3月24日 優(yōu)先權日:2014年3月24日
【發(fā)明者】張伯文, 胡斌 申請人:武漢和光照明科技有限公司