法蘭、半導(dǎo)體功率器件和集成電路板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，公開了一種法蘭、一種半導(dǎo)體功率器件和一種集成電路板，所述法蘭包括法蘭本體和嵌入所述法蘭本體的嵌件，其中：所述法蘭本體具有與芯片相連接且用于導(dǎo)出所述芯片熱量的散熱錐臺(tái)區(qū)和位于所述散熱錐臺(tái)區(qū)外側(cè)的非散熱區(qū)；所述嵌件位于所述非散熱區(qū)中，且所述嵌件的熱膨脹系數(shù)與所述芯片的熱膨脹系數(shù)之差的絕對(duì)值小于設(shè)定值。采用本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案，可利用法蘭本體的散熱錐臺(tái)區(qū)高效地將芯片產(chǎn)生的熱量導(dǎo)出，同時(shí)降低法蘭與芯片熱膨脹的失配程度，減小法蘭與芯片之間的熱應(yīng)力，提高法蘭與芯片連接的機(jī)械可靠性。
【專利說明】法蘭、半導(dǎo)體功率器件和集成電路板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種法蘭、一種半導(dǎo)體功率器件和一種集成電路板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著半導(dǎo)體功率器件向著更高的輸出功率發(fā)展，其內(nèi)部芯片的熱功耗可高達(dá)幾十甚至上百瓦，半導(dǎo)體封裝的散熱性和可靠性正面臨嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。射頻功放管的封裝結(jié)構(gòu)包括如圖1a所示的空腔封裝和如圖1b所示的塑封封裝，在這兩種封裝結(jié)構(gòu)中，芯片11通過硬焊料(例如金硅合金焊料、金錫合金焊料)或軟焊料(例如高鉛焊料)焊接到法蘭10上，法蘭10作為關(guān)鍵部件為芯片11提供了機(jī)械支撐和散熱，因此，法蘭10與芯片11之間熱膨脹系數(shù)(CTE)的匹配程度以及法蘭10的散熱性能是影響封裝性能的關(guān)鍵因素。
[0003]傳統(tǒng)射頻功放管的法蘭包括如圖2a所示的銅法蘭20，和如圖3所示的銅復(fù)合層法蘭30。
[0004]銅法蘭的導(dǎo)熱性能較好，但熱膨脹系數(shù)較大，銅法蘭的熱膨脹系數(shù)與芯片的熱膨脹系數(shù)失配嚴(yán)重，當(dāng)芯片尺寸較大時(shí)，兩者之間會(huì)產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致芯片或焊料的機(jī)械可靠性明顯下降。芯片與銅法蘭連接的Von-Mises等效熱應(yīng)力仿真云圖如圖2b所示，該仿真模擬高鉛回流過程，圖中代表高熱應(yīng)力的深色區(qū)域面積較大，說明法蘭與芯片之間存在較大的熱應(yīng)力。
[0005]銅復(fù)合層法蘭是由銅Cu和鑰Mo、鎢Wu、鑰銅合金、鎢銅合金等材料通過銀銅合金焊料疊層焊接而成。雖然鑰、鎢等低熱膨脹系數(shù)材料的引入降低了法蘭與芯片的熱膨脹失配程度，但鑰、鎢等材料的導(dǎo)熱率較小，與銅疊層設(shè)置后增加了芯片主散熱路徑上的熱阻，因此，銅復(fù)合層法蘭的散熱能力較差，限制了功率器件輸出功率的進(jìn)一步提升。
[0006]如何提高半導(dǎo)體封裝的散熱性和機(jī)械可靠性是目前亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種法蘭、一種半導(dǎo)體功率器件和一種集成電路板，以提高半導(dǎo)體封裝的散熱性和機(jī)械可靠性。
[0008]本發(fā)明的第一方面，提供了一種法蘭，包括法蘭本體和嵌入所述法蘭本體的嵌件，其中:
[0009]所述法蘭本體具有與芯片相連接且用于導(dǎo)出所述芯片熱量的散熱錐臺(tái)區(qū)和位于所述散熱錐臺(tái)區(qū)外側(cè)的非散熱區(qū)；
[0010]所述嵌件位于所述非散熱區(qū)中，且所述嵌件的熱膨脹系數(shù)與所述芯片的熱膨脹系數(shù)之差的絕對(duì)值小于設(shè)定值。
[0011 ] 結(jié)合第一方面，在第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述嵌件為兩個(gè)嵌條，所述兩個(gè)嵌條分別位于所述非散熱區(qū)中、處于所述芯片的兩側(cè)的區(qū)域，且所述兩個(gè)嵌條位置相對(duì)。
[0012]結(jié)合第一方面，在第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述嵌件為嵌環(huán)，所述嵌環(huán)位于所述非散熱區(qū)中、處于所述芯片的周側(cè)的區(qū)域。
[0013]結(jié)合第一方面、第一方面第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式或者第一方面第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第三種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述嵌件貫穿所述非散熱區(qū)。
[0014]結(jié)合第一方面、第一方面第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式或者第一方面第二種可能的實(shí)現(xiàn)方式，在第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述嵌件未貫穿所述非散熱區(qū)，所述嵌件和所述芯片位于所述非散熱區(qū)的同一側(cè)表面，或者所述嵌件和所述芯片分別位于所述非散熱區(qū)的兩側(cè)表面。
[0015]結(jié)合第一方面或者第一方面第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式至第一方面第四種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種實(shí)現(xiàn)方式，在第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述設(shè)定值根據(jù)芯片的材質(zhì)、芯片的尺寸和應(yīng)用環(huán)境溫度確定。
[0016]結(jié)合第一方面或者第一方面第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式至第一方面第五種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種實(shí)現(xiàn)方式，在第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述法蘭本體的材質(zhì)包括金、銀或銅；
[0017]所述嵌件的材質(zhì)包括鑰、鎢、鐵鎳鈷合金、鐵鎳合金、鎳、鎢銅合金、鑰銅合金、石墨或陶瓷。
[0018]結(jié)合第一方面或者第一方面第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式至第一方面第六種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種實(shí)現(xiàn)方式，在第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中，所述嵌件與所述法蘭本體焊接連接，所述焊接的焊料包括銀銅合金焊料。
[0019]本發(fā)明的第二方面，提供了一種半導(dǎo)體功率器件，包括前述第一方面或者第一方面第一種可能的實(shí)現(xiàn)方式至第一方面第七種可能的實(shí)現(xiàn)方式中的任一種實(shí)現(xiàn)方式所述的法蘭以及連接于所述法蘭上的芯片。
[0020]本發(fā)明的第三方面，提供了一種集成電路板，包括印刷電路板、散熱器以及如前述第二方面所述的半導(dǎo)體功率器件，其中，
[0021]所述印刷電路板具有連接引腳以及法蘭裝配孔；
[0022]所述半導(dǎo)體功率器件的引腳與所述連接引腳對(duì)應(yīng)連接，所述半導(dǎo)體功率器件中的法蘭與所述法蘭裝配孔裝配連接；
[0023]所述散熱器與所述半導(dǎo)體功率器件中的法蘭連接。
[0024]由上可知，本發(fā)明實(shí)施例提供的法蘭，嵌件位于法蘭本體的非散熱區(qū)，且嵌件的熱膨脹系數(shù)與芯片的熱膨脹系數(shù)之差的絕對(duì)值小于設(shè)定值，采用本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，可充分利用法蘭本體的散熱錐臺(tái)區(qū)高效的將芯片熱量導(dǎo)出，法蘭的散熱性能較佳；此外，嵌件位于法蘭本體的非散熱區(qū)，嵌件的熱膨脹系數(shù)與芯片的熱膨脹系數(shù)較為接近，因此可以減小法蘭與芯片之間的熱應(yīng)力，降低法蘭與芯片熱膨脹的失配程度，提高法蘭與芯片連接的機(jī)械可靠性。因此，包含該法蘭的半導(dǎo)體功率器件具有較佳的散熱性和機(jī)械可靠性，包含該半導(dǎo)體功率器件的集成電路板也具有較佳的散熱性和機(jī)械可靠性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0026]圖1a為空腔封裝射頻功放管示意圖；
[0027]圖1b為塑封封裝射頻功放管示意圖；
[0028]圖2a為銅法蘭截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2b為芯片與銅法蘭連接的熱應(yīng)力仿真云圖；
[0030]圖3為銅復(fù)合層法蘭截面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例的法蘭與芯片連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖5為本發(fā)明第二實(shí)施例的法蘭與芯片連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖6為本發(fā)明第三實(shí)施例的法蘭與芯片連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖7為本發(fā)明第四實(shí)施例的法蘭與芯片連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖8為本發(fā)明第五實(shí)施例的法蘭與芯片連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖9為本發(fā)明第六實(shí)施例的法蘭與芯片連接結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖10為本發(fā)明第一實(shí)施例的法蘭與芯片連接的熱應(yīng)力仿真云圖；
[0038]圖11為本發(fā)明實(shí)施例的集成電路板截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0039]附圖標(biāo)記:
[0040]10-法蘭(現(xiàn)有技術(shù))
[0041]11-芯片
[0042]20-銅法蘭
[0043]30-銅復(fù)合層法蘭
[0044]101、201、301、401、501、601_ 法蘭本體
[0045]102、202、302、402、502、602_ 嵌件
[0046]103-散熱錐臺(tái)區(qū)
[0047]700-半導(dǎo)體功率器件
[0048]701-引腳
[0049]702-法蘭
[0050]800-印刷線路板
[0051]801-連接引腳
[0052]802-法蘭裝配孔
[0053]900-散熱器
【具體實(shí)施方式】
[0054]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0055]為了提高半導(dǎo)體封裝的散熱性和機(jī)械可靠性，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種法蘭、一種半導(dǎo)體功率器件和一種集成電路板。在該技術(shù)方案中，可利用法蘭本體的散熱錐臺(tái)區(qū)高效的將芯片熱量導(dǎo)出，因此法蘭的散熱性能較佳；嵌件位于法蘭本體的非散熱區(qū)，嵌件的熱膨脹系數(shù)與芯片的熱膨脹系數(shù)較為接近，因此可以減小法蘭與芯片之間的熱應(yīng)力，降低法蘭與芯片熱膨脹的失配程度，提高法蘭與芯片連接的機(jī)械可靠性。為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下舉具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0056]如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的法蘭，包括法蘭本體101和嵌入法蘭本體101的嵌件102，其中:
[0057]法蘭本體101具有與芯片11相連接且用于導(dǎo)出芯片11熱量的散熱錐臺(tái)區(qū)103和位于散熱錐臺(tái)區(qū)103外側(cè)的非散熱區(qū)；非散熱區(qū)指法蘭本體101除散熱錐臺(tái)區(qū)103以外的區(qū)域；
[0058]嵌件102位于非散熱區(qū)中，且嵌件102的熱膨脹系數(shù)與芯片11的熱膨脹系數(shù)之差的絕對(duì)值小于設(shè)定值。
[0059]法蘭本體101優(yōu)選采用導(dǎo)熱性較好的材質(zhì)，例如金、銀或者銅等，優(yōu)選采用成本較低的銅材質(zhì)，銅的導(dǎo)熱率為380?390瓦/米*開，20°C溫度條件下的熱膨脹系數(shù)為18?19 10_6/開。半導(dǎo)體功率器件的芯片11通常采用硅、氮化鎵等材質(zhì)，其20°C溫度條件下的熱膨脹系數(shù)為3?4*10_6/開。嵌件102的材質(zhì)可以為鑰、鎢、鐵鎳鈷合金、鐵鎳合金、鎳、鎢銅合金、鑰銅合金、石墨或陶瓷等，這些材質(zhì)與芯片11材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)較為接近(例如鑰20°C溫度條件下的熱膨脹系數(shù)為5.510_6/開，鎢20°C溫度條件下的熱膨脹系數(shù)為4.5*10_6/開)，在此不做具體限定，例如嵌件102的材質(zhì)為鐵鎳42合金，即鐵含量為42%。
[0060]請(qǐng)參考圖4中的A-A截面圖，散熱錐臺(tái)區(qū)103是法蘭本體101導(dǎo)出芯片11熱量較為集中的區(qū)域。散熱錐臺(tái)區(qū)103以法蘭本體101與芯片11的接觸表面為頂面，散熱擴(kuò)散角α可根據(jù)法蘭本體101的材質(zhì)通過仿真計(jì)算或經(jīng)驗(yàn)得出，散熱錐臺(tái)區(qū)103的確定為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，這里不再詳細(xì)贅述。相應(yīng)的，非散熱區(qū)是指法蘭本體101除散熱錐臺(tái)區(qū)103以外的區(qū)域，為不影響法蘭的散熱性能，嵌件102不能嵌入法蘭本體101的散熱錐臺(tái)區(qū)103 內(nèi)。
[0061]設(shè)定值可結(jié)合相關(guān)行業(yè)經(jīng)驗(yàn)，根據(jù)芯片11的材質(zhì)、芯片11的尺寸和應(yīng)用環(huán)境溫度來確定。當(dāng)芯片11的尺寸和應(yīng)用環(huán)境溫度確定時(shí)，可根據(jù)該設(shè)定值選擇嵌件102的材質(zhì)。例如，設(shè)定值為2*10_6/開，則當(dāng)嵌件102材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)與芯片11材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)之差的絕對(duì)值小于2*10_6/開時(shí)，可認(rèn)為嵌件102材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)與芯片11材質(zhì)的熱膨脹系數(shù)較為接近。
[0062]在本發(fā)明技術(shù)方案中，可利用法蘭本體的散熱錐臺(tái)區(qū)高效的將芯片熱量導(dǎo)出，從而提高法蘭的散熱性；此外，嵌件位于法蘭本體的非散熱區(qū)，嵌件的熱膨脹系數(shù)與芯片的熱膨脹系數(shù)較為接近，因此可以減小法蘭與芯片之間的熱應(yīng)力，降低法蘭與芯片熱膨脹的失配程度，提高法蘭與芯片連接的機(jī)械可靠性。
[0063]嵌件102與法蘭本體101的連接方式不限，優(yōu)選的，嵌件102與法蘭本體101焊接連接，焊接的焊料可采用銀銅合金焊料等。
[0064]法蘭本體的具體形狀不限，可根據(jù)半導(dǎo)體功率器件的具體規(guī)格進(jìn)行相應(yīng)設(shè)計(jì)。嵌件的具體結(jié)構(gòu)、數(shù)量不限，可根據(jù)芯片的形狀結(jié)合行業(yè)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行設(shè)計(jì)。例如，嵌件包括兩個(gè)嵌條，兩個(gè)嵌條分別位于非散熱區(qū)中、處于芯片的兩側(cè)的區(qū)域，且兩個(gè)嵌條位置相對(duì)；兩個(gè)嵌條可以嵌于非散熱區(qū)的同一側(cè)表面，也可以分別嵌于非散熱區(qū)的兩側(cè)表面；或者，嵌件為嵌環(huán)，嵌環(huán)位于非散熱區(qū)中、處于芯片的周側(cè)的區(qū)域；嵌件的厚度可根據(jù)非散熱區(qū)的厚度結(jié)合相關(guān)經(jīng)驗(yàn)進(jìn)行具體設(shè)計(jì)，例如，嵌件可以貫穿非散熱區(qū)，也可以未貫穿非散熱區(qū)；當(dāng)嵌件未貫穿非散熱區(qū)時(shí)，嵌件和芯片位于非散熱區(qū)的同一側(cè)表面，或者嵌件和芯片分別位于非散熱區(qū)的兩側(cè)表面。
[0065]如圖4所示的第一實(shí)施例，該實(shí)施例中，嵌件102包括兩個(gè)嵌條，兩個(gè)嵌條分別位于芯片11的兩側(cè)且位置相對(duì)，嵌件102未貫穿法蘭本體101的非散熱區(qū)，并且嵌件102和芯片11位于法蘭本體101的非散熱區(qū)的同一側(cè)表面。
[0066]如圖5所示的第二實(shí)施例，該實(shí)施例中，嵌件202為嵌環(huán)，嵌環(huán)位于芯片11的周偵牝嵌環(huán)未貫穿法蘭本體201的非散熱區(qū)，并且嵌件202和芯片11位于法蘭本體201的非散熱區(qū)的同一側(cè)表面。
[0067]如圖6所示的第三實(shí)施例，該實(shí)施例中，嵌件302包括兩個(gè)嵌條，兩個(gè)嵌條分別位于芯片11的兩側(cè)且位置相對(duì)，嵌件302未貫穿法蘭本體301的非散熱區(qū)，并且嵌件302和芯片11分別位于法蘭本體301的非散熱區(qū)的兩側(cè)表面。
[0068]如圖7所示的第四實(shí)施例，該實(shí)施例中，嵌件402為嵌環(huán)，嵌環(huán)位于芯片11的周偵牝嵌環(huán)未貫穿法蘭本體401的非散熱區(qū)，并且嵌件402和芯片11分別位于法蘭本體401的非散熱區(qū)的兩側(cè)表面。
[0069]如圖8所示的第五實(shí)施例，該實(shí)施例中，嵌件502包括兩個(gè)嵌條，兩個(gè)嵌條分別位于芯片11的兩側(cè)且位置相對(duì)，嵌件502貫穿法蘭本體501的非散熱區(qū)。
[0070]如圖9所示的第六實(shí)施例，該實(shí)施例中，嵌件602為嵌環(huán)，嵌環(huán)位于芯片11的周偵牝嵌環(huán)貫穿法蘭本體601的非散熱區(qū)。
[0071]本發(fā)明第一實(shí)施例結(jié)構(gòu)的法蘭與芯片連接的熱應(yīng)力仿真云圖如圖10所示，該實(shí)施例中，法蘭本體為銅材質(zhì)，尺寸為10毫米*20毫米*1毫米；嵌條為鑰材質(zhì)；芯片厚度為120微米，功率為137瓦`，`使用高鉛焊料將芯片焊接在法蘭本體上。通過對(duì)比圖2b和圖10，代表高熱應(yīng)力的深色區(qū)域在圖10中的面積明顯小于圖2b中的面積，通過仿真軟件數(shù)據(jù)計(jì)算可以得出，本方案芯片與法蘭的熱應(yīng)力減小了約30%。
[0072]
【權(quán)利要求】
1.一種法蘭，其特征在于，包括法蘭本體和嵌入所述法蘭本體的嵌件，其中: 所述法蘭本體具有與芯片相連接且用于導(dǎo)出所述芯片熱量的散熱錐臺(tái)區(qū)和位于所述散熱錐臺(tái)區(qū)外側(cè)的非散熱區(qū)； 所述嵌件位于所述非散熱區(qū)中，且所述嵌件的熱膨脹系數(shù)與所述芯片的熱膨脹系數(shù)之差的絕對(duì)值小于設(shè)定值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其特征在于，所述嵌件為兩個(gè)嵌條，所述兩個(gè)嵌條分別位于所述非散熱區(qū)中、處于所述芯片的兩側(cè)的區(qū)域，且所述兩個(gè)嵌條位置相對(duì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的法蘭，其特征在于，所述嵌件為嵌環(huán)，所述嵌環(huán)位于所述非散熱區(qū)中、處于所述芯片的周側(cè)的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的法蘭，其特在于，所述嵌件貫穿所述非散熱區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的法蘭，其特征在于，所述嵌件未貫穿所述非散熱區(qū)，所述嵌件和所述芯片位于所述非散熱區(qū)的同一側(cè)表面，或者所述嵌件和所述芯片分別位于所述非散熱區(qū)的兩側(cè)表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項(xiàng)所述的法蘭，其特征在于，所述設(shè)定值是根據(jù)芯片的材質(zhì)、芯片的尺寸和應(yīng)用環(huán)境溫度確定的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6任一項(xiàng)所述的法蘭，其特征在于， 所述法蘭本體的材質(zhì)包括金、銀或銅； 所述嵌件的材質(zhì)包括鑰、鶴、鐵鎳鈷合金、鐵鎳合金、鎳、鶴銅合金、鑰銅合金、石墨或陶瓷。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述的法蘭，其特征在于，所述嵌件與所述法蘭本體焊接連接，所述焊接的焊料包括銀銅合金焊料。
9.一種半導(dǎo)體功率器件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的法蘭以及連接于所述法蘭上的芯片。
10.一種集成電路板，其特征在于，包括印刷電路板、散熱器以及如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體功率器件，其中: 所述印刷電路板具有連接引腳以及法蘭裝配孔； 所述半導(dǎo)體功率器件的引腳與所述連接引腳對(duì)應(yīng)連接，所述半導(dǎo)體功率器件中的法蘭與所述法蘭裝配孔裝配連接； 所述散熱器與所述半導(dǎo)體功率器件中的法蘭連接。
【文檔編號(hào)】H01L23/02GK103871972SQ201410126149
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2014年3月31日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月31日
【發(fā)明者】蔣然, 饒杰 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司